KR20000047614A - 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템, 장치 및 방법 - Google Patents

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포만 제프리 엘
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Abstract

클러스터(cluster) 시스템은 실리콘 기판 상에 침착 또는 성장되는 막의 공유면 특성을 제어한다. 이 시스템은 각각 대량의 웨이퍼를 보유지지할 수 있는 복수개의 수평 석영 챔버 또는 튜브(quartz chamber or tube)와, 이송 챔버와, 로드/언로드 챔버(load/unload chamber)를 포함한다. 주변 공기에 대한 중간 노출 없이 서로 다른 튜브 내에서 수개의 처리 단계가 순차적으로 실시될 수 있다. 이송 챔버는 튜브에 연결되어, H2O와 같은 오염물을 단층 범위내로 제한하는 절대적으로 제어된 UHV 분위기 중에서 웨이퍼가 한 튜브에서 다른 튜브로 이송될 수 있게 한다. 또한, 각각의 튜브는 튜브들간의 상호 오염 또는 입자 발생을 피하기 위해 UHV 압력 범위로 펌핑될 수 있다. 어떤 처리는 고온을 요구하기 때문에 모든 웨이퍼는 수직형 노에서와 같이 웨이퍼가 휘어지는 어떠한 새깅(sagging) 현상도 방지하기 위해 석영 보트 상에 수직으로 놓인다. 또한, 어떠한 웨이퍼도 이송 챔버에 위치하기 전에 로드/언로드 챔버에 로딩되는데, 로드/언로드 챔버는 주변 공기로 연결되는 유일한 통로의 역할을 하는 것으로서 입자와 오염물을 최소로 하기 위해 정화 및 펌핑된다.

Description

반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템, 장치 및 방법{UHV HORIZONTAL HOT WALL CLUSTER CVD/GROWTH DESIGN}
본 발명은 반도체 웨이퍼를 처리하는 분야에 관한 것으로서, 특히 복수개의 반도체 웨이퍼 또는 막 집단들(batchs of semiconductor wafers or films)의 초고진공(ultra high vacuum : UHV) 처리 분야에 관한 것이다.
지난 10년간 DRAM은 VLSI 회로에서 집적 밀도를 증가시키고 또한 실리콘 기술을 서브미크론 디바이스(submicron device) 기술로 추진하기 위한 구동력으로서 자리잡아 왔다. 그 결과, 보다 낮은 결함 밀도와 보다 높은 수율을 갖는 보다 얇은 반도체 막에 대한 요구가 있어 왔다. 그러나, 막이 얇아짐에 따라 막의 공유면(interface)이 디바이스 성능이나 트랜지스터 수율을 결정짓는 요인으로 자주 거론되고 있다. 이러한 막의 특성을 향상시키기 위해서는, 막의 공유면 특성을 심도 있게 이해해야 할뿐만 아니라 제어 및 감시할 수 있어야 한다. 현재, 전체 반도체 산업계에서 기존의 일괄 툴 세트(batch tool sets)의 대부분은 유전체 성장/침착을 위한 단일 고온 벽 튜브(single hot wall tubes)이다. 각각의 유전체 막은 처리 튜브로부터 빠져 나올 때 주변 분위기(즉, 공기, 수증기 및 입자)와 즉시 접촉하게 되어, 막의 공유면은 빠르게 오염된다. 예로서, 열적 성장된 200Å 게이트 산화물은 폴리-실리콘 게이트의 침착 전에 산화물 노(oxide furnace)에서 다른 노로 이송될 때 공기중의 수증기와 입자에 의해 오염된다. 더욱이 그러한 게이트 산화물은 매우 얇기 때문에 양측의 오염된 공유면(실리콘/산화물 및 산화물/폴리-실리콘 공유면)은 디바이스의 전기적 특성에서 결정적인 역할을 한다. 따라서, 그 결과 디바이스 성능과 수율은 불량하게 되기 쉽다. 따라서, 모든 오염 논쟁을 피하기 위해서는 일체형 현장 클러스터 툴(integrated in situ cluster tool)이 필요하다. 미국 산타클라라 캘리포니아에 소재하는 "Applied Materials lnc."가 그러한 막 공유면의 오염을 전문적으로 처리하기 위한 3개의 챔버(chamber)를 갖는 센튜라 클러스터(Centura Cluster) 툴을 최근에 시장에 내놓음으로써, 디바이스 성능과 수율을 향상시킬 수 있었다. 그러나, 이 시스템 설계에는 몇 가지 단점이 있다. 우선 챔버가 매우 균일한 가열을 제공하지 못하는 적어도 하나의 가열 램프를 사용하는 단일 웨이퍼 챔버라는 점이다. 따라서, 더욱 균일한 가열 방법이 요구된다. 그 다음, 센튜라 클러스터 툴은 웨이퍼 전체에 걸친 가열의 균일성을 향상시키기 위하여 웨이퍼를 회전시키는 연속 회전식 척(chuck)을 구비하고 있어 입자가 발생할 가능성이 증가된다. 따라서, 이러한 문제점을 해소하기 위해서는 현장 클러스터 툴의 필요성이 여전히 존재한다.
일체형 클러스터 툴의 다른 문제점으로서는, 웨이퍼가 700℃ 내지 1000℃에서 처리된 다음에 차가운 이송 메카니즘에 의해 운반됨으로 인해 웨이퍼의 열적 균열을 일으키는 웨이퍼 열적 충격(wafer thermal shock)이 있다. 이와 같은 높은 처리 온도는 예로서 12인치의 큰 웨이퍼를 사용할 때 웨이퍼가 휘어지게 하거나 뒤틀어지게(sagging and warping)한다. 또한, 급격한 온도 변화는 막 스트레스를 발생시켜 디바이스 성능을 저하시킨다. 수직형 노를 채택한 다른 현장 일체형 클러스터 수단도 제시되었지만 처리 온도가 1100℃ 내지 1350℃에 달해서 역시 웨이퍼를 휘어지게 하거나 뒤틀어지게 한다. 따라서 이러한 문제를 극복해야 할 필요성이 여전히 존재한다.
또한, 기존의 일체형 클러스터 툴의 또 다른 문제점은 웨이퍼를 처리 챔버들간에서 이송시키는데 사용되는 분위기에 있다. 이 분위기 또는 특히 이 분위기 중의 압력은 너무 높다. 압력은 1torr 내지 760torr가 일반적인데, 이와 같이 높은 압력에서는 H2O와 O2와 같은 불순물이 여전히 존재한다. 따라서 웨이퍼를 처리 챔버들 간에서 이송시키는 중에 그러한 오염 문제를 극복해야 할 필요성이 존재한다.
또한, 기존의 일체형 클러스터 툴의 또 다른 문제점은 분위기 노와 대등한 산화 챔버가 제공되지 않는다는 점이다. 그러한 산화 챔버 없이는 완전한 트랜지스터 게이트 적층체를 하나의 툴에서 제조할 수 없다. 따라서, 상기한 문제점들을 극복하는 일괄 처리 시스템이 필요하다.
본 발명의 목적은 상기한 문제점들을 극복할 수 있는 일괄 처리 시스템을 제공하고자 하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 클러스터 처리 시스템의 블록도,
도 2는 도 1에 도시한 클러스터 처리 시스템의 처리 챔버 중의 하나에 대한 블록도,
도 3은 도 1에 도시한 클러스터 처리 시스템에서 실시되는 처리의 일부에 대한 공정도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100 : 클러스터 처리 시스템 102 : 로드/언로드 챔버
104 : 질화물 처리 챔버 106 : 산화물 처리 챔버
108 : 폴리 처리 챔버 110 : 이송챔버
112 : 제 1 압력 차단문 114 : 제 2 압력 차단문
116 : 이송 메카니즘 118, 120, 122 : 압력 차단문
200 : 처리 챔버 202 : 내벽
204 : 압력 차단문 206 : 처리 튜브
208, 216 : 게이트 밸브 210, 220 : 펌프
214 : 차단 밸브 218 : 처리 가스
본 발명은 화학적 증착(chemical vapor deposition : CVD), 성장 및 산화와 같은 수개의 처리 단계를 주변 공기에 중간 노출시키는 일없이 실시하기 위한 반도체 클러스터 툴(cluster tool)을 제공한다. 초고진공(UHV) 이송 챔버는 복수개의 UHV 처리 챔버를 UHV 이송 메카니즘과 연결시켜 완전한 게이트 적층체 성장을 가능하게 해준다. 각 처리 챔버내의 진공은 이송 챔버의 압력과 일치되어 H2O와 기타 다른 입자 등의 오염물에 대한 노출을 단층 범위내로 감소시킬 수 있다. 더욱이 어떠한 웨이퍼도 이송 챔버 내에 위치하기 전에 UHV 로드/언로드(load/unload) 챔버 내로 로딩된다. 로드/언로드 챔버는 입자와 오염물이 최소화되도록 정화 및 펌핑된다(purged and pumped).
본원 명세서에서 사용하는 약자 중에서 CVD는 화학적 증착(Chemical Vapor Deposition)을 의미하고, LP는 전형적으로 10-4torr 범위의 저진공이며, UHV는 전형적으로 10-8torr 범위의 초고진공이며, UUHV는 전형적으로 10-10torr 범위의 극초진공을 의미한다.
도 1은 본 발명에 따른 UHV 웨이퍼 클러스터 (cluster) 처리 시스템(100)의 블록도이다. 도 1의 바람직한 실시예는 5개의 챔버(chamber)를 보여주고 있다. 5개의 챔버는 ① 로드/언로드(로드록) 챔버)(load/unload(loadlock) chamber)(102), ② 질화물 처리 챔버(104), ③ 산화물 처리 챔버(106), ④ 폴리 처리 챔버(108) 및 ⑤ 이송 챔버(110)이다. 4개의 챔버, 즉 로드/언로드 챔버(102), 질화물 처리 챔버(104), 산화물 처리 챔버(106) 및 폴리 처리 챔버(108)는 이송 챔버(110)에 연결되어 있다. 공정상 필요에 따라 다른 챔버들을 추가할 수 있는데, 이하에서는 5개의 챔버에 대해 상세히 설명한다. 각각의 챔버는 후술하는 압력 차단문(pressure isolation door)에 의해 이송 챔버(110)로부터 차단될 수 있다. 웨이퍼 집단(a batch of wafers)이 시스템(100)을 통하여 이동될 때 각 챔버의 압력을 이송 챔버(110)의 압력과 일치시켜 압력 차이 및 온도 차이로 인한 오염을 최소로 할 수 있다. 이송 챔버(110)의 압력은 본 실시예에서 UHV 내지 UUHV이다. 편의상 그 압력을 표준 압력이라 한다. 완전한 게이트 적층체는 웨이퍼를 물과 같은 어떠한 오염물에도 노출시키지 않고 제조할 수 있다. 시스템(100)에서의 처리에는 CMOS, BiCMOS, 바이폴라(Bipolar), SiGe 헤테로-정션 디바이스(hetero-junction device), 에피택셜(epitaxial) SiGe 디바이스 및 UHV와 UUHV하에서 제조된 기타 다른 디바이스들을 망라하는 다양한 반도체 디바이스의 제조가 포함될 수 있다..
시스템(100)에서의 처리는 처리할 웨이퍼 집단을 석영 보트(quartz boat) 상에 놓음으로써 시작된다. 웨이퍼는 8인치 또는 12인치 웨이퍼일 수 있다. 본 실시예에서는 웨이퍼를 석영 보트 상에 수직하게 배치하여 웨이퍼가 고온에서 처리될 때 웨이퍼가 휘어지는(sagging) 현상을 감소시키고 있다. 로드/언로드 챔버(102)는 그 내부의 압력을 차단하기 위한 두 개의 문을 갖고 있다. 제 1 압력 차단문(112)은 로드/언로드 챔버(102)를 시스템(100)의 주변 분위기에 연결시키며, 제 2 압력 차단문(114)은 이송 챔버(110)로 연결시킨다. 우선, 제 1 압력 차단문(112)을 개방시켜, 웨이퍼를 지지하는 석영 보트를 로드/언로드 챔버(102)내로 삽입한 다음에 제 1 압력 차단문(112)을 폐쇄한다. 로드/언로드 챔버(102)내의 주변 공기를 진공 펌프(도시 안함)를 통해 제거한다. 진공 펌프에 대해서는 하기에서 다시 설명한다. 로드/언로드 챔버(102)의 압력을 표준 압력으로 낮춘다. 로드/언로드 챔버(102)의 압력이 이송 챔버(110)의 압력으로 안정되면 예비 처리를 시작하는데, 이 예비 처리는 웨이퍼를 헬륨으로 정화시켜 웨이퍼상의 오염물을 함유한 산소나 수소를 제거하는 것이다. 웨이퍼 예비 단계가 완료된 후 에는, 로드/언로드 챔버의 압력을 점검하여 그 압력이 이송 챔버(110)의 표준 압력과의 일치를 확인하고 제 2 압력 차단문(114)을 개방시킨다.
처리상의 이 시점에서 웨이퍼를 가진 보트를 시스템(100)의 어떤 다른 챔버로도 이동시킬 수 있다. 보트 이동의 정확한 순서는 제조하는 디바이스와 처리 챔버의 종류 및 위치에 따를 것이다. 이하 게이트 적충체를 제조하는 프로세스를 설명한다.
이송 챔버(110)내의 서보 제어형 기계식 이송 메카니즘(116)에 의해 보트를 산화물 처리 챔버(106)로 이동시킨다. 산화물 처리 챔버(106)의 압력이 이송 챔버(110)의 표준 압력과 일치되면, 산화물 처리 챔버(106)에 대한 압력 차단문(120)을 개방시킨다. 다음, 웨이퍼를 가진 보트를 산화물 처리 챔버(106) 내로 이송시키고, 압력 차단문(120)을 폐쇄하며, 산화물 처리를 시작하는데 이 산화물 처리는 웨이퍼 상에 산화물을 성장시키는 것이다. 본 실시예에서는 산화물을 900℃에서 성장시켜, 두께가 7Å 내지 30Å인 산화물 층을 형성한다. 산화물 처리가 완료된 후, 산화물 처리 챔버(106)의 압력을 점검하여 이송 챔버(110)의 표준 압력과의 일치를 확인하고, 압력 차단문(120)을 개방시킨다.
질화물 처리 챔버(104)의 압력을 이송 챔버(110)의 압력에 일치시킨다. 이송 메카니즘(116)에 의해 보트를 질화물 처리 챔버(104)로 이동시킨다. 질화물 챔버(104)내의 압력을 이송 챔버(110)의 표준 압력과 일치하도록 조정하고, 질화물 처리 챔버(104)를 이송 챔버(110)로 연결시키는 압력 차단문(118)을 개방시킨다. 웨이퍼를 가진 보트를 질화물 처리 챔버(104)내로 이송하고, 압력 차단문(118)을 폐쇄한다. 웨이퍼 상에 두께가 5Å인 극히 얇은 질화물 층을 형성한다. 질화물 처리가 완료된 후, 질화물 처리 챔버(104)의 압력을 점검하여 이송 챔버(110)의 표준 압력과의 일치를 확인한다. 그들 압력이 일치하면, 압력 차단문(118)을 개방시키고, 웨이퍼를 가진 보트를 이송 메카니즘(116)에 의해 폴리 처리 챔버(108)로 이송한다.
폴리 처리 챔버(108)의 압력을 이송챔버(110)의 표준 압력에 일치시킨다. 서보 제어형 기계식 이송 메카니즘에 의해 보트를 폴리 처리 챔버(108)로 이송시킨다. 폴리 처리 챔버를 이송 챔버로 연결시키는 압력 차단문(122)을 개방시키고, 웨이퍼를 가진 보트를 폴리 처리 챔버로 이송한다. 다음, 압력 차단문(122)을 폐쇄하고, 큰 결정립 사이즈의 실리콘을 침착시키는 폴리 처리를 시작한다. 웨이퍼 상에 두께가 700Å 내지 1500Å인 층을 형성한다. 폴리 처리 후 웨이퍼를 가진 보트를 이송 메카니즘(116)에 의해 로드/언로드 챔버(102)로 재이송한다.
시스템(100)은 수개의 서로 다른 석영 보트를 순차적으로 회전 이동시켜 고생산성의 처리를 제공하는 일괄 모드로 동작할 수 있다는 것이 중요하다. 웨이퍼를 갖고 있는 각각의 보트는 주변 공기에 대한 중간 노출 없이 수개의 서로 다른 처리를 수행할 수 있다. 석영 보트를 이용함으로써, 차가운 이송 메카니즘이 웨이퍼와 절대 접촉하지 않으므로 열충격을 배제할 수 있고 입자 발생을 줄일 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 도 1에 도시한 클러스터 처리 시스템(100)의 처리 챔버들 중의 하나(200)를 도시한 블록도이다. 각각의 처리 챔버(206)는 웨이퍼 집단을 처리하기 위한 적합한 크기의 튜브이다. 각각의 처리 챔버, 즉 질화물 처리 챔버(104), 산화물 처리 챔버(106) 및 폴리 처리 챔버(108)의 크기는 각각의 처리 단계에서 요구되는 바에 따라 달라질 수 있다. 각각의 처리 챔버의 내벽(202)은 석영으로 되어 있다. 석영으로 된 내벽은 특히 고온과 처리 압력 중에 가스 오염물을 내벽으로부터 밖으로 내보므로, 석영으로 된 내벽을 가진 처리 챔버를 사용하면 처리 중에 웨이퍼의 오염 가능성을 줄일 수 있다. 가스 방출(out-gassing)의 문제가 최소로 유지될 수 있는 경우에는 실리콘 탄화물(silicon carbide)과 같은 다른 물질을 사용할 수도 있다. 압력 차단문(204)은 각각의 처리 챔버에 대한 도 1에 도시한 문들(118, 120, 122) 중의 하나에 해당한다. 이러한 압력 차단문들은 각 처리 챔버내의 압력을 이송 챔버의 표준 압력으로부터 차단시키는 것 외에도 챔버의 온도를 차단시킨다. 그들 처리 챔버, 즉 질화물 처리 챔버(104), 산화물 처리 챔버(106) 및 폴리 처리 챔버(108)의 동작 온도는 서로 차단됨으로써 한 처리 챔버의 동작 온도 범위는 다른 처리 챔버의 동작온도 범위와는 독립적으로 된다. 각 챔버의 일반적인 동작 온도는 200℃ 내지 1200℃이다. 각 처리 챔버는 튜브형 노에서 사용하는 것과 같은 원형 저항기에 의해 가열됨으로써 표준 가열 램프와 비교하여 가열이 더욱 균일하다. 다른 실시예에서는, 웨이퍼를 가진 보트의 이송시에 처리 튜브들 중의 하나와 이송 챔버(110)간의 압력을 일치시키는 것 외에도, 온도를 비롯한 다른 분위기 변수를 웨이퍼의 오염 가능성의 감소를 위해 설정한다.
각 처리 튜브(206)의 압력은 게이트 밸브(208)와 표준 압력 펌프(210)를 개방시키는 것에 의해 UHV 범위에서 UUHV 범위로 낮출 수 있다. 차단 밸브(214)를 개방하여 처리 가스(218)를 각각의 처리 튜브(206)내로 도입시킨다. 처리 튜브(206)는 배기 펌프(220)를 사용하여 게이트 밸브(216)를 통해서 배기시킨다. 처리 가스를 질화물 처리 챔버(104), 산화물 처리 챔버(106) 및 폴리 처리 챔버(108)에 대해 일치시킨다. 처리 챔버는 주변 공기에 대한 어떠한 노출도 없이 전체 게이트 적충체를 형성하기 위한 폴리-실리콘 침착, 에피텍셜 실리콘 성장, 유전체 침착 및 산화를 가능하게 한다.
도 3은 본 발명에 따른 도 1에 도시한 반도체 웨이퍼 클러스터 처리 시스템에서 실시되는 처리의 일부에 대한 공정도이다. 이 처리는 로드/언로드 챔버(102)의 분위기(즉, 압력, 온도 및 기타 변수)를 주변 분위기에 일치시키는 것으로부터 시작된다(단계 302). 로드/언로드 챔버(102)의 분위기가 주변 분위기에 일치되면(단계 304), 제 1문(112)을 개방하여 처리할 반도체 디바이스를 로딩한다(단계306). 다음, 로드/언로드 챔버(102)의 분위기를 이송 챔버(114)의 압력에 일치시킨다. 압력이 일치되면(단계 308 및 310),제 2 문(114)을 개방하여 반도체 디바이스를 이송 챔버(114)내로 이동시킨다(단계312). 처리 챔버(도 1을 참조하면, 질화물 처리 챔버(104), 산화물 처리 챔버(106), 또는 폴리 처리 챔버(108))의 분위기를 배기시켜 이송챔버(114)의 분위기와 일치시킨다(단계 314 및 316). 처리 챔버에 대응하는 문(118, 120, 122)을 개방하여 반도체 디바이스를 처리 챔버에 로딩한다(단계 318). 반도체 디바이스를 처리 챔버에서 처리하고, 처리가 완료되면(단계 320), 반도체 디바이스를 처리 챔버의 분위기가 이송 챔버(114)의 분위기와 다시 일치하는 때 이송 챔버(114)를 통해 이동시켜 다른 처리를 받게 하거나 또는 로드/언로드 챔버(112)로 이동되게 할 수 있다.
이상 본 발명의 특정 실시예를 설명했지만, 당업자라면 알 수 있듯이 본 발명의 사상 및 범주 내에서 상술한 특정 실시예를 변경시킬 수 있다. 따라서, 본 발명은 상술한 특정 실시예에 한정하고자 하는 것은 아니고 특허청구범위에 의해 본 발명의 범주내에 속하는 그러한 모든 응용예, 수정예 및 다른 실시예를 포괄하고자 한다.
본 발명은 CVD, 성장 및 산화와 같은 수개의 처리 단계를 주변 공기에 중간 노출시키는 일없이 실시하기 위한 반도체 클러스터 툴(cluster tool)을 제공하는 것에 의해, 서두 부분에서 언급한 종래 기술의 문제점들을 극복하는 일괄 처리 시스템을 제공한다.

Claims (17)

  1. 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템(semiconductor device cluster processing system)에 있어서,
    ① 진공 압력 레벨로 계속 유지될 수 있는 내부 용적을 규정하며, 복수개의 포트(port)를 갖는 이송 챔버(transfer chamber)와,
    ② 디바이스를 포트들 간에 이송시키기 위한 이송 챔버 내의 디바이스 이송 메카니즘(device transfer mechanism)과,
    ③ 처리 중에 반도체 디바이스들을 제각기 보유지지할 수 있는 복수개의 처리 튜브(processing chamber) ― 상기 처리 튜브들의 각각은 상기 처리 튜브와 상기 이송 챔버간의 압력을 차단하기 위한 압력 차단문(pressure-isolating door)을 통하여 상기 이송 챔버의 포트들 중의 하나에 각각 연결됨 ― 와,
    ④ 상기 이송 챔버의 포트들 중의 하나를 주변 분위기로 연결시키며 두개의 압력 차단문 즉 제 1 및 제 2 압력 차단문을 가진 로드/언로드 챔버(load/unload chamber) ― 상기 제 1 압력 차단문은 상기 로드/언로드 챔버와 상기 주변 분위기간에서 상기 디바이스를 이송시키기 위한 것이고 상기 제 2 압력 차단문은 상기 로드/언로드 챔버와 상기 이송 챔버간에서 상기 디바이스를 이송시키기 위한 것이며, 상기 제 1 및 제 2 압력 차단문은 상호 협동하여 상기 로드/언로드 챔버내의 진공 압력이 상기 이송 챔버에 대한 압력 차단문의 개방시 상기 이송 기구내의 압력에 근사하도록 일치될 수 있거나 상기 주변 분위기에 대한 압력 차단문의 개방시 상기 주변 분위기의 압력에 근사하도록 일치될 수 있게 함 ―
    를 구비하는 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템은 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 메카니즘을 구비하는 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반도체 디바이스는 석영 캐리어(quartz carrier)내에 수직으로 장착되어 고온에서 상기 디바이스가 휘어지는 새깅(sagging) 현상을 감소시키는 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 로드/언로드 챔버는 상기 디바이스로부터 수소와 산소를 정화시키기(purging) 위한 처리 챔버로서 작용하는 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 튜브들 중의 적어도 하나는 석영 또는 실리콘 탄화물(silicon carbide)로 구성되는 내벽을 더 포함하여 상기 튜브로부터 상기 튜브내에서 처리되고 있는 디바이스로의 가스 방출(out-gassing)을 감소시키는 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 튜브들 중의 적어도 하나는 원형 저항 코일 가열기를 구비하는 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 이송 챔버의 진공 압력 레벨은 적어도 UHV인 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 튜브내에 상기 디바이스를 삽입하거나 상기 처리 튜브로부터 상기 디바이스를 제거하는 동안 상기 처리 튜브의 온도를 상기 이송 챔버의 온도와 일치시키는 장치를 구비하는 반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템.
  9. 반도체 디바이스의 바람직하지 못한 오염물을 최소화하면서 상기 반도체 디바이스를 처리하기 위한 장치에 있어서,
    ① 처리 단계를 상기 반도체 디바이스의 처리에 적용하는데 적합한 복수개의 처리 챔버 ― 상기 처리 챔버들의 각각은 상기 디바이스를 상기 처리 챔버내로 또는 상기 처리 챔버로부터 이송하는 때에 이송 챔버와 일치하도록 하는 압력을 발생시키기 위한 진공 펌프를 가짐 ― 와,
    ② 특정 압력에서 작동하며 적어도 하나의 디바이스를 적어도 두개의 처리 챔버간에서 이송시키기 위한 이송 챔버와,
    ③ 상기 이송 챔버와 선택된 처리 챔버간에서 상기 디바이스를 이송시키기 위한 이송 메카니즘
    을 구비하는 반도체 디바이스 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 반도체 디바이스 처리 장치는 로드/언로드 챔버를 더 구비하며, 상기 로드/언로드 챔버는,
    상기 로드/언로드 챔버내의 압력을 상기 이송 챔버의 압력과 일치하도록 낮추는 펌프와,
    내부 및 외부 압력 차단문
    을 구비하고, 상기 압력 차단문들의 각각은 상호 협동하여 상기 로드/언로드 챔버내의 압력이 외부 압력 차단문의 개방시 주변 환경의 압력과 일치될 수 있고 상기 내부 압력 차단문의 개방시 상기 이송 챔버의 압력과 일치될 수 있게 하는 반도체 디바이스 처리 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 반도체 디바이스 처리 장치가 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 메카니즘을 구비하는 반도체 디바이스 처리 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 처리 챔버들 중의 적어도 하나는 석영 또는 실리콘 탄화물로 된 내벽을 더 포함하는 반도체 디바이스 처리 장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 처리 튜브들 중의 적어도 하나는 원형 저항 코일 가열기를 더 포함하는 반도체 디바이스 처리 장치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 처리 챔버내에 상기 디바이스를 삽입하거나 상기 처리 챔버로부터 상기 디바이스를 제거하는 동안 상기 처리 챔버의 온도를 상기 이송 챔버의 온도와 일치시키는 장치를 구비하는 반도체 디바이스 처리 장치.
  15. 디바이스의 바람직하지 않은 오염을 최소화하기 위한 반도체 디바이스 처리 방법에 있어서,
    ① 이송 챔버내의 제어된 분위기(a controlled atmosphere)를 유지시키는 단계와,
    ② 처리 단계를 디바이스의 처리에 적용하는데 적합한 복수개의 처리 챔버들 간에서 디바이스를 이송시키는 단계와,
    ③ 상기 디바이스가 삽입 또는 방출되는 상기 처리 챔버들 중의 하나내의 제어된 분위기와 상기 이송 챔버의 제어된 분위기간의 압력을 진공 펌프를 사용하여 일치시키는 단계
    를 포함하는 반도체 디바이스 처리 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    ① 로드/언로드 챔버의 제 1 문을 통해 처리를 위한 디바이스를 로딩하는 단계와,
    ② 상기 로드/언로드 챔버내의 압력을 상기 이송 챔버의 제어된 분위기와 일치시키기 위하여 펌핑(pumping)하는 단계와,
    ③ 일단 상기 로드/언로드 챔버내의 압력이 상기 이송 챔버와 일치하면 상기 디바이스를 상기 로드/언로드 챔버로부터 제 2문을 통하여 상기 이송 챔버로 이송시키는 단계
    를 더 포함하는 반도체 디바이스 처리 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    수소 및 산소를 제거하기 위하여 상기 로드/언로드 챔버내의 디바이스를 정화시키는 단계를 더 포함하는 반도체 디바이스 처리 방법.
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