JPS60116776A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS60116776A JPS60116776A JP22726483A JP22726483A JPS60116776A JP S60116776 A JPS60116776 A JP S60116776A JP 22726483 A JP22726483 A JP 22726483A JP 22726483 A JP22726483 A JP 22726483A JP S60116776 A JPS60116776 A JP S60116776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- source
- gas
- reactor
- source gas
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、メタルのＣＶＤ装置に係るものであり、特に
、高純度で安定なメタルソースガスな供給する技術に関
する。
、高純度で安定なメタルソースガスな供給する技術に関
する。
従来技術
従来のメタルＣＶＤ装置においては、金属ソースガスと
して金属の塩化物、金属のフッ化物等が用いられている
が、一般にこれらは腐蝕性を有するため、高純度な状態
を維持してソースガスとして供給することは困難であっ
た。特にＭｏＣｌ３． ＷＣ４＊ｅＴａＣ４等は常温で
は固体であり、これをガス化するために１００〜２００
℃位で昇華してソースとして用いているが、昇華により
供給されるガスの量は安定しないという欠点がある。
して金属の塩化物、金属のフッ化物等が用いられている
が、一般にこれらは腐蝕性を有するため、高純度な状態
を維持してソースガスとして供給することは困難であっ
た。特にＭｏＣｌ３． ＷＣ４＊ｅＴａＣ４等は常温で
は固体であり、これをガス化するために１００〜２００
℃位で昇華してソースとして用いているが、昇華により
供給されるガスの量は安定しないという欠点がある。
発明の目的
本発明は上記従来の問題を解決し、腐蝕性を有する金属
ソースガスを高純度にリアクタに供給し、またその供給
量を常に安定にできるＣＶＤ装置を得ることをその目的
とする。
ソースガスを高純度にリアクタに供給し、またその供給
量を常に安定にできるＣＶＤ装置を得ることをその目的
とする。
発明の構成と作用
本発明は、ＣＶＤ装置のソース供給部に高純度の金属、
例えばＭｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ等を配置し、これに反応ガ
スを供給して高周波プラズマ手段又は加熱反応手段によ
って高純度金属と反応せしめて高純度な金属ソース反応
ガスを得て、これをリアクタに供給するＣＶＤ装置であ
り、すべてＣＶＤ装置の内部で反応生成するから、金属
ソースガスな高純度に供給することが可能となる。以下
実施例によってさらに詳細に本発明を説明する。
例えばＭｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ等を配置し、これに反応ガ
スを供給して高周波プラズマ手段又は加熱反応手段によ
って高純度金属と反応せしめて高純度な金属ソース反応
ガスを得て、これをリアクタに供給するＣＶＤ装置であ
り、すべてＣＶＤ装置の内部で反応生成するから、金属
ソースガスな高純度に供給することが可能となる。以下
実施例によってさらに詳細に本発明を説明する。
発明の実施例
〔第１の実施例］
第１図において、１は石英等のチューブであり、８がＣ
ＶＤ装置のソース供給部、９がＣＶＤ装置のリアクタで
あり、この例では普通の減圧ＣＶＤである。
ＶＤ装置のソース供給部、９がＣＶＤ装置のリアクタで
あり、この例では普通の減圧ＣＶＤである。
しかし、本発明においてリアクタは従来のすべての形式
のリアクタが適用でき、例えば熱反応により膜をデポジ
ットする方式の他にプラズマによりデポジットする方式
等が適用でき、また、リアクタの配置も平行平板形式等
種々変更できる。第１図においては、リアクタ９内にウ
ェーハ３が多数ポートに配列されて設置され、リアクタ
はヒータ２で成長温度に加熱される。リアクタ９内は排
気管１０により減圧状態となっている。ＣＶＤ装置ソー
スガス供給部８には高純度のソース金属４が配置され、
核部に供給管７により反応ガスが供給される。５はソー
ス金＠４と反応ガス１との反応な起生せしめるための高
周波プラズマ手段である。第２のガスｂの供給管６から
は、純金属を成長させるときにはＮ宜、Ａｒ、１１等が
供給され、金属のクリサイドを成長させるときにはＳｉ
Ｈ番を供給する。
のリアクタが適用でき、例えば熱反応により膜をデポジ
ットする方式の他にプラズマによりデポジットする方式
等が適用でき、また、リアクタの配置も平行平板形式等
種々変更できる。第１図においては、リアクタ９内にウ
ェーハ３が多数ポートに配列されて設置され、リアクタ
はヒータ２で成長温度に加熱される。リアクタ９内は排
気管１０により減圧状態となっている。ＣＶＤ装置ソー
スガス供給部８には高純度のソース金属４が配置され、
核部に供給管７により反応ガスが供給される。５はソー
ス金＠４と反応ガス１との反応な起生せしめるための高
周波プラズマ手段である。第２のガスｂの供給管６から
は、純金属を成長させるときにはＮ宜、Ａｒ、１１等が
供給され、金属のクリサイドを成長させるときにはＳｉ
Ｈ番を供給する。
以下、具体的なＣＶＤの例を示す。
（熱反応で純金属を成長）金属４としてＷ ＠ Ｍｏ
＊Ｔｉ 、 Ｔａが使用され、反応ガスａとしてはエツ
チング作用をもつガスであるフッ化物１例えばＣＦ４
。
＊Ｔｉ 、 Ｔａが使用され、反応ガスａとしてはエツ
チング作用をもつガスであるフッ化物１例えばＣＦ４
。
ＮＦ、 、 ＨＦ、や塩化物、 ＨＣＡ等が例えば数十
Ｃ（２）供給す些、ＲＦ １３．５６ＭＨｚ 、 １０
０ Ｗ−数ｇＷＶ）高周波グッズマ発生手段５によって
、金属４に対してそのフッ化物や塩化物を生ずる。例え
ばフッ化物としてＭｏＦｓ ＷＦ−等、塩化物としてＭ
ｏＣ１ｍ 、 ＴａＣｔＨ，ＴｉＣｔａり 等が得られる。発生したこの金属ソースガスＣは直ちに
リアクタ９に輸送され、純金属のＭｅ 、 Ｗ 。
Ｃ（２）供給す些、ＲＦ １３．５６ＭＨｚ 、 １０
０ Ｗ−数ｇＷＶ）高周波グッズマ発生手段５によって
、金属４に対してそのフッ化物や塩化物を生ずる。例え
ばフッ化物としてＭｏＦｓ ＷＦ−等、塩化物としてＭ
ｏＣ１ｍ 、 ＴａＣｔＨ，ＴｉＣｔａり 等が得られる。発生したこの金属ソースガスＣは直ちに
リアクタ９に輸送され、純金属のＭｅ 、 Ｗ 。
Ｔｉ 、 Ｔａ等を熱反応により金属ソースガスな分解
することによりウェーハ３に成長する。ウェーへ３０表
面温度はＷＦ、→Ｗでは３５０〜４５０℃、 ＷＣＺ、
→Ｗでは６００〜８００℃である。リアクタの圧力はα
５〜数Ｔｏｒｒ ｅ供給管６からはガスｂとしてＮｌ
ｇ Ａｒ ＃Ｈ１を供給する。
することによりウェーハ３に成長する。ウェーへ３０表
面温度はＷＦ、→Ｗでは３５０〜４５０℃、 ＷＣＺ、
→Ｗでは６００〜８００℃である。リアクタの圧力はα
５〜数Ｔｏｒｒ ｅ供給管６からはガスｂとしてＮｌ
ｇ Ａｒ ＃Ｈ１を供給する。
（熱反応でシリサイドを成長）金属４としてＷ。
Ｍｏ ｅ ’ｒｔ Ｉ Ｔａを用い、上記と同様に、塩
化物やフッ化物の金属ソースガスをすでクー、に輸送す
る。供給管６からはｂ トＬ ’Ｃ８１１４を例えば１
００％ ８１Ｈ，で１００ （１６／分位供給し、供給
管７からはエツチング反応ガスａを数十外恰位供給する
。ＲＦは１五５６＆１００Ｗ〜数百Ｗとする。リアクタ
の条件は得られたソースガスに応じて前例と同様であり
、熱反応によってＭｏ、Ｗ、ＴＩ、又はＴａのクリサイ
ドがウェーハ３に形成される。
化物やフッ化物の金属ソースガスをすでクー、に輸送す
る。供給管６からはｂ トＬ ’Ｃ８１１４を例えば１
００％ ８１Ｈ，で１００ （１６／分位供給し、供給
管７からはエツチング反応ガスａを数十外恰位供給する
。ＲＦは１五５６＆１００Ｗ〜数百Ｗとする。リアクタ
の条件は得られたソースガスに応じて前例と同様であり
、熱反応によってＭｏ、Ｗ、ＴＩ、又はＴａのクリサイ
ドがウェーハ３に形成される。
（プラズマＣＶＤでデポジット）
リアクタ９に例えば第５図のようなプラズマＣＶＤ装置
１２を適用する。このときウェーハ３の温度は熱反応デ
ポジションより１ｏＯ，〜２００ Ｃ低い温度でデポジ
ットされる。リアクタのプラズマ手段１２に。
１２を適用する。このときウェーハ３の温度は熱反応デ
ポジションより１ｏＯ，〜２００ Ｃ低い温度でデポジ
ットされる。リアクタのプラズマ手段１２に。
印加するＲＦは１５．５６ Ｍｌｈ 、 １００ Ｗと
し、リアクタ内の圧力％ｊ： ｔ ＯＴｏｒｒとする。
し、リアクタ内の圧力％ｊ： ｔ ＯＴｏｒｒとする。
′ソース供給部８は前の２例と同様にする。実際のウェ
ーハの表面温度は、例えばＭｏＣ１ＨからＭＯを成長せ
しめるとき４００Ｃ，。
ーハの表面温度は、例えばＭｏＣ１ＨからＭＯを成長せ
しめるとき４００Ｃ，。
ｗｃｔｅからＷｔ成長せしめるとき４００℃等であり熱
分解の場合より低くて良く、シリサイドを形成する場合
も同様に低い温度で成長する。
分解の場合より低くて良く、シリサイドを形成する場合
も同様に低い温度で成長する。
〔第２の実施例〕
ソース供給部８におけるエツチング反応ガス１と高純度
のソース金属との反応を起生せしめるためにソース金属
自体を加熱するものであり、例えば、第２図のとと、＜
、高純度のソース金属のリボン１１に、電流を流して加
熱する。使用されるソース金属はＷ 、 Ｍｅ １ Ｔ
ｔ ＠ Ｔ＠等であり、エツチング反応ガスａは前記の
例と同じものが使用され、ソース金属のリボン１１４ｔ
１０００℃又は、これ以下に赤熱することによってソー
ス金属とエツチング反応ガスａとが反応し、前記の各側
と同様にＭｏＣ１−ａ ＃ ＷＣＺａｓＭ、Ｆ、 、
ＷＦ−等が生成される。リアクタにおける条件は前記各
側と同様であり、純金属や金属シリサイドがウェーハ上
に形成される。
のソース金属との反応を起生せしめるためにソース金属
自体を加熱するものであり、例えば、第２図のとと、＜
、高純度のソース金属のリボン１１に、電流を流して加
熱する。使用されるソース金属はＷ 、 Ｍｅ １ Ｔ
ｔ ＠ Ｔ＠等であり、エツチング反応ガスａは前記の
例と同じものが使用され、ソース金属のリボン１１４ｔ
１０００℃又は、これ以下に赤熱することによってソー
ス金属とエツチング反応ガスａとが反応し、前記の各側
と同様にＭｏＣ１−ａ ＃ ＷＣＺａｓＭ、Ｆ、 、
ＷＦ−等が生成される。リアクタにおける条件は前記各
側と同様であり、純金属や金属シリサイドがウェーハ上
に形成される。
発明の効果
本発明によれば、前記のごとく、エツチング反応ガスと
高純度のソース金属を装置の内部で反応せしめてＣＶＤ
の金属ソースガスを得るものであり、直にこれがリアク
タに導かれるのでごく高純度に腐蝕性のある金属ソース
ガスを供給することができる。また本発明によればエツ
チング反応ガスとソース金属の組合せにより得られる金
属ソースガスの種類が規定できるとともに、エツチング
反応ガスの流慨やＲＦ条件等によりその供給を制御でき
る利点があり、特に、従来ＭｏＣ６５、ＷＣＬｓ 、
ＴａＣＡｓ等固体からの昇−によって供給するため安定
な供給がむづかしかった金属ソースガスを安定に供給で
きるものである。
高純度のソース金属を装置の内部で反応せしめてＣＶＤ
の金属ソースガスを得るものであり、直にこれがリアク
タに導かれるのでごく高純度に腐蝕性のある金属ソース
ガスを供給することができる。また本発明によればエツ
チング反応ガスとソース金属の組合せにより得られる金
属ソースガスの種類が規定できるとともに、エツチング
反応ガスの流慨やＲＦ条件等によりその供給を制御でき
る利点があり、特に、従来ＭｏＣ６５、ＷＣＬｓ 、
ＴａＣＡｓ等固体からの昇−によって供給するため安定
な供給がむづかしかった金属ソースガスを安定に供給で
きるものである。
第１図は本発明のＣＶＤ装置の第１の実施例の説明図、
第２図は本発明のＣＶＤ装置の第２の実施例の説明図、
第６図は本発明のＣＶＤ装置に適用されるリアクタ部分
の説明図 （主な符号） １・・・石英等のチューブ、２・・・ヒータ、６・・・
ウェー八、４・・・ソース金属、５・・・高周波プラズ
マ（発生）手段、８・・・（金属）ソースガス供給部、
９・・・特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲久五部 外１名
第２図は本発明のＣＶＤ装置の第２の実施例の説明図、
第６図は本発明のＣＶＤ装置に適用されるリアクタ部分
の説明図 （主な符号） １・・・石英等のチューブ、２・・・ヒータ、６・・・
ウェー八、４・・・ソース金属、５・・・高周波プラズ
マ（発生）手段、８・・・（金属）ソースガス供給部、
９・・・特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士玉蟲久五部 外１名
Claims (1)
- ＣＶＤ装置のソースガス供給部に、高純度のソース金属
が配置され、該ソース金属の配置部にソース金属と反応
してこれをガス化せしめる反応ガスを供給する反応〃ス
供給管が配向されており、さらに前記ソース金属の配置
部に該ソース金属と前記反応ガスとの反応を起生せしめ
て金属ソースガスを発生せしめる高周波プラズマ手段ま
たは熱反応手段が具備されてなることを特徴とするＣＶ
Ｄ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22726483A JPS60116776A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22726483A JPS60116776A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116776A true JPS60116776A (ja) | 1985-06-24 |
Family
ID=16858092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22726483A Pending JPS60116776A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116776A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63223174A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-16 | Science & Tech Agency | 金属膜の形成法 |
| JPH01290598A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-22 | Res Dev Corp Of Japan | 微細マルチプローブの製造方法 |
| JP2009149998A (ja) * | 2009-04-01 | 2009-07-09 | Canon Anelva Corp | 銅薄膜の気相成長装置 |
| JP2009149999A (ja) * | 2009-04-01 | 2009-07-09 | Canon Anelva Corp | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 |
| WO2010067856A1 (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22726483A patent/JPS60116776A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63223174A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-16 | Science & Tech Agency | 金属膜の形成法 |
| JPH01290598A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-22 | Res Dev Corp Of Japan | 微細マルチプローブの製造方法 |
| JPH0511079B2 (ja) * | 1988-05-17 | 1993-02-12 | Shingijutsu Jigyodan | |
| WO2010067856A1 (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置、ならびに記憶媒体 |
| US8334208B2 (en) | 2008-12-12 | 2012-12-18 | Tokyo Electron Limited | Film-forming method and film-forming apparatus |
| JP5492789B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2014-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| JP2009149998A (ja) * | 2009-04-01 | 2009-07-09 | Canon Anelva Corp | 銅薄膜の気相成長装置 |
| JP2009149999A (ja) * | 2009-04-01 | 2009-07-09 | Canon Anelva Corp | 金属膜作製装置及び金属膜作製方法 |
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