JPH07142434A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH07142434A JPH07142434A JP28640793A JP28640793A JPH07142434A JP H07142434 A JPH07142434 A JP H07142434A JP 28640793 A JP28640793 A JP 28640793A JP 28640793 A JP28640793 A JP 28640793A JP H07142434 A JPH07142434 A JP H07142434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wafer
- thin film
- forming
- surface treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】自然酸化膜を除去してＳｉウエハ表面を安定化
した後、一様で良質な薄膜を形成する薄膜形成方法を提
供することにある。 【構成】超高真空に排気された反応管１内に、Ｈ2 ガス
を導入し、Ｗフィラメント４を１８００℃まで通電加熱
すると、Ｈ2 分子が解離し原子状水素Ｈが発生する。こ
のＨ原子とＨＦガスを、試料台６に設置された自然酸化
膜を有するＳｉウエハ８に照射する。Ｓｉ酸化膜はＨＦ
ガスによりエッチングされ、、Ｓｉ表面はＨおよびＦで
終端される。さらに、Ｈに対するＦの割合を制御するこ
とにより、Ｈのみで終端したＳｉ表面が形成される。こ
のＳｉウェハを酸化膜形成装置，ＭＢＥ装置等の成膜装
置に移動させて薄膜を形成する。
した後、一様で良質な薄膜を形成する薄膜形成方法を提
供することにある。 【構成】超高真空に排気された反応管１内に、Ｈ2 ガス
を導入し、Ｗフィラメント４を１８００℃まで通電加熱
すると、Ｈ2 分子が解離し原子状水素Ｈが発生する。こ
のＨ原子とＨＦガスを、試料台６に設置された自然酸化
膜を有するＳｉウエハ８に照射する。Ｓｉ酸化膜はＨＦ
ガスによりエッチングされ、、Ｓｉ表面はＨおよびＦで
終端される。さらに、Ｈに対するＦの割合を制御するこ
とにより、Ｈのみで終端したＳｉ表面が形成される。こ
のＳｉウェハを酸化膜形成装置，ＭＢＥ装置等の成膜装
置に移動させて薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造プロセ
スに係り、特に、Ｓｉウエハ表面上に存在するＳｉ自然
酸化膜を除去した後、良質な薄膜を形成する薄膜形成方
法に関する。
スに係り、特に、Ｓｉウエハ表面上に存在するＳｉ自然
酸化膜を除去した後、良質な薄膜を形成する薄膜形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の高集積化，微細化，高性能
化に伴い、ゲート酸化膜，容量絶縁膜等の薄膜化を目指
した研究が推し進められている。薄膜化のためには、成
長初期の膜を一様で良質に形成することが必要である。
成長初期膜の膜質は下地の表面状態に大きく依存する。
このため、下地の表面制御技術および表面清浄化技術の
重要性がますます高まっている。特に、自然酸化膜の除
去を含めたＳｉの表面処理は、ゲート酸化膜の高品質
化，コンタクト抵抗の低減等の理由から、将来の半導体
素子製造の鍵を握るプロセスの一つと考えられる。
化に伴い、ゲート酸化膜，容量絶縁膜等の薄膜化を目指
した研究が推し進められている。薄膜化のためには、成
長初期の膜を一様で良質に形成することが必要である。
成長初期膜の膜質は下地の表面状態に大きく依存する。
このため、下地の表面制御技術および表面清浄化技術の
重要性がますます高まっている。特に、自然酸化膜の除
去を含めたＳｉの表面処理は、ゲート酸化膜の高品質
化，コンタクト抵抗の低減等の理由から、将来の半導体
素子製造の鍵を握るプロセスの一つと考えられる。
【０００３】従来のゲート熱酸化膜形成方法を、セミコ
ンダクターワールド１９８６年９月号（Semiconductor
World 1986.9 ）の１３８頁から１４０頁、同誌１９８
６年１２月号の２４３頁から２４７頁、および表面物性
工学ハンドブック（１９８７、丸善）３７１頁から３７
４頁に従って説明する。
ンダクターワールド１９８６年９月号（Semiconductor
World 1986.9 ）の１３８頁から１４０頁、同誌１９８
６年１２月号の２４３頁から２４７頁、および表面物性
工学ハンドブック（１９８７、丸善）３７１頁から３７
４頁に従って説明する。
【０００４】図２（ａ）は熱酸化膜形成に用いられてい
るウェット洗浄装置であり、同図（ｂ）は酸化炉の概略
図である。この洗浄装置は、複数のＳｉウェハ８を搭載
したウェハカセット９，有機洗浄槽１０，水洗槽１１，
ＨＦエッチング槽１２，水洗槽１３，スピン乾燥部１４
からなる。また、酸化炉は、複数のＳｉウェハ８を搭載
するポート１５，カンチレバー１６，キャップ１７，石
英管１８，酸素（Ｏ2），窒素（Ｎ2）ガス導入系１９、
およびヒータ２０からなる。
るウェット洗浄装置であり、同図（ｂ）は酸化炉の概略
図である。この洗浄装置は、複数のＳｉウェハ８を搭載
したウェハカセット９，有機洗浄槽１０，水洗槽１１，
ＨＦエッチング槽１２，水洗槽１３，スピン乾燥部１４
からなる。また、酸化炉は、複数のＳｉウェハ８を搭載
するポート１５，カンチレバー１６，キャップ１７，石
英管１８，酸素（Ｏ2），窒素（Ｎ2）ガス導入系１９、
およびヒータ２０からなる。
【０００５】熱酸化膜形成前に、洗浄装置によりＳｉウ
ェハ表面の清浄化を行う。まず、有機洗浄槽１０により
Ｓｉウェハ８表面の有機汚染膜を除去し、水洗槽１１で
水洗する。希釈ＨＦ溶液の入ったＨＦエッチング槽１２
でＳｉ自然酸化膜を除去し、水洗槽１３で水洗する。ス
ピン乾燥部１４のスピンドライヤによる遠心脱水法によ
りＳｉウェハ８を乾燥させる。この後、Ｓｉウェハ８を
酸化炉に移し、熱酸化膜を形成する。まず、洗浄後のＳ
ｉウェハ８をカンチレバー１６に支えられたポート１５
に立て、石英管１８内に入れてキャップ１７を閉じる。
酸素(Ｏ2），窒素(Ｎ2）ガス導入系１９により、石英管
１８内に窒素ガスで分圧１／１０〜１／１０3 気圧に希
釈された酸素ガスを導入し、ヒータ２０でＳｉウェハ８
を９００〜１１００℃に加熱してＳｉ表面に熱酸化膜を
形成していた。
ェハ表面の清浄化を行う。まず、有機洗浄槽１０により
Ｓｉウェハ８表面の有機汚染膜を除去し、水洗槽１１で
水洗する。希釈ＨＦ溶液の入ったＨＦエッチング槽１２
でＳｉ自然酸化膜を除去し、水洗槽１３で水洗する。ス
ピン乾燥部１４のスピンドライヤによる遠心脱水法によ
りＳｉウェハ８を乾燥させる。この後、Ｓｉウェハ８を
酸化炉に移し、熱酸化膜を形成する。まず、洗浄後のＳ
ｉウェハ８をカンチレバー１６に支えられたポート１５
に立て、石英管１８内に入れてキャップ１７を閉じる。
酸素(Ｏ2），窒素(Ｎ2）ガス導入系１９により、石英管
１８内に窒素ガスで分圧１／１０〜１／１０3 気圧に希
釈された酸素ガスを導入し、ヒータ２０でＳｉウェハ８
を９００〜１１００℃に加熱してＳｉ表面に熱酸化膜を
形成していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記薄膜形成方法に
は、ＨＦ洗浄後の水洗工程および成膜までのＳｉウェハ
移動期間に自然酸化膜が再成長するために、一様で良質
な酸化膜の成長が阻害されるという問題があった。ま
た、ＨＦエッチング工程，乾燥工程等で付着粒子による
汚染が発生するために、その後の熱酸化過程において表
面不純物によって欠陥が生じるという問題があった。
は、ＨＦ洗浄後の水洗工程および成膜までのＳｉウェハ
移動期間に自然酸化膜が再成長するために、一様で良質
な酸化膜の成長が阻害されるという問題があった。ま
た、ＨＦエッチング工程，乾燥工程等で付着粒子による
汚染が発生するために、その後の熱酸化過程において表
面不純物によって欠陥が生じるという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、自然酸化膜を除去した
後、酸化，汚染させることなく、Ｓｉウェハ表面に薄膜
を形成する薄膜形成方法を提供することにある。
後、酸化，汚染させることなく、Ｓｉウェハ表面に薄膜
を形成する薄膜形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、洗浄工程に
おいて自然酸化膜除去に微粒子，不純物をかなり含むＨ
Ｆ溶液を用いたために、水洗，乾燥を必要とすることか
ら生じている。したがって、上記目的を達成するため
に、洗浄工程をドライ化し、自然酸化膜除去のために原
子状水素（Ｈ）または水素プラズマに加えて、気体状フ
ッ化水素（ＨＦ）または原子状フッ素（Ｆ）または分子
状フッ素（Ｆ2 ）を用いた。
おいて自然酸化膜除去に微粒子，不純物をかなり含むＨ
Ｆ溶液を用いたために、水洗，乾燥を必要とすることか
ら生じている。したがって、上記目的を達成するため
に、洗浄工程をドライ化し、自然酸化膜除去のために原
子状水素（Ｈ）または水素プラズマに加えて、気体状フ
ッ化水素（ＨＦ）または原子状フッ素（Ｆ）または分子
状フッ素（Ｆ2 ）を用いた。
【０００９】
【作用】Ｓｉ酸化膜は、気体状ＨＦによって次の反応に
よりエッチングされる。
よりエッチングされる。
【００１０】
【化１】ＳｉＯ2＋４ＨＦ→ＳｉＦ4＋２Ｈ2Ｏ また、Ｓｉ酸化膜は、原子状ＨあるいはプラズマＨと原
子状Ｆによって次の反応によりエッチングされる。
子状Ｆによって次の反応によりエッチングされる。
【００１１】
【化２】ＳｉＯ2＋４Ｈ＋４Ｆ→ＳｉＦ4＋２Ｈ2Ｏ また、Ｓｉ酸化膜は、原子状ＨあるいはプラズマＨと分
子状Ｆ2 によって次の反応によりエッチングされる。
子状Ｆ2 によって次の反応によりエッチングされる。
【００１２】
【化３】ＳｉＯ2＋４Ｈ＋２Ｆ2→ＳｉＦ4＋２Ｈ2Ｏ Ｓｉ酸化膜のエッチングが完了すると、Ｓｉ表面はＨお
よびＦで終端される。また、Ｈに対するＦの割合を制御
することにより残留Ｆ量を制御、あるいは残留Ｆをなく
すことができる。以上のように、自然酸化膜を除去でき
るとともに、残留Ｆのない水素終端化Ｓｉ表面を形成で
きる。
よびＦで終端される。また、Ｈに対するＦの割合を制御
することにより残留Ｆ量を制御、あるいは残留Ｆをなく
すことができる。以上のように、自然酸化膜を除去でき
るとともに、残留Ｆのない水素終端化Ｓｉ表面を形成で
きる。
【００１３】この水素終端化Ｓｉ表面は、酸化，汚染に
強いことが知られている。したがって、これらの処理後
のＳｉウエハを酸化炉等の成膜装置に移動する際に、大
気などの酸化雰囲気にさらされても、表面が水素終端化
しているために、Ｓｉウエハ表面は酸化されにくく、汚
染もされにくい。成膜装置に移動した後、Ｓｉウエハを
約５５０℃以上に加熱すれば表面から水素が脱離するの
で、Ｓｉウエハ表面は清浄表面となる。この清浄表面を
熱酸化すれば、一様で良質な酸化薄膜を形成できる。Ｓ
ｉ表面への分子線エピタキシ（ＭＢＥ）においても、欠
陥の少ない良質な膜が得られる。
強いことが知られている。したがって、これらの処理後
のＳｉウエハを酸化炉等の成膜装置に移動する際に、大
気などの酸化雰囲気にさらされても、表面が水素終端化
しているために、Ｓｉウエハ表面は酸化されにくく、汚
染もされにくい。成膜装置に移動した後、Ｓｉウエハを
約５５０℃以上に加熱すれば表面から水素が脱離するの
で、Ｓｉウエハ表面は清浄表面となる。この清浄表面を
熱酸化すれば、一様で良質な酸化薄膜を形成できる。Ｓ
ｉ表面への分子線エピタキシ（ＭＢＥ）においても、欠
陥の少ない良質な膜が得られる。
【００１４】
【実施例】（実施例１）図１は、ゲート酸化膜形成に用
いる表面処理装置である。図１に示した表面処理装置
は、高真空に減圧できる反応管１の中に、中央部に網目
状の部分を持つ仕切り２を有し、仕切り２の一方に水素
ガス（Ｈ2 ）導入系３とＷフィラメント４を有し、もう
一方にフッ化水素ガス（ＨＦ）導入系５，膜厚モニタ３
５と加熱機構，回転機構の付いた試料台６を有し、排気
口７から真空に排気される。
いる表面処理装置である。図１に示した表面処理装置
は、高真空に減圧できる反応管１の中に、中央部に網目
状の部分を持つ仕切り２を有し、仕切り２の一方に水素
ガス（Ｈ2 ）導入系３とＷフィラメント４を有し、もう
一方にフッ化水素ガス（ＨＦ）導入系５，膜厚モニタ３
５と加熱機構，回転機構の付いた試料台６を有し、排気
口７から真空に排気される。
【００１５】次に、この実施例の装置を用いたＳｉウエ
ハ上の自然酸化膜除去およびゲート酸化膜形成方法につ
いて説明する。まず、排気口７より反応管１内を１／１
０6〜１／１０9Ｐａ 代の高真空に排気する。次に、Ｈ2
ガスをＨ2ガス導入系３から分圧１／１０1〜１／１０5
Ｐａまで導入する。Ｗフィラメント４を１８００℃まで
通電加熱すると、Ｈ2 分子が解離し原子状水素（Ｈ）が
発生する。さらに、ＨＦガスをＨＦガス導入系５から分
圧５／１０3〜５／１０8Ｐａまで導入する。ここで、仕
切り２はＨＦガスができるだけＷフィラメントに触れな
いように設けられたものである。発生したＨおよびＨＦ
は、試料台６に設置された自然酸化膜を有するＳｉウエ
ハ８に照射される。これにより自然酸化膜がエッチン
グ，除去され、Ｓｉウエハ８表面は多量のＨ原子と少量
のＦ原子で終端される。膜厚モニタ３５により酸化膜厚
を計測することにより、あるいは膜厚情報を水素ガス導
入系３，フッ化水素ガス（ＨＦ）導入系５、およびＷフ
ィラメント４にフィードバックすることにより、自動的
にエッチングを中止する。Ｆ原子の残留量はＨ2 ガス導
入量に対するＨＦガス導入量の割合によって変化させる
ことができる。すなわち、この割合が小さいほど酸化膜
エッチング速度は小さくなるが、エッチング後のＳｉ表
面残留Ｆ原子の量は少なくなる。
ハ上の自然酸化膜除去およびゲート酸化膜形成方法につ
いて説明する。まず、排気口７より反応管１内を１／１
０6〜１／１０9Ｐａ 代の高真空に排気する。次に、Ｈ2
ガスをＨ2ガス導入系３から分圧１／１０1〜１／１０5
Ｐａまで導入する。Ｗフィラメント４を１８００℃まで
通電加熱すると、Ｈ2 分子が解離し原子状水素（Ｈ）が
発生する。さらに、ＨＦガスをＨＦガス導入系５から分
圧５／１０3〜５／１０8Ｐａまで導入する。ここで、仕
切り２はＨＦガスができるだけＷフィラメントに触れな
いように設けられたものである。発生したＨおよびＨＦ
は、試料台６に設置された自然酸化膜を有するＳｉウエ
ハ８に照射される。これにより自然酸化膜がエッチン
グ，除去され、Ｓｉウエハ８表面は多量のＨ原子と少量
のＦ原子で終端される。膜厚モニタ３５により酸化膜厚
を計測することにより、あるいは膜厚情報を水素ガス導
入系３，フッ化水素ガス（ＨＦ）導入系５、およびＷフ
ィラメント４にフィードバックすることにより、自動的
にエッチングを中止する。Ｆ原子の残留量はＨ2 ガス導
入量に対するＨＦガス導入量の割合によって変化させる
ことができる。すなわち、この割合が小さいほど酸化膜
エッチング速度は小さくなるが、エッチング後のＳｉ表
面残留Ｆ原子の量は少なくなる。
【００１６】また、ＨＦによる自然酸化膜の除去後にＨ
Ｆガスの導入を止め、Ｈ原子のみを照射すれば、Ｆ原子
の残留量を最小限に抑えることができる。このとき、試
料台に設けられた加熱機構によりＳｉウエハを３００〜
５５０℃程度に加熱すれば、残留ＦがＳｉウエハ表面か
ら脱離すると同時に、Ｆが脱離したＳｉ表面はＨ終端さ
れ，Ｓｉウェハ表面は完全にＨ終端化する。
Ｆガスの導入を止め、Ｈ原子のみを照射すれば、Ｆ原子
の残留量を最小限に抑えることができる。このとき、試
料台に設けられた加熱機構によりＳｉウエハを３００〜
５５０℃程度に加熱すれば、残留ＦがＳｉウエハ表面か
ら脱離すると同時に、Ｆが脱離したＳｉ表面はＨ終端さ
れ，Ｓｉウェハ表面は完全にＨ終端化する。
【００１７】原子状水素の代りに、水素プラズマを用い
てもよい。
てもよい。
【００１８】ＨＦガスの代りに、Ｆ2ガス、または加熱
器によりＦ2ガスを６００℃以上に加熱して生じたＦ原
子を用いても同じ結果が得られる。
器によりＦ2ガスを６００℃以上に加熱して生じたＦ原
子を用いても同じ結果が得られる。
【００１９】また、表面状態を観測するために、表面処
理装置内にＲＨＥＥＤ，ＸＰＳ等の表面分析装置を設け
てもよい。
理装置内にＲＨＥＥＤ，ＸＰＳ等の表面分析装置を設け
てもよい。
【００２０】以上のような表面処理を施されたＳｉウエ
ハを例えば図２（ｂ）に示す酸化膜形成装置（酸化炉）
に移動させる。移動の際、Ｓｉウエハは大気にさらされ
るが、水素終端しているためにウエハ表面に再び自然酸
化膜が成長することはない。Ｏ2 ガスを分圧１０4〜１
／１０7Ｐａまで導入しながら、Ｓｉウエハを５５０℃
以上に加熱する。Ｈ終端したＳｉウエハ表面からはＨが
脱離し、清浄Ｓｉ表面が現れる。その直後、Ｏ2 ガスに
よりＳｉ清浄表面の酸化が始まり、Ｓｉ酸化膜が形成さ
れる。
ハを例えば図２（ｂ）に示す酸化膜形成装置（酸化炉）
に移動させる。移動の際、Ｓｉウエハは大気にさらされ
るが、水素終端しているためにウエハ表面に再び自然酸
化膜が成長することはない。Ｏ2 ガスを分圧１０4〜１
／１０7Ｐａまで導入しながら、Ｓｉウエハを５５０℃
以上に加熱する。Ｈ終端したＳｉウエハ表面からはＨが
脱離し、清浄Ｓｉ表面が現れる。その直後、Ｏ2 ガスに
よりＳｉ清浄表面の酸化が始まり、Ｓｉ酸化膜が形成さ
れる。
【００２１】また、ここではゲート酸化膜を例にとった
が、同様の方法により窒化膜／酸化膜，窒化膜，強誘電
体等のキャパシタ絶縁膜の形成、あるいは界面特性を改
善するために行われている窒素ドープ酸化膜等にも適用
できる。
が、同様の方法により窒化膜／酸化膜，窒化膜，強誘電
体等のキャパシタ絶縁膜の形成、あるいは界面特性を改
善するために行われている窒素ドープ酸化膜等にも適用
できる。
【００２２】本実施例によれば、自然酸化膜を除去する
とともに、Ｓｉウエハ表面を完全に水素終端化できる。
Ｈ終端したＳｉ表面は酸化，汚染に強いので、表面処理
装置から酸化膜形成装置へ移動する際に大気にさらされ
てもウエハ表面が再酸化されることはほとんどない。熱
酸化の始まる直前のＳｉウェハ表面には、自然酸化膜も
汚染もほとんど存在しないため、絶縁破壊特性のよい一
様で良質なより薄いゲート酸化膜を形成できるという効
果がある。また、窒化膜／酸化膜，窒化膜，強誘電体等
のキャパシタ絶縁膜、あるいは窒素ドープ酸化膜等に対
しても、成膜直前までＳｉ表面を清浄に保つことができ
るので、電気特性のよい一様で良質なより薄い絶縁膜が
形成できるという効果がある。
とともに、Ｓｉウエハ表面を完全に水素終端化できる。
Ｈ終端したＳｉ表面は酸化，汚染に強いので、表面処理
装置から酸化膜形成装置へ移動する際に大気にさらされ
てもウエハ表面が再酸化されることはほとんどない。熱
酸化の始まる直前のＳｉウェハ表面には、自然酸化膜も
汚染もほとんど存在しないため、絶縁破壊特性のよい一
様で良質なより薄いゲート酸化膜を形成できるという効
果がある。また、窒化膜／酸化膜，窒化膜，強誘電体等
のキャパシタ絶縁膜、あるいは窒素ドープ酸化膜等に対
しても、成膜直前までＳｉ表面を清浄に保つことができ
るので、電気特性のよい一様で良質なより薄い絶縁膜が
形成できるという効果がある。
【００２３】（実施例２）本発明の第二の実施例を図３
により説明する。実施例１では、自然酸化膜を除去する
表面処理装置と成膜装置を各々独立した装置で行った
が、本実施例では、両者を接続した構成をとる。装置は
図３に示すように、実施例１で述べた表面処理装置２６
に導入棒３１，導入棒自動移動機構３２が接続され、ゲ
ートバルブ２７，３９を両端に有する中間室２８を介し
て、Ｓｉウエハ８を保持する試料台６、この試料台を支
持する試料台受け３０，試料台６に接続できる導入棒３
３，導入棒自動移動機構３４，酸素ガス導入系３５，排
気口７を有する炉３６、および加熱器１６からなる成膜
装置で構成されている。
により説明する。実施例１では、自然酸化膜を除去する
表面処理装置と成膜装置を各々独立した装置で行った
が、本実施例では、両者を接続した構成をとる。装置は
図３に示すように、実施例１で述べた表面処理装置２６
に導入棒３１，導入棒自動移動機構３２が接続され、ゲ
ートバルブ２７，３９を両端に有する中間室２８を介し
て、Ｓｉウエハ８を保持する試料台６、この試料台を支
持する試料台受け３０，試料台６に接続できる導入棒３
３，導入棒自動移動機構３４，酸素ガス導入系３５，排
気口７を有する炉３６、および加熱器１６からなる成膜
装置で構成されている。
【００２４】次に、この実施例の装置を用いたＳｉウエ
ハ８上の自然酸化膜除去とゲート酸化膜形成方法につい
て説明する。中間室２８および炉３６はそれぞれ１／１
０4、１／１０6Ｐａ 程度の真空に排気されている。
ハ８上の自然酸化膜除去とゲート酸化膜形成方法につい
て説明する。中間室２８および炉３６はそれぞれ１／１
０4、１／１０6Ｐａ 程度の真空に排気されている。
【００２５】まず、実施例１で述べた表面処理装置と方
法によりＳｉウェハ表面の自然酸化膜除去および水素終
端化を行う。
法によりＳｉウェハ表面の自然酸化膜除去および水素終
端化を行う。
【００２６】導入棒３１を表面処理装置２６内にある試
料台６に接続し、ゲートバルブ２７を開く。導入棒自動
移動機構３２により試料台６を中間室２８に移動し、導
入棒を元の位置に戻す。ゲートバルブ２７を閉じ、ゲー
トバルブ３９を開き、導入棒自動移動機構３４により導
入棒３３を試料台６に接続する。試料台６を試料台受け
３０に設置し、導入棒３３を試料台６から切離し、基の
位置に戻す。加熱器１６によりＳｉウエハ８を５５０℃
以上に加熱しながら、酸素ガス導入系２４よりＯ2 ガス
を分圧１０4〜１／１０7Ｐａまで導入する。Ｈ終端した
Ｓｉウエハ表面からは加熱によりＨが脱離し、清浄Ｓｉ
表面が現れる。その直後、Ｏ2 ガスによりＳｉ清浄表面
は酸化され、Ｓｉ酸化膜が形成される。
料台６に接続し、ゲートバルブ２７を開く。導入棒自動
移動機構３２により試料台６を中間室２８に移動し、導
入棒を元の位置に戻す。ゲートバルブ２７を閉じ、ゲー
トバルブ３９を開き、導入棒自動移動機構３４により導
入棒３３を試料台６に接続する。試料台６を試料台受け
３０に設置し、導入棒３３を試料台６から切離し、基の
位置に戻す。加熱器１６によりＳｉウエハ８を５５０℃
以上に加熱しながら、酸素ガス導入系２４よりＯ2 ガス
を分圧１０4〜１／１０7Ｐａまで導入する。Ｈ終端した
Ｓｉウエハ表面からは加熱によりＨが脱離し、清浄Ｓｉ
表面が現れる。その直後、Ｏ2 ガスによりＳｉ清浄表面
は酸化され、Ｓｉ酸化膜が形成される。
【００２７】本実施例によれば、自然酸化膜を除去する
とともに、Ｓｉウエハ表面を水素終端化でき、表面処理
装置から成膜装置への移動の間にわずかに存在する酸
素，水分にさらされても、再酸化されず汚染もされな
い。このため、絶縁破壊特性のよい一様で良質なより薄
いゲート酸化膜を形成できるという効果がある。また、
窒化膜／酸化膜，窒化膜，強誘電体等のキャパシタ絶縁
膜、あるいは窒素ドープ酸化膜等に対しても、膜成長直
前のＳｉ表面を清浄に保つことができるので、電気特性
のよい一様で良質なより薄い絶縁膜が形成できるという
効果がある。さらに、洗浄から成膜までの工程を自動化
し易いという効果もある。
とともに、Ｓｉウエハ表面を水素終端化でき、表面処理
装置から成膜装置への移動の間にわずかに存在する酸
素，水分にさらされても、再酸化されず汚染もされな
い。このため、絶縁破壊特性のよい一様で良質なより薄
いゲート酸化膜を形成できるという効果がある。また、
窒化膜／酸化膜，窒化膜，強誘電体等のキャパシタ絶縁
膜、あるいは窒素ドープ酸化膜等に対しても、膜成長直
前のＳｉ表面を清浄に保つことができるので、電気特性
のよい一様で良質なより薄い絶縁膜が形成できるという
効果がある。さらに、洗浄から成膜までの工程を自動化
し易いという効果もある。
【００２８】（実施例３）本発明の第三の実施例を図４
により説明する。本実施例において、装置構成で実施例
２と異なるのは、排気口７，酸素ガス導入系２４，加熱
器１６がなく、基板加熱ヒータ３７，クヌーセンセル
（Ｋセル）３８、およびシャッター４０が設置されてい
ることである。
により説明する。本実施例において、装置構成で実施例
２と異なるのは、排気口７，酸素ガス導入系２４，加熱
器１６がなく、基板加熱ヒータ３７，クヌーセンセル
（Ｋセル）３８、およびシャッター４０が設置されてい
ることである。
【００２９】次に、この実施例の装置を用いたＳｉウエ
ハ８上への光電子集積回路形成のために重要なＧａＡｓ
エピタキシャル成長膜形成方法について説明する。実施
例１または２と同様にして表面処理装置２６にてＳｉウ
エハ表面の自然酸化膜除去，水素終端化を行った後、試
料台６を試料台受け３０に移設する。炉３６内の真空は
１／１０8Ｐａ 以下の超高真空に保持されている。基板
加熱ヒータ３７によりＳｉウエハ８を約６００℃に加熱
しながらＫセル３８からのＧａ，Ａｓの蒸発とシャッタ
ー４０の開閉によりＳｉ上にＧａＡｓをエピタキシャル
成長させる。
ハ８上への光電子集積回路形成のために重要なＧａＡｓ
エピタキシャル成長膜形成方法について説明する。実施
例１または２と同様にして表面処理装置２６にてＳｉウ
エハ表面の自然酸化膜除去，水素終端化を行った後、試
料台６を試料台受け３０に移設する。炉３６内の真空は
１／１０8Ｐａ 以下の超高真空に保持されている。基板
加熱ヒータ３７によりＳｉウエハ８を約６００℃に加熱
しながらＫセル３８からのＧａ，Ａｓの蒸発とシャッタ
ー４０の開閉によりＳｉ上にＧａＡｓをエピタキシャル
成長させる。
【００３０】また、ここでは、ＧａＡｓのエピタキシャ
ル成長を例にとったが、ＳｉＧｅ，ＧａＡｌＡｓ，Ｇａ
ＩｎＡｓ等あらゆるエピタキシャル成長膜に適用できる
ことは言うまでもない。
ル成長を例にとったが、ＳｉＧｅ，ＧａＡｌＡｓ，Ｇａ
ＩｎＡｓ等あらゆるエピタキシャル成長膜に適用できる
ことは言うまでもない。
【００３１】本実施例によれば、自然酸化膜を除去する
とともにＦも完全に除去できる。また、表面処理室から
成膜装置への移動の間にわずかに存在する酸素，水分に
さらされても、Ｓｉウエハ表面はＨ終端化されているの
で、再酸化されることがなく、汚染されることもない。
このため、欠陥のない良質な結晶をＳｉウエハ上に成長
させることができるという効果がある。さらに、洗浄か
ら成膜までの工程を自動化し易いという効果もある。
とともにＦも完全に除去できる。また、表面処理室から
成膜装置への移動の間にわずかに存在する酸素，水分に
さらされても、Ｓｉウエハ表面はＨ終端化されているの
で、再酸化されることがなく、汚染されることもない。
このため、欠陥のない良質な結晶をＳｉウエハ上に成長
させることができるという効果がある。さらに、洗浄か
ら成膜までの工程を自動化し易いという効果もある。
【００３２】（実施例４）本発明の第四の実施例を図５
により説明する。図５に示した装置は、高真空に減圧で
きる反応管１の中に、中央部に網目状の部分を持つ仕切
り２を有し、仕切り２の一方に水素ガス（Ｈ2 ）導入系
３とＷフィラメント４を有し、もう一方にフッ化水素ガ
ス（ＨＦ）導入系５，酸素（Ｏ2 ）ガス導入系２４，セ
パレートバルブ２５，膜厚モニタ３５と加熱機構，回転
機構の付いた試料台６を有し、排気口７から真空に排気
される。
により説明する。図５に示した装置は、高真空に減圧で
きる反応管１の中に、中央部に網目状の部分を持つ仕切
り２を有し、仕切り２の一方に水素ガス（Ｈ2 ）導入系
３とＷフィラメント４を有し、もう一方にフッ化水素ガ
ス（ＨＦ）導入系５，酸素（Ｏ2 ）ガス導入系２４，セ
パレートバルブ２５，膜厚モニタ３５と加熱機構，回転
機構の付いた試料台６を有し、排気口７から真空に排気
される。
【００３３】次に、この実施例の装置を用いたＳｉウエ
ハ上の自然酸化膜除去およびゲート酸化膜形成方法につ
いて説明する。まず、排気口７より反応管１内を１／１
０6〜１／１０9Ｐａ 代の高真空に排気する。次に、Ｈ2
ガスをＨ2ガス導入系３から分圧１／１０1〜１／１０5
Ｐａまで導入する。Ｗフィラメント４を１８００℃まで
通電加熱すると、Ｈ2 分子が解離し原子状水素（Ｈ）が
発生する。さらに、ＨＦガスをＨＦガス導入系５から分
圧５／１０3〜５／１０8Ｐａまで導入する。ここで、仕
切り２はＨＦガスができるだけＷフィラメントに触れさ
せないように設けられたものである。発生したＨおよび
ＨＦは、試料台６に設置された自然酸化膜を有するＳｉ
ウエハ８に照射される。これにより自然酸化膜が除去さ
れ、Ｓｉウエハ８表面は多量のＨ原子と少量のＦ原子で
終端される。ＨＦによる自然酸化膜の除去後にＨＦガス
の導入を止め、Ｈ原子のみを照射すれば、Ｆ原子の残留
量を最小限に抑えることができる。このとき、試料台に
設けられた加熱機構によりＳｉウエハを３００〜５００
℃程度に加熱すれば、残留ＦがＳｉウエハ表面から脱離
すると同時に、Ｆが脱離したＳｉ表面はＨ終端される。
ハ上の自然酸化膜除去およびゲート酸化膜形成方法につ
いて説明する。まず、排気口７より反応管１内を１／１
０6〜１／１０9Ｐａ 代の高真空に排気する。次に、Ｈ2
ガスをＨ2ガス導入系３から分圧１／１０1〜１／１０5
Ｐａまで導入する。Ｗフィラメント４を１８００℃まで
通電加熱すると、Ｈ2 分子が解離し原子状水素（Ｈ）が
発生する。さらに、ＨＦガスをＨＦガス導入系５から分
圧５／１０3〜５／１０8Ｐａまで導入する。ここで、仕
切り２はＨＦガスができるだけＷフィラメントに触れさ
せないように設けられたものである。発生したＨおよび
ＨＦは、試料台６に設置された自然酸化膜を有するＳｉ
ウエハ８に照射される。これにより自然酸化膜が除去さ
れ、Ｓｉウエハ８表面は多量のＨ原子と少量のＦ原子で
終端される。ＨＦによる自然酸化膜の除去後にＨＦガス
の導入を止め、Ｈ原子のみを照射すれば、Ｆ原子の残留
量を最小限に抑えることができる。このとき、試料台に
設けられた加熱機構によりＳｉウエハを３００〜５００
℃程度に加熱すれば、残留ＦがＳｉウエハ表面から脱離
すると同時に、Ｆが脱離したＳｉ表面はＨ終端される。
【００３４】さらに、Ｈ2 ガスの導入を止め、Ｗフィラ
メント４の加熱を停止し、Ｗフィラメント４の酸化を防
止するためセパレートバルブ２５を閉じる。試料台６に
設けられた加熱機構によりＳｉウエハ８を５００℃以上
に加熱しながら酸素（Ｏ2 ）ガス導入系２４よりＯ2 ガ
スを分圧１０4〜１／１０7Ｐａまで導入する。Ｈ終端し
たＳｉウエハ表面からは加熱によりＨが脱離し、清浄Ｓ
ｉ表面が現れる。その直後、Ｏ2 ガスによりＳｉ清浄表
面は酸化され、Ｓｉ酸化膜が形成される。膜厚モニタ３
５により膜厚を計測することにより、あるいは、膜厚情
報をガス導入系にフィードバックすることにより、所望
の膜厚の酸化膜が得られる。
メント４の加熱を停止し、Ｗフィラメント４の酸化を防
止するためセパレートバルブ２５を閉じる。試料台６に
設けられた加熱機構によりＳｉウエハ８を５００℃以上
に加熱しながら酸素（Ｏ2 ）ガス導入系２４よりＯ2 ガ
スを分圧１０4〜１／１０7Ｐａまで導入する。Ｈ終端し
たＳｉウエハ表面からは加熱によりＨが脱離し、清浄Ｓ
ｉ表面が現れる。その直後、Ｏ2 ガスによりＳｉ清浄表
面は酸化され、Ｓｉ酸化膜が形成される。膜厚モニタ３
５により膜厚を計測することにより、あるいは、膜厚情
報をガス導入系にフィードバックすることにより、所望
の膜厚の酸化膜が得られる。
【００３５】また、本実施例では仕切り板２とセパレー
トバルブ２５が分離された構造であるが、図６に示すよ
うに一体となった構造であってもよい。
トバルブ２５が分離された構造であるが、図６に示すよ
うに一体となった構造であってもよい。
【００３６】また、ここでは酸化膜を例にとったが、同
様の方法により窒化膜／酸化膜，窒化膜，強誘電体等の
キャパシタ絶縁膜の形成、あるいは界面特性を改善する
ために行われている窒素ドープ酸化膜等にも適用でき
る。
様の方法により窒化膜／酸化膜，窒化膜，強誘電体等の
キャパシタ絶縁膜の形成、あるいは界面特性を改善する
ために行われている窒素ドープ酸化膜等にも適用でき
る。
【００３７】本実施例によれば、自然酸化膜を除去する
とともに、Ｓｉウエハ表面を水素終端化できる。自然酸
化膜除去とゲート酸化膜形成を同一反応管内で行うの
で、Ｓｉウエハを大気にさらさない。わずかに存在する
酸素，水分にさらされても、Ｓｉウエハ表面は水素終端
されているので、再び自然酸化膜が形成されず、酸化膜
形成の際に塵埃，汚染による欠陥を生じない。このた
め、絶縁破壊特性のよい一様で良質なより薄いゲート酸
化膜を形成できるという効果がある。また、窒化膜／酸
化膜，窒化膜，強誘電体等のキャパシタ絶縁膜、あるい
は窒素ドープ酸化膜等に対しても、膜成長直前のＳｉ表
面を清浄に保つことができるので、電気特性のよい一様
で良質なより薄い絶縁膜が形成できるという効果があ
る。
とともに、Ｓｉウエハ表面を水素終端化できる。自然酸
化膜除去とゲート酸化膜形成を同一反応管内で行うの
で、Ｓｉウエハを大気にさらさない。わずかに存在する
酸素，水分にさらされても、Ｓｉウエハ表面は水素終端
されているので、再び自然酸化膜が形成されず、酸化膜
形成の際に塵埃，汚染による欠陥を生じない。このた
め、絶縁破壊特性のよい一様で良質なより薄いゲート酸
化膜を形成できるという効果がある。また、窒化膜／酸
化膜，窒化膜，強誘電体等のキャパシタ絶縁膜、あるい
は窒素ドープ酸化膜等に対しても、膜成長直前のＳｉ表
面を清浄に保つことができるので、電気特性のよい一様
で良質なより薄い絶縁膜が形成できるという効果があ
る。
【００３８】（実施例５）以上の実施例は、表面処理装
置２６と個々のプロセス装置の組合せであった。本発明
の第五の実施例は、半導体製造プロセスの中でＳｉウエ
ハを大気にさらさない真空一貫プロセスに前記表面処理
装置２６を適用したものである。図７に示すような構成
で真空一貫プロセスを行う。
置２６と個々のプロセス装置の組合せであった。本発明
の第五の実施例は、半導体製造プロセスの中でＳｉウエ
ハを大気にさらさない真空一貫プロセスに前記表面処理
装置２６を適用したものである。図７に示すような構成
で真空一貫プロセスを行う。
【００３９】装置は、表面処理装置２６，酸化膜，窒化
膜形成装置４１，ＸＰＳ，ＡＥＳ，ＳＩＭＳ，ＳＴＭ，
ＳＥＭ等の分析，計測装置４２，レジスト塗布装置４
３，リソグラフィ装置４４，ドライエッチ装置４５，Ｇ
ａＡｓ等のＭＢＥ装置４６等が、両端にゲートバルブ２
７を有する中間室２８を介して搬送室４７に接続されて
いる。搬送室４７には自動的にウエハを移動させる搬送
路４８が設けられ、搬送室４７の端にはゲートバルブ２
７を介してウエハを出し入れする導入室４９が設けられ
ている。ただし、リソグラフィ装置４４と搬送室４７の
間には切離し機構を有する中間室５０が設けられてい
る。導入室４９および各装置には、導入棒自動移動機構
３２を備えた導入棒３１が接続されている。搬送路は１
／１０4Ｐａ以上の真空に排気されるか、または高純度
窒素ガス雰囲気に保たれている。各装置２６，４１〜４
６は、それぞれのプロセスに必要な真空もしくは雰囲気
に維持されている。
膜形成装置４１，ＸＰＳ，ＡＥＳ，ＳＩＭＳ，ＳＴＭ，
ＳＥＭ等の分析，計測装置４２，レジスト塗布装置４
３，リソグラフィ装置４４，ドライエッチ装置４５，Ｇ
ａＡｓ等のＭＢＥ装置４６等が、両端にゲートバルブ２
７を有する中間室２８を介して搬送室４７に接続されて
いる。搬送室４７には自動的にウエハを移動させる搬送
路４８が設けられ、搬送室４７の端にはゲートバルブ２
７を介してウエハを出し入れする導入室４９が設けられ
ている。ただし、リソグラフィ装置４４と搬送室４７の
間には切離し機構を有する中間室５０が設けられてい
る。導入室４９および各装置には、導入棒自動移動機構
３２を備えた導入棒３１が接続されている。搬送路は１
／１０4Ｐａ以上の真空に排気されるか、または高純度
窒素ガス雰囲気に保たれている。各装置２６，４１〜４
６は、それぞれのプロセスに必要な真空もしくは雰囲気
に維持されている。
【００４０】Ｓｉウエハを搭載したウエハホルダ２９を
導入室４９に導入し、導入室を真空に排気した後ウエハ
ホルダ２９を搬送室４７に送る。また、リソグラフィ装
置４４でリソグラフィを行う際には、搬送路から伝わる
振動を遮断するため、切離し機構を有する中間室２８を
リソグラフィ装置４４から切り離した状態で行う。
導入室４９に導入し、導入室を真空に排気した後ウエハ
ホルダ２９を搬送室４７に送る。また、リソグラフィ装
置４４でリソグラフィを行う際には、搬送路から伝わる
振動を遮断するため、切離し機構を有する中間室２８を
リソグラフィ装置４４から切り離した状態で行う。
【００４１】また、全体のプロセスのすべてが真空一貫
プロセスである必要はなく、例えばあるまとまった部分
ごと、あるいはある部分だけの真空プロセスでもよい。
プロセスである必要はなく、例えばあるまとまった部分
ごと、あるいはある部分だけの真空プロセスでもよい。
【００４２】本発明によれば、自然酸化膜を除去すると
ともに、Ｓｉウエハ表面を水素終端できるので、酸化，
汚染に強く、しかも残留Ｆ量の少ない表面が得られると
いう効果がある。また、プロセス間の搬送路が清浄雰囲
気に保たれているため、大気にさらすプロセスよりも表
面汚染が極めて少ない。搬送中にわずかに存在する酸
素，水分にさらされても、Ｓｉ表面は水素終端化してい
るので、再び酸化することはない。このため、Ｓｉ上に
電気特性のよい一様で良質な薄膜を形成できるという効
果がある。また、より清浄な雰囲気を必要とする原子操
作を伴うような将来のプロセスにも適用できるという効
果もある。また、すべてのプロセスあるいは多くのプロ
セスを自動化し易い。
ともに、Ｓｉウエハ表面を水素終端できるので、酸化，
汚染に強く、しかも残留Ｆ量の少ない表面が得られると
いう効果がある。また、プロセス間の搬送路が清浄雰囲
気に保たれているため、大気にさらすプロセスよりも表
面汚染が極めて少ない。搬送中にわずかに存在する酸
素，水分にさらされても、Ｓｉ表面は水素終端化してい
るので、再び酸化することはない。このため、Ｓｉ上に
電気特性のよい一様で良質な薄膜を形成できるという効
果がある。また、より清浄な雰囲気を必要とする原子操
作を伴うような将来のプロセスにも適用できるという効
果もある。また、すべてのプロセスあるいは多くのプロ
セスを自動化し易い。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、自然酸化膜を除去する
とともに、Ｓｉウエハ表面を水素終端化できるので、酸
化，汚染に強い表面が得られる。それにより、Ｓｉウエ
ハ表面を成膜直前まで清浄に保つことができるので、Ｓ
ｉ上に一様で良質な薄膜を形成できる。
とともに、Ｓｉウエハ表面を水素終端化できるので、酸
化，汚染に強い表面が得られる。それにより、Ｓｉウエ
ハ表面を成膜直前まで清浄に保つことができるので、Ｓ
ｉ上に一様で良質な薄膜を形成できる。
【図１】本発明の第一の実施例の表面処理装置を示す説
明図。
明図。
【図２】従来の技術を示す説明図。
【図３】本発明の第二の実施例を示す説明図。
【図４】本発明の第三の実施例を示す説明図。
【図５】本発明の第四の実施例を示す説明図。
【図６】本発明の第四の実施例の変形を示す説明図。
【図７】本発明の第五の実施例を示す説明図。
１…反応管、２…仕切り、３…水素ガス導入系、４…タ
ングステンフィラメント、５…フッ化水素ガス導入系、
６…試料台、７…排気口、８…Ｓｉウエハ、３５…膜厚
モニタ。
ングステンフィラメント、５…フッ化水素ガス導入系、
６…試料台、７…排気口、８…Ｓｉウエハ、３５…膜厚
モニタ。
Claims (8)
- 【請求項１】試料台，ガス導入手段，排気手段を有する
反応室に、前記ガス導入手段として原子状水素または水
素プラズマ導入手段に加えて、気体状フッ化水素または
原子状フッ素または分子状フッ素導入手段を設けた表面
処理装置でＳｉウェハを表面処理した後、絶縁体薄膜，
半導体薄膜，金属薄膜などの膜形成装置により成膜する
ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記表面処理装置に、
膜厚計測手段または表面分析装置を設けて成膜する薄膜
形成方法。 - 【請求項３】請求項２において、前記膜厚計測手段から
の情報により膜厚を制御する手段を設けて成膜する薄膜
形成方法。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、前記表面
処理装置に、直接あるいは中間室を介して成膜装置を接
続して成膜する薄膜形成方法。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４において、前記
表面処理装置に、直接あるいは中間室を介して高真空ま
たは高純度窒素等不活性ガス雰囲気に維持されたウエハ
搬送室に接続して成膜する薄膜形成方法。 - 【請求項６】請求項４または５において、前記表面処理
装置，前記中間室，前記搬送室，前記成膜装置間のウエ
ハの移動を自動的に行う手段を設けて成膜する薄膜形成
方法。 - 【請求項７】請求項１において、前記表面処理装置内
に、成膜のためのガス導入手段，蒸着手段等の成膜諸手
段のうち一つ以上の手段を設けて成膜する薄膜形成方
法。 - 【請求項８】請求項１，２，３，４，５，６または７に
おいて、前記表面処理装置の原子状水素または水素プラ
ズマ発生部を、他のガス導入系からのガスの浸入を防止
する手段を設けて成膜する薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28640793A JPH07142434A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28640793A JPH07142434A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142434A true JPH07142434A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17704005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28640793A Pending JPH07142434A (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142434A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0917730A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nec Corp | 薄膜の製造方法及び薄膜製造装置 |
| KR100334085B1 (ko) * | 2000-02-02 | 2002-04-26 | 대한민국 (관리청:특허청장, 승계청:서울대학교 신소재 공동연구소장) | 양자점 형성을 위한 이중 챔버 화학 증착기 |
| JP2008072146A (ja) * | 2007-12-03 | 2008-03-27 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | ＳｉＣショットキーダイオードの製造方法 |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP28640793A patent/JPH07142434A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0917730A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nec Corp | 薄膜の製造方法及び薄膜製造装置 |
| KR100334085B1 (ko) * | 2000-02-02 | 2002-04-26 | 대한민국 (관리청:특허청장, 승계청:서울대학교 신소재 공동연구소장) | 양자점 형성을 위한 이중 챔버 화학 증착기 |
| JP2008072146A (ja) * | 2007-12-03 | 2008-03-27 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | ＳｉＣショットキーダイオードの製造方法 |
| JP4645641B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2011-03-09 | 富士電機システムズ株式会社 | ＳｉＣショットキーダイオードの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5015134B2 (ja) | 基板から酸化物を除去する方法 | |
| EP0430303A2 (en) | Improved process for selective deposition of tungsten on semiconductor wafer | |
| JP2001345279A (ja) | 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置 | |
| US8123858B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| US20200111674A1 (en) | Etching method | |
| US7807585B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor device | |
| EP1237177A2 (en) | Apparatus and method for etching semiconductor wafers | |
| US20070039924A1 (en) | Low-temperature oxide removal using fluorine | |
| JP3233281B2 (ja) | ゲート酸化膜の形成方法 | |
| JPH07142434A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP2632293B2 (ja) | シリコン自然酸化膜の選択的除去方法 | |
| JPH05326477A (ja) | 半導体基板表面のハロゲン除去方法 | |
| JPH11354514A (ja) | クラスターツール装置及び成膜方法 | |
| JPH01108723A (ja) | 金属の選択堆積方法及びその装置 | |
| Kim et al. | Ex situ wafer surface cleaning by HF dipping for low temperature silicon epitaxy | |
| JP2699928B2 (ja) | 化合物半導体基板の前処理方法 | |
| JP2504598B2 (ja) | 半導体基板の枚葉式表面処理方法 | |
| JP2737613B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH0917766A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| KR20230011896A (ko) | 반도체 기판 세정 방법 | |
| JPH08288283A (ja) | シリコン酸化膜形成方法およびシリコン酸化膜形成装置 | |
| JPH05139881A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長法およびその装置 | |
| JPH11219907A (ja) | ウエハ処理装置および処理方法 | |
| JPH06349801A (ja) | 表面処理方法 | |
| KR100331964B1 (ko) | 원자층 증착 설비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법 |