JPS5939029A - 半導体製造装置の清浄化方法 - Google Patents
半導体製造装置の清浄化方法Info
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- JPS5939029A JPS5939029A JP14881782A JP14881782A JPS5939029A JP S5939029 A JPS5939029 A JP S5939029A JP 14881782 A JP14881782 A JP 14881782A JP 14881782 A JP14881782 A JP 14881782A JP S5939029 A JPS5939029 A JP S5939029A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体製造装置の清浄化方法に関する。
半導体製造装置、例えば拡散装置を用いた半導体デバイ
スの製造工程においては、炉芯管等からの汚染物質が原
因となる半導体ウェハの表面汚染や半導体ウェハ周辺部
での結晶欠陥の発生を防止するために製造装置自体の清
浄化処理が行われる。
スの製造工程においては、炉芯管等からの汚染物質が原
因となる半導体ウェハの表面汚染や半導体ウェハ周辺部
での結晶欠陥の発生を防止するために製造装置自体の清
浄化処理が行われる。
従来、上述した清浄化処理は１０００℃以上の高温下で
数十時間以上、炉芯管内を高純度窒素ガスでパージする
かまたは３〜５％の塩酸ガスを含む酸素ガスでパージす
ることにより行われている。
数十時間以上、炉芯管内を高純度窒素ガスでパージする
かまたは３〜５％の塩酸ガスを含む酸素ガスでパージす
ることにより行われている。
ところで、炉芯管等の主材としては例えば石英製のもの
が用いられているが、石英の場合熱変形や失透を防止す
るために処理温度をあまり高くすることができず、通常
１ｏｏｏ〜１１５゜℃で処理されている。このため、上
述した従来の清浄化方法により十分な清浄度を得るには
長時間を要し、効率的でない。
が用いられているが、石英の場合熱変形や失透を防止す
るために処理温度をあまり高くすることができず、通常
１ｏｏｏ〜１１５゜℃で処理されている。このため、上
述した従来の清浄化方法により十分な清浄度を得るには
長時間を要し、効率的でない。
そこで、炉芯管等の主材として高温下でも熱変形等の問
題が生じない炭化珪素製または多結晶シリコン製のもの
が用いられるようになってきている。こうした材料の場
合、通常１１９０〜１２５０℃の高温下で上述した清浄
化処理が行われ、比較的短時間で十分な清浄度が得られ
る。
題が生じない炭化珪素製または多結晶シリコン製のもの
が用いられるようになってきている。こうした材料の場
合、通常１１９０〜１２５０℃の高温下で上述した清浄
化処理が行われ、比較的短時間で十分な清浄度が得られ
る。
しかし、材料自体の性質上及び製造工程上の問題から気
孔率が高いため、ヒータ部分等外部からの汚染物質によ
り汚染され易く、清浄度を維持することが困難である。
孔率が高いため、ヒータ部分等外部からの汚染物質によ
り汚染され易く、清浄度を維持することが困難である。
このため、定期的に清浄化処理が行われるものの半導体
ウェハの表面汚染や結晶欠陥が生じ易いという欠点があ
る。
ウェハの表面汚染や結晶欠陥が生じ易いという欠点があ
る。
本発明は短時間の処理で炭化珪素または多結晶シリコン
からなる半導体製造装置の清浄度を維持Ｉ７、半導体ウ
ェハの表面汚染及び結晶欠陥の発生を防止し得る半導体
製造装置の清浄化方法を提供することを目的とするもの
である。
からなる半導体製造装置の清浄度を維持Ｉ７、半導体ウ
ェハの表面汚染及び結晶欠陥の発生を防止し得る半導体
製造装置の清浄化方法を提供することを目的とするもの
である。
本発明の半導体製造装置の清浄化方法は、炭化珪素また
は多結晶シリコンからなる半導体製造装置を１０００〜
１３００°Ｃの温度下で、３〜５％の塩酸ガスを含む酸
繋ガス、酸素ガス及び窒素ガスにより順次処理すること
を特徴とするものである。
は多結晶シリコンからなる半導体製造装置を１０００〜
１３００°Ｃの温度下で、３〜５％の塩酸ガスを含む酸
繋ガス、酸素ガス及び窒素ガスにより順次処理すること
を特徴とするものである。
上述した方法において、３〜５％の塩酸ガスを含む酸素
ガスによる処理時間は６〜２４時肌酸素肌酸素ガス処理
時間は１〜３時間、窒素ガスによる処理時間は１〜３時
間であることが望ましい。
ガスによる処理時間は６〜２４時肌酸素肌酸素ガス処理
時間は１〜３時間、窒素ガスによる処理時間は１〜３時
間であることが望ましい。
上述１７た方法においては、３〜５％の塩酸ガスを含む
酸素ガスによる汚染物質の酸洗浄をまず行うが、この工
程だけでは炭化珪素または多結晶シリコンの気孔率が高
いために外部からの汚染を防げず、管内が再び汚染され
易い状態にある◇そこで、次の酸素ガス処理により内壁
にクリーンＳ ｉ Ｏ，を成長させて外部からの汚染を
防ＩＬできるようにする。その後、窒素ガスによリクリ
ーｙ Ｓ ｉ Ｏ，をパージし、８ ｉ ０．のＱｓｓ
（界面の電荷）をコントロールしてより清浄度を向上す
る。こうした方法によれば、従来の窒素ガスのみあるい
は３〜５％の塩酸ガスを含む酸素ガスのみを用いＷ数十
時間処理する方法と比較して、短時間の処理で半導体製
造装置の清浄度を維持することができる。
酸素ガスによる汚染物質の酸洗浄をまず行うが、この工
程だけでは炭化珪素または多結晶シリコンの気孔率が高
いために外部からの汚染を防げず、管内が再び汚染され
易い状態にある◇そこで、次の酸素ガス処理により内壁
にクリーンＳ ｉ Ｏ，を成長させて外部からの汚染を
防ＩＬできるようにする。その後、窒素ガスによリクリ
ーｙ Ｓ ｉ Ｏ，をパージし、８ ｉ ０．のＱｓｓ
（界面の電荷）をコントロールしてより清浄度を向上す
る。こうした方法によれば、従来の窒素ガスのみあるい
は３〜５％の塩酸ガスを含む酸素ガスのみを用いＷ数十
時間処理する方法と比較して、短時間の処理で半導体製
造装置の清浄度を維持することができる。
以下、本発明方法をｊｌ’ゲー）ＣＭＯ８メモリのＰ型
不純物領域形成のための拡散装置の清浄化処理に適用し
た一実施例について説明する。
不純物領域形成のための拡散装置の清浄化処理に適用し
た一実施例について説明する。
まず、炭化珪素製炉炉管内を１２５０℃で８時間、５％
の塩酸ガスを含む酸素ガスでパージした。次に、１２５
０℃で２時間、炉芯管内を酸素ガスでベークした。つづ
いて、１２５０℃で２時間、炉芯管内を窒素ガスでアニ
ールした。上述した清浄化処理の後、ＣＭＯＳメモリの
Ｐ型不純物領域形成のために１２５０６Ｃで５チヤージ
の拡散工程を行った。つづいて、上述した清浄化処理と
全く同じ清浄化処理を行った。以下、５チヤージの拡散
工程につき１回の割合で上述した清浄化処理を行った。
の塩酸ガスを含む酸素ガスでパージした。次に、１２５
０℃で２時間、炉芯管内を酸素ガスでベークした。つづ
いて、１２５０℃で２時間、炉芯管内を窒素ガスでアニ
ールした。上述した清浄化処理の後、ＣＭＯＳメモリの
Ｐ型不純物領域形成のために１２５０６Ｃで５チヤージ
の拡散工程を行った。つづいて、上述した清浄化処理と
全く同じ清浄化処理を行った。以下、５チヤージの拡散
工程につき１回の割合で上述した清浄化処理を行った。
しかして、上述した方法によれば、半導体ウェハの笥辺
部にはほとんどスクッキングフオー、ルトの発生がなか
った。この結果、従来の清浄化方法（上記実施例と同様
、５チヤージに１回の割合）では１００φウエハの川辺
部５〜２０籠の領域にスクッキングフォールトが発生し
、この領域のチップはダイソートテストで１００％不良
品であったのと比較すると、歩留りが大幅に向上した。
部にはほとんどスクッキングフオー、ルトの発生がなか
った。この結果、従来の清浄化方法（上記実施例と同様
、５チヤージに１回の割合）では１００φウエハの川辺
部５〜２０籠の領域にスクッキングフォールトが発生し
、この領域のチップはダイソートテストで１００％不良
品であったのと比較すると、歩留りが大幅に向上した。
本発明によれば、短時間の処理で炭化珪素または、多結
晶シリコンからなる半導体製造装置の清浄度を維持し、
半導体ウェハの表面汚染及び結晶欠陥９発生を防止し得
る半導体製造装置の清浄化方法を提供できるものである
。
晶シリコンからなる半導体製造装置の清浄度を維持し、
半導体ウェハの表面汚染及び結晶欠陥９発生を防止し得
る半導体製造装置の清浄化方法を提供できるものである
。
Claims (1)
- 炭化珪素または多結晶シリコンからなる半導体製造装置
の清浄化方法において、半導体製造装置を１０００〜ｉ
ｅ ｏ ｏｘ℃の温度下で、３〜５％の塩酸ガスを含
む酸素ガス、酸素ガス及び窒素ガスにより順次処理する
ことを特徴とする半導体製造装置の清浄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14881782A JPS5939029A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 半導体製造装置の清浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14881782A JPS5939029A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 半導体製造装置の清浄化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5939029A true JPS5939029A (ja) | 1984-03-03 |
| JPH0373133B2 JPH0373133B2 (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=15461375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14881782A Granted JPS5939029A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 半導体製造装置の清浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939029A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0234910A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Nec Kansai Ltd | 化合物半導体気相成長方法 |
| JPH02214121A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニング方法 |
| JPH06112145A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-22 | Matsushita Electron Corp | 熱処理炉の炉心管のトリクロルエタンクリーニング方法 |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP14881782A patent/JPS5939029A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0234910A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Nec Kansai Ltd | 化合物半導体気相成長方法 |
| JPH02214121A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体用ＳｉＣ質治具等のクリーニング方法 |
| JPH06112145A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-22 | Matsushita Electron Corp | 熱処理炉の炉心管のトリクロルエタンクリーニング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0373133B2 (ja) | 1991-11-20 |
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