JPH1027795A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1027795A JPH1027795A JP18333996A JP18333996A JPH1027795A JP H1027795 A JPH1027795 A JP H1027795A JP 18333996 A JP18333996 A JP 18333996A JP 18333996 A JP18333996 A JP 18333996A JP H1027795 A JPH1027795 A JP H1027795A
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- JP
- Japan
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- oxide film
- semiconductor device
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体基板上に形成された酸化膜は、窒化処理
を施される前に大気に晒され有機物等のガス状不純物が
酸化膜表面に付着する場合があり、このガス状不純物が
付着した状態で窒化されると半導体装置の特性の劣化を
発生させた。 【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成した後、オキ
シナイトライド化を行う装置内で前記酸化膜を窒化する
前に少なくとも酸素を含むガスによる熱処理を行ない、
酸化膜に付着した不純物を除去する。
を施される前に大気に晒され有機物等のガス状不純物が
酸化膜表面に付着する場合があり、このガス状不純物が
付着した状態で窒化されると半導体装置の特性の劣化を
発生させた。 【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成した後、オキ
シナイトライド化を行う装置内で前記酸化膜を窒化する
前に少なくとも酸素を含むガスによる熱処理を行ない、
酸化膜に付着した不純物を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、特に酸化膜を窒化させる薄膜形成工程の改
善に関する。
方法に係り、特に酸化膜を窒化させる薄膜形成工程の改
善に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来では、熱酸化法若しくは、ＣＶＤ法
等の方法を用いて、図２に示すように、半導体基板１１
上に酸化膜１２ａ，１２ｂを形成した後に、オキシナイ
トライド化を行う装置内において、半導体基板上に形成
された酸化膜を窒化させる、または窒化と再酸化を行っ
てオキシナイトライド膜１３ａ，１３ｂを形成してい
た。
等の方法を用いて、図２に示すように、半導体基板１１
上に酸化膜１２ａ，１２ｂを形成した後に、オキシナイ
トライド化を行う装置内において、半導体基板上に形成
された酸化膜を窒化させる、または窒化と再酸化を行っ
てオキシナイトライド膜１３ａ，１３ｂを形成してい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述した従来技
術において、通常、酸化膜を形成する装置と窒化させる
装置とは、製造装置が異なるため、半導体基板上に形成
された酸化膜は、オキシナイトライド化を行う装置で処
理を施される前に装置外若しくは処理チャンバー外に一
旦取り出され、クリーンルーム内の大気に晒されること
となる。この際、大気に浮遊する有機物等のガス状不純
物が半導体基板に形成された酸化膜の表面に付着する場
合があった。
術において、通常、酸化膜を形成する装置と窒化させる
装置とは、製造装置が異なるため、半導体基板上に形成
された酸化膜は、オキシナイトライド化を行う装置で処
理を施される前に装置外若しくは処理チャンバー外に一
旦取り出され、クリーンルーム内の大気に晒されること
となる。この際、大気に浮遊する有機物等のガス状不純
物が半導体基板に形成された酸化膜の表面に付着する場
合があった。
【０００４】このため、図３に示すように、有機物等の
ガス状不純物１４が酸化膜１２ａ，１２ｂの表面に付着
した状態で、次の製造工程の窒化を行うと、この不純物
がオキシライトナイド膜１３ａ，１３ｂ中に取り込ま
れ、特性の劣化を引き起こしていた。
ガス状不純物１４が酸化膜１２ａ，１２ｂの表面に付着
した状態で、次の製造工程の窒化を行うと、この不純物
がオキシライトナイド膜１３ａ，１３ｂ中に取り込ま
れ、特性の劣化を引き起こしていた。
【０００５】そこで本発明は、半導体装置の製造工程で
酸化膜をオキシナイトライド化する工程において、酸化
膜上に付着する不純物を排除し、特性劣化が抑制された
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
酸化膜をオキシナイトライド化する工程において、酸化
膜上に付着する不純物を排除し、特性劣化が抑制された
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜に窒素原子を導入する工程とを具備する半導
体装置の製造方法において、前記窒素原子を導入する工
程の前に同一炉内で前記酸化膜が形成された前記半導体
基板を酸素を含んだ雰囲気中で加熱する工程を有する半
導体装置の製造方法を提供する。
するために、半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜に窒素原子を導入する工程とを具備する半導
体装置の製造方法において、前記窒素原子を導入する工
程の前に同一炉内で前記酸化膜が形成された前記半導体
基板を酸素を含んだ雰囲気中で加熱する工程を有する半
導体装置の製造方法を提供する。
【０００７】この製造方法により、半導体基板上に酸化
膜を形成した後、オキシナイトライド化を行う装置内で
前記酸化膜を窒化する前に少なくとも酸素を含むガスに
よる熱処理を行ない、酸化膜に付着した不純物が除去さ
れる。
膜を形成した後、オキシナイトライド化を行う装置内で
前記酸化膜を窒化する前に少なくとも酸素を含むガスに
よる熱処理を行ない、酸化膜に付着した不純物が除去さ
れる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について詳細に説明する。図１には、本発明によ
る半導体装置の製造方法としての一実施形態の工程を示
し説明する。
施形態について詳細に説明する。図１には、本発明によ
る半導体装置の製造方法としての一実施形態の工程を示
し説明する。
【０００９】この実施形態は、オキシナイトライド化を
行う装置中で酸化膜を例えば、アンモニアガスを用いて
窒化する前に酸素ガスを用いて、再度、酸化を行う方法
である。
行う装置中で酸化膜を例えば、アンモニアガスを用いて
窒化する前に酸素ガスを用いて、再度、酸化を行う方法
である。
【００１０】最初に図１（ａ）に示すように、半導体基
板１の両主面上に酸化膜２ａ，２ｂを形成する。次に図
１（ｂ）に示すように、前記半導体基板をオキシナイト
ライド化するための装置に装填する。このとき、半導体
基板１上に形成された酸化膜２ａ，２ｂは、一端、酸化
膜を形成する装置から取り出され、クリーンルームの大
気に晒されるため、前記酸化膜２ａ，２ｂの表面上に有
機物等のガス状不純物３が付着する。
板１の両主面上に酸化膜２ａ，２ｂを形成する。次に図
１（ｂ）に示すように、前記半導体基板をオキシナイト
ライド化するための装置に装填する。このとき、半導体
基板１上に形成された酸化膜２ａ，２ｂは、一端、酸化
膜を形成する装置から取り出され、クリーンルームの大
気に晒されるため、前記酸化膜２ａ，２ｂの表面上に有
機物等のガス状不純物３が付着する。
【００１１】次に、図１（ｃ）に示すように、このよう
な半導体基板１をオキシナイトライド化を行う装置に装
填し、まず、酸素を含むガスによる雰囲気を作り、熱処
理を施し、再酸化処理を行う。この熱酸化処理により半
導体基板１の酸化膜２ａ，２ｂに付着していた前記ガス
状不純物３が除去される。
な半導体基板１をオキシナイトライド化を行う装置に装
填し、まず、酸素を含むガスによる雰囲気を作り、熱処
理を施し、再酸化処理を行う。この熱酸化処理により半
導体基板１の酸化膜２ａ，２ｂに付着していた前記ガス
状不純物３が除去される。
【００１２】そして図１（ｄ）に示すように、アンモニ
アガスによる雰囲気を作り、その雰囲気内で半導体基板
を熱処理を施した窒化を行い、オキシナイトライド膜４
ａ，４ｂを形成する。
アガスによる雰囲気を作り、その雰囲気内で半導体基板
を熱処理を施した窒化を行い、オキシナイトライド膜４
ａ，４ｂを形成する。
【００１３】以上の製造工程により製造された半導体装
置は、従来技術で形成された半導体装置と比較すると、
有機物等のガス状不純物の影響が低減され、オキシナイ
トライド膜の特性劣化を抑制することができる。
置は、従来技術で形成された半導体装置と比較すると、
有機物等のガス状不純物の影響が低減され、オキシナイ
トライド膜の特性劣化を抑制することができる。
【００１４】尚、本実施形態では、有機物等のガス状不
純物を除去するための酸化として、酸素ガスを用いた
が、少なくとも酸素を含むガスであれば、これに限定さ
れるものではない。
純物を除去するための酸化として、酸素ガスを用いた
が、少なくとも酸素を含むガスであれば、これに限定さ
れるものではない。
【００１５】また、酸化膜の窒化を行うガスとして、ア
ンモニアガスを用いたが、これに限定されず、酸化膜の
窒化が行えるガスであれば、これに限定されるものでは
ない。さらに、オキシナイトライド膜として酸化膜形成
後に、窒化を行う例を説明したが、窒化後に再酸化やア
ニール等の熱処理を行ってもよい。
ンモニアガスを用いたが、これに限定されず、酸化膜の
窒化が行えるガスであれば、これに限定されるものでは
ない。さらに、オキシナイトライド膜として酸化膜形成
後に、窒化を行う例を説明したが、窒化後に再酸化やア
ニール等の熱処理を行ってもよい。
【００１６】以上詳述したように、本実施形態の半導体
装置の製造方法によれば、半導体基板に形成された酸化
膜に付着する有機物等のガス状不純物の影響が低減さ
れ、オキシナイトライド膜の特性劣化が抑制される。
装置の製造方法によれば、半導体基板に形成された酸化
膜に付着する有機物等のガス状不純物の影響が低減さ
れ、オキシナイトライド膜の特性劣化が抑制される。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、半
導体装置の製造工程で酸化膜をオキシナイトライド化す
る工程において、酸化膜上に付着する不純物を除去し、
特性劣化が抑制された半導体装置の製造方法を提供する
ことができる。
導体装置の製造工程で酸化膜をオキシナイトライド化す
る工程において、酸化膜上に付着する不純物を除去し、
特性劣化が抑制された半導体装置の製造方法を提供する
ことができる。
【図１】本発明による半導体装置の製造方法としての一
実施形態の製造工程を示す図である。
実施形態の製造工程を示す図である。
【図２】有機物等のガス状不純物の付着がない場合の従
来の半導体装置の製造方法による製造工程を示す図であ
る。
来の半導体装置の製造方法による製造工程を示す図であ
る。
【図３】有機物等のガス状不純物が付着した場合の欠陥
を有する従来の半導体装置の製造方法による製造工程を
示す図である。
を有する従来の半導体装置の製造方法による製造工程を
示す図である。
１…半導体基板 ２ａ，２ｂ…酸化膜 ３…有機物等のガス状不純物 ４ａ，４ｂ…オキシナイトライド膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に酸化膜を形成する工程
と、前記酸化膜に窒素原子を導入する工程とを具備する
半導体装置の製造方法において、 前記窒素原子を導入する工程の前に同一炉内で前記酸化
膜が形成された前記半導体基板を酸素を含んだ雰囲気中
で加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に酸化膜を形成する工程
と、 前記酸化膜をオキシナイトライド化する工程とを具備す
る半導体装置の製造方法において、 前記オキシナイトライド化する工程で、前記酸化膜を窒
化する前に同一炉内で前記酸化膜上に付着した不純物を
除去するための酸素を含んだ雰囲気中で加熱する処理を
行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18333996A JPH1027795A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18333996A JPH1027795A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027795A true JPH1027795A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=16134000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18333996A Pending JPH1027795A (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1027795A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003052810A1 (fr) * | 2001-12-18 | 2003-06-26 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement d'un substrat |
| JP2007201507A (ja) * | 2007-05-01 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US7517751B2 (en) | 2001-12-18 | 2009-04-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating method |
| US7913459B2 (en) | 2003-05-30 | 2011-03-29 | Herman Miller, Inc. | Work space management system |
-
1996
- 1996-07-12 JP JP18333996A patent/JPH1027795A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003052810A1 (fr) * | 2001-12-18 | 2003-06-26 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement d'un substrat |
| US7517751B2 (en) | 2001-12-18 | 2009-04-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating method |
| US7913459B2 (en) | 2003-05-30 | 2011-03-29 | Herman Miller, Inc. | Work space management system |
| JP2007201507A (ja) * | 2007-05-01 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
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