JP3667535B2 - 成膜方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気的特性が良好な絶縁膜の成膜方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路を製造する場合には、半導体ウエハやガラス基板の表面にシリコン膜やシリコン酸化膜等の各種の成膜を施したり、或いは酸化処理したり、各種の熱処理が施される。このような半導体集積回路の特性を向上させる上で、中に組み込まれる個々のトランジスタやキャパシタ等の特性を向上させることは特に重要である。
ところで、最近の半導体集積回路の更なる高密度化、高集積化及び多層化の要請により、一層の薄膜化が要求されている。このため、各種の絶縁膜に関しても、薄膜化を達成しつつも、従来と同様な、或いはそれ以上の絶縁性等の電気的特性の良好なものが求められている。
【0003】
このような状況下において、薄くても非常に高い絶縁性を要求されるような部位に用いられる絶縁膜、例えばフラッシュメモリのフローティングゲートとゲート電極との間に介設されるような絶縁膜はより高い電気的特性が求められている。このような絶縁膜として、薄くても絶縁性に優れてリーク電流が少ないことから、SiO2 −Si3 N4 −SiO2 の3層構造よりなる絶縁層が注目されてきている。このSiO2 −Si3 N4 −SiO2 の3層構造よりなる絶縁膜は、従来、一般的には、SiO2 膜はジクロルシラン(SiH2 Cl2)とN2 Oを原料ガスとして700〜900℃の温度範囲内で熱CVD(Chemical Vapor Deposition)法により成膜され、Si3 N4 膜はジクロルシランとアンモニア(NH3 )を原料ガスとして650〜750℃の温度範囲で熱CVD法により成膜されている。
【0004】
ところで、上述のような3層構造の絶縁膜を形成するためには、シリコン酸化膜(SiO2 )を成膜する装置とシリコンナイトライド膜(Si3 N4 )を成膜する装置は一般的には別個のものであるため、成膜の都度、半導体ウエハを装置から取り出して次の装置へ搬送しなければならない。従って、これによりウエハが大気にさらされてこれに自然酸化膜が発生したり、大気中の有機物等の不純物やパーティクルが付着するという問題があった。
また、ウエハを成膜装置へ搬入、搬出する毎に、成膜装置内を真空引きしたり或いは大気圧復帰したりしなければならず、そのたびにウエハの流れが停止するので、スループットを低下させる原因にもなっていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
また、上述のように、ジクロルシランを用いて成膜されるシリコン酸化膜やシリコンナイトライド膜は絶縁性等の電気的特性にある程度は優れているが、原料ガス中のジクロルシラン中に水素基が含まれているために、現在要求されている数nm(3〜5nm)程度の非常に薄い膜厚になると、上記水素基がリーク電流を引き起こす原因となって必ずしも高い絶縁性を発揮できない場合がある。
更に、上述のようにシリコンナイトライド膜を成膜する時に、ジクロルシランとアンモニアを原料ガスとして成膜すると、成膜レートがかなり高いことから、上述のように数nm程度の非常に薄い膜厚のシリコンナイトライド膜を形成する場合には、成膜時での膜厚のコントロールを精度良く行なうことができず、所望の膜厚に精度良く設定できない、といった問題もあった。
【0006】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、複数層よりなる絶縁膜を同一の成膜装置内で連続的に形成でき、しかも、薄くても非常に絶縁性に優れた絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、シリコンナイトライド膜やシリコン酸化膜の成膜に関して鋭意研究した結果、常温で液体であり、腐食性が高く、しかも、ジクロルシランよりも高温でないと反応をしないために、取り扱いが困難とされ、1100℃程度の高温でのプロセスが要求されるSiエピタキシャル成長の分野でしか利用されていなかったテトラクロルシラン(SiCl4 )を用いることにより、特性の良好なシリコンナイトライド膜やシリコン酸化膜が得られることを見い出すことにより、本発明に至ったものである。
【0008】
請求項1に規定する発明は、被処理体の表面に、少なくともシリコン酸化膜とシリコンナイトライド膜を含む絶縁層を形成する成膜方法において、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコンナイトライド膜を形成するシリコンナイトライド膜形成工程とを有し、前記両工程を同一の熱処理装置内で連続的に行なうと共に、前記シリコン酸化膜形成工程の後に前記シリコンナイトライド膜の形成工程を行なう場合には、前記シリコンナイトライド膜形成工程に先立って、前記被処理体の表面をNH 3 ガスによって窒化させる表面窒化工程を行なうようにしたものである。
【0009】
これにより、非常に薄くても絶縁性等の電気的特性を大幅に向上することができる。また、複数の膜が同一の熱処理装置内で連続的に形成されるので、途中で被処理体が大気にさらされることがなくなり、これに自然酸化膜やパーティクルが付着することを防止でき、また、スループットも向上させることができる。
また、シリコン酸化膜の表面が窒化処理されてこの表面が窒化物となり、この上に堆積されるシリコンナイトライド膜との界面を改質して、絶縁性を更に高めて電気的特性を一層改善することができる。
この場合、前記シリコン酸化膜形成工程は、原料ガスとしてN2 OガスとSiCl4 ガスを用い、前記シリコンナイトライド膜形成工程は、原料ガスとしてNH3 ガスとSiCl4 ガスを用いる。
【0010】
また、上記表面窒化工程におけるプロセス温度は、700〜1000℃の範囲内とするのがよい。
【0011】
また、前記シリコンナイトライド膜形成工程は、プロセス温度が650〜800℃の範囲内とすることにより、成膜レートを従来のジクロルシランを用いた成膜の場合よりも小さくできるので、成膜時での膜厚の制御性を改善することが可能となる。
【0012】
更に、前記絶縁層を3層構造とするために、前記シリコン酸化膜形成工程、前記表面窒化工程、前記シリコンナイトライド膜形成工程及び前記シリコン酸化膜形成工程の順に連続的に行なうことにより、特に、薄膜化しても絶縁性に非常に優れた特性を有する絶縁膜とすることが可能となる。
【0013】
また、前記熱処理装置は、高速昇降温が可能になされていることにより、全体のプロセスを迅速に行なうことが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る成膜方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明方法を実施するための縦型バッチ式の熱処理装置を示す図、図2は熱処理装置とガス供給系を示す概略構成図である。
まず、この熱処理装置について説明する。ここでは例えば被処理体である半導体ウエハの高速昇温及び高速降温を可能とするために、熱処理装置として例えば高速昇降温が可能な縦型熱処理装置を用いている。
図示するようにこのバッチ式の縦型熱処理装置2は、透明な耐熱材料例えば石英よりなる有天井であり且つ底部が開口された円筒体状の外筒4とこの内側に所定の間隔を隔てて同心状に配置された円筒状の内筒6よりなる熱処理容器8を有しており、2重管構造になっている。この熱処理容器8の内部には同じく石英製のウエハボート10に上下方向に所定のピッチで多段に配置された被処理体としての半導体ウエハWが多数枚、例えば8インチウエハが100枚程度収容可能になされている。
【0015】
上記熱処理容器8の下端開口部にはこれを気密に開閉するフランジキャップ部12が設けられており、このキャップ部12上に石英製の保温筒14を介して上記ウエハボート10が載置される。そして、このキャップ部12はボートエレベータ15にアーム16を介して連結されており、これを昇降させることにより、ウエハボート10に載置したウエハWを熱処理容器8に対して挿脱可能としている。また、この保温筒14は、回転軸18及び図示しない回転ベルトを介してモータ等に連結されており、回転可能になされている。従って、熱処理時には、ウエハボート10と共にウエハWを回転して熱処理の均一性を確保するようになっている。
また、熱処理容器8の外筒4の下部には、例えばステンレススチール製のマニホールド20が設けられ、この内側に設けた突起部21により内筒6の下端を支持ている。そして、このマニホールド20に、内筒6の内側下部に原料ガスとしてテトラクロルシラン(SiCl4 )ガスを導入する成膜ガスノズル22やNH3 、N2 、N2 Oガス等を必要に応じて導入するガスノズル24が導入されている。更に、このマニホールド20には、図示しない真空ポンプに接続された排気口26が設けられており、外筒4と内筒6との間の間隙から容器8内を所望の真空度まで真空引きできるようになっている。
【0016】
一方、上記熱処理容器8の外周には、この側部及び天井部を覆って例えばセラミックファイバー製断熱材よりなる円筒体状の断熱層28が設けられており、この内側には、螺旋状或いは同軸的に筒体状に配列された加熱源としての例えば加熱ヒータ30が高い密度で配列されている。この加熱ヒータ30は、例えば2ケイ化モリブデン(MoSi2 )を主成分とした発熱抵抗体(カンタル社製のカンタルスーパー加熱源)よりなり、常温では抵抗値が非常に小さく、高温になると抵抗値が大きくなる性質を有する。この加熱ヒータ30は、従来のFeCrAl加熱源の表面負荷が1200℃において2W/cm2 であるのに対して10〜30W/cm2 程度と非常に大きく、数倍〜10数倍の発熱量が得られ、ウエハに対して例えば50〜200℃/分の高速昇温が可能となっている。
【0017】
また、断熱層28の下部は、断熱シール部材32を介して熱処理容器8の下部と接合され、この下部にはその周方向に沿ってリング状の冷却ヘッダ34が設けられる。この冷却ヘッダ34には、途中に送風ファン36を介設した冷却気体導入通路38が接続されると共に、この冷却ヘッダ34からは上記熱処理容器8の外周壁と断熱層28の内壁との間隙内に延びる冷却ノズル40が適当数設けられており、熱処理終了後の降温時に熱処理容器8の外周壁に冷却気体を吹き付けることによりこれを高速で冷却してウエハを高速降温できるようになっている。この時の降温速度は例えば30〜100℃/分である。
そして、この断熱層28の天井部には、上記冷却気体を排出する排気口42が形成されており、この排気口42には、ウエハの熱処理時にここを閉じる開閉可能になされたシャッタ44が設けられる。
【0018】
このように構成された熱処理装置2には、図2にも示すように原料ガスとしてSiCl4 やNH3 やN2 Oを供給する系や、N2 ガス等の不活性ガスを供給する系が設けられる。具体的には、常温で液体のSiCl4 はSiCl4 タンク46内へ収容され、このタンク46は温度コントロール機能を有する加熱源48により気化温度以上、例えば55℃程度に加熱維持されている。このSiCl4 タンク46はSiCl4 ガス通路50を介して前記熱処理装置2の成膜ガスノズル22に連結されている。
このSiCl4 ガス通路50の途中には、開閉弁52及び流量を制御するマスフローコントローラの如き流量制御器56等が順次介設されている。また、上記タンク46の出口から上記成膜ガスノズル22に至るSiCl4 ガス通路50には、再液化を防止するために例えばテープヒータ58が巻回されており、この通路50をSiCl4 ガスの気化温度以上の、例えば75〜85℃程度に加熱維持し得るようになっている。
【0019】
また、NH3 ガスを貯留するNH3 ガスボンベ60及びN2 ガスを貯留するN2 ガスボンベ62及びN2 Oガスを貯留N2 Oガスボンベ63は、それぞれ分岐ガス通路64、66、67に接続され、各分岐ガス通路64、66、67は合流してガス通路68となって前記他方のガスノズル24に接続されている。そして、各分岐ガス通路64、66、67には開閉弁70、72、73及びマスフローコントローラの如き流量制御器74、76、77がそれぞれ介設されている。尚、ガスノズル24の設置数を増やし、NH3 ガスとN2 ガスとN2 Oガスをそれぞれ独立させて別々のノズルから熱処理容器8内へ導入するようにしてもよい。
【0020】
次に、以上のように構成された装置を用いて行なわれる本発明方法について説明する。
図3は本発明方法を説明するためのタイミングチャートを示す図である。図3中において縦方向は温度を示し、横方向は時間の経過を示している。ここでは、絶縁層として、シリコン酸化膜(SiO2 )−シリコンナイトライド膜(Si3 N4 )−シリコン酸化膜(SiO2 )の3層構造のものを形成する時のプロセスを示し、途中で表面窒化処理も加えられている。
まず、ウエハWの熱処理容器8内へのウエハのロードに先立って、熱処理容器8内をウエハに対して自然酸化膜が付着し難い温度である300〜600℃の範囲、例えば400℃に維持し、更に自然酸化膜の発生を抑制するために熱処理容器8内にN2 ガスを所定の流量で供給し、この状態で多数枚のウエハWを多段に保持したウエハボート10をその下方よりロードして上昇させてこの容器内へ収容し、下端開口部をキャップ部12で密閉して容器8内を気密状態とする(期間A)。尚、容器8の温度が300℃よりも低いと、この後の昇温のために必要以上に時間を要してしまうのでこれを300℃以上に予熱しておく。また、ここでウエハWには予めポリシリコン膜が被膜されている。
【0021】
次に、N2 ガスの供給を停止して熱処理容器8内を真空引きしてN2 ガスを排出し(期間B)、そして、加熱ヒータ30への供給電力を増加して上記した昇温速度で所定のプロセス温度まで急速昇温する(期間C)。急速昇温後のシリコン酸化膜の成膜温度は800〜950℃の範囲内とし、ここでは例えば875℃に設定する。温度が875℃に到達したならば、所定の時間だけ放置することにより温度を安定化させる(期間D)。そして、ウエハ温度が安定化したならば、成膜用の原料ガスとして所定量のN2 OガスとSiCl4 ガスを供給し、ウエハWのポリシリコン膜上にSiO2 (シリコン酸化膜)の成膜を所定の時間行なう(期間E)。この時のシリコン酸化膜の成膜条件は、圧力が0.1〜100Torrの範囲内で、例えば1.5Torr程度、N2 Oガスの流量は10〜1000sccmの範囲内で、例えば500sccm程度、SiCl4 ガスの流量は、1〜200sccmの範囲内で、例えば5sccm程度である。
【0022】
このテトラクロルシラン(SiCl4 )は、図2に示すようにSiCl4 ボンベ46内を例えば55℃で加熱維持することにより液状SiCl4 をガス化し、これを流量制御しつつSiCl4 ガス供給通路50を介して熱処理容器8へ供給される。この場合、SiCl4 ガス供給通路50はテープヒータ58により85℃程度に加熱されているので、SiCl4 ガスは再液化することなく安定的に供給されることになる。この時、下記の式による熱CVD成膜反応によって、シリコン酸化膜(SiO2 )が形成される。
SiCl4 +2N2 O→ SiO2 +2N2 +2Cl2
成膜時間は形成すべき膜厚にもよるが、例えば膜厚が5.5nmの場合には55分程度である。このようにしてSiCl4 とN2 Oとよりなる原料ガスを用いて熱CVD法によりシリコン酸化膜の成膜処理が終了したならば、N2 OガスとSiCl4 ガスの供給を停止して熱処理容器8内を真空引きして残留ガスを排出し(期間F)、そして、サイクルパージを行なう(期間G)。
【0023】
次に、サイクルパージが終了したならば、NH3 ガスを所定の流量で供給しつつ加熱ヒータ30への電力投入量を急増させてウエハWを50〜100℃/分程度の速度で急速昇温し(期間H)、その後これを700〜1000℃の範囲内、例えば900℃程度に維持して表面窒化処理を所定の時間、例えば30分程度行なう(期間I)。この表面窒化処理によりウエハWに成膜されたSiO2 膜は表面処理され、これによりSiO2 膜の表面は窒化処理されて、この後この上に積層されることになるシリコンナイトライド層との界面の特性を改善するようになっている。この時のN2 ガスの流量は、例えば2000sccm程度であり、プロセス圧力は6Torr程度である。
【0024】
このように表面窒化処理が終了したならば、ウエハWを所定のプロセス温度、例えば700℃まで例えば30〜100℃/分の速度で急速降温し(期間J)、温度を安定化させ(期間K)、その後上述のSiO2 膜の上にシリコンナイトライド膜の成膜処理を行なう(期間L)。これまでの間は、NH3 ガスを供給し続け、また、この成膜処理の間にもNH3 ガスを供給し続ける。そして、この成膜処理時には、NH3 ガスに加えて所定量の流量でテトラクロルシラン(SiCl4 )を供給する。このテトラクロルシランは、前述したように図2に示すようにSiCl4 ボンベ46内を例えば55℃で加熱維持することにより液状SiCl4 をガス化し、これを流量制御しつつSiCl4 ガス供給通路50を介して熱処理容器8へ供給される。この時、下記の式による熱CVD法成膜反応によって、シリコンナイトライド膜(Si3 N4 )が形成される。
3SiCl4 +4NH3 → Si3 N4 +12HCl
【0025】
この成膜のプロセス条件は、NH3 ガスが100〜1000sccmの範囲内、例えば200sccm程度、SiCl4 ガスが10〜100sccmの範囲内、例えば20sccm程度、圧力は0.1〜1.0Torrの範囲内、例えば0.2Torr程度であり、処理時間は形成すべき膜厚にもよるが、例えば膜厚が6nmの場合には30分程度である。このようにしてSiCl4 とNH3 とよりなる原料ガスを用いて熱CVD法によりシリコンナイトライド膜の成膜処理が終了したならば、NH3 ガスとSiCl4 ガスの供給を停止して熱処理容器8内を真空引きして残留ガスを排出し(期間M)、そして、サイクルパージを行ない(期間N)、その後、例えば50〜200℃/分の速度で急速昇温して、再度、シリコン酸化膜の成膜のため所定のプロセス温度まで昇温する(期間O)。この第2回目のシリコン酸化膜の成膜温度は前述した第1回目と同じ800〜950℃の範囲内であり、ここでは例えば875℃に設定している。半導体ウエハWを急速昇温したならば、所定の時間だけ放置することにより温度を安定化させる(期間P)。そして、ウエハ温度が安定化したならば、成膜用の原料ガスとして所定量のN2 OガスとSiCl4 ガスを供給し、上述のシリコンナイトライド膜の上に第2回目のSiO2 (シリコン酸化膜)の成膜を所定の時間行なう(期間Q)。この時のシリコン酸化膜の成膜条件は、前述した第1回目と同じで圧力が0.1〜100Torrの範囲内で、例えば1.5Torr程度、N2 Oガスの流量は10〜1000sccmの範囲内で、例えば500sccm程度、SiCl4 ガスの流量は、1〜200sccmの範囲内で、例えば5sccm程度である。成膜時間は、形成すべき膜厚にもよるが、例えば膜厚が5.5nmの場合には85分程度である。この場合、第1回目のSiO2 成膜時(期間E、成膜時間55分)の膜厚と同じ5.5nmの成膜を行うにもかかわらず、成膜時間が異なる理由は、それぞれの成膜時における下地の膜種が異なるからである。すなわち、第1回目のSiO2 成膜時ではポリシリコン膜の上に成膜を行うが、第2回目のSiO2 成膜時ではシリコンナイトライド膜の上に成膜を行うこととなるため両者の成膜時間が相異する。
【0026】
このようにしてSiCl4 とN2 Oとよりなる原料ガスを用いて熱CVD法によりシリコン酸化膜の成膜処理が終了したならば、N2 OガスとSiCl4 ガスの供給を停止して熱処理容器8内を真空引きして残留ガスを排出し(期間R)、そして、サイクルパージを行ない(期間S)、その後、例えば30〜100℃/分の速度で急速降温してウエハWを自然酸化膜が発生し難い温度、例えば400℃まで冷却する(期間T)。その後は、熱処理容器8内にN2 ガスを供給し(期間U)、これより処理済みのウエハWをアンロードして処理を終了する(期間V)。
【0027】
このようにして形成されたSiO2 −Si3 N4 −SiO2 の3層構造の絶縁膜は、ジクロルシランとNH3 ガス及びジクロルシランとN2 Oガスを用いて熱CVD法によって形成された従来の3層構造の絶縁膜と比較して、薄くてもリーク電流が非常に少ないので絶縁性に優れ、特に、フラッシュメモリ等の半導体集積回路のフローティングゲート用の絶縁膜として用いた場合には、リーク電流が少なくなって薄膜化が可能となり、その特性を向上させることができる。このようにリーク電流を少なくできる理由は、原料ガス中に水素を含むジクロルシラン(SiH2 Cl2 )を用いた従来の3層構造の絶縁膜は膜中に水素が含まれてリーク電流の発生原因となっていたが、本発明のように原料ガス中に水素を含まないテトラクロルシラン(SiCl4 )を用いた場合には、絶縁膜中に水素が含まれないようになるからである、と考えられる。
【0028】
また、シリコンナイトライド膜の成膜の前に下層のSiO2 膜の表面を窒化処理する表面窒化処理を行なうことにより、この表面が窒化されて例えばSi3 N4 なるので界面における特性が改善されて絶縁性を更に良好にすることができる。また、同一の熱処理装置、すなわち熱処理容器8内で図3に示したようなSiO2 成膜工程−表面窒化工程−Si3 N4 成膜工程−SiO2 成膜工程の4つの工程をこの順序で連続的に行なうようにしたので、処理工程毎に熱処理装置からウエハをロードしたり、アンロードする必要がないことから、ウエハが大気にさらされることがなく、これにパーティクルや有機物が付着することを防止できるのみならず、ウエハのロード・アンロードが省略できることから、熱処理装置内の大気圧復帰及び真空引きを省略でき、その分、生産効率が上がってスループットを向上させることができる。特に、熱処理装置として高速な昇温及び高速な降温が可能な熱処理装置を用いたので、昇降温に要する時間を短くでき、その分、一層スループットを向上させることができる。
【0029】
次に、本発明方法により形成された3層構造の絶縁層の内、絶縁性に最も重要な薄膜となるシリコンナイトライド膜と従来方法によるジクロルシランとNH3 を用いて成膜したシリコンナイトライド膜の特性の評価を行なったので、その結果について説明する。
図4は本発明方法により形成された3層構造の絶縁層の内、絶縁性に最も重要な薄膜となるシリコンナイトライド膜と従来方法によるジクロルシランとNH3 を用いて成膜したシリコンナイトライド膜のリーク電流を示すグラフである。この時、膜厚は共に3.3nmである。このグラフから明らかなように、本発明方法の絶縁層中のシリコンナイトライド膜は、従来方法の絶縁層中のシリコンナイトライド膜よりもリーク電流が少なく、絶縁性に優れていることが判明した。
【0030】
また、図5は本発明方法により形成された3層構造の絶縁層の内、絶縁性に最も重要な薄膜となるシリコンナイトライド膜と従来方法によるジクロルシランとNH3 を用いて成膜したシリコンナイトライド膜の膜厚とリーク電流1.0×10-8A/cm2 における印加電圧との関係を示すグラフである。
このグラフから明らかなように、膜厚を一定とした場合には、1.0×10-8A/cm2 のリーク電流が流れる時の印加電圧は、常に従来方法の絶縁層中のシリコンナイトライド膜よりも本発明方法の絶縁層中のシリコンナイトライド膜の方が高く、すなわち絶縁性が良好である。換言すれば、例えば印加電圧が1Vで1.0×10-8A/cm2 のリーク電流を許容できるとすれば、従来方法の絶縁層中のシリコンナイトライド膜では略4.3nmの膜厚が必要であるが、本発明方法の絶縁層中のシリコンナイトライド膜ならば略3.8nmの膜厚で済み、薄膜化に対応して半導体集積回路に適していることが判る。
【0031】
また、図6は本発明方法により形成された3層構造の絶縁層の内、絶縁性に最も重要な薄膜となるシリコンナイトライド膜と従来方法によるジクロルシランとNH3 を用いて成膜したシリコンナイトライド膜の各成膜レートと成膜温度との関係を示すグラフである。このグラフから明らかなように650℃以上では従来方法の絶縁層中のシリコンナイトライド膜よりも本発明方法の絶縁層中のシリコンナイトライド膜の方が成膜レートが小さくなっており、従って、数nmの非常に薄い成膜を精度良く形成するためには、成膜レートの小さい本発明方法の方が膜厚制御性に優れていることが判明する。但し、成膜温度が800℃よりも大きくなると、成膜レートが1nm/minを越えてしまうので、膜厚が数nm程度の薄膜の形成においては精密に膜厚を制御すること困難となる、という不都合が生ずるので好ましくなく、従って、前述の期間Lにおける成膜温度は650〜800℃の範囲内に設定すべきである。
また、本発明方法の絶縁層中のシリコンナイトライド膜の面内及び面間の膜厚の均一性を評価したので、その結果を表1に示す。
【0032】
【表1】
【0033】
評価にあたっては、ウエハボートのトップ(TOP)、センタ(CTR)、ボトム(BTM)のそれぞれから成膜したウエハを取り出し、各ウエハについて均一に分散された9点のポジションの膜厚を測定した。
この表1中の数値の計算の結果、膜厚の面内均一性は±1.07〜1.45%であり、また膜厚の面間均一性は±4.07%であり、共に従来方法の場合と略同じであることが判明した。
図3に示す第1実施例の場合には、絶縁層としてSiO2 −Si3 N4 −SiO2 膜の3層構造(表面窒化処理有り)のものを形成する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、図7及び図8の工程図に示すように2層構造の絶縁層を形成するようにしてもよい。図7は本発明方法の第2実施例を示す工程図である。
【0034】
この第2実施例の場合には、図3に示す第1実施例の表面窒化処理を含む4工程の内、第4番目の工程である第2回目のSiO2 成膜工程(期間O,P,Q,R,S)を省略し、SiO2 −Si3 N4 膜よりなる2層構造(表面窒化処理を含む)の絶縁層を形成している。すなわち、ウエハボートをロードする期間Aから第1回目のSiO2 膜を成膜する期間B〜G、表面を窒化処理する表面窒化処理の期間H〜J及びSi3 N4 膜を成膜する期間K〜Nまでは、図3に示す第1実施例と同様な工程を行ない、この期間K〜NにおけるSi3 N4 膜の成膜を完了したならば、全体の成膜工程を終了してウエハをアンロードする。すなわち、Si3 N4 膜の成膜を完了したならば、原料ガスの供給を停止して、残留ガスを真空引きし(期間M)、更に、サイクルパージを行ない(期間N)、次に、ウエハWの高速降温を行なって(期間T)、熱処理容器8内にN2 ガスを供給し(期間U)、ウエハWをアンロードする(期間V)。これにより、SiO2 −Si3 N4 膜よりなる2層構造の絶縁層を形成することができる。
【0035】
この場合にも、第1実施例の場合と同様な作用効果を発揮することができる。すなわち、薄くてもリーク電流が少なくて絶縁性の良好な絶縁層を形成でき、しかも、同一熱処理装置内で連続処理することから、スループットを向上できるのみならず、成膜工程間においてウエハが大気にさらされないので、これにパーティクルや有機汚染物が付着することも防止することができる。
図8は本発明方法の第3実施例を示す工程図である。この第3実施例の場合は、図3に示す第1実施例の表面窒化処理を含む4工程の内、第1番目の工程である第1回目のSiO2 成膜工程(期間D〜G)とこのSiO2 膜の表面窒化工程(期間H〜J)を省略し、Si3 N4 −SiO2 膜よりなる2層構造(表面窒化処理は含まず)の絶縁層を形成している。
すなわち、ウエハボートのロードを行なったならば(期間A)、期間Aを経てウエハWを略700℃まで急速昇温し(期間C)、温度を安定化させ(期間K)、Si3 N4 膜の成膜工程に入る(期間L)。そして、Si3 N4 膜の成膜が完了したならば、期間M〜Pを経て図3に示した第1実施例と同様にSiO2 膜の成膜工程を行ない(期間Q)、この工程が完了したならば、期間R〜Uを経て全体の成膜工程を終了してウエハをアンロードする(期間V)。これにより、Si3 N4 −SiO2 膜よりなる2層構造の絶縁層を形成することができる。
【0036】
この場合にも、第1実施例の場合と同様な作用効果を発揮することができる。すなわち、薄くてもリーク電流が少なくて絶縁性の良好な絶縁層を形成でき、しかも、同一熱処理装置内で連続処理することから、スループットを向上できるのみならず、成膜工程間においてウエハが大気にさらされないので、これにパーティクルや有機汚染物が付着することも防止することができる。
尚、上記実施例では2層構造或いは3層構造の絶縁層をフラッシュメモリのフローティングゲートの絶縁層として用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、トランジスタのゲート絶縁膜、層間絶縁膜、キャパシタの絶縁膜等にも用いるようにしてもよいのは勿論である。
また、被処理体としては半導体ウエハに限定されず、LCD基板、ガラス基板等にも適用できるのは勿論である。
【0037】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の成膜方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
請求項1及び2に規定するように、SiCl4 を原料ガスの一部として用いて熱CVD法によりシリコン酸化膜とシリコンナイトライド膜を形成して絶縁層を作ることにより、従来方法による膜よりも絶縁性が高くて電気的特性が良好な絶縁層を形成することができる。また、成膜するにあたって、同一熱処理装置内で連続的に成膜するようにしたので、被処理体が途中で大気にさらされないのでパーティクルや有機汚染物が付着することを防止できるのみならず、生産効率を上げてスループットも向上させることができる。
また、SiO2 膜の表面の窒化処理を行ってるので、界面の改善ができ、特性が更に優れた絶縁層を形成することができる。
請求項3に規定するように、700〜1000℃の範囲内で上記窒化処理を行えば、より特性の優れた絶縁層を形成することができる。
請求項4に規定するように、Si3 N4 膜の成膜時のプロセス温度を650〜800℃の範囲内に設定することにより、この成膜レートを小さくして成膜時での膜厚の制御性を向上させることができる。
請求項5に規定するように、シリコン酸化膜形成工程、表面窒化工程、シリコンナイトライド膜形成工程及びシリコン酸化膜形成工程の順に連続的に行なって絶縁層を3層構造にすれば、絶縁層が薄くてもこの絶縁特性を一層向上させることができる。
請求項6に規定するように、本発明方法の成膜処理を、高速昇降温が可能な熱処理装置により行なえば、昇温及び降温時にそれ程時間を必要とせず、スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法を実施するための縦型バッチ式の熱処理装置を示す図である。
【図2】熱処理装置とガス供給系を示す概略構成図である。
【図3】本発明方法を説明するためのタイミングチャートを示す図である。
【図4】本発明方法により形成された3層構造の絶縁層の内のシリコンナイトライド膜と従来方法によるジクロルシランとNH3 を用いて成膜したシリコンナイトライド膜のリーク電流を示すグラフである。
【図5】本発明方法により形成された3層構造の絶縁層の内のシリコンナイトライド膜と従来方法によるジクロルシランとNH3 を用いて成膜したシリコンナイトライド膜の膜厚とリーク電流1.0×10-8A/cm2 における印加電圧との関係を示すグラフである。
【図6】本発明方法により形成された3層構造の絶縁層の内のシリコンナイトライド膜と従来方法によるジクロルシランとNH3 を用いて成膜したシリコンナイトライド膜の各成膜レートと成膜温度との関係を示すグラフである。
【図7】本発明方法の第2実施例を示す工程図である。
【図8】本発明方法の第3実施例を示す工程図である。
【符号の説明】
2 熱処理装置
4 外筒
6 内筒
8 熱処理容器
10 ウエハボート
22 成膜ガスノズル
30 加熱ヒータ
46 SiCl4 タンク
48 加熱源
50 SiCl4 ガス通路
58 テープヒータ
60 NH3 ガスボンベ
62 N2 ガスボンベ
63 N2 Oガスボンベ
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (6)
- 被処理体の表面に、少なくともシリコン酸化膜とシリコンナイトライド膜を含む絶縁層を形成する成膜方法において、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、原料ガスの一部にSiCl4 ガスを用いてCVD法によりシリコンナイトライド膜を形成するシリコンナイトライド膜形成工程とを有し、前記両工程を同一の熱処理装置内で連続的に行なうと共に、前記シリコン酸化膜形成工程の後に前記シリコンナイトライド膜の形成工程を行なう場合には、前記シリコンナイトライド膜形成工程に先立って、前記被処理体の表面をNH 3 ガスによって窒化させる表面窒化工程を行なうようにしたことを特徴とする成膜方法。
- 前記シリコン酸化膜形成工程は、原料ガスとしてN2 OガスとSiCl4 ガスを用い、前記シリコンナイトライド膜形成工程は、原料ガスとしてNH3 ガスとSiCl4 ガスを用いたことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
- 前記表面窒化工程のプロセス温度は、700〜1000℃の範囲内であることを特徴とする請求項1または2記載の成膜方法。
- 前記シリコンナイトライド膜形成工程は、プロセス温度が650〜800℃の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記絶縁層を3層構造とするために、前記シリコン酸化膜形成工程、前記表面窒化工程、前記シリコンナイトライド膜形成工程及び前記シリコン酸化膜形成工程の順に連続的に行なうことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記熱処理装置は、高速昇降温が可能になされていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28201398A JP3667535B2 (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28201398A JP3667535B2 (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000100809A JP2000100809A (ja) | 2000-04-07 |
JP3667535B2 true JP3667535B2 (ja) | 2005-07-06 |
Family
ID=17647025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28201398A Expired - Fee Related JP3667535B2 (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | 成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3667535B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4209563B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2009-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化シリコン膜の形成方法 |
KR100486248B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2005-05-03 | 삼성전자주식회사 | 실리콘옥사이드층을 포함하는 반도체소자의 제조방법 |
JP2013077805A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6042656B2 (ja) | 2011-09-30 | 2016-12-14 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP2016115860A (ja) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-09-17 JP JP28201398A patent/JP3667535B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000100809A (ja) | 2000-04-07 |
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