JPH0754125A - 熱酸化膜の形成方法 - Google Patents
熱酸化膜の形成方法Info
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- JPH0754125A JPH0754125A JP19609993A JP19609993A JPH0754125A JP H0754125 A JPH0754125 A JP H0754125A JP 19609993 A JP19609993 A JP 19609993A JP 19609993 A JP19609993 A JP 19609993A JP H0754125 A JPH0754125 A JP H0754125A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化処理工程以外の工程を微量酸素雰囲気の
減圧状態とし、被処理基板の表面に極薄酸化膜を成長さ
せ、この極薄酸化膜で被処理基板表面に高品質で安定し
た熱酸化膜を形成する。 【構成】 被処理基板を酸化処理する炉と、該炉に接続
して設けられた予備排気室から成る装置で、炉および予
備排気室を減圧雰囲気にした状態で、被処理基板を予備
排気室から炉内へ移動し、炉内で酸化処理して被処理基
板表面に熱酸化膜を形成する方法において、酸化処理工
程以外の工程を微量酸素を導入した減圧雰囲気に保った
工程とした熱酸化膜の形成方法。
減圧状態とし、被処理基板の表面に極薄酸化膜を成長さ
せ、この極薄酸化膜で被処理基板表面に高品質で安定し
た熱酸化膜を形成する。 【構成】 被処理基板を酸化処理する炉と、該炉に接続
して設けられた予備排気室から成る装置で、炉および予
備排気室を減圧雰囲気にした状態で、被処理基板を予備
排気室から炉内へ移動し、炉内で酸化処理して被処理基
板表面に熱酸化膜を形成する方法において、酸化処理工
程以外の工程を微量酸素を導入した減圧雰囲気に保った
工程とした熱酸化膜の形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱酸化膜の形成方法に
関し、更に詳しくは、主としてゲートおよびキャパシタ
ー絶縁膜を製造するために、半導体基板である被処理基
板の表面に酸化法により酸化薄膜を形成するための熱酸
化膜の形成方法に関する。
関し、更に詳しくは、主としてゲートおよびキャパシタ
ー絶縁膜を製造するために、半導体基板である被処理基
板の表面に酸化法により酸化薄膜を形成するための熱酸
化膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体基板である被処理基板
（ウェハまたはワークとも称する）の表面に酸化膜を形
成する方法として、熱酸化方法が採用されている。これ
は被処理基板を酸化雰囲気中で、１０００℃程度の温度
で加熱して被処理基板表面を酸化する方法であり、膜質
の良い酸化膜が得られるという利点がある。
（ウェハまたはワークとも称する）の表面に酸化膜を形
成する方法として、熱酸化方法が採用されている。これ
は被処理基板を酸化雰囲気中で、１０００℃程度の温度
で加熱して被処理基板表面を酸化する方法であり、膜質
の良い酸化膜が得られるという利点がある。
【０００３】近年、半導体の高集積化に伴ない、被処理
基板表面に形成される酸化膜の薄膜化が必要となり、成
膜条件が厳しく行われるようになってきた。
基板表面に形成される酸化膜の薄膜化が必要となり、成
膜条件が厳しく行われるようになってきた。
【０００４】このような厳しい成膜条件に対処出来る酸
化法またはＣＶＤ(Chemical VaporDeposition) 法によ
り薄膜を形成する装置として本出願人は先に、特開昭６
３−２４１９３６号でプロセスチューブ内に、その一側
の取出口からＳｉウェハ、Ｇａ−Ａｓウェハ等の被処理
基板を収めて密閉し、該被処理基板の表面にプロセスチ
ューブ内へ導入したガスの成分を化学反応させて薄膜を
形成するようにしたものにおいて、該取出口の前方にガ
ス導入口と真空排気口および該被処理基板の物理的洗浄
手段を備えた該プロセスチューブへの被処理基板の挿
入、取出のための密閉室を連設した酸化、ＣＶＤ用炉を
提案した。そして、プロセスチューブ内への石英製のボ
ートに積層状に間隔を存して載置されたＳｉウェハ等の
被処理基板の挿入、取出を密閉室を介して行い、該プロ
セスチューブ内で該被処理基板を加熱しながらガス導入
口よりＳｉＨ4等の反応ガスを導入して該被処理基板の
表面上に該反応ガスの化学反応による薄膜、即ちＣＶＤ
法による薄膜を形成する。
化法またはＣＶＤ(Chemical VaporDeposition) 法によ
り薄膜を形成する装置として本出願人は先に、特開昭６
３−２４１９３６号でプロセスチューブ内に、その一側
の取出口からＳｉウェハ、Ｇａ−Ａｓウェハ等の被処理
基板を収めて密閉し、該被処理基板の表面にプロセスチ
ューブ内へ導入したガスの成分を化学反応させて薄膜を
形成するようにしたものにおいて、該取出口の前方にガ
ス導入口と真空排気口および該被処理基板の物理的洗浄
手段を備えた該プロセスチューブへの被処理基板の挿
入、取出のための密閉室を連設した酸化、ＣＶＤ用炉を
提案した。そして、プロセスチューブ内への石英製のボ
ートに積層状に間隔を存して載置されたＳｉウェハ等の
被処理基板の挿入、取出を密閉室を介して行い、該プロ
セスチューブ内で該被処理基板を加熱しながらガス導入
口よりＳｉＨ4等の反応ガスを導入して該被処理基板の
表面上に該反応ガスの化学反応による薄膜、即ちＣＶＤ
法による薄膜を形成する。
【０００５】前記装置による被処理基板表面への酸化膜
の形成についてのシーケンス（システム）の１例を図２
に従って説明する。 先ず、密閉室内にボートに間隔を存して積層状に載
置された被処理基板を搬入した後、該密閉室内を真空排
気系により例えば１×１０- 4Ｐａ程度に排気（ステッ
プ１）する。 続いて、ボートをプロセスチューブ内に搬送、即ち
移動（ステップ２）せしめる。 プロセスチューブ内は常時例えば１×１０- 4Ｐａ
程度に真空排気されており、また、例えば８００℃の温
度に保たれている。 被処理基板がプロセスチューブ内に搬送された後、
プロセスチューブ内の温度を例えば１０００℃まで昇温
（プロセス３）し、該温度を一定時間例えば 時間保持
（プロセス４）した後、プロセスチューブ内に酸素を導
入して酸化処理（プロセス５）を行う。 更に被処理基板に対し一定時間アニール処理（プロ
セス６）を行う。 その後、プロセスチューブ内の温度を例えば８００
℃まで降温（ステップ７）し、ボートをプロセスチュー
ブ内より密閉室内に搬送、即ち移動（ステップ８）した
後、密閉室内に大気を導入し、大気圧まで復圧（ステッ
プ９）してボートと共に被処理基板を密閉室内より搬出
する。
の形成についてのシーケンス（システム）の１例を図２
に従って説明する。 先ず、密閉室内にボートに間隔を存して積層状に載
置された被処理基板を搬入した後、該密閉室内を真空排
気系により例えば１×１０- 4Ｐａ程度に排気（ステッ
プ１）する。 続いて、ボートをプロセスチューブ内に搬送、即ち
移動（ステップ２）せしめる。 プロセスチューブ内は常時例えば１×１０- 4Ｐａ
程度に真空排気されており、また、例えば８００℃の温
度に保たれている。 被処理基板がプロセスチューブ内に搬送された後、
プロセスチューブ内の温度を例えば１０００℃まで昇温
（プロセス３）し、該温度を一定時間例えば 時間保持
（プロセス４）した後、プロセスチューブ内に酸素を導
入して酸化処理（プロセス５）を行う。 更に被処理基板に対し一定時間アニール処理（プロ
セス６）を行う。 その後、プロセスチューブ内の温度を例えば８００
℃まで降温（ステップ７）し、ボートをプロセスチュー
ブ内より密閉室内に搬送、即ち移動（ステップ８）した
後、密閉室内に大気を導入し、大気圧まで復圧（ステッ
プ９）してボートと共に被処理基板を密閉室内より搬出
する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記シ
ーケンス（システム）で被処理基板の表面を酸化させる
場合、被処理基板表面の熱酸化処理までの高温、かつ真
空状態では、被処理基板表面の自然酸化膜と被処理基板
自体が反応したり、或いはプロセスチューブ内の残留微
量不純物と被処理基板が反応する等の現象により、被処
理基板表面が荒れるという問題があった。
ーケンス（システム）で被処理基板の表面を酸化させる
場合、被処理基板表面の熱酸化処理までの高温、かつ真
空状態では、被処理基板表面の自然酸化膜と被処理基板
自体が反応したり、或いはプロセスチューブ内の残留微
量不純物と被処理基板が反応する等の現象により、被処
理基板表面が荒れるという問題があった。
【０００７】また、この表面荒れの現象は真空状態のみ
ならず、高温状態下ではアルゴン（Ａｒ）或いは窒素
（Ｎ2）等の不活性ガス雰囲気中でも発生するという問
題があった。
ならず、高温状態下ではアルゴン（Ａｒ）或いは窒素
（Ｎ2）等の不活性ガス雰囲気中でも発生するという問
題があった。
【０００８】本発明はかかる問題点を解消し、被処理基
板表面に荒れが生ずることなく、酸化薄膜を形成するこ
とが出来る熱酸化膜の形成方法を提供することを目的と
する。
板表面に荒れが生ずることなく、酸化薄膜を形成するこ
とが出来る熱酸化膜の形成方法を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の熱酸化膜の形成
方法は、被処理基板を酸化処理する炉と、該炉に接続し
て設けられた予備排気室から成る装置で、炉および予備
排気室を減圧雰囲気にした状態で、被処理基板を予備排
気室から炉内へ移動し、炉内で酸化処理して被処理基板
表面に熱酸化膜を形成する方法において、酸化処理工程
以外の工程中に微量酸素を導入した減圧雰囲気に保つ工
程が含まれていることを特徴とする。
方法は、被処理基板を酸化処理する炉と、該炉に接続し
て設けられた予備排気室から成る装置で、炉および予備
排気室を減圧雰囲気にした状態で、被処理基板を予備排
気室から炉内へ移動し、炉内で酸化処理して被処理基板
表面に熱酸化膜を形成する方法において、酸化処理工程
以外の工程中に微量酸素を導入した減圧雰囲気に保つ工
程が含まれていることを特徴とする。
【００１０】
【作用】被処理基板を微量酸素雰囲気の減圧状態下に維
持することにより、被処理基板表面に数原子層の極薄酸
化膜が成長する。この極薄酸化膜が被処理基板表面での
不純物の炭素と基板のシリコンとの反応および荒れを防
止する。
持することにより、被処理基板表面に数原子層の極薄酸
化膜が成長する。この極薄酸化膜が被処理基板表面での
不純物の炭素と基板のシリコンとの反応および荒れを防
止する。
【００１１】
【実施例】本発明の熱酸化膜の形成方法は、ボート搬
入、搬送（移動）、搬出、昇温、降温、温度安定等の、
主に熱酸化前後のプロセスにおいて、装置の予備排気室
内並びに炉内を例えば３０ＳＣＣＭ程度の微量酸素を流
して真空状態とした雰囲気で行うものである。
入、搬送（移動）、搬出、昇温、降温、温度安定等の、
主に熱酸化前後のプロセスにおいて、装置の予備排気室
内並びに炉内を例えば３０ＳＣＣＭ程度の微量酸素を流
して真空状態とした雰囲気で行うものである。
【００１２】以下添付図面に従って本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１３】図１は本発明方法を実施するための装置の
１例を示すもので、図中、１はロードロック式縦型炉を
示す。
１例を示すもので、図中、１はロードロック式縦型炉を
示す。
【００１４】そしてロードロック式縦型炉１はステンレ
ス製のチャンバーから成る予備排気室２と石英製のチュ
ーブから成る炉３とから成り、予備排気室２と炉３との
間を仕切弁４で仕切り、予備排気室２内と炉３内の雰囲
気を夫々分離可能とした。
ス製のチャンバーから成る予備排気室２と石英製のチュ
ーブから成る炉３とから成り、予備排気室２と炉３との
間を仕切弁４で仕切り、予備排気室２内と炉３内の雰囲
気を夫々分離可能とした。
【００１５】予備排気室２内を所定の真空度にするため
に、外部の真空ポンプその他の真空排気系５にバルブ６
を介して接続すると共に、該予備排気室２内に例えば窒
素（Ｎ2）ガスを導入するガス導入管７を接続した。
に、外部の真空ポンプその他の真空排気系５にバルブ６
を介して接続すると共に、該予備排気室２内に例えば窒
素（Ｎ2）ガスを導入するガス導入管７を接続した。
【００１６】また、炉３内を所定の真空度にするため
に、外部の真空ポンプその他の真空排気系８にバルブ９
を介して接続すると共に、該炉３内に例えば酸素
（Ｏ2）ガスを導入するガス導入管１０と、例えば窒素
（Ｎ2）ガスを導入するガス導入管１１を夫々接続し
た。また、炉３の外側に例えばカンタル線から成るヒー
ター１２を配置して炉３内を加熱するようにした。
に、外部の真空ポンプその他の真空排気系８にバルブ９
を介して接続すると共に、該炉３内に例えば酸素
（Ｏ2）ガスを導入するガス導入管１０と、例えば窒素
（Ｎ2）ガスを導入するガス導入管１１を夫々接続し
た。また、炉３の外側に例えばカンタル線から成るヒー
ター１２を配置して炉３内を加熱するようにした。
【００１７】また、石英製のボート１３にＳｉウェハ等
の被処理基板１４を一定間隔を存して層状に載置した
後、これを予備排気室２内に搬入して回転自在であって
進退自在の移動台１５上に載置し、該移動台１５により
更に予備排気室２内より炉３内に搬入出来るようにし、
また、被処理基板１４表面への酸化膜形成後は炉３内よ
り予備排気室２内に搬出し、更に予備排気室２内より搬
出出来るようにした。
の被処理基板１４を一定間隔を存して層状に載置した
後、これを予備排気室２内に搬入して回転自在であって
進退自在の移動台１５上に載置し、該移動台１５により
更に予備排気室２内より炉３内に搬入出来るようにし、
また、被処理基板１４表面への酸化膜形成後は炉３内よ
り予備排気室２内に搬出し、更に予備排気室２内より搬
出出来るようにした。
【００１８】尚、図中、１６は予備排気室２内に被処理
基板１４を出し入れする出入口、１７は該出入口１６を
密閉する扉を夫々示す。
基板１４を出し入れする出入口、１７は該出入口１６を
密閉する扉を夫々示す。
【００１９】次に本発明の具体的実施例を比較例と共に
説明する。
説明する。
【００２０】実施例１ 前記構成のロードロック式縦型炉１を用いて被処理基板
１４の表面に酸化膜を形成する場合について図２と共に
説明する。
１４の表面に酸化膜を形成する場合について図２と共に
説明する。
【００２１】先ず、石英製ボート１３に一定間隔を存し
て層状に載置された被処理基板１４を予備排気室２の外
方から出入口１６を介して予備排気室２内に搬入して図
１の仮想線に示すように移動台１５上に載置し、扉１７
を閉じて出入口１６を密閉した後、真空排気系５で予備
排気室２内の真空度を１×１０- 3Ｐａに設定（ステッ
プ１）した。
て層状に載置された被処理基板１４を予備排気室２の外
方から出入口１６を介して予備排気室２内に搬入して図
１の仮想線に示すように移動台１５上に載置し、扉１７
を閉じて出入口１６を密閉した後、真空排気系５で予備
排気室２内の真空度を１×１０- 3Ｐａに設定（ステッ
プ１）した。
【００２２】次に、仕切弁４を開弁し、予め真空排気系
８で真空度を１×１０- 4Ｐａに維持され、ヒーター１
２で温度が８００℃に設定された炉３内に、前記被処理
基板１４を移動台１５の進出で予備排気室２内より図１
の実線で示すように搬入（ステップ２）した後、仕切弁
４を閉弁した。
８で真空度を１×１０- 4Ｐａに維持され、ヒーター１
２で温度が８００℃に設定された炉３内に、前記被処理
基板１４を移動台１５の進出で予備排気室２内より図１
の実線で示すように搬入（ステップ２）した後、仕切弁
４を閉弁した。
【００２３】この時、炉３内にガス導入管１０より酸素
（Ｏ2）ガスを分圧１０- 1〜１０- 3Ｐａとなるように導
入し、炉３内を微量酸素雰囲気の減圧状態とし、被処理
基板１４の表面に厚さが例えば１〜２原子程度の最小限
の極薄酸化膜が成長するようにした。これはあえて被処
理基板１４表面に極薄の酸化膜を成長させることで、被
処理基板１４と炉３内に残留せる炭素のような残留不純
物との反応を防止することにある。
（Ｏ2）ガスを分圧１０- 1〜１０- 3Ｐａとなるように導
入し、炉３内を微量酸素雰囲気の減圧状態とし、被処理
基板１４の表面に厚さが例えば１〜２原子程度の最小限
の極薄酸化膜が成長するようにした。これはあえて被処
理基板１４表面に極薄の酸化膜を成長させることで、被
処理基板１４と炉３内に残留せる炭素のような残留不純
物との反応を防止することにある。
【００２４】続いて、ヒーター１２により炉３内を昇温
速度８℃／分で加熱して被処理基板１４の温度を１００
０℃まで昇温（ステップ３）し、該温度を４０分間保持
して被処理基板１４の温度安定（ステップ４）化を行っ
た。このステップ３およびステップ４の間も前記ステッ
プ２と同様に反応防止のために炉３内に所定の酸素分圧
を導入しながら、炉３内を微量酸素の減圧雰囲気に維持
した。
速度８℃／分で加熱して被処理基板１４の温度を１００
０℃まで昇温（ステップ３）し、該温度を４０分間保持
して被処理基板１４の温度安定（ステップ４）化を行っ
た。このステップ３およびステップ４の間も前記ステッ
プ２と同様に反応防止のために炉３内に所定の酸素分圧
を導入しながら、炉３内を微量酸素の減圧雰囲気に維持
した。
【００２５】次に、被処理基板１４の酸化処理のために
炉３内にガス導入管１０より酸素（Ｏ2）ガスを流量２
０ｓｌｍで導入し、その状態を１分間維持しながら、酸
化処理（ステップ５）して被処理基板１４の表面に厚さ
６ｎｍの熱酸化膜を形成した。尚、酸化処理（ステップ
５）中は、炉３内の圧力は大気圧に維持した。
炉３内にガス導入管１０より酸素（Ｏ2）ガスを流量２
０ｓｌｍで導入し、その状態を１分間維持しながら、酸
化処理（ステップ５）して被処理基板１４の表面に厚さ
６ｎｍの熱酸化膜を形成した。尚、酸化処理（ステップ
５）中は、炉３内の圧力は大気圧に維持した。
【００２６】更に、被処理基板１４を同温度に１５分間
維持しながら、炉３内に窒素（Ｎ2）ガスを同流量で導
入して、被処理基板１４表面に形成された熱酸化膜をア
ニール処理（ステップ６）した後、ヒーター１２による
加熱を停止し、炉３内を酸素分圧が１０- 1〜１０- 3Ｐ
ａの微量酸素雰囲気の減圧状態にすると共に、炉３内の
温度を降温速度４℃／分で８００℃まで降温（ステップ
７）した。尚、降温（ステップ７）中は、炉３内の圧力
は昇温中（ステップ３）と同圧に維持した。
維持しながら、炉３内に窒素（Ｎ2）ガスを同流量で導
入して、被処理基板１４表面に形成された熱酸化膜をア
ニール処理（ステップ６）した後、ヒーター１２による
加熱を停止し、炉３内を酸素分圧が１０- 1〜１０- 3Ｐ
ａの微量酸素雰囲気の減圧状態にすると共に、炉３内の
温度を降温速度４℃／分で８００℃まで降温（ステップ
７）した。尚、降温（ステップ７）中は、炉３内の圧力
は昇温中（ステップ３）と同圧に維持した。
【００２７】続いて、仕切弁４を開弁し、炉３内のボー
ト１３を移動台１５の退入で予備排気室２内に図１の仮
想線で示すように搬出（ステップ８）した後、仕切弁４
を閉弁すると共に、直ちに炉３内への微量酸素の導入を
停止した。
ト１３を移動台１５の退入で予備排気室２内に図１の仮
想線で示すように搬出（ステップ８）した後、仕切弁４
を閉弁すると共に、直ちに炉３内への微量酸素の導入を
停止した。
【００２８】次に、予備排気室２内にガス導入管７より
窒素（Ｎ2）ガスを導入し、予備排気室２内の圧力を大
気圧まで復圧（ステップ９）して被処理基板１４を１５
０℃まで冷却した後、扉１７を開放し、ボート１３と共
に、被処理基板１４を出入口１６を介して予備排気室２
内より搬出した。
窒素（Ｎ2）ガスを導入し、予備排気室２内の圧力を大
気圧まで復圧（ステップ９）して被処理基板１４を１５
０℃まで冷却した後、扉１７を開放し、ボート１３と共
に、被処理基板１４を出入口１６を介して予備排気室２
内より搬出した。
【００２９】前記のようにステップ２からステップ８の
間は微量酸素雰囲気の減圧状態としたので、各ステップ
の工程中は被処理基板１４の表面が酸素に覆われること
になり、被処理基板が従来のような不純物と反応するこ
とがないため、被処理基板表面には荒れがない高品質な
酸化膜が形成されることになる。
間は微量酸素雰囲気の減圧状態としたので、各ステップ
の工程中は被処理基板１４の表面が酸素に覆われること
になり、被処理基板が従来のような不純物と反応するこ
とがないため、被処理基板表面には荒れがない高品質な
酸化膜が形成されることになる。
【００３０】前記ステップで作製された被処理基板１４
の表面に形成された熱酸化膜の電流−電圧特性の耐圧試
験を行い、その結果を図３に曲線Ａとして示した。
の表面に形成された熱酸化膜の電流−電圧特性の耐圧試
験を行い、その結果を図３に曲線Ａとして示した。
【００３１】尚、耐圧試験は被処理基板がＰ型で面方位
（１００）の比抵抗１〜１０Ωｃｍの鏡面仕上げ、熱酸
化膜の膜厚が６ｎｍの場合について行った。
（１００）の比抵抗１〜１０Ωｃｍの鏡面仕上げ、熱酸
化膜の膜厚が６ｎｍの場合について行った。
【００３２】比較例１ 従来法により、即ちステップ２，３，４，６，７，８に
おける雰囲気を微量酸素のない減圧状態のみとした以外
は、前記実施例１と同様の方法で被処理基板の表面に熱
酸化膜を形成した。
おける雰囲気を微量酸素のない減圧状態のみとした以外
は、前記実施例１と同様の方法で被処理基板の表面に熱
酸化膜を形成した。
【００３３】そして、従来法で作製された被処理基板の
表面に形成された熱酸化膜の電流−電圧特性の耐圧試験
を前記実施例１と同一条件で行い、その結果を図３に曲
線Ｂとして示した。
表面に形成された熱酸化膜の電流−電圧特性の耐圧試験
を前記実施例１と同一条件で行い、その結果を図３に曲
線Ｂとして示した。
【００３４】図３から明らかなように、本発明の実施例
１の場合は、印加電圧が８ＭＶ／ｃｍでリーク電流が増
加（立上がり）し始めるのに対し、比較例１の場合は、
印加電圧が７ＭＶ／ｃｍ程度でリーク電流が増加し始め
た。この結果、本発明法では被処理基板の表面の絶縁特
性が改善されたことが確認された。
１の場合は、印加電圧が８ＭＶ／ｃｍでリーク電流が増
加（立上がり）し始めるのに対し、比較例１の場合は、
印加電圧が７ＭＶ／ｃｍ程度でリーク電流が増加し始め
た。この結果、本発明法では被処理基板の表面の絶縁特
性が改善されたことが確認された。
【００３５】前記実施例１では微量酸素雰囲気の減圧状
態をステップ２からステップ８の工程中としたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、酸化処理の温度条
件や、予備排気室２内の真空度、炉３内の真空度等によ
り微量酸素雰囲気の減圧状態をステップ３からステップ
６の工程中の局部的としてもよい。
態をステップ２からステップ８の工程中としたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、酸化処理の温度条
件や、予備排気室２内の真空度、炉３内の真空度等によ
り微量酸素雰囲気の減圧状態をステップ３からステップ
６の工程中の局部的としてもよい。
【００３６】また、前記実施例１では、酸化処理工程
（ステップ５）中は炉３内の雰囲気を酸素のみとした
が、本発明はこれに限定されるものではなく、酸素ガス
中に窒素（Ｎ2）ガス、水素（Ｈ2）ガス、ハロゲンガス
を酸素ガスに対し１〜９５at％程度添加した雰囲気とし
てもよい。
（ステップ５）中は炉３内の雰囲気を酸素のみとした
が、本発明はこれに限定されるものではなく、酸素ガス
中に窒素（Ｎ2）ガス、水素（Ｈ2）ガス、ハロゲンガス
を酸素ガスに対し１〜９５at％程度添加した雰囲気とし
てもよい。
【００３７】また、本発明法は、被処理基板の表面に熱
酸化膜の形成だけではなく、ＨＴＯ(High Temperature
Oxidation)等のＣＶＤ法酸化膜や、窒化シリコン膜の成
膜プロセスに利用しても前記と同様に被処理基板の表面
の保護効果が得られる。
酸化膜の形成だけではなく、ＨＴＯ(High Temperature
Oxidation)等のＣＶＤ法酸化膜や、窒化シリコン膜の成
膜プロセスに利用しても前記と同様に被処理基板の表面
の保護効果が得られる。
【００３８】
【発明の効果】本発明の熱酸化膜の形成方法によるとき
は、被処理被板の表面への酸化処理工程以外の搬送、昇
温、降温等の工程を微量酸素雰囲気の減圧状態下で行う
ようにしたので、被処理基板の表面を微量酸素により成
長した数原子層程度の極薄酸化膜で保護することとな
り、被処理基板表面に高品質で安定した熱酸化膜を形成
することが出来る効果がある。
は、被処理被板の表面への酸化処理工程以外の搬送、昇
温、降温等の工程を微量酸素雰囲気の減圧状態下で行う
ようにしたので、被処理基板の表面を微量酸素により成
長した数原子層程度の極薄酸化膜で保護することとな
り、被処理基板表面に高品質で安定した熱酸化膜を形成
することが出来る効果がある。
【図１】 本発明の熱酸化膜の形成方法を実施するため
の装置の１例の概略説明図、
の装置の１例の概略説明図、
【図２】 本発明の熱酸化膜の形成方法の１例を示す工
程図、
程図、
【図３】 本発明の実施例と比較例における熱酸化膜の
リーク電流と印加電圧の関係を示す特性線図。
リーク電流と印加電圧の関係を示す特性線図。
２ 予備排気室、 ３ 炉、４ 仕切
弁、 ５，８ 真空排気系、１０，１１
ガス導入管、 １２ ヒーター、１４
被処理基板。
弁、 ５，８ 真空排気系、１０，１１
ガス導入管、 １２ ヒーター、１４
被処理基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賀文 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 中村 久三 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理基板を酸化処理する炉と、該炉に
接続して設けられた予備排気室から成る装置で、炉およ
び予備排気室を減圧雰囲気にした状態で、被処理基板を
予備排気室から炉内へ移動し、炉内で酸化処理して被処
理基板表面に熱酸化膜を形成する方法において、酸化処
理工程以外の工程中に微量酸素を導入した減圧雰囲気に
保つ工程が含まれていることを特徴とする熱酸化膜の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19609993A JP3194062B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 熱酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19609993A JP3194062B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 熱酸化膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0754125A true JPH0754125A (ja) | 1995-02-28 |
| JP3194062B2 JP3194062B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=16352209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19609993A Expired - Fee Related JP3194062B2 (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 熱酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3194062B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11186257A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| DE19983456B4 (de) * | 1999-06-21 | 2007-03-01 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7079702B2 (ja) | 2018-09-04 | 2022-06-02 | 清水建設株式会社 | セントルレール送り出しシステム、及びセントル |
-
1993
- 1993-08-06 JP JP19609993A patent/JP3194062B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JPH11186257A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| DE19983456B4 (de) * | 1999-06-21 | 2007-03-01 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3194062B2 (ja) | 2001-07-30 |
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