JPH11186257A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH11186257A JPH11186257A JP9355602A JP35560297A JPH11186257A JP H11186257 A JPH11186257 A JP H11186257A JP 9355602 A JP9355602 A JP 9355602A JP 35560297 A JP35560297 A JP 35560297A JP H11186257 A JPH11186257 A JP H11186257A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高品質な熱酸化膜を生成する。
【解決手段】ロードロック拡散炉１００によって、挿入
工程，昇温工程，安定工程，酸化工程を実行した後、窒
素Ｎ2 １００％の雰囲気ガス中でアニール工程を行う。
続いて反応炉１へのガスライン５から微量の酸素Ｏ2 を
導入して窒素Ｎ2９９％，酸素Ｏ2 １％の雰囲気中で降
温工程を行った後、ポンプＤＰを作動させてロードロッ
ク６を真空引きした後、ガス導入ライン７から窒素Ｎ2
を導入してロードロック６に窒素Ｎ2 を充満させ、ガス
ライン５から微量の酸素Ｏ2 を導入している状態で、ウ
エハボート３を反応炉１からロードロック６に移動させ
る（引き出し工程）。つまり、降温工程及び引き出し工
程を、大気等の不純物が含まれない窒素と微量の酸素と
の高純度な混合ガスからなる雰囲気ガス中で行うことに
なり、高純度な酸素のみがシリコン基板と酸化膜との界
面に導入されることになって高品質な熱酸化膜が生成さ
れる。
工程，昇温工程，安定工程，酸化工程を実行した後、窒
素Ｎ2 １００％の雰囲気ガス中でアニール工程を行う。
続いて反応炉１へのガスライン５から微量の酸素Ｏ2 を
導入して窒素Ｎ2９９％，酸素Ｏ2 １％の雰囲気中で降
温工程を行った後、ポンプＤＰを作動させてロードロッ
ク６を真空引きした後、ガス導入ライン７から窒素Ｎ2
を導入してロードロック６に窒素Ｎ2 を充満させ、ガス
ライン５から微量の酸素Ｏ2 を導入している状態で、ウ
エハボート３を反応炉１からロードロック６に移動させ
る（引き出し工程）。つまり、降温工程及び引き出し工
程を、大気等の不純物が含まれない窒素と微量の酸素と
の高純度な混合ガスからなる雰囲気ガス中で行うことに
なり、高純度な酸素のみがシリコン基板と酸化膜との界
面に導入されることになって高品質な熱酸化膜が生成さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱酸化膜を生成す
る半導体装置の製造方法に関し、特に、良質な熱酸化膜
を生成することの可能な半導体装置の製造方法に関す
る。
る半導体装置の製造方法に関し、特に、良質な熱酸化膜
を生成することの可能な半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、熱酸化膜を生成する場合には、例
えば、図３に示すような、縦型の拡散炉１０を用いて行
っている。これは、その下端が開口した石英チューブか
らなる円筒形の反応炉１中に、その開口部から複数のウ
エハを搭載したウエハボート３を挿入し、開口部を密封
した後、反応炉１の周囲に配置したヒータ４によって反
応炉１をその周囲から加熱した状態で、反応炉１の上部
に導通するガスライン５を通して、窒素Ｎ2 ，酸素
Ｏ2 ，水蒸気Ｈ2 Ｏ等を反応炉１内に導入することによ
り、ウエハボート３上のウエハに対して熱酸化処理を行
うようになっている。そして、ウエハボート３を反応炉
１内に導入する導入工程，炉内の温度を安定させる安定
工程，酸化膜を生成する酸化工程，アニール処理を行う
アニール工程，ウエハボート３を炉外に引き出す引き出
し工程等、一連の工程毎に、窒素Ｎ2 ，酸素Ｏ2 ，水分
Ｈ2 Ｏ等の雰囲気ガスを適宜導入するようになってい
る。特に、アニール工程後には、酸化が進むことを回避
するために高純度の窒素雰囲気中で、ウエハを引き出す
ようになっている。
えば、図３に示すような、縦型の拡散炉１０を用いて行
っている。これは、その下端が開口した石英チューブか
らなる円筒形の反応炉１中に、その開口部から複数のウ
エハを搭載したウエハボート３を挿入し、開口部を密封
した後、反応炉１の周囲に配置したヒータ４によって反
応炉１をその周囲から加熱した状態で、反応炉１の上部
に導通するガスライン５を通して、窒素Ｎ2 ，酸素
Ｏ2 ，水蒸気Ｈ2 Ｏ等を反応炉１内に導入することによ
り、ウエハボート３上のウエハに対して熱酸化処理を行
うようになっている。そして、ウエハボート３を反応炉
１内に導入する導入工程，炉内の温度を安定させる安定
工程，酸化膜を生成する酸化工程，アニール処理を行う
アニール工程，ウエハボート３を炉外に引き出す引き出
し工程等、一連の工程毎に、窒素Ｎ2 ，酸素Ｏ2 ，水分
Ｈ2 Ｏ等の雰囲気ガスを適宜導入するようになってい
る。特に、アニール工程後には、酸化が進むことを回避
するために高純度の窒素雰囲気中で、ウエハを引き出す
ようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この拡
散炉を用いた熱酸化膜の生成方法では、その熱酸化膜の
ストレス寿命等の点で不十分であった。
散炉を用いた熱酸化膜の生成方法では、その熱酸化膜の
ストレス寿命等の点で不十分であった。
【０００４】そこで、本出願人は、上記従来の拡散炉を
用いた方法では、ウエハを石英チューブからなる反応炉
１内に挿入する際、或いは反応炉１から引き出す際に、
大気の巻き込みにより、酸素や他の不純物ガス、また、
大気中のパーティクルが雰囲気ガス中に含まれてしまう
ことに着目し、ロードロックを備えた図１に示すロード
ロック拡散炉１００を用いて一連の熱酸化処理を行って
みた。このロードロック拡散炉１００は石英チューブか
らなる反応炉１の下端開口部にロードロック６が設けら
れている。そして、このロードロック６には、脱気用の
ポンプＤＰが設けられ、反応炉１とロードロック６とを
遮断するゲートＧ1 、ロードロック６と外部とを遮断す
るウエハ挿入用のゲートＧ2 、ロードロック６に窒素ガ
スを導入するガス導入ライン７、が設けられている。
用いた方法では、ウエハを石英チューブからなる反応炉
１内に挿入する際、或いは反応炉１から引き出す際に、
大気の巻き込みにより、酸素や他の不純物ガス、また、
大気中のパーティクルが雰囲気ガス中に含まれてしまう
ことに着目し、ロードロックを備えた図１に示すロード
ロック拡散炉１００を用いて一連の熱酸化処理を行って
みた。このロードロック拡散炉１００は石英チューブか
らなる反応炉１の下端開口部にロードロック６が設けら
れている。そして、このロードロック６には、脱気用の
ポンプＤＰが設けられ、反応炉１とロードロック６とを
遮断するゲートＧ1 、ロードロック６と外部とを遮断す
るウエハ挿入用のゲートＧ2 、ロードロック６に窒素ガ
スを導入するガス導入ライン７、が設けられている。
【０００５】そして、ロードロック拡散炉１００を用い
て反応炉１内で水素ガス及び酸素ガスの高純度な雰囲気
ガス中で酸化工程を行った後、反応炉１内の雰囲気ガス
を高純度窒素に切り換えて降温工程を行う。その後、ポ
ンプＤＰを作動させてロードロック６を真空にし、ガス
導入ライン７を通して窒素ガスを導入した後、ゲートＧ
1 を開状態にしてロードロック６にウエハボート３を移
動させる。
て反応炉１内で水素ガス及び酸素ガスの高純度な雰囲気
ガス中で酸化工程を行った後、反応炉１内の雰囲気ガス
を高純度窒素に切り換えて降温工程を行う。その後、ポ
ンプＤＰを作動させてロードロック６を真空にし、ガス
導入ライン７を通して窒素ガスを導入した後、ゲートＧ
1 を開状態にしてロードロック６にウエハボート３を移
動させる。
【０００６】以上の方法によって、大気中の酸素等の不
純物ガス、或いはパーティクル等を含まない高純度な窒
素雰囲気中で、降温工程及び引き出し工程を行った。し
かしながら、この熱酸化膜生成方法では、降温工程及び
引き出し工程時に、熱酸化膜とシリコン基板との界面に
発生する応力の影響で、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ結合に歪みが生
じ、ストレスに対して脆い絶縁膜となってしまうことが
わかった。また、ライフタイムの測定を行ったところ、
従来の図３に示す拡散炉１０を用いた方法に比較してそ
のライフタイムが大幅に低下してしまうことも確認され
た。
純物ガス、或いはパーティクル等を含まない高純度な窒
素雰囲気中で、降温工程及び引き出し工程を行った。し
かしながら、この熱酸化膜生成方法では、降温工程及び
引き出し工程時に、熱酸化膜とシリコン基板との界面に
発生する応力の影響で、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ結合に歪みが生
じ、ストレスに対して脆い絶縁膜となってしまうことが
わかった。また、ライフタイムの測定を行ったところ、
従来の図３に示す拡散炉１０を用いた方法に比較してそ
のライフタイムが大幅に低下してしまうことも確認され
た。
【０００７】そこで、この発明は、上記従来の未解決の
問題に着目してなされたものであり、良質な熱酸化膜を
提供することの可能な半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的としている。
問題に着目してなされたものであり、良質な熱酸化膜を
提供することの可能な半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】ここで、前記熱酸化膜に
おける問題点は、これを研究した結果、降温及び引き出
し工程における窒素Ｎ2 の雰囲気ガスの純度の影響によ
り生じ、これら工程における高純度なＮ2 雰囲気ガス中
に、高純度の微量の酸素Ｏ2 を混合させ、且つ大気等の
不純物を含まないようにすることにより解決できること
を見出し、以下のような発明を完成させた。
おける問題点は、これを研究した結果、降温及び引き出
し工程における窒素Ｎ2 の雰囲気ガスの純度の影響によ
り生じ、これら工程における高純度なＮ2 雰囲気ガス中
に、高純度の微量の酸素Ｏ2 を混合させ、且つ大気等の
不純物を含まないようにすることにより解決できること
を見出し、以下のような発明を完成させた。
【０００９】上記目的を達成するために、本発明の請求
項１に係る半導体装置の製造方法は、熱酸化炉内で処理
対象に熱酸化処理を行うようにした半導体装置の製造方
法であって、前記処理対象に熱酸化処理を行ってからそ
の処理対象を前記熱酸化炉外に引き出し終えるまでの間
の、前記処理対象の雰囲気温度が低下する時には、前記
処理対象の雰囲気ガスを、窒素ガスと前記処理対象の酸
化に寄与しない程度の酸素ガスとの混合ガスであり、且
つ当該混合ガスに不純物が含まれないようにしたことを
特徴としている。
項１に係る半導体装置の製造方法は、熱酸化炉内で処理
対象に熱酸化処理を行うようにした半導体装置の製造方
法であって、前記処理対象に熱酸化処理を行ってからそ
の処理対象を前記熱酸化炉外に引き出し終えるまでの間
の、前記処理対象の雰囲気温度が低下する時には、前記
処理対象の雰囲気ガスを、窒素ガスと前記処理対象の酸
化に寄与しない程度の酸素ガスとの混合ガスであり、且
つ当該混合ガスに不純物が含まれないようにしたことを
特徴としている。
【００１０】なお、処理対象に熱酸化処理を行ってから
その処理対象を前記熱酸化炉外に引き出し終えるまでの
間であり、且つ前記処理対象の雰囲気温度が低下する時
とは、降温工程等積極的に雰囲気ガスの温度を降温させ
るようにしたときはもちろんのこと、積極的には降温工
程は行わず、熱酸化処理後に処理対象を熱酸化炉外に引
き出す場合等のように結果的に降温が行われるときを含
む。
その処理対象を前記熱酸化炉外に引き出し終えるまでの
間であり、且つ前記処理対象の雰囲気温度が低下する時
とは、降温工程等積極的に雰囲気ガスの温度を降温させ
るようにしたときはもちろんのこと、積極的には降温工
程は行わず、熱酸化処理後に処理対象を熱酸化炉外に引
き出す場合等のように結果的に降温が行われるときを含
む。
【００１１】また、本発明の請求項２に係る半導体装置
の製造方法は、少なくとも熱酸化炉内で処理対象に熱酸
化膜を生成する酸化工程と、当該酸化工程実行後に熱酸
化炉内温度を所定の温度まで降温する降温工程と、当該
降温工程実行後に前記処理対象を前記熱酸化炉外に引き
出す引き出し工程と、を備えた半導体装置の製造方法で
あって、前記降温工程及び前記引き出し工程を、窒素ガ
スと前記処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガスと
の混合ガスであり、且つ当該混合ガスに不純物が含まれ
ないようにした雰囲気中で実行するようにしたことを特
徴としている。
の製造方法は、少なくとも熱酸化炉内で処理対象に熱酸
化膜を生成する酸化工程と、当該酸化工程実行後に熱酸
化炉内温度を所定の温度まで降温する降温工程と、当該
降温工程実行後に前記処理対象を前記熱酸化炉外に引き
出す引き出し工程と、を備えた半導体装置の製造方法で
あって、前記降温工程及び前記引き出し工程を、窒素ガ
スと前記処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガスと
の混合ガスであり、且つ当該混合ガスに不純物が含まれ
ないようにした雰囲気中で実行するようにしたことを特
徴としている。
【００１２】また、本発明の請求項３に係る半導体装置
の製造方法は、前記熱酸化炉はロードロックを備えた熱
酸化炉であって、前記処理対象が熱酸化炉内にあるとき
に前記ロードロックを真空にした後当該ロードロックに
窒素ガスを導入し、前記熱酸化炉のガスラインから窒素
ガスと前記処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガス
とを導入した状態で、前記処理対象を前記ロードロック
に移動することを特徴としている。
の製造方法は、前記熱酸化炉はロードロックを備えた熱
酸化炉であって、前記処理対象が熱酸化炉内にあるとき
に前記ロードロックを真空にした後当該ロードロックに
窒素ガスを導入し、前記熱酸化炉のガスラインから窒素
ガスと前記処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガス
とを導入した状態で、前記処理対象を前記ロードロック
に移動することを特徴としている。
【００１３】さらに、本発明の請求項４に係る半導体装
置の製造方法は、熱酸化炉内に処理対象を挿入する挿入
工程と、前記熱酸化炉内温度を所定温度まで昇温する昇
温工程と、昇温後の前記熱酸化炉内温度を安定させる安
定工程と、前記処理対象に熱酸化膜を生成する酸化工程
と、前記熱酸化炉内温度を所定の温度まで降温する降温
工程と、前記処理対象を前記熱酸化炉外に引き出す引き
出し工程と、を備え、これら工程をこの順に実行する半
導体装置の製造方法であって、前記挿入工程，昇温工
程，安定工程，降温工程及び引き出し工程を、窒素ガス
と前記処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガスとの
混合ガスであり、且つ当該混合ガスに不純物が含まれな
いようにした雰囲気ガス中で実行するようにしたことを
特徴としている。
置の製造方法は、熱酸化炉内に処理対象を挿入する挿入
工程と、前記熱酸化炉内温度を所定温度まで昇温する昇
温工程と、昇温後の前記熱酸化炉内温度を安定させる安
定工程と、前記処理対象に熱酸化膜を生成する酸化工程
と、前記熱酸化炉内温度を所定の温度まで降温する降温
工程と、前記処理対象を前記熱酸化炉外に引き出す引き
出し工程と、を備え、これら工程をこの順に実行する半
導体装置の製造方法であって、前記挿入工程，昇温工
程，安定工程，降温工程及び引き出し工程を、窒素ガス
と前記処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガスとの
混合ガスであり、且つ当該混合ガスに不純物が含まれな
いようにした雰囲気ガス中で実行するようにしたことを
特徴としている。
【００１４】なお、前記窒素ガス及び酸素ガスは、その
純度が９９．９９９％程度以上の高純度なガスが好まし
い。
純度が９９．９９９％程度以上の高純度なガスが好まし
い。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図１は、本発明において用いるロードロック拡散
炉１００の概略を示す構成図であって、このロードロッ
ク拡散炉１００は、下端が開口した石英チューブからな
る円筒形の反応炉１と、この反応炉１の開口部に導通さ
れるロードロック６とを備えている。そして反応炉１中
に、処理対象としての複数のウエハを搭載したウエハボ
ート３を挿入し、反応炉１の周囲に配置したヒータ４に
よって反応炉１をその周囲から加熱した状態で、反応炉
１の上部に導通するガスライン５を通して、窒素Ｎ2 ，
酸素Ｏ2 ，水蒸気Ｈ2 Ｏ等を反応炉１内に導入すること
によって、ガスライン５を通して導入されるガスが順次
図示しない排気口から排気されながら、ウエハに対して
熱酸化処理が行われるようになっている。
する。図１は、本発明において用いるロードロック拡散
炉１００の概略を示す構成図であって、このロードロッ
ク拡散炉１００は、下端が開口した石英チューブからな
る円筒形の反応炉１と、この反応炉１の開口部に導通さ
れるロードロック６とを備えている。そして反応炉１中
に、処理対象としての複数のウエハを搭載したウエハボ
ート３を挿入し、反応炉１の周囲に配置したヒータ４に
よって反応炉１をその周囲から加熱した状態で、反応炉
１の上部に導通するガスライン５を通して、窒素Ｎ2 ，
酸素Ｏ2 ，水蒸気Ｈ2 Ｏ等を反応炉１内に導入すること
によって、ガスライン５を通して導入されるガスが順次
図示しない排気口から排気されながら、ウエハに対して
熱酸化処理が行われるようになっている。
【００１６】前記ロードロック６には、反応炉１とロー
ドロック６との間を遮断する開閉可能なゲートＧ1 及び
ロードロック６へのウエハ挿入用のゲートＧ2 が設けら
れていると共に、脱気用のポンプＤＰ及び窒素Ｎ2 ガス
導入用のガス導入ライン７が設けられている。
ドロック６との間を遮断する開閉可能なゲートＧ1 及び
ロードロック６へのウエハ挿入用のゲートＧ2 が設けら
れていると共に、脱気用のポンプＤＰ及び窒素Ｎ2 ガス
導入用のガス導入ライン７が設けられている。
【００１７】そして、ウエハボート３を反応炉１内に導
入する導入工程，炉内の温度を所望の温度まで昇温する
昇温工程，炉内の温度を安定させる安定工程，酸化膜を
生成する酸化工程，アニール処理を行うアニール工程，
炉内の温度を所定の温度まで降温する降温工程，ウエハ
ボート３を炉外に引き出す引き出し工程等、一連の工程
毎に、窒素Ｎ2 ，酸素Ｏ2 ，水分Ｈ2 Ｏ等の雰囲気ガス
が、適宜反応炉１内に導入されるようになっている。
入する導入工程，炉内の温度を所望の温度まで昇温する
昇温工程，炉内の温度を安定させる安定工程，酸化膜を
生成する酸化工程，アニール処理を行うアニール工程，
炉内の温度を所定の温度まで降温する降温工程，ウエハ
ボート３を炉外に引き出す引き出し工程等、一連の工程
毎に、窒素Ｎ2 ，酸素Ｏ2 ，水分Ｈ2 Ｏ等の雰囲気ガス
が、適宜反応炉１内に導入されるようになっている。
【００１８】そして、反応炉１内にウエハボート３を導
入する際には、ウエハボート３を一旦ロードロック６内
に導入し、ここで、ウエハボート３を窒素ガス雰囲気に
より大気から隔離した後、反応炉１内にウエハボート３
を移動させる。また、反応炉１からウエハボート３を引
き出す場合には、ロードロック６内に窒素ガスを導入し
た後、反応炉１からロードロック６にウエハボート３を
移動させ、その後、ロードロック６からウエハボート３
を引き出すようになっている。
入する際には、ウエハボート３を一旦ロードロック６内
に導入し、ここで、ウエハボート３を窒素ガス雰囲気に
より大気から隔離した後、反応炉１内にウエハボート３
を移動させる。また、反応炉１からウエハボート３を引
き出す場合には、ロードロック６内に窒素ガスを導入し
た後、反応炉１からロードロック６にウエハボート３を
移動させ、その後、ロードロック６からウエハボート３
を引き出すようになっている。
【００１９】次に、このロードロック拡散炉１００を用
いた熱酸化膜生成方法を説明する。なお、反応炉１及び
ロードロック６内に導入される窒素Ｎ2 ガス及び酸素Ｏ
2 ガスは、純度が９９．９９９％以上の高純度な雰囲気
ガスとする。
いた熱酸化膜生成方法を説明する。なお、反応炉１及び
ロードロック６内に導入される窒素Ｎ2 ガス及び酸素Ｏ
2 ガスは、純度が９９．９９９％以上の高純度な雰囲気
ガスとする。
【００２０】まず、反応炉１内に、ガスライン５を通し
て、窒素Ｎ2 及び微量の酸素Ｏ2 を導入し、炉内環境
を、温度７００℃，窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高
純度な雰囲気ガスが導入された状態にし、ゲートＧ1 を
閉状態に保持して、反応炉１をスタンバイ状態にする。
て、窒素Ｎ2 及び微量の酸素Ｏ2 を導入し、炉内環境
を、温度７００℃，窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高
純度な雰囲気ガスが導入された状態にし、ゲートＧ1 を
閉状態に保持して、反応炉１をスタンバイ状態にする。
【００２１】次に、ゲートＧ1 を閉状態に維持したま
ま、ゲートＧ2 を開状態として、大気中に待機させてい
た、ウエハが載置されたウエハボート３をロードロック
６に移動させる。
ま、ゲートＧ2 を開状態として、大気中に待機させてい
た、ウエハが載置されたウエハボート３をロードロック
６に移動させる。
【００２２】次に、ゲートＧ2 を閉状態とし、ロードロ
ック６を密閉状態とした後、脱気用のポンプＤＰを作動
させて、ロードロック６内を真空状態にする。その後、
ガス導入ライン７から高純度の窒素Ｎ2 を導入し密封す
る。これにより、ウエハボート３は、完全に窒素ガス雰
囲気中に隔離されたことになる。
ック６を密閉状態とした後、脱気用のポンプＤＰを作動
させて、ロードロック６内を真空状態にする。その後、
ガス導入ライン７から高純度の窒素Ｎ2 を導入し密封す
る。これにより、ウエハボート３は、完全に窒素ガス雰
囲気中に隔離されたことになる。
【００２３】次に、ゲートＧ1 を開状態にして、７００
℃に維持され、窒素Ｎ2 ９９％，Ｏ 2 １％の高純度な混
合ガスが導入される反応炉１内に、ウエハボート３を２
０分かけて挿入した後、ゲートＧ1 を閉状態にする（挿
入工程）。
℃に維持され、窒素Ｎ2 ９９％，Ｏ 2 １％の高純度な混
合ガスが導入される反応炉１内に、ウエハボート３を２
０分かけて挿入した後、ゲートＧ1 を閉状態にする（挿
入工程）。
【００２４】次に、スタンバイ状態の雰囲気ガスを保っ
たまま、炉内温度を３０分かけて８５０℃まで昇温する
（昇温工程）。次に、炉内温度を安定させてウエハ内及
びウエハ間の温度均一性の向上を図るため、８５０℃，
窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガス中
で、ウエハを１５分間保持する（安定工程）。
たまま、炉内温度を３０分かけて８５０℃まで昇温する
（昇温工程）。次に、炉内温度を安定させてウエハ内及
びウエハ間の温度均一性の向上を図るため、８５０℃，
窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガス中
で、ウエハを１５分間保持する（安定工程）。
【００２５】次に、反応炉１内の雰囲気ガスを、水素Ｈ
2 ：Ｏ2 ＝１：２を満足する８５０℃の雰囲気ガスに交
換し、例えば８５０℃の温度条件下で３分間、ＷＥＴ酸
化を行い、所望の膜厚の酸化膜を形成する（酸化工
程）。
2 ：Ｏ2 ＝１：２を満足する８５０℃の雰囲気ガスに交
換し、例えば８５０℃の温度条件下で３分間、ＷＥＴ酸
化を行い、所望の膜厚の酸化膜を形成する（酸化工
程）。
【００２６】次に、反応炉１内の雰囲気ガスの交換を行
って、反応炉１内に窒素Ｎ2 を導入し、８５０℃，１０
０％窒素の高純度な雰囲気ガス中で、３０分間アニール
処理を行う（アニール工程）。
って、反応炉１内に窒素Ｎ2 を導入し、８５０℃，１０
０％窒素の高純度な雰囲気ガス中で、３０分間アニール
処理を行う（アニール工程）。
【００２７】次に、反応炉１内の雰囲気ガスを、再度、
窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガスに
交換し、炉内温度を４０分かけて７００℃まで降温する
（降温工程）。
窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガスに
交換し、炉内温度を４０分かけて７００℃まで降温する
（降温工程）。
【００２８】次に、ポンプＤＰを作動させてロードロッ
ク６を真空引きした後、ガス導入ライン７を介して、高
純度の窒素Ｎ2 をロードロック６に導入し、ロードロッ
ク６内を窒素Ｎ2 ガスで充満させる。
ク６を真空引きした後、ガス導入ライン７を介して、高
純度の窒素Ｎ2 をロードロック６に導入し、ロードロッ
ク６内を窒素Ｎ2 ガスで充満させる。
【００２９】次に、ゲートＧ1 を開状態とし、窒素Ｎ2
９９％，酸素１％の高純度な混合ガスをガスライン５か
ら導入しながら、ウエハボート３を、７００℃の反応炉
１内から、窒素雰囲気ガスを充満したロードロック６内
に、２０分かけて引き出す（引き出し工程）。
９９％，酸素１％の高純度な混合ガスをガスライン５か
ら導入しながら、ウエハボート３を、７００℃の反応炉
１内から、窒素雰囲気ガスを充満したロードロック６内
に、２０分かけて引き出す（引き出し工程）。
【００３０】これにより、ロードロック拡散炉１００に
よる熱酸化処理に伴う一連の処理工程が終了する。以上
の工程によって生成した熱酸化膜に対して、ライフタイ
ムの測定を行った。このライフタイムの測定は、ウエハ
上に熱酸化膜を、試料の表面状態の影響を無視できる程
度（８００Å程度）成長させて試料を生成し、導波管法
（反射法）によって測定した。つまり、前記試料に赤外
光を照射し、発生した過剰キャリアにより変化する導電
率をマイクロ波の反射量の変化として捕らえ、この指数
関数的に減少する反射量の変化の傾きからライフタイム
を求めた。
よる熱酸化処理に伴う一連の処理工程が終了する。以上
の工程によって生成した熱酸化膜に対して、ライフタイ
ムの測定を行った。このライフタイムの測定は、ウエハ
上に熱酸化膜を、試料の表面状態の影響を無視できる程
度（８００Å程度）成長させて試料を生成し、導波管法
（反射法）によって測定した。つまり、前記試料に赤外
光を照射し、発生した過剰キャリアにより変化する導電
率をマイクロ波の反射量の変化として捕らえ、この指数
関数的に減少する反射量の変化の傾きからライフタイム
を求めた。
【００３１】また、比較例として、図３に示すロードロ
ックをもたない従来の拡散炉１０により生成した熱酸化
膜及び図１に示すロードロック拡散炉１００において、
降温工程及び引き出し工程を窒素Ｎ2 １００％の高純度
な雰囲気中で行った熱酸化膜についても、導波管法によ
りライフタイムを測定した。
ックをもたない従来の拡散炉１０により生成した熱酸化
膜及び図１に示すロードロック拡散炉１００において、
降温工程及び引き出し工程を窒素Ｎ2 １００％の高純度
な雰囲気中で行った熱酸化膜についても、導波管法によ
りライフタイムを測定した。
【００３２】なお、従来の拡散炉１０により形成した熱
酸化膜は以下の工程により生成した。まず、温度８５０
℃，窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガ
スが導入された反応炉１内に、ウエハボート３を１５分
かけて挿入する（挿入工程）。
酸化膜は以下の工程により生成した。まず、温度８５０
℃，窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガ
スが導入された反応炉１内に、ウエハボート３を１５分
かけて挿入する（挿入工程）。
【００３３】次に、炉内温度を安定させてウエハ内又は
ウエハ間の温度均一性の向上を図るため、８５０℃，窒
素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の雰囲気ガス中で、ウエハ
を１５分間保持する。
ウエハ間の温度均一性の向上を図るため、８５０℃，窒
素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の雰囲気ガス中で、ウエハ
を１５分間保持する。
【００３４】次に、水素Ｈ2 ：Ｏ2 ＝１：２を満足する
８５０℃の雰囲気ガス中で例えば３分間、ＷＥＴ酸化を
行い、所望の膜厚の酸化膜を形成する（酸化工程）。次
に、反応炉１内の雰囲気ガスの交換を行い、窒素Ｎ2 を
導入し、８５０℃，窒素Ｎ2 １００％の高純度な雰囲気
ガス中で、３０分間アニール処理を行う（アニール工
程）。
８５０℃の雰囲気ガス中で例えば３分間、ＷＥＴ酸化を
行い、所望の膜厚の酸化膜を形成する（酸化工程）。次
に、反応炉１内の雰囲気ガスの交換を行い、窒素Ｎ2 を
導入し、８５０℃，窒素Ｎ2 １００％の高純度な雰囲気
ガス中で、３０分間アニール処理を行う（アニール工
程）。
【００３５】次に、８５０℃，窒素Ｎ2 １００％の高純
度な雰囲気ガス中で、ウエハボート３を、１５分かけて
引き出す（引き出し工程）。また、図１に示すロードロ
ック拡散炉１００において、降温工程及び引き出し工程
を窒素Ｎ2 １００％の高純度な雰囲気中で行って形成し
た熱酸化膜は、以下の工程により生成した。
度な雰囲気ガス中で、ウエハボート３を、１５分かけて
引き出す（引き出し工程）。また、図１に示すロードロ
ック拡散炉１００において、降温工程及び引き出し工程
を窒素Ｎ2 １００％の高純度な雰囲気中で行って形成し
た熱酸化膜は、以下の工程により生成した。
【００３６】挿入工程，昇温工程，酸化工程，アニール
工程は、上記実施の形態の各工程と同様である。降温工
程では、反応炉１内を窒素Ｎ2 １００％（実際には９
９．９９９％以上）の高純度な雰囲気ガス中で、８５０
℃から７００℃まで４０分かけて降温した。
工程は、上記実施の形態の各工程と同様である。降温工
程では、反応炉１内を窒素Ｎ2 １００％（実際には９
９．９９９％以上）の高純度な雰囲気ガス中で、８５０
℃から７００℃まで４０分かけて降温した。
【００３７】次に、ポンプＤＰを作動させてロードロッ
ク６内を真空引きした後、ガス導入ライン７を介して、
窒素Ｎ2 をロードロック６に導入し、反応炉１内で、７
００℃，窒素Ｎ2 １００％の雰囲気中にあるウエハボー
ト３を、２０分かけて、窒素Ｎ2 を充満させたロードロ
ック６に引き出した（引き出し工程）。
ク６内を真空引きした後、ガス導入ライン７を介して、
窒素Ｎ2 をロードロック６に導入し、反応炉１内で、７
００℃，窒素Ｎ2 １００％の雰囲気中にあるウエハボー
ト３を、２０分かけて、窒素Ｎ2 を充満させたロードロ
ック６に引き出した（引き出し工程）。
【００３８】なお、従来の拡散炉１０による熱酸化膜の
形成方法、及びロードロック拡散炉１００において、降
温工程及び引き出し工程を窒素Ｎ2 １００％の高純度な
雰囲気中で行う場合の熱酸化膜の形成方法においても、
反応炉１及びロードロック６に導入する窒素Ｎ2 ，酸素
Ｏ2 は、その純度が９９．９９９％以上の高純度な雰囲
気ガスを用いた。
形成方法、及びロードロック拡散炉１００において、降
温工程及び引き出し工程を窒素Ｎ2 １００％の高純度な
雰囲気中で行う場合の熱酸化膜の形成方法においても、
反応炉１及びロードロック６に導入する窒素Ｎ2 ，酸素
Ｏ2 は、その純度が９９．９９９％以上の高純度な雰囲
気ガスを用いた。
【００３９】以上の工程によって形成された各熱酸化膜
に対して、ライフタイムの測定を行ったところ、本発明
による方法で生成した熱酸化膜のライフタイムは、１５
０〜３００〔μｓ〕，従来の拡散炉１０で生成した熱酸
化膜のライフタイムは、１５０〜３００〔μｓ〕，降温
工程及び引き出し工程を窒素Ｎ2 １００％の高純度な雰
囲気中で行って生成した熱酸化膜のライフタイムは５
〔μｓ〕以下であった。
に対して、ライフタイムの測定を行ったところ、本発明
による方法で生成した熱酸化膜のライフタイムは、１５
０〜３００〔μｓ〕，従来の拡散炉１０で生成した熱酸
化膜のライフタイムは、１５０〜３００〔μｓ〕，降温
工程及び引き出し工程を窒素Ｎ2 １００％の高純度な雰
囲気中で行って生成した熱酸化膜のライフタイムは５
〔μｓ〕以下であった。
【００４０】また、上述の本発明による熱酸化膜の製造
方法に基づいて生成した熱酸化膜及び前記ライフタイム
測定時と同様の工程によって従来の拡散炉１０を用いて
生成した熱酸化膜について経時破壊ＴＤＤＢ評価を行っ
た。具体的には、各生成方法により膜厚６５Åの熱酸化
膜を有するＭＯＳ構造試料を作成し、数十個のＭＯＳキ
ャパシタＴＥＧ（面積６５０００μｍ2 ）に一定電界
（−１２ＭＶ／ｃｍ）を印加し続けたときの、破壊状況
（試料に１ｍＡの電流が流れる状況）を調査した。な
お、計測は１時間行った。
方法に基づいて生成した熱酸化膜及び前記ライフタイム
測定時と同様の工程によって従来の拡散炉１０を用いて
生成した熱酸化膜について経時破壊ＴＤＤＢ評価を行っ
た。具体的には、各生成方法により膜厚６５Åの熱酸化
膜を有するＭＯＳ構造試料を作成し、数十個のＭＯＳキ
ャパシタＴＥＧ（面積６５０００μｍ2 ）に一定電界
（−１２ＭＶ／ｃｍ）を印加し続けたときの、破壊状況
（試料に１ｍＡの電流が流れる状況）を調査した。な
お、計測は１時間行った。
【００４１】その結果、図２に示す結果が得られた。図
２において、□は従来の拡散炉１０を用いた熱酸化膜生
成法により熱酸化膜を生成した場合を表し、●は本発明
による熱酸化膜生成法により熱酸化膜を生成した場合を
表す。図２からわかるように、初期不良等については差
ないものの、それ以外（実際に製品として出荷されるも
の）については、本発明による熱酸化膜生成法により生
成したＭＯＳキャパシタＴＥＧの方が膜の寿命が長いこ
とが確認できた。
２において、□は従来の拡散炉１０を用いた熱酸化膜生
成法により熱酸化膜を生成した場合を表し、●は本発明
による熱酸化膜生成法により熱酸化膜を生成した場合を
表す。図２からわかるように、初期不良等については差
ないものの、それ以外（実際に製品として出荷されるも
の）については、本発明による熱酸化膜生成法により生
成したＭＯＳキャパシタＴＥＧの方が膜の寿命が長いこ
とが確認できた。
【００４２】したがって、上述のように、ロードロック
拡散炉１００を用いて、降温工程及び引き出し工程を窒
素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガス中で
行うことによって、ライフタイム及び膜のＴＤＤＢ評価
において共に優れた熱酸化膜を得ることができることが
確認できた。
拡散炉１００を用いて、降温工程及び引き出し工程を窒
素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガス中で
行うことによって、ライフタイム及び膜のＴＤＤＢ評価
において共に優れた熱酸化膜を得ることができることが
確認できた。
【００４３】特に、上記実施の形態ではロードロック拡
散炉１００によって、ロードロック６の真空引きを行っ
た後、ガス導入ライン７によって高純度な窒素Ｎ2 をロ
ードロック６に導入するようにしているから、窒素Ｎ2
及び酸素Ｏ2 の高純度な雰囲気中で降温工程及び引き出
し工程を行うことができ、大気中の不純物が取り込まれ
ることなく、微量の高純度のＯ2 のみがウエハの熱酸化
膜とシリコン基板との界面に導入されることになって、
高品質な熱酸化膜を生成することができる。
散炉１００によって、ロードロック６の真空引きを行っ
た後、ガス導入ライン７によって高純度な窒素Ｎ2 をロ
ードロック６に導入するようにしているから、窒素Ｎ2
及び酸素Ｏ2 の高純度な雰囲気中で降温工程及び引き出
し工程を行うことができ、大気中の不純物が取り込まれ
ることなく、微量の高純度のＯ2 のみがウエハの熱酸化
膜とシリコン基板との界面に導入されることになって、
高品質な熱酸化膜を生成することができる。
【００４４】ちなみに、降温工程及び引き出し工程の何
れか一方の工程のみ上述の窒素Ｎ2９９％，酸素Ｏ2 １
％の混合雰囲気ガス中で行い、他方は窒素Ｎ2 １００％
の雰囲気ガス中で行うようにした場合について、そのラ
イフタイムの測定を行ったところ、ライフタイムは１０
０〜１５０〔μｓ〕であった。これにより、降温工程及
び引き出し工程の何れか一方の工程だけでなく、両工程
とも、窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の雰囲気ガス中で
行う方が、より良質な熱酸化膜を得ることができること
が確認できた。
れか一方の工程のみ上述の窒素Ｎ2９９％，酸素Ｏ2 １
％の混合雰囲気ガス中で行い、他方は窒素Ｎ2 １００％
の雰囲気ガス中で行うようにした場合について、そのラ
イフタイムの測定を行ったところ、ライフタイムは１０
０〜１５０〔μｓ〕であった。これにより、降温工程及
び引き出し工程の何れか一方の工程だけでなく、両工程
とも、窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の雰囲気ガス中で
行う方が、より良質な熱酸化膜を得ることができること
が確認できた。
【００４５】また、降温工程及び引き出し工程を共に、
窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガス中
で行うようにした場合について説明したが、酸素Ｏ2 は
１％以下程度であればよく、シリコン基板と熱酸化膜と
の界面の歪みによる結合手の切断を回復可能であり、且
つ酸化を促進しない程度の濃度であればよい。
窒素Ｎ2 ９９％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガス中
で行うようにした場合について説明したが、酸素Ｏ2 は
１％以下程度であればよく、シリコン基板と熱酸化膜と
の界面の歪みによる結合手の切断を回復可能であり、且
つ酸化を促進しない程度の濃度であればよい。
【００４６】同様に、挿入工程，昇温工程及び安定工程
において導入した酸素Ｏ2 は、これら工程におけるシリ
コン基板表面のサーマルエッチ（熱処理誘起欠陥）を防
ぐ為に導入したものであり、その濃度は、１％に限るも
のではなく、サーマルエッチを回避可能であり、且つ酸
化を促進しない程度の濃度であればよい。
において導入した酸素Ｏ2 は、これら工程におけるシリ
コン基板表面のサーマルエッチ（熱処理誘起欠陥）を防
ぐ為に導入したものであり、その濃度は、１％に限るも
のではなく、サーマルエッチを回避可能であり、且つ酸
化を促進しない程度の濃度であればよい。
【００４７】また、上記実施の形態においては、酸化工
程を、Ｈ2 ：Ｏ2 ＝１：２を満足する雰囲気ガス中で行
いＷＥＴ酸化を行う場合について説明したが、これに限
らず、Ｏ2 １００％の雰囲気ガス中で行いドライ酸化を
行うようにすることも可能である。
程を、Ｈ2 ：Ｏ2 ＝１：２を満足する雰囲気ガス中で行
いＷＥＴ酸化を行う場合について説明したが、これに限
らず、Ｏ2 １００％の雰囲気ガス中で行いドライ酸化を
行うようにすることも可能である。
【００４８】さらに、上記実施の形態においては、積極
的に降温を行う降温工程を含む場合について説明した
が、これに限らず、積極的に降温を行わない場合、例え
ば比較的低温で熱酸化処理を行う場合等、降温工程を行
わずに引き出し工程を行う場合、つまり、引き出しに伴
い結果的に降温が生じる引き出し工程を、窒素Ｎ2 ９９
％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガス中で行うように
した場合でも同様の効果を得ることができる。
的に降温を行う降温工程を含む場合について説明した
が、これに限らず、積極的に降温を行わない場合、例え
ば比較的低温で熱酸化処理を行う場合等、降温工程を行
わずに引き出し工程を行う場合、つまり、引き出しに伴
い結果的に降温が生じる引き出し工程を、窒素Ｎ2 ９９
％，酸素Ｏ2 １％の高純度な雰囲気ガス中で行うように
した場合でも同様の効果を得ることができる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
に係る半導体装置の製造方法によれば、処理対象に熱酸
化処理を行ってからその処理対象を前記熱酸化炉外に引
き出し終えるまでの間の、処理対象の雰囲気温度が低下
する時には、処理対象の雰囲気ガスを、窒素ガスと処理
対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガスとの混合ガスで
あり、且つ大気等の不純物が含まれないようにした高純
度な雰囲気ガス中で行うようにしたから、熱酸化膜のラ
イフタイム或いはＴＤＤＢ評価において優れた熱酸化膜
を得ることができる。
に係る半導体装置の製造方法によれば、処理対象に熱酸
化処理を行ってからその処理対象を前記熱酸化炉外に引
き出し終えるまでの間の、処理対象の雰囲気温度が低下
する時には、処理対象の雰囲気ガスを、窒素ガスと処理
対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガスとの混合ガスで
あり、且つ大気等の不純物が含まれないようにした高純
度な雰囲気ガス中で行うようにしたから、熱酸化膜のラ
イフタイム或いはＴＤＤＢ評価において優れた熱酸化膜
を得ることができる。
【００５０】また、本発明の請求項２に係る半導体装置
の製造方法によれば、熱酸化処理後に熱酸化炉内温度を
降温する降温工程及び炉内から引き出す引き出し工程
を、窒素ガスと処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素
ガスとの混合ガスであり、且つ大気等の不純物を含まな
いようにした高純度な雰囲気ガス中で行うようにしたか
ら、熱酸化膜のライフタイム或いはＴＤＤＢ評価におい
て優れた熱酸化膜を得ることができる。
の製造方法によれば、熱酸化処理後に熱酸化炉内温度を
降温する降温工程及び炉内から引き出す引き出し工程
を、窒素ガスと処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素
ガスとの混合ガスであり、且つ大気等の不純物を含まな
いようにした高純度な雰囲気ガス中で行うようにしたか
ら、熱酸化膜のライフタイム或いはＴＤＤＢ評価におい
て優れた熱酸化膜を得ることができる。
【００５１】また、本発明の請求項３に係る半導体装置
の製造方法によれば、ロードロックを備えたロードロッ
ク拡散炉を用い、ロードロックを真空引きした後窒素ガ
スを導入し、熱酸化炉のガスラインから窒素ガス及び酸
素ガスを導入しつつ、降温及び引き出し工程を行うよう
にしたから、大気等の不純物を遮断し窒素ガスと酸素ガ
スとの混合ガスからなる純度の高い雰囲気ガス中での降
温及び引き出し工程を、容易に行うことができる。
の製造方法によれば、ロードロックを備えたロードロッ
ク拡散炉を用い、ロードロックを真空引きした後窒素ガ
スを導入し、熱酸化炉のガスラインから窒素ガス及び酸
素ガスを導入しつつ、降温及び引き出し工程を行うよう
にしたから、大気等の不純物を遮断し窒素ガスと酸素ガ
スとの混合ガスからなる純度の高い雰囲気ガス中での降
温及び引き出し工程を、容易に行うことができる。
【００５２】さらに、本発明の請求項４に係る半導体装
置の製造方法によれば、挿入工程，昇温工程，安定工
程，及び熱酸化膜生成後の降温工程，引き出し工程を、
窒素ガスと処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガス
との混合ガスであり、且つ混合ガスに不純物が含まれな
いようにした雰囲気ガス中で実行するようにしたから、
高品質な熱酸化膜を得ることができる。
置の製造方法によれば、挿入工程，昇温工程，安定工
程，及び熱酸化膜生成後の降温工程，引き出し工程を、
窒素ガスと処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガス
との混合ガスであり、且つ混合ガスに不純物が含まれな
いようにした雰囲気ガス中で実行するようにしたから、
高品質な熱酸化膜を得ることができる。
【図１】本発明により熱酸化膜を生成するロードロック
拡散炉の一例を示す概略構成図である。
拡散炉の一例を示す概略構成図である。
【図２】ＴＤＤＢ評価の結果を表すストレス印加時間に
対する累積破壊率である。
対する累積破壊率である。
【図３】従来の拡散炉の一例を示す概略構成図である。
１ 反応炉 ３ ウエハボート ５ ガスライン ６ ロードロック ７ ガス導入ライン
Claims (4)
- 【請求項１】 熱酸化炉内で処理対象に熱酸化処理を行
うようにした半導体装置の製造方法であって、 前記処理対象に熱酸化処理を行ってからその処理対象を
前記熱酸化炉外に引き出し終えるまでの間の、前記処理
対象の雰囲気温度が低下する時には、前記処理対象の雰
囲気ガスを、窒素ガスと前記処理対象の酸化に寄与しな
い程度の酸素ガスとの混合ガスであり、且つ当該混合ガ
スに不純物が含まれないようにしたことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 少なくとも熱酸化炉内で処理対象に熱酸
化膜を生成する酸化工程と、当該酸化工程実行後に熱酸
化炉内温度を所定の温度まで降温する降温工程と、当該
降温工程実行後に前記処理対象を前記熱酸化炉外に引き
出す引き出し工程と、を備えた半導体装置の製造方法で
あって、 前記降温工程及び前記引き出し工程を、窒素ガスと前記
処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガスとの混合ガ
スであり、且つ当該混合ガスに不純物が含まれないよう
にした雰囲気中で実行するようにしたことを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記熱酸化炉はロードロックを備えた熱
酸化炉であって、前記処理対象が熱酸化炉内にあるとき
に前記ロードロックを真空にした後当該ロードロックに
窒素ガスを導入し、前記熱酸化炉のガスラインから窒素
ガスと前記処理対象の酸化に寄与しない程度の酸素ガス
とを導入した状態で、前記処理対象を前記ロードロック
に移動することを特徴とする請求項２記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項４】 熱酸化炉内に処理対象を挿入する挿入工
程と、前記熱酸化炉内温度を所定温度まで昇温する昇温
工程と、昇温後の前記熱酸化炉内温度を安定させる安定
工程と、前記処理対象に熱酸化膜を生成する酸化工程
と、前記熱酸化炉内温度を所定の温度まで降温する降温
工程と、前記処理対象を前記熱酸化炉外に引き出す引き
出し工程と、を備え、これら工程をこの順に実行する半
導体装置の製造方法であって、 前記挿入工程，昇温工程，安定工程，降温工程及び引き
出し工程を、窒素ガスと前記処理対象の酸化に寄与しな
い程度の酸素ガスとの混合ガスであり、且つ当該混合ガ
スに不純物が含まれないようにした雰囲気ガス中で実行
するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9355602A JPH11186257A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
| US09/763,127 US6593253B1 (en) | 1997-12-24 | 1999-06-21 | Method of manufacturing semiconductor device |
| PCT/JP1999/003290 WO2000079580A1 (fr) | 1997-12-24 | 1999-06-21 | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
| TW88110583A TW430883B (en) | 1997-12-24 | 1999-06-23 | Method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9355602A JPH11186257A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
| PCT/JP1999/003290 WO2000079580A1 (fr) | 1997-12-24 | 1999-06-21 | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186257A true JPH11186257A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=26440150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9355602A Pending JPH11186257A (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6593253B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11186257A (ja) |
| WO (1) | WO2000079580A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6593253B1 (en) | 1997-12-24 | 2003-07-15 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3447707B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2003-09-16 | 三菱電機株式会社 | 熱処理装置およびこれを用いた熱処理方法 |
| CN101225550B (zh) * | 2007-01-15 | 2010-05-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 改善晶圆缺陷的方法 |
| JP2012174819A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Sokudo Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| US20150132931A1 (en) * | 2013-07-01 | 2015-05-14 | Solexel, Inc. | High-throughput thermal processing methods for producing high-efficiency crystalline silicon solar cells |
| CN110620030B (zh) * | 2018-06-19 | 2022-07-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 硅晶片钝化方法和硅晶片的少子寿命的获取方法 |
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| JPH0754125A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-02-28 | Ulvac Japan Ltd | 熱酸化膜の形成方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544069A (en) | 1977-06-13 | 1979-01-12 | Hitachi Ltd | Producing method of oxide film |
| KR0155158B1 (ko) * | 1989-07-25 | 1998-12-01 | 카자마 젠쥬 | 종형 처리 장치 및 처리방법 |
| JPH0478137A (ja) | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Hitachi Ltd | 熱処理装置システム |
| US5271732A (en) * | 1991-04-03 | 1993-12-21 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat-treating apparatus |
| JPH07101675B2 (ja) | 1991-05-01 | 1995-11-01 | 国際電気株式会社 | 縦型拡散・ｃｖｄ装置 |
| JP3203708B2 (ja) | 1991-10-11 | 2001-08-27 | ソニー株式会社 | 縦型拡散炉による酸化膜の形成方法 |
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| JPH11186257A (ja) | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH11288893A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Nec Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-12-24 JP JP9355602A patent/JPH11186257A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-21 WO PCT/JP1999/003290 patent/WO2000079580A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1999-06-21 US US09/763,127 patent/US6593253B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6593253B1 (en) | 1997-12-24 | 2003-07-15 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6593253B1 (en) | 2003-07-15 |
| WO2000079580A1 (fr) | 2000-12-28 |
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