JPS58158915A - 薄膜生成装置 - Google Patents
薄膜生成装置Info
- Publication number
- JPS58158915A JPS58158915A JP57042456A JP4245682A JPS58158915A JP S58158915 A JPS58158915 A JP S58158915A JP 57042456 A JP57042456 A JP 57042456A JP 4245682 A JP4245682 A JP 4245682A JP S58158915 A JPS58158915 A JP S58158915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- processed
- high frequency
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 26
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 3
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 5
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/005—Oxydation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋ａｌ 発明の技術分野
本発明は薄膜生成装置に係り、特に熱力学的分解反応を
利用して被処理基板上に所望の薄膜を成長せしめる気相
成長装置の改良に関する。
利用して被処理基板上に所望の薄膜を成長せしめる気相
成長装置の改良に関する。
ｆｂ） 従来技術と問題点
従来より被処理基板上に所望の薄膜を生成するのに、真
空蒸着法、スパッタ法、或いは気相成長法等が用いられ
ている。これらのうち気相成長法は良質のエピタキシア
ル層７等を成長させることが出来、また一度に多数の試
料を処理出来るという利点がある。
空蒸着法、スパッタ法、或いは気相成長法等が用いられ
ている。これらのうち気相成長法は良質のエピタキシア
ル層７等を成長させることが出来、また一度に多数の試
料を処理出来るという利点がある。
この気相成長法は一般に、熱力学的分解反応を利用して
いる。例えばシリコン（Ｓｉ）基板上にＳｔのエピタキ
シアル層を成長するには、５ＩＣ１４等の反応ガスを凡
そ１０００（’Ｃ）以上の温度に加熱されたＳｔ基板、
上に供給し、そのガスの熱分解により生成されたＳｉを
被処理基板上に堆積せしめるものである。
いる。例えばシリコン（Ｓｉ）基板上にＳｔのエピタキ
シアル層を成長するには、５ＩＣ１４等の反応ガスを凡
そ１０００（’Ｃ）以上の温度に加熱されたＳｔ基板、
上に供給し、そのガスの熱分解により生成されたＳｉを
被処理基板上に堆積せしめるものである。
上記気相成長をできるだは低い温度で行うには、反応ガ
スをプラズマ放電等を利用して励起状態にすれば良いこ
とは周知であって、この目的のため従来より第１図に示
すような気相化学成長（ＣＶＤ）装置が用いられて、い
る。
スをプラズマ放電等を利用して励起状態にすれば良いこ
とは周知であって、この目的のため従来より第１図に示
すような気相化学成長（ＣＶＤ）装置が用いられて、い
る。
同図において、ｌは被処理基板で例えばシリコン（Ｓｔ
）基板、２は上記Ｓｔ基板１を搭載する石英等よりなる
ホルダ、３及び４はは石英よりなる反応管及び蓋、５は
電熱ヒータのよ、うな加熱器、６は高周波コイルである
。
）基板、２は上記Ｓｔ基板１を搭載する石英等よりなる
ホルダ、３及び４はは石英よりなる反応管及び蓋、５は
電熱ヒータのよ、うな加熱器、６は高周波コイルである
。
このＣＶＤ装置により薄膜を成長するには、まず反応管
３内に所定の反応ガスを導入し、蓋４に設けられた排気
ロアより排気することにより、反応管３内部を所定の反
応圧力とし、被処理基板１を加熱器５により所定の温度
に加熱する。そして高周波コイル６より高周波電力を印
加して反応管３内部のガスを励起状態とする。
３内に所定の反応ガスを導入し、蓋４に設けられた排気
ロアより排気することにより、反応管３内部を所定の反
応圧力とし、被処理基板１を加熱器５により所定の温度
に加熱する。そして高周波コイル６より高周波電力を印
加して反応管３内部のガスを励起状態とする。
しかしかかる構造の従来装置では、反応ガスを励起する
場所から被処理基板までの距離が基板ごとに異なること
と、励起状態の寿命が有限であることから、活性な反応
種を総ての被処理基板に一様に供給することが困難であ
る。そのため大量の基板を一度に処理することができな
い。更に励起状態の寿命が短い場合には活性な反応種が
被処理基板に到達できない場合もある。
場所から被処理基板までの距離が基板ごとに異なること
と、励起状態の寿命が有限であることから、活性な反応
種を総ての被処理基板に一様に供給することが困難であ
る。そのため大量の基板を一度に処理することができな
い。更に励起状態の寿命が短い場合には活性な反応種が
被処理基板に到達できない場合もある。
更にかかる構造では、被処理基板の加熱用及び反応ガス
の励起用と２つのエネルギ源を必要うとする。
の励起用と２つのエネルギ源を必要うとする。
ｔｃ＋ 発明の目的
本発明の目的は、被処理基板の配設位置近傍において反
応ガスを励起し得る薄膜生成装置を提供することにある
。
応ガスを励起し得る薄膜生成装置を提供することにある
。
＋ｄｌ 発明の構成
この目的は本発明において、気相化学成長装置に、被処
理基板を取り巻き且つ相互に所定間隔を隔てて配設され
た複数個の環状の誘導加熱手段と、該複数個の環状誘導
加熱手段の外側に高周波電力印加手段とを設けたことに
より達成される。
理基板を取り巻き且つ相互に所定間隔を隔てて配設され
た複数個の環状の誘導加熱手段と、該複数個の環状誘導
加熱手段の外側に高周波電力印加手段とを設けたことに
より達成される。
（ｅ＋ 発明の実施例
以下本発明を実施例により説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す要部断面図であって、
第１図と同一部分は同一符号で示しである。同図におい
て、１１は着脱可能な開閉蓋で反応ガス導入管１２を備
え、１３−１〜１３−４はいずれもカーボン（Ｃ）から
なりシリコンカーバイド（ＳｉＣ）を被覆された環状の
誘導加熱体であって、相互に一定の間隔をもって離隔し
て配設されている。更に１４は石英よりなる円筒管で、
前記複数個の誘導加熱体１３−１〜１３−４．及び高周
波コイル６を相互に離隔して保持する。
第１図と同一部分は同一符号で示しである。同図におい
て、１１は着脱可能な開閉蓋で反応ガス導入管１２を備
え、１３−１〜１３−４はいずれもカーボン（Ｃ）から
なりシリコンカーバイド（ＳｉＣ）を被覆された環状の
誘導加熱体であって、相互に一定の間隔をもって離隔し
て配設されている。更に１４は石英よりなる円筒管で、
前記複数個の誘導加熱体１３−１〜１３−４．及び高周
波コイル６を相互に離隔して保持する。
次に上記一実施例による薄膜生成方法について説明す−
る。
る。
まず反応管３内の所定位置に、多数の被処理基板例えば
Ｓｔ基板ｌを搭載した石英ホルダ２を挿入する。開閉蓋
１１を装着し、ガス導入管１２より水素（Ｈ，）ガスで
希釈した四塩化珪素（ＳｉＣ１，）ガスを導入すると共
に排気ロアより排気して、反応管３内部を減圧状態とす
る。次いで高周波コイル６より周波数凡そ４００ （ｋ
Ｈｚ）の高周波電力を供給する。すると環状誘導加熱体
１３−１〜１３−４は誘導加熱されて昇温し、これらか
らの輻射により基板１が加熱される。上記誘導加熱体１
１−１〜１１−４相互間には所定の間隙が設けられてい
るので、高周波電力の一部は上記間隙を通って反応管３
内部に供給され、プラズマ放電を発生させ、５ｉＣ１，
を励起する。ここでＳｔ基板ｌの温度を約１論〔℃〕に
調節しておけば、励起状態にある５ｉＣＩ４が分解した
Ｓｉ原子は容易にＳｉ基板１と結合し、エビタキソアル
層がＳｉ基板１表面に成長する。
Ｓｔ基板ｌを搭載した石英ホルダ２を挿入する。開閉蓋
１１を装着し、ガス導入管１２より水素（Ｈ，）ガスで
希釈した四塩化珪素（ＳｉＣ１，）ガスを導入すると共
に排気ロアより排気して、反応管３内部を減圧状態とす
る。次いで高周波コイル６より周波数凡そ４００ （ｋ
Ｈｚ）の高周波電力を供給する。すると環状誘導加熱体
１３−１〜１３−４は誘導加熱されて昇温し、これらか
らの輻射により基板１が加熱される。上記誘導加熱体１
１−１〜１１−４相互間には所定の間隙が設けられてい
るので、高周波電力の一部は上記間隙を通って反応管３
内部に供給され、プラズマ放電を発生させ、５ｉＣ１，
を励起する。ここでＳｔ基板ｌの温度を約１論〔℃〕に
調節しておけば、励起状態にある５ｉＣＩ４が分解した
Ｓｉ原子は容易にＳｉ基板１と結合し、エビタキソアル
層がＳｉ基板１表面に成長する。
本実施例では従来の抵抗加熱炉と同様に周囲に配設され
た誘導加熱体１３−１〜１３−４からの熱輻射により加
熱されるので、被処理基板１の面内及び基板間の温度分
布はほぼ均一である。また、高周波電力の一部は誘導加
熱体相互の間隙から反応管内部に供給され、彼処−基板
１が配設された領域において反応ガスを励起する。従っ
てプラズマ発生場所から被処理基板１のそれぞれまでの
距離は一様であり、被処理基板内及び相互間の膜厚分布
は均一化される。
た誘導加熱体１３−１〜１３−４からの熱輻射により加
熱されるので、被処理基板１の面内及び基板間の温度分
布はほぼ均一である。また、高周波電力の一部は誘導加
熱体相互の間隙から反応管内部に供給され、彼処−基板
１が配設された領域において反応ガスを励起する。従っ
てプラズマ発生場所から被処理基板１のそれぞれまでの
距離は一様であり、被処理基板内及び相互間の膜厚分布
は均一化される。
上記本発明に係る薄膜成長装置は、励起状態の寿命が短
い反応ガスを用いた薄膜成長にも使用し得る。例えば、
前記一実施例の薄膜成長装Ｎ（第２図）により、反応ガ
スとして純化したアンモニア（ＮＨ，）ガスを用い、反
応圧力を約１００（Ｐａ、パスカル）として高周波電力
を印加する。すると上記ＮＨ，ガスはプラズマ解離し、
励起状態の窒素（Ｎ）原子が生成される。これは極めて
寿命が短いが、発生場所が被処理基板のＳｉ基板１近傍
であるため、約１０００（℃）に加熱されたＳｉ基板１
と容易に反応し、窒化シリコン膜が成長する。このよう
にして形成した窒化シリコン膜はＳｉ基板１と密着性が
よく、また緻密な構造を有するという特徴があり、半導
体装置を製造するのに有用である。
い反応ガスを用いた薄膜成長にも使用し得る。例えば、
前記一実施例の薄膜成長装Ｎ（第２図）により、反応ガ
スとして純化したアンモニア（ＮＨ，）ガスを用い、反
応圧力を約１００（Ｐａ、パスカル）として高周波電力
を印加する。すると上記ＮＨ，ガスはプラズマ解離し、
励起状態の窒素（Ｎ）原子が生成される。これは極めて
寿命が短いが、発生場所が被処理基板のＳｉ基板１近傍
であるため、約１０００（℃）に加熱されたＳｉ基板１
と容易に反応し、窒化シリコン膜が成長する。このよう
にして形成した窒化シリコン膜はＳｉ基板１と密着性が
よく、また緻密な構造を有するという特徴があり、半導
体装置を製造するのに有用である。
このように本発明は励起状態の寿命がごく短い′反応ガ
スを用いる場合にも用いることが出来るという利点を有
する。
スを用いる場合にも用いることが出来るという利点を有
する。
本発明は前記一実施例に限定されるものではなく、更に
種々変形して実施し得る。
種々変形して実施し得る。
即ち、高周波誘導コイル６及び誘導加熱体１３−１〜１
３−４は反応管３の内部に設けてもよく、また誘導加熱
体の数も４個である必要はなく、必要に応じて選択して
よい。
３−４は反応管３の内部に設けてもよく、また誘導加熱
体の数も４個である必要はなく、必要に応じて選択して
よい。
また本発明の薄膜成長装置は上述のエピタキシアル成長
及び窒化シリコン膜の成長に使用し得るのみならず、他
の薄膜成長にも使用し得るものである。
及び窒化シリコン膜の成長に使用し得るのみならず、他
の薄膜成長にも使用し得るものである。
例えば、前記第２図の装置では高周波コイル及び誘導加
熱体が反応管の外部゛に設けられているので、Ｓｉのプ
ラズマ酸化装置として用いて好適である。即ち前記第２
図の装置では発熱部が直接酸素（０，）プラズマに晒さ
れることがないため、装置を安定に保ことが可能でる。
熱体が反応管の外部゛に設けられているので、Ｓｉのプ
ラズマ酸化装置として用いて好適である。即ち前記第２
図の装置では発熱部が直接酸素（０，）プラズマに晒さ
れることがないため、装置を安定に保ことが可能でる。
また高周波電力を印加するには、高周波コイルによる誘
導加熱法に変えて、容量結合としてもよいこと、更には
反応管は石英管に限られるものでないこと・等は特に説
明するまでも、ない。
導加熱法に変えて、容量結合としてもよいこと、更には
反応管は石英管に限られるものでないこと・等は特に説
明するまでも、ない。
（ｆｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明により、被処理基板の配設位置近
傍において反応ガスを励起し得るｌｌ１ｉｉＩ生成装置
が提供される。
傍において反応ガスを励起し得るｌｌ１ｉｉＩ生成装置
が提供される。
第１図は従来の薄膜生成装置の説明に供するための要部
断面図、第２図は本発明の一実施例を示す要部断面図で
ある。 図において、１は被処理基板、・３は反応管、６は高周
波コイル、７は排気口、１２は反応ガス導入管、１３−
１〜１３−４は誘導加熱体を示す。 手続補正書ｌ樹 昭和 年 月 １１ １゛ｌｌ’１（ｒノノノ小 ”’ｊｆｌｌ ！１７ ＋ｌ持訂願第４２４５１ ｊう
３３ １市 １１ ５ １− ％ ８・ｌｉｌ’ｌ
’内閉１４ 特許出願人４ 代 理
人 ｆｌｌ所 神奈川県用崎市中原区ｌ：ｌ
ｊ−田中＋（１１５１地（１）本願明細書第１頁第３行
紀載の発明の名称を以下のように補正する。 「気相〜処理方法及び処理装置」 （２）同第１頁第５行乃至第１１行記載の特許請求の範
囲を以下のように補正する。 （３）同第１゛頁第１４行乃至第１６行の記載を以下の
ように補正する。 「本発明は気相処理方法及び処理装置に関し、特に被処
理基板上へ皮膜の形成を行う際等に適用して有効な気相
処理方法及び処理装置に関する。」（４） 同第３頁
第１７行乃至第１８行記載の「・・・エネルギ源を必要
うとする。」を、「・・・エネルギ源を必要とする。」
と補正する〇 （５）同第３頁第２０行乃至第４頁第２行の記載を、以
下のように補正する。 「本発明は、前述の如き従来の気相処理方法及び装置に
おける問題点を解決し、単一のエネルギ源を用いて反応
ガスを十分に励起し、多数の被処理基板に対して所望の
気相処理を容易に行うことができる気相処理方法及び処
理装置を提供しようとするものである０」 （６）同第４頁第４行乃至第８行の記載を、以下のよう
に補正する。 「このため本発明によれば、被処理基板が収容された反
応管に反応ガスを導入し、前記反応ガスを高周波電力に
よシプラズマ化し、且つ前記高周波電力により誘導加熱
される発熱体によシ前記被処理基板を加熱して、前記被
処理基板に前記反応ガスプラズマによる気相処理を施す
ことを４１１Ｐｉ！にとする気相処理方法並びに被処理
基板が収容され且つ反応ガスが導入される反゛応管と、
前記反応管の周囲に配設された高周波加熱手段と、前記
高周波加熱手段からの高周波による鰐導加熱によプ発熱
する発熱体とを備えてなることを特徴とする気相処理装
置が提供される。」 （７）同第５頁第１２行記載の、「上記誘導加熱体１１
−１〜１１−４相互」を、「上記環状誘導加熱体１３−
１〜１３−４相互」と補正する。
断面図、第２図は本発明の一実施例を示す要部断面図で
ある。 図において、１は被処理基板、・３は反応管、６は高周
波コイル、７は排気口、１２は反応ガス導入管、１３−
１〜１３−４は誘導加熱体を示す。 手続補正書ｌ樹 昭和 年 月 １１ １゛ｌｌ’１（ｒノノノ小 ”’ｊｆｌｌ ！１７ ＋ｌ持訂願第４２４５１ ｊう
３３ １市 １１ ５ １− ％ ８・ｌｉｌ’ｌ
’内閉１４ 特許出願人４ 代 理
人 ｆｌｌ所 神奈川県用崎市中原区ｌ：ｌ
ｊ−田中＋（１１５１地（１）本願明細書第１頁第３行
紀載の発明の名称を以下のように補正する。 「気相〜処理方法及び処理装置」 （２）同第１頁第５行乃至第１１行記載の特許請求の範
囲を以下のように補正する。 （３）同第１゛頁第１４行乃至第１６行の記載を以下の
ように補正する。 「本発明は気相処理方法及び処理装置に関し、特に被処
理基板上へ皮膜の形成を行う際等に適用して有効な気相
処理方法及び処理装置に関する。」（４） 同第３頁
第１７行乃至第１８行記載の「・・・エネルギ源を必要
うとする。」を、「・・・エネルギ源を必要とする。」
と補正する〇 （５）同第３頁第２０行乃至第４頁第２行の記載を、以
下のように補正する。 「本発明は、前述の如き従来の気相処理方法及び装置に
おける問題点を解決し、単一のエネルギ源を用いて反応
ガスを十分に励起し、多数の被処理基板に対して所望の
気相処理を容易に行うことができる気相処理方法及び処
理装置を提供しようとするものである０」 （６）同第４頁第４行乃至第８行の記載を、以下のよう
に補正する。 「このため本発明によれば、被処理基板が収容された反
応管に反応ガスを導入し、前記反応ガスを高周波電力に
よシプラズマ化し、且つ前記高周波電力により誘導加熱
される発熱体によシ前記被処理基板を加熱して、前記被
処理基板に前記反応ガスプラズマによる気相処理を施す
ことを４１１Ｐｉ！にとする気相処理方法並びに被処理
基板が収容され且つ反応ガスが導入される反゛応管と、
前記反応管の周囲に配設された高周波加熱手段と、前記
高周波加熱手段からの高周波による鰐導加熱によプ発熱
する発熱体とを備えてなることを特徴とする気相処理装
置が提供される。」 （７）同第５頁第１２行記載の、「上記誘導加熱体１１
−１〜１１−４相互」を、「上記環状誘導加熱体１３−
１〜１３−４相互」と補正する。
Claims (1)
- 被処理基板を収容する反応管と、該反応管の内気とする
手段と、前記被処理基板を取り囲み且つ相互に所定間隔
を隔てて配設された複数個の環状誘導加熱手段と、該環
状誘導加熱手段の外側に高周波電力印加手段とを具備し
てなることを特徴とする薄膜生成装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042456A JPS58158915A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 薄膜生成装置 |
| DE8383301464T DE3380265D1 (en) | 1982-03-16 | 1983-03-16 | Method and apparatus for gas phase treatment of substrates |
| EP83301464A EP0089242B1 (en) | 1982-03-16 | 1983-03-16 | Method and apparatus for gas phase treatment of substrates |
| US06/476,551 US4486461A (en) | 1982-03-16 | 1983-03-16 | Method and apparatus for gas phase treating substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042456A JPS58158915A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 薄膜生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158915A true JPS58158915A (ja) | 1983-09-21 |
| JPH0377655B2 JPH0377655B2 (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=12636564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57042456A Granted JPS58158915A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | 薄膜生成装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4486461A (ja) |
| EP (1) | EP0089242B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58158915A (ja) |
| DE (1) | DE3380265D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60191269A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-28 | Sharp Corp | 電子写真感光体製造装置 |
| GB2213836B (en) * | 1987-12-18 | 1992-08-26 | Gen Electric Co Plc | Vacuum deposition process |
| KR100297282B1 (ko) * | 1993-08-11 | 2001-10-24 | 마쓰바 구니유키 | 열처리장치 및 열처리방법 |
| US5514246A (en) * | 1994-06-02 | 1996-05-07 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor |
| US5569363A (en) * | 1994-10-25 | 1996-10-29 | Sony Corporation | Inductively coupled plasma sputter chamber with conductive material sputtering capabilities |
| US5643639A (en) * | 1994-12-22 | 1997-07-01 | Research Triangle Institute | Plasma treatment method for treatment of a large-area work surface apparatus and methods |
| US5874014A (en) * | 1995-06-07 | 1999-02-23 | Berkeley Scholars, Inc. | Durable plasma treatment apparatus and method |
| US6230719B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-05-15 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for removing contaminants on electronic devices |
| US6350321B1 (en) * | 1998-12-08 | 2002-02-26 | International Business Machines Corporation | UHV horizontal hot wall cluster CVD/growth design |
| US6291358B1 (en) | 1999-10-15 | 2001-09-18 | Micron Technology, Inc. | Plasma deposition tool operating method |
| JP4676567B1 (ja) * | 2010-07-20 | 2011-04-27 | 三井造船株式会社 | 半導体基板熱処理装置 |
| US9548378B2 (en) * | 2012-02-09 | 2017-01-17 | GlobalFoundries, Inc. | Epitaxial channel formation methods and structures |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710937A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma gaseous phase growth device |
| JPS5724024A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-08 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4268538A (en) * | 1977-03-09 | 1981-05-19 | Atomel Corporation | High-pressure, high-temperature gaseous chemical method for silicon oxidation |
| JPS5845177B2 (ja) * | 1979-03-09 | 1983-10-07 | 富士通株式会社 | 半導体表面絶縁膜の形成法 |
| JPS5846057B2 (ja) * | 1979-03-19 | 1983-10-14 | 富士通株式会社 | プラズマ処理方法 |
| SE8004352L (sv) * | 1979-06-14 | 1980-12-15 | Atomic Energy Authority Uk | Vermeoverforingselement och -system |
| US4401689A (en) * | 1980-01-31 | 1983-08-30 | Rca Corporation | Radiation heated reactor process for chemical vapor deposition on substrates |
| JPS56152736A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | Chemical vapor deposition device using decreased pressure |
| US4339645A (en) * | 1980-07-03 | 1982-07-13 | Rca Corporation | RF Heating coil construction for stack of susceptors |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP57042456A patent/JPS58158915A/ja active Granted
-
1983
- 1983-03-16 US US06/476,551 patent/US4486461A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-03-16 EP EP83301464A patent/EP0089242B1/en not_active Expired
- 1983-03-16 DE DE8383301464T patent/DE3380265D1/de not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5710937A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma gaseous phase growth device |
| JPS5724024A (en) * | 1980-07-16 | 1982-02-08 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0089242B1 (en) | 1989-07-26 |
| DE3380265D1 (en) | 1989-08-31 |
| EP0089242A2 (en) | 1983-09-21 |
| EP0089242A3 (en) | 1985-05-22 |
| US4486461A (en) | 1984-12-04 |
| JPH0377655B2 (ja) | 1991-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6656282B2 (en) | Atomic layer deposition apparatus and process using remote plasma | |
| JP3132489B2 (ja) | 化学的気相成長装置及び薄膜成膜方法 | |
| TW399237B (en) | Film forming method and apparatus | |
| IE50240B1 (en) | A method of vapour phase growth and apparatus therefor | |
| JPS58158915A (ja) | 薄膜生成装置 | |
| US5510297A (en) | Process for uniform deposition of tungsten silicide on semiconductor wafers by treatment of susceptor having aluminum nitride surface thereon with tungsten silicide after cleaning of susceptor | |
| US7091138B2 (en) | Forming method and a forming apparatus of nanocrystalline silicon structure | |
| JPS6054919B2 (ja) | 低圧反応装置 | |
| JPS6168393A (ja) | ホツトウオ−ル形エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS61234531A (ja) | シリコン酸化物の作製方法 | |
| JPH01253229A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6140770Y2 (ja) | ||
| JPS5837388B2 (ja) | キソウセイチヨウホウホウ | |
| JPS60826A (ja) | 超微粒子の製造方法と製造装置 | |
| JPS59177919A (ja) | 薄膜の選択成長法 | |
| JPS60116776A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPS5889821A (ja) | 堆積膜の製造装置 | |
| JPS6054443A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPS6358226B2 (ja) | ||
| JPH064915B2 (ja) | 立方晶窒化ホウ素の合成方法 | |
| JPS61283113A (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| JPS61251119A (ja) | 化学気相成長方法 | |
| JP2615409B2 (ja) | 熱分解による窒化ホウ素の合成法 | |
| JPH08100264A (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| JP2002075868A (ja) | 薄膜製造装置および薄膜製造方法 |