JPH11219907A - ウエハ処理装置および処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ表面を酸化させることなく清浄化し、
清浄度を保った状態で処理を行うことを可能にする。 【解決手段】 ウエハ２の処理を行う処理室１０と、有
機ガス除去フィルタ３０を通過させた清浄気体で満たさ
れた空間を介して処理室１０と分離して設けられたウエ
ハ２の予備室２０と、予備室２０内のガスを排気する排
気手段２１と、予備室２０内を加熱する前処理用ヒータ
（加熱手段）２４とを備えてなる。そして、ウエハ２の
処理を行う場合には、ウエハ２が収められた予備室２０
内を排気手段２１で排気して酸素を除去し、さらに排気
を行いつつ前処理用ヒータ２４にてウエハ２を加熱す
る。その後、有機ガス除去フィルタ３０を通過させた清
浄気体で満たされた空間を介して、ウエハ２を大気にさ
らすことなく予備室２０から処理室１０内に搬送して処
理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いるウエハ処理装置およびウエハ処理方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、ＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Depositin：化学的気相成長）装置
や、酸化炉、アニール炉などのウエハ処理装置が用いら
れている。また、上記ＣＶＤ装置としては、減圧下でＣ
ＶＤを行う装置（以下、ＬＰ−ＣＶＤ装置と記す、ＬＰ
はLow Pressureの略）があり、キャパシタ用の窒化シリ
コン（ＳｉＮ）膜、素子分離を形成するためのＳｉＮ
膜、ポリシリコン（Poly−Ｓｉ）膜、および酸化シリコ
ン（ＳｉＯ₂ ）膜等の成膜工程で広く使われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な装置を用いて処理する前のウエハ表面には、通常、各
種の汚染物質が存在している。汚染物質は、ウエハ表面
に成膜する際の成膜特性や、ウエハに形成された素子特
性などに悪影響を及ぼすことが知られている。例えばシ
リコン（Ｓｉ）からなるウエハでは、大気中にウエハを
放置すると、ウエハ表面に自然酸化膜が成長する。また
前の工程の製造装置から次のウエハ処理装置までのウエ
ハ搬送中に、クリーンルーム内の空気中に存在する有機
ガスや、プラスチックの搬送ボックスから放出される有
機ガスがウエハ表面に吸着する。こられの有機ガスは、
ウエハをクリーンルーム内の空気にさらすまたはプラス
チックケース内に保管しておくだけでも、極めて短時間
のうちにウエハ表面に吸着する。

【０００４】このような分子レベルの微量の有機物や自
然酸化膜がウエハ表面に存在している状態で該ウエハの
処理を行うと、例えばこの処理が成膜である場合にはウ
エハ表面において異常核成長が起きる。また、核成長し
難くなり、図４の破線で示すように成膜開始までの潜伏
時間（Incubation Time)が長くなる。この潜伏時間は、
ウエハ表面に付着している有機物などの量によって変動
するため、膜を常に均一な厚みに形成できないといった
不具合が生じる。また上記の異常核成長が起きることに
よっても膜厚および膜質がばらつき、安定した成膜を行
うことができなくなる。

【０００５】最近では、ウエハ処理室に、この処理室を
大気開放することなく連続した状態で、真空が保てる搬
送待機室（ロードロック室）を設けて、処理前のウエハ
表面における自然酸化膜の成長防止を図る装置も開発さ
れてきている。しかしながら、この装置では、ウエハ表
面の有機物汚染の防止が図られていないため、ウエハ表
面に吸着した有機物により依然として上記したような問
題が発生する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明に係る請求項１記載のウエハ処理装置は、ウエ
ハの処理を行う処理室と、有機ガス除去フィルタを通過
させた清浄気体で満たされた空間を介してこの処理室と
分離して設けられたウエハの予備室とを備えており、上
記予備室には、内部のガスを排気する排気手段及び内部
を加熱する加熱手段を設けてなることを特徴としてい
る。

【０００７】このような構成のウエハ処理装置では、予
備室に加熱手段と排気手段とが備えられているため、ウ
エハが収められた予備室内を排気した状態でその内部を
加熱することで、ウエハ表面を酸化させることなくその
表面に吸着した有機物が脱離される。しかも、脱離させ
た有機物は、ウエハ表面に再吸着することなく排気手段
によって除去される。したがって、ウエハ表面が分子レ
ベルで清浄化される。さらに、互いに分離して設けられ
た処理室と上記予備室との間の空間は、有機ガス除去フ
ィルタを通過させた清浄気体で満たされていることか
ら、ウエハが大気にさらされることなく予備室から処理
室内に搬送され、予備室内におけるウエハ表面の清浄度
が処理室内においても維持される。

【０００８】また請求項２記載のウエハ処理装置は、ウ
エハの処理を行う処理室と、ゲートバルブを介してこの
処理室に接続されたウエハの予備室とを備えており、こ
の予備室には、内部のガスを排気する排気手段及び内部
を加熱する加熱手段を設けてなることを特徴としてい
る。

【０００９】このような構成のウエハ処理装置では、予
備室に加熱手段と排気手段とが備えられているため、上
記請求項１記載のウエハ処理装置と同様にこの予備室内
においてウエハ表面が分子レベルで清浄化される。さら
に、処理室には、ゲートバルブを介して上記処理室が接
続されているため、ウエハが大気にさらされることなく
予備室から処理室内に搬送され、予備室内におけるウエ
ハ表面の清浄度が処理室内においても維持される。

【００１０】さらに、本発明に係るウエハ処理方法は、
予備室内に収めたウエハを、大気にさらすことなく予備
室から処理室内に搬送し、該処理室内にて処理する方法
において、ウエハを上記予備室内に収めた際に、この予
備室内のガスを排気して酸素を含有するガスを除去した
状態で該予備室内のウエハを加熱することを特徴として
いる。

【００１１】上記ウエハ処理方法では、予備室内から酸
素を含有するガスを除去した状態でこの予備室内のウエ
ハを加熱するため、ウエハ表面を酸化させることなくこ
の表面に吸着した有機物が脱離、除去される。このたた
め、表面が分子レベルで清浄化されたウエハが得られ
る。また予備室内のウエハを大気にさらすことなく予備
室から処理室内に搬送するため、ウエハ表面は清浄化さ
れたままの状態で処理される。

【００１２】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。 （第１実施形態）図１は、請求項１記載の発明に係るウ
エハ処理装置を枚葉式のＬＰ−ＣＶＤ装置に適用した一
実施形態の概略断面図である。この図に示すウエハ処理
装置１は、処理室１０と、この処理室１０とは分離した
状態で設けられた予備室２０と、これらの処理室１０と
予備室２０との間の上方に設けられた有機ガス除去フィ
ルタ３０とを備えている。

【００１３】上記処理室１０は、内部において成膜処理
を行うためのものであり、一般的な炉心型のＣＶＤ装置
の密閉チャンバーと同様に構成されている。すなわち、
処理室１０は、矩形の石英反応管１１と、その周囲に設
けられた角型のヒータ１２とで構成されており、石英反
応管１１の内部がヒータ１２によって加熱されるように
なっている。また、石英反応管１１における両端上方に
は、成膜に必要な原料ガスの導入管１３がそれぞれ接続
されている。さらに、石英反応管１１における両端下方
には、排気管１４がそれぞれ接続されている。さらに、
石英反応管１１の開口端には、石英反応管１１内へのウ
エハの出し入れを行う際に開閉させるゲートバルブ１５
が設けられている。

【００１４】また、上記予備室２０は、その内部を真空
に保つことができるように構成されており、その両端に
は予備室２０内のガスを排気する排気手段２１が接続さ
れている。この排気手段２１は例えば、メカニカルブー
スタポンプ、ロータリーポンプ、ターボモレキュラーポ
ンプなどからなる負圧源（図示省略）を備えている。ま
た予備室２０には、予備室２０内に連通してこの内部に
酸素を含有しないガスを供給するガス導入管２２を接続
させても良い。また、予備室２０の開口端には、予備室
２０内へのウエハの出し入れを行う際に開閉させるゲー
トバルブ２３が設けられている。そして、処理室１０の
ゲートバルブ１５に対して、このゲートバルブ２３を対
向させる状態で予備室２０が配置されている。

【００１５】さらに、上記予備室２０の周囲には、その
側壁に沿って前処理用ヒータ（請求項１記載の加熱手
段）２４が設けられている。この前処理用ヒータ２４
は、例えば抵抗加熱ヒータ、高周波誘導加熱ヒータ、赤
外線ランプなどから構成されている。

【００１６】また、上記有機ガス除去フィルタ３０は、
処理室１０のゲートバルブ１５上から予備室２０のゲー
トバルブ２３上に掛けての上方に設けられている。この
有機ガス除去フィルタ３０は、一般にケミカルフィルタ
と呼ばれるものであり、活性炭素繊維で構成されたもの
である。

【００１７】このように有機ガス除去フィルタ３０を設
けたことで、処理室１０のゲートバルブ１５と予備室２
０のゲートバルブ２３との間に、有機ガス除去フィルタ
３０を通過させた清浄気体をダウンフローさせてなる該
清浄気体で満たされた空間を連続的に設ける。これによ
って、この清浄気体で満たされた空間を介して処理室１
０と予備室２０とが分離して設けられた状態になってい
る。

【００１８】以上のように構成されたウエハ処理装置１
では、予備室２０が排気手段２１と前処理用ヒータ２４
とを備えているため、表面に有機物が吸着しているウエ
ハ２を予備室２０内に置き、予備室２０内のガスを排気
した状態で加熱することができる。そしてこのことによ
り、ウエハ２表面に酸化膜を成長させることなく、該ウ
エハ２表面に吸着した有機物を脱離、除去させることが
でき、成膜処理する前のウエハ２の表面を分子レベルで
清浄化することができる。またこのとき、予備室２０内
を排気手段２１によって排気し続けることで、ウエハ２
表面からの除去物を外部へと排出することができるの
で、除去物による予備室２０内およびウエハ２表面の汚
染を防止することができる。

【００１９】また処理室１０のゲートバルブ１５上から
予備室２０のゲートバルブ２３上に掛けて有機ガス除去
フィルタ３０が設けられており、ゲートバルブ１５、２
３間の空間は有機ガス除去フィルタ３０を通過した清浄
気体で満たされた状態になっている。このため、ウエハ
２を大気にさらすことなく、すなわち表面の清浄度を維
持しつつウエハ２を予備室２０から処理室１０内に搬送
することができる。したがって、予備室２０内における
ウエハ表面の清浄度が処理室１０内においても維持され
る。これと共に、予備室２０内におけるウエハ２の処理
速度が、処理室１０内におけるウエハ２の処理速度より
も早い場合であっても、予備室２０内で前処理を行った
ウエハ２を上記清浄気体で満たされた空間に保持するこ
とで、予備室２０をフル稼働させながらも、処理室１０
に搬入させる前のウエハ２表面の清浄度を維持すること
ができる。

【００２０】以上のことから、このウエハ処理装置１に
よれば、清浄化されたウエハ２表面に対して成膜を行う
ことができるので、ウエハ２表面に直ちに核が成長する
成膜、つまり成膜が開始されるまでの潜伏時間がゼロの
成膜を実現することができる。また、成膜時における異
常核成長の発生を防止することができる。この結果、膜
厚、膜質が均一な膜を形成することができるので、安定
した成膜が可能になる。

【００２１】上記第１実施形態のウエハ処理装置１で
は、処理室１０のゲートバルブ１５上から予備室２０の
ゲートバルブ２３上に掛けて上記有機ガス除去フィルタ
３０を設けることで、処理室１０のゲートバルブ１５と
予備室２０のゲートバルブ２３との間の空間が有機ガス
除去フィルタ３０を通過させた清浄気体で満たされるよ
うにした。しかし、請求項１記載のウエハ処理装置で
は、有機ガス除去フィルタを通過した清浄気体で満たさ
れた空間を介して処理室１０と予備室２０とが分離して
設けられていれば良く、例えば有機ガス除去フィルタを
通過させた清浄気体を、配管を用いて処理室１０と予備
室２０との間に導入するような構成や、横方向や下方か
ら清浄気体を吹き出させる構成にしても良い。

【００２２】次に、上記第１実施形態のウエハ処理装置
１によるＳｉＮ膜の成膜方法に基づき、本発明のウエハ
処理方法の一実施形態を図２及び上記図１を用いて説明
する。まずステップ（以下、ＳＴと記す）１に示すよう
に、成膜前の工程を経たウエハ２を予備室２０内に搬送
し、収める。なお、この搬送中に、大気中に存在する有
機ガスや搬送ボックスから放出された有機ガスがウエハ
２表面に吸着する。

【００２３】次いでＳＴ２に示すように、排気手段１９
によって予備室２０内を１３３Ｐａ程度のいわゆる工業
的な真空状態にする。続いてＳＴ３に示すように、予備
室２０内に供給管１８ｂから酸素を含有しないガスを徐
々に供給しながら、前処理用ヒータ１７によって予備室
２０内のウエハ２を加熱する。上記ガスの供給及びウエ
ハ２の加熱は、排気手段１９によって予備室２０内を排
気しつつ行う。ここで、上記酸素を含有しないガスとし
ては、窒素（Ｎ₂ ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈ
ｅ）、キセノン（Ｘｅ）、水素（Ｈ₂ ）及び水素と窒素
の混合ガス（好ましくは水素の含有量が４％以下）等を
用いることとする。

【００２４】この予備室２０内での処理によって、ウエ
ハ２表面に吸着している有機物が分離、除去され、ウエ
ハ表面が完全に分子レベルで清浄化される。さらにウエ
ハ２表面からの脱離物は、排気手段１９によって外部へ
と排出される。尚、真空中で加熱処理を行う場合には、
上記酸素を含有しないガスを予備室２０内に導入する必
要はない。

【００２５】ここで図３及び図４には、加熱脱離−ガス
クロマトグラフィー／質量分析（ＧＣ／ＭＳ）装置によ
るウエハ表面吸着有機物の分析結果を示すグラフを示し
た。図３は、フッ酸（ＨＦ）洗浄の後、クリーンルーム
内に２４時間放置したウエハの分析結果であり、図４
は、ＳＣ−１（ＮＨ₄ ＯＨ＋Ｈ₂ Ｏ₂ ＋Ｈ₂ Ｏ）洗浄の
後、プラスチックボックス内に２４時間放置したウエハ
の分析結果である。ここでは、ウエハを各脱離温度にま
で段階的に昇温させて２０分間保持し、その間にウエハ
から脱離した有機物をＧＣ／ＭＳ装置によって分析し
た。

【００２６】これらのグラフに示すように、クリーンル
ーム大気中やプラスチックボックス内においてウエハに
吸着し易いとされているＤＢＰ（フタル酸ジブチル）や
ＤＯＰ（フタル酸ジオクチル）等のプラスチック可塑剤
は、２００℃の加熱で十分に脱離することが分かる。ま
た、プラスチックボックスの酸化防止剤として用いられ
ているＢＨＴ（ブチルヒドロキシトルエン）は、１５０
℃の加熱で脱離することが分かる。さらに、ここでの図
示は省略したが、脱離温度の昇温段階を２０℃毎に細か
く設定して分析を行った結果、ＤＢＰは１８０℃の加熱
で脱離することが確認された。

【００２７】また、同様の分析によって、シーリング剤
から放出される低分子シロキサンや難燃付与型可塑材と
して用いられるリン酸エステル（リン酸トリエチル、リ
ン酸トリブチル、リン酸トリクロルエチル）は、いずれ
も１５０℃程度の加熱で脱離することが確認された。

【００２８】以上の結果から、予備室２０内におけるウ
エハ２の加熱温度は、２００℃以上に設定することとす
る。また、ウエハ２を構成するシリコンの表面荒れの発
生を防止するために、ウエハ２の加熱温度の上限を８５
０℃にする。

【００２９】また、ウエハ２の加熱は、ウエハ２表面か
ら有機物がほぼ除去されるまで行う。ここでは、ウエハ
２の温度が２００℃に達してから１０分程度、ウエハ２
の温度を保ち続ける。そして、１０分経過した後にも予
備室２０内を引き続き排気し、ウエハ２表面からの除去
物を予備室２０内から完全に排出する。

【００３０】以上の後、図２のＳＴ４に示すように、上
記前処理を行ったウエハ２を予備室２０から有機ガス除
去フィルタ３０を通過させた清浄気体雰囲気中に搬出
し、次いで処理室１０内に収める。これによって、大気
にさらすことなく、予備室２０における表面の清浄度を
保った状態で、ウエハ２を処理室１０内に収める。その
後、ＳＴ５に示すように、処理室１０内を所定の減圧度
に設定するとともにヒータ１３によって所定の加熱温度
に設定し、処理室内１０にＳｉＮ膜の成膜に必要な原料
ガスを導入管１５より導入して、ウエハ２表面にＳｉＮ
膜を成膜する。

【００３１】このときの成膜条件の一例を以下に示す。
なお、下記における単位ｓｃｃｍは、標準状態における
流量でｃｍ³ ／ｍｉｎを示している。 原料ガスおよび流量：ＮＨ₃ ／ＳｉＨ₂ Ｃｌ₂ ＝３００sccm／３０sccm、 雰囲気圧力 ：５０Ｐａ、 温度 ：６８０℃。 清浄度が維持されたウエハ２表面に成膜するため、処理
室１０内に原料ガスを導入すると、ウエハ２表面に直ち
に核が成長し、成膜が開始される。

【００３２】図５は、上記実施形態において前処理した
ウエハ２表面に成膜したときの成膜時間とＳｉＮ膜の膜
厚との相関図であり、比較例として前処理を行わない従
来例を破線で示してある。この結果から、従来は成膜開
始までに５〜６分程度の潜伏時間があるのに対して、本
実施形態では成膜開始までの潜伏時間をゼロにすること
ができ、直ちに成膜が開始することが確認される。

【００３３】以上の結果からも明らかなように、本実施
形態の方法では、処理室１０内で成膜を行う前に、予備
室２０内にて前処理を行ってウエハ２表面を分子レベル
で完全に清浄化し、この清浄度を維持した状態でウエハ
２表面に膜を形成するので、常に成膜の潜伏時間をゼロ
にした状態で、また異常核成長を発生させることなくＳ
ｉＮ膜を成膜することができる。よって、膜厚、膜質が
均一なＳｉＮ膜を安定して形成することができる。した
がって、本第１実施形態のウエハ処理装置１および処理
方法によれば、半導体装置製造における信頼性の向上を
図ることができる。

【００３４】（第２実施形態）図６は、請求項２記載の
発明に係るウエハ処理装置を枚葉式のＬＰ−ＣＶＤ装置
に適用した一実施形態の概略断面図である。このウエハ
処理装置３と上記第１実施形態のウエハ処理装置との異
なるところは、処理室１０と予備室２０とが、ゲートバ
ルブ４０を介して接続されており、処理室１０内及び予
備室２０内を大気開放することなく処理室１０と予備室
２０との間でウエハ２が搬送自在に構成されているとこ
ろにある。したがって、このウエハ処理装置３には、有
機物除去フィルタは備えられておらず、その他の排気手
段２１、前処理用ヒータ２４等の構成は上記第１実施形
態のウエハ処理装置と同様である。

【００３５】そして、上記予備室２０は、処理室１０内
を大気開放することなく該処理室１０に連続した状態で
設けられた真空を保つことができる搬送待機室（ロード
ロック室）として構成されている。また、上記処理室１
０と予備室２０との接続部分に設けられたゲートバルブ
４０は、必要時に開閉し、開いた状態で予備室２０内を
処理室２内とを連通状態にし、閉じた状態で処理室１０
と予備室２０とを分離するものとして構成されている。

【００３６】このように構成されたウエハ処理装置３で
は、予備室２０が前処理用ヒータ２４と、排気手段２１
とを備えているため、上記第１実施形態のウエハ処理装
置と同様にウエハ２の表面を分子レベルで清浄化するこ
とができると共に除去物による予備室２０内およびウエ
ハ２表面の汚染を防止することができる。

【００３７】また処理室１０に、処理室１０内を大気開
放することなく連続した状態で予備室２０が設けられて
いるため、表面の清浄度を維持しつつウエハ２を予備室
２０から処理室１０内に搬送することができる。したが
って、このウエハ処理装置２によれば、上記第１実施形
態のウエハ処理装置１と同様に膜厚、膜質が均一な膜を
形成することができるので、安定した成膜が可能にな
る。

【００３８】尚、このウエハ処理装置３を用いても、上
記第１実施形態と同様の手順で本発明の方法を適用した
ウエハ処理を行うことができ、これによって上記第１実
施形態で説明した方法と同様の効果を得ることができ
る。ただしこの場合において、予備室２０から処理室１
０にウエハを搬送する際には、予備室２０と処理室１０
との間のゲートバルブ４０を開くことによって、ウエハ
２を大気にさらすことなく処理室１０内に収めることと
する。

【００３９】ここで、上記第１実施形態及び第２実施形
態で説明したウエハ処理装置では、予備室の周囲に前処
理用ヒータを設けたが、予備室の内壁に沿って前処理用
ヒータを設けても良い。また予備室の外側の予備室から
若干隔てた位置に、予備室を囲むようにして加熱手段を
設け、予備室内を均一に加熱できるように構成すること
も可能である。

【００４０】また処理室の構成は上記各実施形態に限定
されるものでなく、本発明に係る装置は種々のＬＰ−Ｃ
ＶＤ装置に適用することができる。さらにＬＰ−ＣＶＤ
装置以外のＣＶＤ装置や、酸化炉、アニール炉などの装
置にも適用可能である。例えば酸化炉に本発明を適用し
た場合には、酸化レートを速めることができ、酸化膜の
形成に要する時間を短縮することができるといった効果
が得られると共に、極薄い酸化膜の膜厚の制御性を高め
ることができるといった効果も得られる。またアニール
炉に本発明を適用した場合には、ウエハ表面に吸着して
いる有機物がアニール処理によってウエハ内に拡散して
いくことを防止することができるので、最終的に形成さ
れる半導体装置の信頼性を向上させることができる。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１、
請求項２に係るウエハ処理装置では、予備室内にウエハ
を収めた状態で、排気手段によって予備室内のガスを排
気し加熱手段によって予備室内を加熱することで、ウエ
ハ表面を酸化させることなくこの表面を分子レベルで清
浄化するといった処理が可能になる。また、表面の清浄
度を保った状態でウエハを処理室内に収めることができ
るので、例えば処理室が成膜処理室であれば、成膜が開
始されるまでの潜伏時間がゼロの成膜を実現することが
できる。また成膜時における異常核成長の発生を防止す
ることができる。よって、膜厚、膜質が均一な膜を形成
することができるので、安定した成膜が可能になる。

【００４２】また、本発明に係るウエハ処理方法では、
予備室にて酸化膜を形成することなくウエハ表面を分子
レベルで清浄化した後、ウエハを大気にさらすことなく
予備室から処理室内に搬送し、処理するので、この処理
が成膜処理であった場合、常に成膜開始までの潜伏時間
をゼロにした状態で、また異常核成長を発生させること
なくウエハ表面に膜を形成することができる。このた
め、本発明装置と同様の効果が得られる。したがって、
本発明に係るウエハ処理装置および処理方法によれば、
半導体装置製造における信頼性の向上を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態のウエハ処理装置を示す概略断面
図である。

【図２】本発明に係るウエハ処理方法の一実施形態を示
す工程図である。

【図３】加熱脱離−ガスクロマトグラフィー／質量分析
（ＧＣ／ＭＳ）装置によるウエハ表面吸着有機物の分析
結果図（その１）であり、

【図４】加熱脱離−ガスクロマトグラフィー／質量分析
（ＧＣ／ＭＳ）装置によるウエハ表面吸着有機物の分析
結果図（その２）であり、

【図５】ＬＰ−ＣＶＤ装置による成膜時間と膜厚との相
関図である。

【図６】第２実施形態のウエハ処理装置を示す概略断面
図である。

【符号の説明】

１，３…ウエハ処理装置、２…ウエハ、１０…処理室、
２０…予備室、２１…排気手段、２４…前処理用ヒータ
（加熱手段）、３０…有機ガス除去フィルタ、４０…ゲ
ートバルブ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウエハの処理を行う処理室と、 有機ガス除去フィルタを通過させた清浄気体で満たされ
   た空間を介して前記処理室と分離して設けられたウエハ
   の予備室と、 前記予備室内のガスを排気する排気手段と、 前記予備室内を加熱する加熱手段と を備えてなることを特徴とするウエハ処理装置。
2. 【請求項２】 ウエハの処理を行う処理室と、 ゲートバルブを介して前記処理室に接続されたウエハの
   予備室と、 前記予備室内のガスを排気する排気手段と、 前記予備室内を加熱する加熱手段とを備えてなることを
   特徴とするウエハ処理装置。
3. 【請求項３】 予備室内に収めたウエハを、大気にさら
   すことなく予備室から処理室内に搬送し、該処理室内に
   て処理する方法において、 前記ウエハを前記予備室内に収めた際に、該予備室内の
   ガスを排気して酸素を含有するガスを除去した状態でこ
   の予備室内のウエハを加熱することを特徴とするウエハ
   処理方法。