JP2023530556A - バッチ熱処理チャンバ - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 第1の側壁、および第1の方向で前記第1の側壁と対向する第2の側壁を有するハウジング構造体と、
前記第1の側壁に結合されたガス注入アセンブリと、
前記第2の側壁に結合されたガス排気アセンブリと、
前記ハウジング構造体内に配置された石英チャンバと、
前記石英チャンバ内に配置された処理キットであって、
エンクロージャであって、前記エンクロージャ内に黒体放射を生じるように構成された材料を含む内面を有する、エンクロージャ、および
前記エンクロージャ内に配置されたカセットであって、棚の上に基板を保持するように構成された複数の棚を有する、カセット
を備える、処理キットと、
前記石英チャンバの第1の側に配置され、前記基板に放射熱を提供するように構成された複数の上部ランプモジュールと、
前記第1の方向に垂直な第2の方向で前記第1の側に対向する前記石英チャンバの第2の側に配置され、前記基板に放射熱を提供するように構成された複数の下部ランプモジュールと
を備える、処理チャンバ。 - 前記処理キットは、
上部外側ライナおよび下部外側ライナを備えた外側ライナと、
内側ライナであって、
前記内側ライナの注入側に配置され、前記ガス注入アセンブリと流体連結するように構成された複数の第1の入口開口部、および
前記内側ライナの排気側に配置され、前記ガス排気アセンブリと流体連結するように構成された複数の第1の出口開口部
を有する、内側ライナと、
前記内側ライナの内面に取り付けられた天板および底板であって、前記内側ライナとともに前記エンクロージャを形成する、天板および底板と
をさらに備える、請求項1に記載の処理チャンバ。 - 前記内側ライナ、前記天板、および前記底板は炭化ケイ素(SiC)を含む、請求項2に記載の処理チャンバ。
- 前記内側ライナ、前記天板、および前記底板は炭化ケイ素(SiC)被覆グラファイトを含む、請求項2に記載の処理チャンバ。
- 前記処理キットは、
前記注入側で、前記上部外側ライナと前記下部外側ライナとの間に配置された入口シールドであって、前記内側ライナの前記複数の第1の入口開口部と流体連結する複数の第2の入口開口部を有する、入口シールドと、
前記排気側で、前記上部外側ライナと前記下部外側ライナとの間に配置された出口シールドであって、前記内側ライナの前記複数の第1の出口開口部と流体連結する複数の第2の出口開口部を有する、出口シールドと
をさらに備える、請求項2に記載の処理チャンバ。 - 前記注入側で、前記入口シールドと前記内側ライナとの間に配置された熱シールドであって、前記内側ライナの前記複数の第1の入口開口部と流体連結する複数の第3の入口開口部を有する、熱シールド
をさらに備える、請求項5に記載の処理チャンバ。 - 前記複数の棚は炭化ケイ素(SiC)を含む、請求項1に記載の処理チャンバ。
- 前記複数の棚は炭化ケイ素(SiC)被覆グラファイトを含む、請求項1に記載の処理チャンバ。
- 第1の側壁、および第1の方向で前記第1の側壁と対向する第2の側壁を有するハウジング構造体と、
前記第1の側壁に結合されたガス注入アセンブリと、
前記第2の側壁に結合されたガス排気アセンブリと、
前記ハウジング構造体内に配置された石英チャンバと、
前記石英チャンバ内に配置された処理キットであって、
棚の上に基板を保持するように構成された複数の棚を有するカセット
を備える、処理キットと、
前記石英チャンバの第1の側に配置され前記処理キットに放射熱を提供するように構成された複数の上部ランプモジュールと、
前記第1の方向に垂直な第2の方向で前記第1の側に対向する前記石英チャンバの第2の側に配置され、前記処理キットに放射熱を提供するように構成された複数の下部ランプモジュールと、
前記第2の方向に前記カセットを移動させ、前記第2の方向の周りに前記カセットを回転させるように構成されたリフト回転機構と
を備える、処理チャンバ。 - 前記処理キットは、
上部外側ライナおよび下部外側ライナを備えた外側ライナと、
内側ライナであって、
前記内側ライナの注入側に配置され、前記ガス注入アセンブリと流体連結するように構成された複数の第1の入口開口部、および
前記内側ライナの排気側に配置され、前記ガス排気アセンブリと流体連結するように構成された複数の第1の出口開口部
を有する、内側ライナと、
前記内側ライナの内面に取り付けられた天板および底板であって、前記内側ライナとともにエンクロージャを形成する、天板および底板と
をさらに備え、
前記エンクロージャの内面は前記エンクロージャ内に黒体放射を生じるように構成された材料を含む、請求項9に記載の処理チャンバ。 - 前記内側ライナ、前記天板、および前記底板は炭化ケイ素(SiC)を含む、請求項10に記載の処理チャンバ。
- 前記内側ライナ、前記天板、および前記底板は炭化ケイ素(SiC)被覆グラファイトを含む、請求項10に記載の処理チャンバ。
- 前記処理キットは、
前記注入側で、前記上部外側ライナと前記下部外側ライナとの間に配置された入口シールドであって、前記内側ライナの前記複数の第1の入口開口部と流体連結する複数の第2の入口開口部を有する、入口シールドと、
前記排気側で、前記上部外側ライナと前記下部外側ライナとの間に配置された出口シールドであって、前記内側ライナの前記複数の第1の出口開口部と流体連結する複数の第2の出口開口部を有する、出口シールドと
をさらに備える、請求項10に記載の処理チャンバ。 - 前記処理キットは、
前記注入側で、前記入口シールドと前記内側ライナとの間に配置された熱シールドであって、前記内側ライナの前記複数の第1の入口開口部と流体連結する複数の第3の入口開口部を有する、熱シールド
をさらに備える、請求項13に記載の処理チャンバ。 - 前記複数の棚は炭化ケイ素(SiC)を含む、請求項9に記載の処理チャンバ。
- 前記複数の棚は炭化ケイ素(SiC)被覆グラファイトを含む、請求項9に記載の処理チャンバ。
- 第1の側壁、および第1の方向で前記第1の側壁と対向する第2の側壁を有するハウジング構造体、
前記第1の側壁に結合されたガス注入アセンブリ、
前記第2の側壁に結合されたガス排気アセンブリ、
前記ハウジング構造体内に配置された石英チャンバ、
前記石英チャンバ内に配置された処理キットであって、
エンクロージャであって、前記エンクロージャ内に黒体放射を生じるように構成された材料を含む内面を有する、エンクロージャ、および
前記エンクロージャ内に配置されたカセットであって、棚の上に基板を保持するように構成された複数の棚を有する、カセット
を備える、処理キット、
前記石英チャンバの第1の側に配置され、前記基板に放射熱を提供するように構成された複数の上部ランプモジュール、
前記第1の方向に垂直な第2の方向で前記第1の側に対向する前記石英チャンバの第2の側に配置され、前記基板に放射熱を提供するように構成された複数の下部ランプモジュール、ならびに
前記第2の方向に前記カセットを移動させ、前記第2の方向の周りに前記カセットを回転させるように構成されたリフト回転機構
を備える処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配置された前記処理キットとの間で基板を移送するように構成された移送ロボットと
を備える、処理システム。 - 前記処理キットは、
上部外側ライナおよび下部外側ライナを備えた外側ライナと、
内側ライナであって、
前記内側ライナの注入側に配置され、前記ガス注入アセンブリと流体連結するように構成された複数の第1の入口開口部、
前記内側ライナの排気側に配置され、前記ガス排気アセンブリと流体連結するように構成された複数の第1の出口開口部、および
スリット開口部
を有する、内側ライナと、
前記内側ライナの内面に取り付けられた天板および底板であって、前記天板および前記底板は前記内側ライナとともに前記エンクロージャを形成し、前記エンクロージャの内面は前記エンクロージャ内に黒体放射を生じるように構成された材料を含む、天板および底板と
をさらに備える、請求項17に記載の処理システム。 - 前記内側ライナ、前記天板、前記底板、および前記複数の棚は、炭化ケイ素(Si)および炭化ケイ素(SiC)被覆グラファイトから選択される材料を含む、請求項18に記載の処理システム。
- 前記処理キットは、
前記注入側で、前記上部外側ライナと前記下部外側ライナとの間に配置された入口シールドであって、前記内側ライナの前記複数の第1の入口開口部と流体連結する複数の第2の入口開口部を有する、入口シールドと、
前記排気側で、前記上部外側ライナと前記下部外側ライナとの間に配置された出口シールドであって、前記内側ライナの前記複数の第1の出口開口部と流体連結する複数の第2の出口開口部を有する、出口シールドと、
前記注入側で、前記入口シールドと前記内側ライナとの間に配置された熱シールドであって、前記内側ライナの前記複数の第1の入口開口部と流体連結する複数の第3の入口開口部を有する、熱シールドと
をさらに備える、請求項18に記載の処理システム。
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