JP3354947B2 - 半導体基板の製法 - Google Patents
半導体基板の製法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の製法に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体産業の発展はめざましく、
各種の半導体製品が製造されている。また、このような
半導体製品を高精度なものとするための研究，開発も進
められており、半導体基板の品質に対してもその改善が
強く要望されている。従来、上記のような半導体基板
は、例えばつぎのようにして作製されている。すなわ
ち、不純物（例えば、ホウ素）をドープしたシリコン単
結晶を薄い板状（ウエハ）に切り出してこのシリコンウ
エハの表面を鏡面に研磨し、ついでウエツト酸化を施し
て、図２に示すように、シリコンウエハ１０の表面にシ
リコン酸化膜（Ｓi Ｏ2 ）からなる絶縁層２１を形成す
る。上記ウエツト酸化は、例えばつぎのようにして行わ
れる。すなわち、図５に示すような加熱炉２５内にシリ
コンウエハ１０を配設し、その状態でヒータ２６で加熱
して上記加熱炉２５内を１３００℃以上の高温にし、つ
いで加熱炉２５内に導入管２７を介して純水を導入し、
これにより加熱炉２５内に水蒸気を発生させ、この水蒸
気を利用してシリコンウエハ１０の表面を酸化する。図
において、２８は排出管、２９は開閉弁である。
各種の半導体製品が製造されている。また、このような
半導体製品を高精度なものとするための研究，開発も進
められており、半導体基板の品質に対してもその改善が
強く要望されている。従来、上記のような半導体基板
は、例えばつぎのようにして作製されている。すなわ
ち、不純物（例えば、ホウ素）をドープしたシリコン単
結晶を薄い板状（ウエハ）に切り出してこのシリコンウ
エハの表面を鏡面に研磨し、ついでウエツト酸化を施し
て、図２に示すように、シリコンウエハ１０の表面にシ
リコン酸化膜（Ｓi Ｏ2 ）からなる絶縁層２１を形成す
る。上記ウエツト酸化は、例えばつぎのようにして行わ
れる。すなわち、図５に示すような加熱炉２５内にシリ
コンウエハ１０を配設し、その状態でヒータ２６で加熱
して上記加熱炉２５内を１３００℃以上の高温にし、つ
いで加熱炉２５内に導入管２７を介して純水を導入し、
これにより加熱炉２５内に水蒸気を発生させ、この水蒸
気を利用してシリコンウエハ１０の表面を酸化する。図
において、２８は排出管、２９は開閉弁である。
【０００３】このようにして得られた半導体基板２０
（図２に戻る）の上記シリコン酸化膜２１に対し、フオ
トレジスト塗布，エツチング等を行つて窓を開け（図３
参照）、そののちベース拡散，電極形成等を行つて、半
導体製品を製造している。図４には、上記のようにして
得られたトランジスタの一部分が示されている。図にお
いて、２２はアルミニウム、２３，２４はリード線であ
る。
（図２に戻る）の上記シリコン酸化膜２１に対し、フオ
トレジスト塗布，エツチング等を行つて窓を開け（図３
参照）、そののちベース拡散，電極形成等を行つて、半
導体製品を製造している。図４には、上記のようにして
得られたトランジスタの一部分が示されている。図にお
いて、２２はアルミニウム、２３，２４はリード線であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法では、シリコンウエハ１０を１３００℃以上もの高
温状態にさらされなければならず、このため、シリコン
ウエハ自体が歪んで、製品化した場合に欠陥品が発生す
るという問題がある。
方法では、シリコンウエハ１０を１３００℃以上もの高
温状態にさらされなければならず、このため、シリコン
ウエハ自体が歪んで、製品化した場合に欠陥品が発生す
るという問題がある。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、ウエハに歪みがなく製品化した場合にも欠陥品
の発生がない半導体基板の製法の提供をその目的とす
る。
もので、ウエハに歪みがなく製品化した場合にも欠陥品
の発生がない半導体基板の製法の提供をその目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、ウエハの表面を、ＮＦ 3 ，ＢＦ 3 ，ＣＦ
4 ，ＨＦ，ＳＦ 6 ，Ｆ 2 から選ばれた少なくとも一つの
フツ素源成分を不活性ガス中に含有させたフツ素系ガス
雰囲気下において加熱状態で保持することにより、上記
ウエハの表面の酸化物に代えてフツ化膜を生成するとと
もに、上記ウエハの表面に吸着されていた酸素を除去し
た後、続いてＮＨ 3 ガスを含有する窒化雰囲気下におい
て加熱状態で保持することにより、上記フツ化膜を除去
して上記ウエハの素地を形成するとともに、Ｎ原子を侵
入，拡散させて上記ウエハの表面層に窒化層からなる絶
縁層を形成した半導体基板の製法を要旨とする。
め、本発明は、ウエハの表面を、ＮＦ 3 ，ＢＦ 3 ，ＣＦ
4 ，ＨＦ，ＳＦ 6 ，Ｆ 2 から選ばれた少なくとも一つの
フツ素源成分を不活性ガス中に含有させたフツ素系ガス
雰囲気下において加熱状態で保持することにより、上記
ウエハの表面の酸化物に代えてフツ化膜を生成するとと
もに、上記ウエハの表面に吸着されていた酸素を除去し
た後、続いてＮＨ 3 ガスを含有する窒化雰囲気下におい
て加熱状態で保持することにより、上記フツ化膜を除去
して上記ウエハの素地を形成するとともに、Ｎ原子を侵
入，拡散させて上記ウエハの表面層に窒化層からなる絶
縁層を形成した半導体基板の製法を要旨とする。
【０００７】
【作用】すなわち、本発明の半導体基板の製法によって
得られた半導体基板は、ウエハの表面にフツ化膜に置き
換えて形成された窒化層からなる絶縁層が形成されてい
る。したがつて、本発明の半導体基板は、従来のような
シリコン酸化膜からなる絶縁膜と比べて、電気的特性が
安定しており、製品化した場合に素子特性が安定したも
のになる。また、本発明の方法は、ウエハを、ＮＦ 3 ，
ＢＦ 3 ，ＣＦ 4 ，ＨＦ，ＳＦ 6 ，Ｆ 2 から選ばれた少な
くとも一つのフツ素源成分を不活性ガス中に含有させた
フツ素系ガス雰囲気下で加熱状態において保持すること
により、上記ウエハの表面の酸化物に代えてフツ化膜を
生成するとともに、上記ウエハの表面に吸着されていた
酸素を除去した後、続いてＮＨ 3 ガスを含有する窒化雰
囲気下において加熱状態で保持して上記フツ化膜を除去
すると同時に、その除去跡（上記ウエハの表面層）に窒
化層からなる絶縁層を形成している。このように、窒化
処理に先立つてフツ化処理をすることにより、活性化し
たフツ素原子でウエハの表面に付着していた加工助剤等
の異物を破壊等して除去して上記ウエハの表面を清浄化
すると同時に活性化することができるため、後続の窒化
処理において、窒化層を均一にかつかなり深く迄形成す
ることができ、窒化層の層厚を均一にかつ厚くできるよ
うになる。しかも、上記フツ化処理時における加熱温度
および窒化処理時における加熱温度は、従来のように１
３００℃以上の高温にする必要はないため、ウエハ自体
が歪むことがなく、製品化した場合にも欠陥品が発生す
ることがない。
得られた半導体基板は、ウエハの表面にフツ化膜に置き
換えて形成された窒化層からなる絶縁層が形成されてい
る。したがつて、本発明の半導体基板は、従来のような
シリコン酸化膜からなる絶縁膜と比べて、電気的特性が
安定しており、製品化した場合に素子特性が安定したも
のになる。また、本発明の方法は、ウエハを、ＮＦ 3 ，
ＢＦ 3 ，ＣＦ 4 ，ＨＦ，ＳＦ 6 ，Ｆ 2 から選ばれた少な
くとも一つのフツ素源成分を不活性ガス中に含有させた
フツ素系ガス雰囲気下で加熱状態において保持すること
により、上記ウエハの表面の酸化物に代えてフツ化膜を
生成するとともに、上記ウエハの表面に吸着されていた
酸素を除去した後、続いてＮＨ 3 ガスを含有する窒化雰
囲気下において加熱状態で保持して上記フツ化膜を除去
すると同時に、その除去跡（上記ウエハの表面層）に窒
化層からなる絶縁層を形成している。このように、窒化
処理に先立つてフツ化処理をすることにより、活性化し
たフツ素原子でウエハの表面に付着していた加工助剤等
の異物を破壊等して除去して上記ウエハの表面を清浄化
すると同時に活性化することができるため、後続の窒化
処理において、窒化層を均一にかつかなり深く迄形成す
ることができ、窒化層の層厚を均一にかつ厚くできるよ
うになる。しかも、上記フツ化処理時における加熱温度
および窒化処理時における加熱温度は、従来のように１
３００℃以上の高温にする必要はないため、ウエハ自体
が歪むことがなく、製品化した場合にも欠陥品が発生す
ることがない。
【０００８】つぎに、本発明について詳しく説明する。
【０００９】本発明のフツ化処理に使用するフツ素系ガ
スとは、ＮＦ3 ，ＢＦ3 ，ＣＦ4 ，ＨＦ，ＳＦ6 ，Ｆ2
から選ばれた少なくとも一つのフツ素源成分をＮ2 等の
不活性ガス中に含有させたもののことをいう。これらフ
ツ素源成分の中でも、反応性，取扱い性等の点でＮＦ3
が最も優れており実用的である。
スとは、ＮＦ3 ，ＢＦ3 ，ＣＦ4 ，ＨＦ，ＳＦ6 ，Ｆ2
から選ばれた少なくとも一つのフツ素源成分をＮ2 等の
不活性ガス中に含有させたもののことをいう。これらフ
ツ素源成分の中でも、反応性，取扱い性等の点でＮＦ3
が最も優れており実用的である。
【００１０】本発明の窒化処理方法は、先に述べたよう
に、上記フツ素系ガス雰囲気下でウエハを、例えばＮＦ
3 の場合、２５０〜４００℃の温度に、好適には３６０
℃程度の温度に加熱保持し上記ウエハの表面を処理した
後、公知の窒化用ガス例えばアンモニアを用いて窒化処
理（または浸炭窒化処理）を行う。このようなフツ素系
ガスにおけるＮＦ3 等のフツ素源成分の濃度は、例えば
１０００〜１０００００ｐｐｍであり、好ましくは２０
０００〜７００００ｐｐｍ、より好ましいのは３０００
０〜５００００ｐｐｍである。このようなフツ素系ガス
雰囲気中での保持時間は、ウエハの形状や加熱温度等に
応じて適当な時間を選べばよく、通常は数分ないし数十
分である。
に、上記フツ素系ガス雰囲気下でウエハを、例えばＮＦ
3 の場合、２５０〜４００℃の温度に、好適には３６０
℃程度の温度に加熱保持し上記ウエハの表面を処理した
後、公知の窒化用ガス例えばアンモニアを用いて窒化処
理（または浸炭窒化処理）を行う。このようなフツ素系
ガスにおけるＮＦ3 等のフツ素源成分の濃度は、例えば
１０００〜１０００００ｐｐｍであり、好ましくは２０
０００〜７００００ｐｐｍ、より好ましいのは３０００
０〜５００００ｐｐｍである。このようなフツ素系ガス
雰囲気中での保持時間は、ウエハの形状や加熱温度等に
応じて適当な時間を選べばよく、通常は数分ないし数十
分である。
【００１１】本発明の方法をより具体的に説明すると、
シリコンウエハ１０を、図１に示す熱処理炉１に装入す
る。この炉１は、外殻２内に設けたヒータ３の内側に内
容器４を入れたピツト炉で、ガス導入管５と排気管６が
挿入されている。ガス導入管５にはボンベ１４からＮＨ
3 ガス（あるいはＮＨ3 と炭素源を有するガス、例えば
ＲＸガスとの混合ガス）が流量計１６，バルブ１８等を
経由して供給され、ボンベ１５からフツ素系ガス、例え
ばＮＦ3とＮ2 の混合ガスが流量計１７，バルブ１８等
を経由して供給される。内部の雰囲気はモータ７で回転
するフアン８によつて攪拌される。上記シリコンウエハ
１０は金属製のコンテナ１１に入れて炉内に装入され
る。図中、９はシリコンウエハ１０の受け台、１２は真
空ポンプ、１３は除害装置である。この炉中にボンベ１
５からガス導入管５を介して上記ＮＦ3 とＮ2 の混合ガ
スを導入し、所定の反応温度に加熱する。ＮＦ3 は２５
０〜４００℃の温度で活性基のフツ素を発生し、これに
より上記シリコンウエハ１０の表面に付着したいた加工
助剤や有機，無機系の汚染等を除去すると同時に、この
フツ素が上記シリコンウエハ１０の表面のＳi Ｏ2 等の
酸化物と次式に示すように反応し、上記シリコンウエハ
１０の表面にごく薄いフツ化膜Ｓi Ｆ4 を形成する。
シリコンウエハ１０を、図１に示す熱処理炉１に装入す
る。この炉１は、外殻２内に設けたヒータ３の内側に内
容器４を入れたピツト炉で、ガス導入管５と排気管６が
挿入されている。ガス導入管５にはボンベ１４からＮＨ
3 ガス（あるいはＮＨ3 と炭素源を有するガス、例えば
ＲＸガスとの混合ガス）が流量計１６，バルブ１８等を
経由して供給され、ボンベ１５からフツ素系ガス、例え
ばＮＦ3とＮ2 の混合ガスが流量計１７，バルブ１８等
を経由して供給される。内部の雰囲気はモータ７で回転
するフアン８によつて攪拌される。上記シリコンウエハ
１０は金属製のコンテナ１１に入れて炉内に装入され
る。図中、９はシリコンウエハ１０の受け台、１２は真
空ポンプ、１３は除害装置である。この炉中にボンベ１
５からガス導入管５を介して上記ＮＦ3 とＮ2 の混合ガ
スを導入し、所定の反応温度に加熱する。ＮＦ3 は２５
０〜４００℃の温度で活性基のフツ素を発生し、これに
より上記シリコンウエハ１０の表面に付着したいた加工
助剤や有機，無機系の汚染等を除去すると同時に、この
フツ素が上記シリコンウエハ１０の表面のＳi Ｏ2 等の
酸化物と次式に示すように反応し、上記シリコンウエハ
１０の表面にごく薄いフツ化膜Ｓi Ｆ4 を形成する。
【００１２】Ｓi Ｏ2 ＋４Ｆ→Ｓi Ｆ4 ＋Ｏ2
【００１３】この反応により、上記シリコンウエハ１０
の表面の酸化皮膜はフツ化膜に変換され、表面に吸着さ
れていたＯ2 も除去される。そして、このようなフツ化
膜は、Ｈ2 ，Ｈ2 Ｏが存在しない場合、６００℃以下の
温度で安定であつて、後続の窒化処理までの間における
金属素地への酸化皮膜の形成やＯ2 の吸着を防止する。
また、このようなフツ化処理では、その第１段階で炉材
表面に対してフツ化膜が形成されることとなることか
ら、その膜によつて以後の炉材表面に対するフツ素系ガ
スに基づく損傷が防止されるようになる。
の表面の酸化皮膜はフツ化膜に変換され、表面に吸着さ
れていたＯ2 も除去される。そして、このようなフツ化
膜は、Ｈ2 ，Ｈ2 Ｏが存在しない場合、６００℃以下の
温度で安定であつて、後続の窒化処理までの間における
金属素地への酸化皮膜の形成やＯ2 の吸着を防止する。
また、このようなフツ化処理では、その第１段階で炉材
表面に対してフツ化膜が形成されることとなることか
ら、その膜によつて以後の炉材表面に対するフツ素系ガ
スに基づく損傷が防止されるようになる。
【００１４】そののち、熱処理炉１で窒化処理を行う。
すなわち、熱処理炉１内の上記ＮＦ3 とＮ2 の混合ガス
を排気管６から真空排気した後、ヒータ３で加熱して熱
処理炉１内を４８０〜７００℃の温度に、好適には６０
０℃程度の温度に昇温し、その状態でボンベ１４からガ
ス導入管５を介して上記ＮＨ3 ガスを導入し、所定時間
保持する。これにより、上記フツ化膜がＨ2 または微量
の水分によつて例えば次式のように還元あるいは破壊さ
れ、それによつて活性な金属素地が形成される。
すなわち、熱処理炉１内の上記ＮＦ3 とＮ2 の混合ガス
を排気管６から真空排気した後、ヒータ３で加熱して熱
処理炉１内を４８０〜７００℃の温度に、好適には６０
０℃程度の温度に昇温し、その状態でボンベ１４からガ
ス導入管５を介して上記ＮＨ3 ガスを導入し、所定時間
保持する。これにより、上記フツ化膜がＨ2 または微量
の水分によつて例えば次式のように還元あるいは破壊さ
れ、それによつて活性な金属素地が形成される。
【００１５】Ｓi Ｆ4 ＋２Ｈ2 →Ｓi ＋４ＨＦ
【００１６】このようにして、活性な金属素地が形成さ
れると同時に、活性なＮ原子が金属内に侵入，拡散して
ゆき、その結果、金属素地の表面にＳi 3Ｎ4 の窒化物
を含有する化合物層（窒化層）が形成される。
れると同時に、活性なＮ原子が金属内に侵入，拡散して
ゆき、その結果、金属素地の表面にＳi 3Ｎ4 の窒化物
を含有する化合物層（窒化層）が形成される。
【００１７】このような窒化層が形成されるのは、従来
の窒化法でも同様であるが、従来法では、常温より窒化
温度まで上昇する間に形成される酸化皮膜や、このとき
吸着されるＯ2 分によつて表面の活性度が低下している
ので、Ｎ原子の表面吸着の度合いが低く、不均一であ
る。また、このような不均一性は、ＮＨ3 の分解の度合
いを炉内で均一に保つことが実際上困難であることによ
つても拡大される。本発明では、シリコンウエハ１０の
表面におけるＮ原子の吸着が均一かつ迅速に行われるの
で、上記のような問題は生じない。
の窒化法でも同様であるが、従来法では、常温より窒化
温度まで上昇する間に形成される酸化皮膜や、このとき
吸着されるＯ2 分によつて表面の活性度が低下している
ので、Ｎ原子の表面吸着の度合いが低く、不均一であ
る。また、このような不均一性は、ＮＨ3 の分解の度合
いを炉内で均一に保つことが実際上困難であることによ
つても拡大される。本発明では、シリコンウエハ１０の
表面におけるＮ原子の吸着が均一かつ迅速に行われるの
で、上記のような問題は生じない。
【００１８】また、このようにして得られたシリコンウ
エハ１０は、その表面層に窒化層からなる絶縁層が形成
されていることから、従来のようなシリコン酸化膜から
なる絶縁膜と比べて電気的特性が安定している。また、
上記の方法は、窒化処理に先立つてフツ化処理をするこ
とにより、上記シリコンウエハ１０の表面を清浄化する
と同時に活性化するため、窒化層を均一にかつかなり深
く迄形成することができ、窒化層の層厚を均一にかつ厚
くできるようになる。しかも、従来のように１３００℃
以上もの高温下において酸化膜を形成するものではない
ため、シリコンウエハ１０自体が歪むことがなく、製品
化した場合にも欠陥品が発生することがない。
エハ１０は、その表面層に窒化層からなる絶縁層が形成
されていることから、従来のようなシリコン酸化膜から
なる絶縁膜と比べて電気的特性が安定している。また、
上記の方法は、窒化処理に先立つてフツ化処理をするこ
とにより、上記シリコンウエハ１０の表面を清浄化する
と同時に活性化するため、窒化層を均一にかつかなり深
く迄形成することができ、窒化層の層厚を均一にかつ厚
くできるようになる。しかも、従来のように１３００℃
以上もの高温下において酸化膜を形成するものではない
ため、シリコンウエハ１０自体が歪むことがなく、製品
化した場合にも欠陥品が発生することがない。
【００１９】なお、上記の説明では、本発明をシリコン
ウエハに適用した場合が説明されているが、これに限定
されるものではなく、ゲルマニウムウエハ，ガリウムひ
素ウエハ，または他の半導体ウエハに適用してもよい。
ウエハに適用した場合が説明されているが、これに限定
されるものではなく、ゲルマニウムウエハ，ガリウムひ
素ウエハ，または他の半導体ウエハに適用してもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体基板の製
法によって得られた半導体基板は、ウエハの表面にフツ
化膜に置き換えて形成された窒化層からなる絶縁層が形
成されていることから、従来のようなシリコン酸化膜か
らなる絶縁膜と比べて、電気的特性が安定しており、製
品化した場合に素子特性が安定したものになる。また、
本発明の方法は、ウエハを、ＮＦ 3 ，ＢＦ 3 ，ＣＦ 4 ，
ＨＦ，ＳＦ 6 ，Ｆ 2 から選ばれた少なくとも一つのフツ
素源成分を不活性ガス中に含有させたフツ素系ガス雰囲
気下において加熱状態で保持することにより、上記ウエ
ハの表面の酸化物に代えてフツ化膜を生成するととも
に、上記ウエハの表面に吸着されていた酸素を除去した
後、続いてＮＨ 3 ガスを含有する窒化雰囲気下において
加熱状態で保持して上記フツ化膜を除去すると同時に、
その除去跡（上記ウエハの表面層）に窒化層からなる絶
縁層を形成するようにしている。したがつて、フツ化処
理により清浄化され、同時に活性化されたウエハ表面層
に窒化層を均一にかつかなり深く迄形成することがで
き、窒化層の層厚を均一にかつ厚くできるようになる。
しかも、フツ化処理時における加熱温度および窒化処理
時における加熱温度を、従来のように１３００℃以上の
高温にする必要がないため、ウエハ自体が歪むことがな
く、製品化した場合にも欠陥品が発生することがない。
法によって得られた半導体基板は、ウエハの表面にフツ
化膜に置き換えて形成された窒化層からなる絶縁層が形
成されていることから、従来のようなシリコン酸化膜か
らなる絶縁膜と比べて、電気的特性が安定しており、製
品化した場合に素子特性が安定したものになる。また、
本発明の方法は、ウエハを、ＮＦ 3 ，ＢＦ 3 ，ＣＦ 4 ，
ＨＦ，ＳＦ 6 ，Ｆ 2 から選ばれた少なくとも一つのフツ
素源成分を不活性ガス中に含有させたフツ素系ガス雰囲
気下において加熱状態で保持することにより、上記ウエ
ハの表面の酸化物に代えてフツ化膜を生成するととも
に、上記ウエハの表面に吸着されていた酸素を除去した
後、続いてＮＨ 3 ガスを含有する窒化雰囲気下において
加熱状態で保持して上記フツ化膜を除去すると同時に、
その除去跡（上記ウエハの表面層）に窒化層からなる絶
縁層を形成するようにしている。したがつて、フツ化処
理により清浄化され、同時に活性化されたウエハ表面層
に窒化層を均一にかつかなり深く迄形成することがで
き、窒化層の層厚を均一にかつ厚くできるようになる。
しかも、フツ化処理時における加熱温度および窒化処理
時における加熱温度を、従来のように１３００℃以上の
高温にする必要がないため、ウエハ自体が歪むことがな
く、製品化した場合にも欠陥品が発生することがない。
【００２１】
【実施例】シリコンウエハ（φ３０mm）を、図１に示す
ような熱処理炉１に入れ、ＮＦ3を５０００ｐｐｍ含有
するＮ2 ガス雰囲気で３６０℃で１５分間保持した。そ
の後６００℃に加熱し、５０％ＮＨ3 ＋５０％Ｎ2 の混
合ガスを炉内に導入して３時間窒化処理を行い、しかる
のち空冷して取り出す。得られたシリコンウエハ表面の
窒化層の厚みは１０〜７０μｍであり、その表面硬度は
１０００〜１３５０Ｈｖであり、シリコンウエハに歪み
はなかつた。
ような熱処理炉１に入れ、ＮＦ3を５０００ｐｐｍ含有
するＮ2 ガス雰囲気で３６０℃で１５分間保持した。そ
の後６００℃に加熱し、５０％ＮＨ3 ＋５０％Ｎ2 の混
合ガスを炉内に導入して３時間窒化処理を行い、しかる
のち空冷して取り出す。得られたシリコンウエハ表面の
窒化層の厚みは１０〜７０μｍであり、その表面硬度は
１０００〜１３５０Ｈｖであり、シリコンウエハに歪み
はなかつた。
【図１】本発明の一実施例に用いる熱処理炉の断面図で
ある。
ある。
【図２】半導体基板の断面図である。
【図３】トランジスタの製造過程を示す説明図である。
【図４】トランジスタの一部分を示す説明図である。
【図５】従来例の加熱炉の説明図である。
【符号の説明】 １ 熱処理炉 １０ ウエハ ２０ 半導体基板 ２１ 絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハの表面を、ＮＦ 3 ，ＢＦ 3 ，ＣＦ
4 ，ＨＦ，ＳＦ 6 ，Ｆ 2 から選ばれた少なくとも一つの
フツ素源成分を不活性ガス中に含有させたフツ素系ガス
雰囲気下において加熱状態で保持することにより、上記
ウエハの表面の酸化物に代えてフツ化膜を生成するとと
もに、上記ウエハの表面に吸着されていた酸素を除去し
た後、続いてＮＨ 3 ガスを含有する窒化雰囲気下におい
て加熱状態で保持することにより、上記フツ化膜を除去
して上記ウエハの素地を形成するとともに、Ｎ原子を侵
入，拡散させて上記ウエハの表面層に窒化層からなる絶
縁層を形成したことを特徴とする半導体基板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02298891A JP3354947B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 半導体基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02298891A JP3354947B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 半導体基板の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239728A JPH04239728A (ja) | 1992-08-27 |
| JP3354947B2 true JP3354947B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=12097926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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1991
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04239728A (ja) | 1992-08-27 |
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