JP2022017028A - 排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法 - Google Patents
排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022017028A JP2022017028A JP2020120083A JP2020120083A JP2022017028A JP 2022017028 A JP2022017028 A JP 2022017028A JP 2020120083 A JP2020120083 A JP 2020120083A JP 2020120083 A JP2020120083 A JP 2020120083A JP 2022017028 A JP2022017028 A JP 2022017028A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- sicl
- exhaust gas
- mixed gas
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 104
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 111
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 69
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 27
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 496
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 abstract description 21
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 7
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 147
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 44
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 29
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 229910003923 SiC 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 206010000369 Accident Diseases 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- POFAUXBEMGMSAV-UHFFFAOYSA-N [Si].[Cl] Chemical compound [Si].[Cl] POFAUXBEMGMSAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000710 polymer precipitation Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
【課題】高次のクロロシランポリマーが排気配管等に析出することを防止し、排気配管等が閉塞することを抑制することのできる、排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】塩化珪素ガスおよび炭素系ガスを原料ガスとして用いて、炭素基板の表面に化学蒸着により炭化珪素多結晶を成膜する成膜室から排出されるＳｉＣｌ２を含有する排ガスと、塩化水素ガスとを混合して混合ガスを得る混合工程と、前記混合ガスを熱処理して前記ＳｉＣｌ２をＳｉＣｌ４に転換する熱処理工程と、を含む、排ガス処理方法。
【選択図】図２
【解決手段】塩化珪素ガスおよび炭素系ガスを原料ガスとして用いて、炭素基板の表面に化学蒸着により炭化珪素多結晶を成膜する成膜室から排出されるＳｉＣｌ２を含有する排ガスと、塩化水素ガスとを混合して混合ガスを得る混合工程と、前記混合ガスを熱処理して前記ＳｉＣｌ２をＳｉＣｌ４に転換する熱処理工程と、を含む、排ガス処理方法。
【選択図】図２
Description
本発明は、排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法に関する。例えば、複数の炭化珪素単結晶基板を互いに隙間を空けて積層する方向に配列する縦型配列構造の基板処理装置を用いて、炭化珪素ウエハを製造する方法に関する排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法である。
炭化珪素（ＳｉＣ）は、２．２～３．３ｅＶの広い禁制帯幅を有するワイドバンドギャップ半導体であり、その優れた物理的、化学的特性から、例えば、高周波電子デバイス、高耐圧かつ高出力電子デバイス、青色から紫外にかけての短波長光デバイス等をはじめとして、炭化珪素によるデバイス（半導体素子）作製の研究開発が盛んに行われている。ＳｉＣデバイスの実用化を進めるにあたっては、高品質のＳｉＣエピタキシャル成長のために大口径の炭化珪素基板を製造することが求められている。現在、その多くは、種結晶を用いた昇華再結晶法（改良レーリー法、改良型レーリー法等と呼ばれる）やCVD法等で製造されている。
ＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）を利用する炭化珪素基板の製造方法は、原料ガスを気相反応させ基材面上に炭化珪素生成物を析出させて被膜を生成した後、基材を除去するものであり、緻密で高純度の炭化珪素基板を得ることができる。また、基材は切削や研磨等により除去されるが、基材に炭素材を用いると空気中で熱処理することにより除去できる。
特許文献１には、ＣＶＤ法による炭化珪素基板の製造方法として、基材の表面に化学蒸着法により炭化珪素膜を形成し、その後前記基材を除去して得られた炭化珪素基板の両面に、更に炭化珪素膜を形成することを特徴とする、化学蒸着法による炭化珪素基板の製造方法が提案されている。
また非特許文献１や２には、Ｓｉ粒子の発生を抑制し高速にＳｉＣを成膜するために、珪素の原料ガスとしてクロロシラン系ガス（SiCl4、SiHCl3など）を用いることが提案されている。原料ガスのクロロシランガスのなかで、基板中に析出せする量は一部であり、大部分は排気され、ガス温度の低下とともに高次のクロロシランポリマーとなっては排気配管等に析出する。これにより配管が閉塞するおそれがある。
高次のクロロシランポリマーは、配管を閉塞するだけではなく、大気中の水分により加水分解し、非特許文献３に示すように不完全な加水分解物が爆発性化合物を形成することが知られている。そのためクロロシランポリマー（オイリーシラン）が付着した配管や部品の取り扱い方法や洗浄は、注意が必要である。
非特許文献に示すように、オイリーシランはクロロシラン系ガスを用いたSiエピタキシャル成長でも問題になっており、SiエピタキシャルではSiCl2が1000℃以上の高温で生成するため、エピタキシャル成長温度を1000℃未満にすることでSiCl2の生成を抑制し、オイリ－シランの発生量を抑制できる。しかしながらSiCを実用的な成長速度で成膜するには1400K以上の高温が必要となり、低温成長でSiCl2の生成を抑制する方法は採用できない。
一方、特許文献２では、メチルトリクロロシランガスを原料として使用してSiCを生成させる成膜装置において、成膜装置から排気ガスをその温度を低下させずに750℃～850℃に保持した排気ガス処理装置内（改質炉）に導入し、クロロシランを含む排気ガスにクロロメタンガスを添加して反応させることで、排気ガス中のSiCl2系ガスをSiCl4、SiHCl3、CH3SiCl3やC2H３SiCl3等に改質して、排気ガス温度を低下させても高次のクロロシランポリマーを生成させない方法を提案している。
特許文献２（例えば段落００９０並びに図35等）では、排気ガスが排気ガス処理装置内で固体SiCとして析出すること、そして、固体SiCを形成することが高次クロロシランポリマーの低減に有効であることを記載している。
ECS J. Solid State Sci. Technol. 2015 volume 4, issue 2, P16-P19
平井敏雄・後藤孝・梶利彦 窯業協会誌Vol.91、No11、（1983） 503
石田夕起 J. Vac. Soc. Jpn. Vol. 54, No. 6,（2011） 346
三菱マテリアル株式会社四 日市工場 高純度多結晶シリコン製造施設 爆発火災事故調査報告書 http://www.mmc.co.jp/corporate/ja/01/01/14-0612a.pdf
しかしながら、塩化珪素ガスを原料ガスとして炭素基板の表面に炭化珪素薄膜を成長させる炭化珪素ウエハの製造方法では、排気ガス中のクロロシランを固体SiCにすると原料の使用効率が悪くなるという問題がある。またクロロメタンガスを使用し、その全量が固体SiCの析出に消費されない場合、有害で可燃性のあるクロロメタンガスが排気ガス中に存在するので、その処理が必要という問題がある。
そこで、本発明は、上記の問題点に鑑み、高次のクロロシランポリマーが排気配管等に析出することを防止し、排気配管等が閉塞することを抑制することのできる、排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは上記のような課題を解決するために、化学反応の条件と生成物の関係について化学速度論的に検討を行ったところ、CVD装置ではSiCの成膜室に隣接して排ガス処理室を設け、SiCl2を含む成膜後の排ガスに塩化水素ガスを添加し、熱処理温度を1200K以上1500K以下することでSiCl2を原料であるSiCl4に転換することによって上記高次のクロロシランポリマーが排気配管等に析出する問題が解決できることを見出した。
上記課題を解決するため、本発明の排ガス処理方法は、塩化珪素ガスおよび炭素系ガスを原料ガスとして用いて、炭素基板の表面に化学蒸着により炭化珪素多結晶を成膜する成膜室から排出されるSiCl2を含有する排ガスと、塩化水素ガスとを混合して混合ガスを得る混合工程と、前記混合ガスを熱処理して前記SiCl2をSiCl4に転換する熱処理工程と、を含む。
前記混合ガスの熱処理温度が1200K以上1500K以下であってもよい。
前記塩化珪素ガスがSiCl4またはSiCl3であってもよい。
前記混合工程における前記排ガス中のSiCl2と前記塩化水素ガスとの混合比は、モル比でSiCl2：ＨＣｌ＝１：１．５～８であってもよい。
また、上記課題を解決するため、本発明の炭化珪素多結晶ウエハの製造方法は、上記本発明の排ガス処理方法を含む。
本発明であれば、高次のクロロシランポリマーが排気配管等に析出することを防止し、排気配管等が閉塞することを抑制することのできる、排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法を提供することができる。
以下、本発明の排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法の一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態に限定されない。
［塩化珪素ガスおよび炭素系ガスの反応による炭化珪素の生成］
塩化珪素ガスとしてSiCl4、炭素系ガスとしてCH4を原料ガスとして用いてSiCを生成する化学反応は、量論的には以下の式（１）のように記述される。しかしながら、実際には分子がこの式に従って反応しているわけではなく、複数の反応が平行又は逐次的に進行すると考えられる。
塩化珪素ガスとしてSiCl4、炭素系ガスとしてCH4を原料ガスとして用いてSiCを生成する化学反応は、量論的には以下の式（１）のように記述される。しかしながら、実際には分子がこの式に従って反応しているわけではなく、複数の反応が平行又は逐次的に進行すると考えられる。
［数１］
SiCl4+CH4 → SiC+４HCｌ （１）
SiCl4+CH4 → SiC+４HCｌ （１）
反応速度論で使用される素反応式は式（１）と異なって、これ以上分解できない反応を意味しており、分子同士の衝突現象とそれによる分子状態の変化を示している。例えば、式（１）を速度論的に考えると、SiCl4やCH4が分解してSiCl2やC2H2などが生成し、それらが支持基板の表面に吸着し、反応してSiCを形成する。例えば、以下のような反応が挙げられる。
［数２］
SiCl4⇔SiCl3＋1/2Cl2
SiCl3⇔SiCl2＋1/2Cl2
Cl2＋H2⇔２HCｌ
CH4⇔CH3+1/2H2
2CH3⇔C2H5+H
C2H5⇔C2H4+H
C2H4⇔C2H2+H2
SiCl2⇒Si＿基板+Cl2
C2H2⇒C＿基板+CH2
Si＿基板+ C＿基板⇒SiC＿基板
SiCl4⇔SiCl3＋1/2Cl2
SiCl3⇔SiCl2＋1/2Cl2
Cl2＋H2⇔２HCｌ
CH4⇔CH3+1/2H2
2CH3⇔C2H5+H
C2H5⇔C2H4+H
C2H4⇔C2H2+H2
SiCl2⇒Si＿基板+Cl2
C2H2⇒C＿基板+CH2
Si＿基板+ C＿基板⇒SiC＿基板
ここで、「⇒」は一方向反応、「⇔」は可逆反応、化学種は気相分子、「＿基板」は基板上に吸着していることを示す。これらの一連の反応について、原子数の保存を考慮してまとめた式が式（１）に相当する量論的な反応式である。
素反応iの素反応速度定数ｋi（T）は以下の式（２）のように書ける。
［数３］
ｋi（T）=A・Tn・exp（-Ea/RT） （２）
ｋi（T）=A・Tn・exp（-Ea/RT） （２）
ｋi（T）の単位はcm3/molecule/s、Tは温度（単位K）、Ea（単位はkcal/mol）は活性化エネルギー、Rは気体定数1.987（単位はcal/K/mol）、ｎは反応次数である。
また、Aは頻度定数であり、例えば分子XがYとZに分解する場合（X→Y+Z）、その変化は-ｄ[X]/dt=A1[X]となり、A1が頻度因子で次元は「1/ｓ」である。また、分子YとZからXが合成される場合（Y+Z→X）、-ｄ[Y]/dt=-d[Z]/dt=A2[Y][Z]となり、頻度因子A2の次元はｃｍ3/（mol*s）となる。このように反応の次数により定数の次元が変化する。
素反応速度ｒi（T）は、以下の式（３）に示すように素反応速度定数ｋi（T）に分子iの濃度Ci（molecule/ｃｍ3）を乗じた値となる。
［数３］
ri(T)＝ki（T)・Ci （３）
ri(T)＝ki（T)・Ci （３）
化学式A+B⇔C+Dの順方向（A+B→C+D）の反応速度ｒ（T）は、以下の式（４）によって求められる。
［数４］
ｒ（T）＝k（T）・[A]・[B] （４）
ｒ（T）＝k（T）・[A]・[B] （４）
また、化学式A+B⇔C+Dの逆方向（A+B←C+D）の反応速度ｒ＊（T）は、以下の式（５）によって求められる。
［数５］
ｒ＊（T）＝k*（T）・[C]・[D] （５）
ｒ＊（T）＝k*（T）・[C]・[D] （５）
図１は、反応座標とエネルギーの関係を示す図である。図１において、A+B⇔C+Dの可逆反応では、A+Bの状態とC+Dの状態との間に自由エネルギー変化ΔGがある場合、活性化エネルギーＥCDは以下の式（６）のように計算できる。
［数６］
ＥCD＝EＡＢ-ΔG （６）
ＥCD＝EＡＢ-ΔG （６）
気相で発生すると考えられる素反応式と反応パラメータを表１、２に示す。表１は珪素系ガスのものであり、表２は炭素系ガスのものである。また、ΔG等の熱力学的なパラメータは熱力学データベース（例えばHSC：オートテック）を用いた。
素反応を用いてSiCl４を含むCVDの原料ガスについて、気相ガスのモル濃度の温度による変化を化学速度論的に計算した。計算にはChemkin-proを使用し、計算モデルは反応炉内で均一反応が起きるとして図７に示す均一反応炉（C1_PSR）を用いた。計算モデルにおいて、流入するガスの組成比（モル比）はSiCl4：CH4：H2：Ar＝1：1：10：5とし、ＨＣｌガスは使用しなかった。また、炉内の滞留時間は10secとした。計算は反応温度を900Kから1700Kまで100K毎に行った。
その結果を図２に示す。図２は、気相ガスのモル濃度の温度による変化を化学速度論的に計算した結果である。ガスの主成分はArガスとH2ガスであるが、Arガスは反応に依存せずモル濃度は約0.3であり、H2ガスのモル濃度は0.5～0.6で変化温度依存性は小さい。図２の濃度スケールは、SiCl4ガス濃度の温度変化に着目して選び、ArガスとH2ガスは図２からは削除した。
図２から、成膜温度1100KでSiCl4はSiCl2やSiCl3に分解を開始し、温度が高くなると共に分解が進み、1600Kではほぼ全量がSiCl2に変換される。SiCl3は1100～1200KでSiCl2と同じ量であるが高温では分解する。また副生成物であるHCｌ濃度も温度とともに増加することが分かる。また、CH4はSiCl4より高い1400Kから分解が始まりC2H2が生成するが、1700Kでも一部が残留している。なおC2H2はカーボン原子を２個含むためCH4が全量分解しても濃度は半分になる。
次に、表３に示すように、投入ガスのSiCl4をSiCl2とし、HCｌをSiCl2の2倍モル加えた組成（Ar:H2:CH4:SiCl2:HCｌ＝0.407：0.390：0.065：0.046：0.092）で計算を行った。この場合のモル比は、SiCl2:HCl＝1：２となる。HCｌをSiCl2の２倍加えたのは、実際のCVD炉の排ガスではSiCl4からSiCl2に変化する反応の量論式では、少なくともHCｌがSiCl2の2倍となることが想定されるからである（SiCl4+H2→SiCl2+２HCｌ）。さらに、SiCl2がSiCとなって濃度が減少するため、２倍以上となる。また、炉内の滞留時間は10secとした。
モル比がSiCl2：HCl＝1：２の条件で計算した結果を図３に示す。図３は、図２とは異なる条件において、気相ガスのモル濃度の温度による変化を化学速度論的に計算した結果である。SiCl2は1300Kで最小値となり、排ガス中の値のSiCl2の78％がSiCl4とSiCl3に変換されている（SiCl2＋２HCｌ→SiCl4+H2）。
図３の結果では、反応の量論式から予想されるとおりSiCl2の反応に伴ってH2濃度が増加し、HCｌが減少する。本出願人が有する炭化ケイ素成膜装置では、SiCl2からSiCに転換される率は50％以下であるため、排ガス中のHCｌ濃度はSiCl2の約4倍と推定される。そこで次に、SiCl2:HCl＝1：4の場合の計算を行った。
モル比がSiCl2：HCl＝1：４の条件で計算した結果を図４に示す。また、炉内の滞留時間は10secとした。図４は、図２、３とは異なる条件において、気相ガスのモル濃度の温度による変化を化学速度論的に計算した結果である。モル比をSiCl2：HCl＝1：4にすると、SiCl2：HCl＝１：２の場合より1200～1400Kの場合におけるSiCl2濃度が低くなり、1300Kの場合では殆ど全量がSiCl4に変換されることが分かる。
同様に、表４に示す比率のようにHCｌ/SiCl2のモル比を1.67から7.78まで0.55毎に変化させて計算を行った。また、炉内の滞留時間は10secとした。計算結果から、式（７）に示す式により化学反応計算後のSiCl2濃度（SiCl2c）を反応前の投入量（SiCl2i）で割って残留率を計算した。
［数７］
SiCl2残留率＝SiCl2c/SiCl2i （７）
SiCl2残留率＝SiCl2c/SiCl2i （７）
図５は、温度をX軸、投入時のHCｌ/SiCl2比をｙ軸としてSiCl2残留量を示した等高線である。図６は、図５の等高線を拡大した等高線である。SiCl2残留率が0.2以下である範囲は、HCｌ/SiCl2モル比が2.78以上で温度1300Kの位置に現れ、HCｌ/SiCl2モル比が増加すると、温度範囲が徐々に増え、HCｌ/SiCl2比が7.78で1200Kから1500Kまで拡大する。一方、図６に示すように、SiCl2残留率が0.1以下の領域は、1300KでHCｌ/SiCl2モル比3.4以上であり、HCｌ/SiCl2モル比を7.8にすると1300Ｋから1400Kの範囲となった。1300KではHCｌ/SiCl2モル比が4.4以上でSiCl2残留率は0.05以下、HCｌ/SiCl2モル比が7.8でSiCl2残留率は0.01まで低下する。
以上から、HCｌ/SiCl2モル比を2.8以上、より好ましくは4以上で温度を1200Kから1500K、より好ましくは1280K以上1450K以下にすることで、排気ガス中のSiCl2を効率よく原料であるSiCl4に変換できることが分かる。なお、表５に、図５、６の等高線の基となるデータを示す。
〈炭化珪素多結晶ウエハの製造装置１０００〉
図９は、本発明の排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法に用いることのできる、炭化珪素多結晶ウエハの製造装置の一実施形態として、製造装置１０００の上面からみた断面を示す概略図である。製造装置１０００は、成膜室１００と、混合ガス噴出口２００と、混合ガス排出口３００と、ヒータ４００と、基板ホルダー５００と、排ガス処理装置９００と、四重極型質量分析計１６００と、コールドトラップ１７００とを備える。
図９は、本発明の排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法に用いることのできる、炭化珪素多結晶ウエハの製造装置の一実施形態として、製造装置１０００の上面からみた断面を示す概略図である。製造装置１０００は、成膜室１００と、混合ガス噴出口２００と、混合ガス排出口３００と、ヒータ４００と、基板ホルダー５００と、排ガス処理装置９００と、四重極型質量分析計１６００と、コールドトラップ１７００とを備える。
〈成膜室１００〉
成膜室１００は、第１面１１０と、第１面１１０と対向する第２面１２０と、第１面１１０と第２面１２０とをつなぐ４つの側面１３０からなる直方体状の内形を有する。直方体状の内形とすることで、複数の基板６００を成膜室１００に設置した場合において、基板と基板との間の隙間と基板と側面１３０との間の隙間の形状が同一または近似とすることができる。そのため、基板と基板との間を流れる混合ガスと同様に、側面１３０と基板との間を流れる混合ガスも、混合ガス噴出口２００から混合ガス排出口３００へ向かって均一に流すことができる。その結果として、基板に対して均一でばらつきの少ない膜を成膜することができる。
成膜室１００は、第１面１１０と、第１面１１０と対向する第２面１２０と、第１面１１０と第２面１２０とをつなぐ４つの側面１３０からなる直方体状の内形を有する。直方体状の内形とすることで、複数の基板６００を成膜室１００に設置した場合において、基板と基板との間の隙間と基板と側面１３０との間の隙間の形状が同一または近似とすることができる。そのため、基板と基板との間を流れる混合ガスと同様に、側面１３０と基板との間を流れる混合ガスも、混合ガス噴出口２００から混合ガス排出口３００へ向かって均一に流すことができる。その結果として、基板に対して均一でばらつきの少ない膜を成膜することができる。
例えば、成膜室１００の内形が直方体状ではなく、筒状の場合には、基板と基板との間の隙間と基板と側面１３０との間の隙間の形状が大きく異なるため、基板と基板との間を流れる混合ガスと、側面１３０と基板との間を流れる混合ガスとが均一に流れなくなる。その結果として、基板と基板との間で成膜した膜と、基板と側面１３０との間で成膜した膜が不均一となり、基板間でばらつきの大きい膜が成膜されるおそれがある。
なお、成膜室１００の内形は、基板ホルダー５００と基板ホルダー５００に保持された基板６００が入る大きさがあればよく、成膜に関与しない混合ガスが混合ガス噴出口２００から混合ガス排出口３００へ向かって流れて、成膜室１００から排出されてしまうような余分な空間をできるだけ設けないことが好ましい。
また、成膜室１００は黒鉛製であることが好ましい。黒鉛であれば直方体状への加工が容易であり、また、成膜時に不活性雰囲気下とすることで、高温となる成膜条件に十分な耐久性を持つことができる。
〈混合ガス噴出口２００〉
混合ガス噴出口２００は、成膜室１００の第１面１１０またはその近傍にあり、原料ガスおよびキャリアガスを含む混合ガスを前記成膜室１００に噴出する。混合ガス噴出口２００は複数あることが好ましいが、１つであってもよい。混合ガス噴出口２００が複数あることにより、１つのみの場合と比べて成膜室１００へ混合ガスをより均一に噴出することができる。混合ガス噴出口２００の一例としては、混合ガスが流通する混合ガス導入管２１０において、混合ガスが噴出される開口端部に相当する。そして、混合ガス噴出口２００は、第１面１１０にあってもよく、図９に示すように第１面１１０の近傍であって、成膜室１００の内部側や、混合ガスのガス漏れが無いことを前提として成膜室１００の外部にあってもよい。近傍は、例えば第１面１１０から２０ｍｍ程度が目安となる。なお、混合ガス噴出口２００の温度を制御できるよう、混合ガス導入管２１０を適宜加熱できるヒータや冷却できるクーラー等の温度制御手段を備えてもよい。
混合ガス噴出口２００は、成膜室１００の第１面１１０またはその近傍にあり、原料ガスおよびキャリアガスを含む混合ガスを前記成膜室１００に噴出する。混合ガス噴出口２００は複数あることが好ましいが、１つであってもよい。混合ガス噴出口２００が複数あることにより、１つのみの場合と比べて成膜室１００へ混合ガスをより均一に噴出することができる。混合ガス噴出口２００の一例としては、混合ガスが流通する混合ガス導入管２１０において、混合ガスが噴出される開口端部に相当する。そして、混合ガス噴出口２００は、第１面１１０にあってもよく、図９に示すように第１面１１０の近傍であって、成膜室１００の内部側や、混合ガスのガス漏れが無いことを前提として成膜室１００の外部にあってもよい。近傍は、例えば第１面１１０から２０ｍｍ程度が目安となる。なお、混合ガス噴出口２００の温度を制御できるよう、混合ガス導入管２１０を適宜加熱できるヒータや冷却できるクーラー等の温度制御手段を備えてもよい。
図１０は、第１面１１０を成膜室１１０の内部から見た正面概略図である。図１０では、第１面１１０に４個の混合ガス噴出口２００が、一列に配置されている。４個の混合ガス噴出口２００が並ぶ方向は、基板ホルダー５００において基板６００が並んで積層される方向と一致させることができる。各混合ガス噴出口２００のそれぞれから、混合ガスを均等に排出することが可能である。混合ガス噴出口２００の内径は、混合ガス噴出口２００の数や噴出条件によって最適のものを用いればよく、混合ガスの噴出に問題が無ければ特に限定されないが、例えば１０ｍｍ～２５ｍｍの範囲に設定することができる。また、隣接する混合ガス噴出口２００同士の距離は、混合ガス噴出口２００の数や噴出条件によって最適のものを用いればよく、混合ガスの噴出に問題が無ければ特に限定されないが、例えば２ｍｍ～１６ｍｍの範囲に設定することができる。また、第１面１１０には、混合ガス噴出口２００が複数の行と複数の列とによって配置されていてもよい。
〈混合ガス排出口３００〉
混合ガス排出口３００は、成膜室１００の第２面１２０またはその近傍にあり、混合ガスを成膜室１００から排出する。混合ガス排出口３００の一例としては、混合ガスが成膜室１００の外部へ排出されるために流通する混合ガス排出管３１０において、混合ガスが排出される開口端部に相当する。そして、混合ガス排出口３００は、第２面１２０にあってもよく、図９に示すように第２面１２０の近傍であって、成膜室１００の内部側や、混合ガスのガス漏れが無いことを前提として成膜室１００の外部にあってもよい。近傍は、例えば第２面１２０から２０ｍｍ程度が目安となる。なお、炭化珪素等が混合ガス排出口３００や混合ガス排出管３１０において析出しないよう、混合ガス排出口３００や混合ガス排出管３１０を温度制御するべく、適宜加熱できるヒータや冷却できるクーラー等の温度制御手段を備えてもよい。また、排ガスと、塩化水素ガスとを混合して混合ガスを得られるよう、排ガスに塩化水素ガスを導入する塩化水素ガス導入管３２０を備えることができる。
混合ガス排出口３００は、成膜室１００の第２面１２０またはその近傍にあり、混合ガスを成膜室１００から排出する。混合ガス排出口３００の一例としては、混合ガスが成膜室１００の外部へ排出されるために流通する混合ガス排出管３１０において、混合ガスが排出される開口端部に相当する。そして、混合ガス排出口３００は、第２面１２０にあってもよく、図９に示すように第２面１２０の近傍であって、成膜室１００の内部側や、混合ガスのガス漏れが無いことを前提として成膜室１００の外部にあってもよい。近傍は、例えば第２面１２０から２０ｍｍ程度が目安となる。なお、炭化珪素等が混合ガス排出口３００や混合ガス排出管３１０において析出しないよう、混合ガス排出口３００や混合ガス排出管３１０を温度制御するべく、適宜加熱できるヒータや冷却できるクーラー等の温度制御手段を備えてもよい。また、排ガスと、塩化水素ガスとを混合して混合ガスを得られるよう、排ガスに塩化水素ガスを導入する塩化水素ガス導入管３２０を備えることができる。
図１１は、第２面１２０を成膜室１００の内部から見た正面概略図である。図１１では、第２面１２０の中央に１個の混合ガス排出口３００が配置されている。混合ガス排出口３００は、炭化珪素等が多少成膜しても混合ガスを問題なく排出できれば、１個であってもよく、複数あってもよいが、炭化珪素等が多少成膜しても混合ガスを問題なく排出できるよう、第２面の一辺の１/５～１/２程度の開口直径を持つものが好ましい。
〈ヒータ４００〉
ヒータ４００は、成膜室１００の４つの側面１３０を囲み、成膜室１００を加熱する。ヒータ４００を制御することによって、成膜室１００の温度を基板に膜を成膜させるのに適した温度に制御することができる。ヒータ４００としては、熱ＣＶＤ法に有用なヒータを用いることができ、例えば筒状のカーボンヒータやカンタルヒータを用いることができる。
ヒータ４００は、成膜室１００の４つの側面１３０を囲み、成膜室１００を加熱する。ヒータ４００を制御することによって、成膜室１００の温度を基板に膜を成膜させるのに適した温度に制御することができる。ヒータ４００としては、熱ＣＶＤ法に有用なヒータを用いることができ、例えば筒状のカーボンヒータやカンタルヒータを用いることができる。
〈基板ホルダー５００〉
図１２は、基板ホルダー５００の模式図である。図１２（ａ）が基板６００を保持した基板ホルダー５００の側面図であり、図１２（ｂ）が成膜室１００の内部において第１面１１０側から見た基板ホルダー５００の正面図である。基板ホルダー５００は、複数の基板６００を、基板６００同士を非接触で等間隔に積層して保持可能であり、成膜室１００の第１面１１０と第２面１２０との間において、基板６００の成膜対象面６１０を成膜室１００の側面１３０と平行に設置可能である。
図１２は、基板ホルダー５００の模式図である。図１２（ａ）が基板６００を保持した基板ホルダー５００の側面図であり、図１２（ｂ）が成膜室１００の内部において第１面１１０側から見た基板ホルダー５００の正面図である。基板ホルダー５００は、複数の基板６００を、基板６００同士を非接触で等間隔に積層して保持可能であり、成膜室１００の第１面１１０と第２面１２０との間において、基板６００の成膜対象面６１０を成膜室１００の側面１３０と平行に設置可能である。
図１２において、基板ホルダー５００は、上保持棒５１０と下保持棒５２０によって基板６００を上下の２か所より挟んで保持することができ、上保持棒５１０と下保持棒５２０のいずれも基板６００を保持するための溝５１１、５２１を有するものである。ただし、基板ホルダーとしてはこれに限定されず、上下に加えて前後にも保持棒を有し、３か所または４か所で基板を保持することができる。
基板ホルダー５００は、例えば上保持棒５１０と下保持棒５２０のいずれもが、成膜室１００の側面１３０のうち、上側面１３０ａと下側面１３０ｂとそれぞれ密接していることで、成膜に関与しない混合ガスが大量に混合ガス噴出口２００から混合ガス排出口３００へ向かって流れて、成膜室１００から大量に排出されてしまうことを防止することができる。
なお、図１２（ｂ）では、基板６００の成膜対象面６１０は成膜室１００の側面１３０のうち、左側面１３０ｃと右側面１３０ｄと平行に設置されており、上側面１３０ａおよび下側面１３０ｂと垂直に設置されている。ただし、基板ホルダー５００の形状を変えることにより、基板６００の成膜対象面６１０が左側面１３０ｃと右側面１３０ｄと垂直に設置され、上側面１３０ａおよび下側面１３０ｂと平行に設置されることもできる。すなわち、基板６００は、垂直方向に積層してもよく、水平方向に積層してもよい。ただし、成膜対象面６１０が混合ガス噴出口２００に面するように、成膜対象面６１０を第１面１１０および第２面１２０と平行となるように基板６００を設置すると、基板の間に混合ガスが均一に流れなくなるため、好ましくない。
また、基板６００の成膜対象面６１０と左側面１３０ｃとの隙間の幅７００、および右側面１３０ｄとの隙間の幅７１０が、等間隔に積層した基板６００間のそれぞれの隙間の幅７２０と同一であると、これらの隙間を混合ガスが均一に流れるため、基板間や同一成膜対象面において、厚みのバラツキの少ない膜を成膜することができる。
〈混合ガスの噴出速度〉
図１３は、混合ガスの噴出について説明する模式図である。混合ガスにおける分子同士の衝突を無視した場合の混合ガスの広がりを模式的に示したものであり、混合ガスに加圧等せずに第１面の混合ガス噴出口２００から自然に拡散する場合の拡散速度をＶｄ、混合ガスを加圧等して混合ガス噴出口２００から噴出する場合の噴出速度をＶｇとする。
図１３は、混合ガスの噴出について説明する模式図である。混合ガスにおける分子同士の衝突を無視した場合の混合ガスの広がりを模式的に示したものであり、混合ガスに加圧等せずに第１面の混合ガス噴出口２００から自然に拡散する場合の拡散速度をＶｄ、混合ガスを加圧等して混合ガス噴出口２００から噴出する場合の噴出速度をＶｇとする。
拡散速度Ｖｄが噴出速度Ｖｇよりも速い場合、混合ガス８００の拡散がゆっくりと進むため（図１３（ａ））、原料ガスの成膜室１００への供給量が少なくなり、成膜速度が遅くなるおそれがある。混合ガス噴出口２００が混合ガスによって成膜しないように、成膜室１００において基板６００と混合ガス噴出口２００との距離をある程度設けることで混合ガス噴出口の温度を低温（例えば１２００Ｋ以下）に制御しようとすると、混合ガス８００が基板６００へ到達するまでに距離があるため、より成膜に時間がかかることとなる。
この点を考慮して、製造装置１０００では、混合ガス噴出口２００から噴出される混合ガスの噴出速度を、前記混合ガスの拡散速度よりも早くすることができるものである。すなわち、噴出速度Ｖｇを拡散速度Ｖｄよりも早くすることで（図１３（ｂ））、混合ガス８１０が混合ガス噴出口２００より強制的に排出される。これにより、成膜室１００において基板６００と混合ガス噴出口２００との距離をある程度設けた場合であっても、成膜速度の低下を抑えることができる。すなわち、従来法と同等の成膜速度を維持しつつ、混合ガス噴出口２００が混合ガスによって成膜して口径が小さくなっていくことや、混合ガス噴出口２００が塞がってしまうことを防止することができる。
噴出速度Ｖｇを拡散速度Ｖｄよりも早くするべく、混合ガス８１０を混合ガス噴出口２００より強制的に排出することは、例えば、ガス量をレギュレータやコンプレッサ、吸引装置等の噴出速度制御手段により調整することで可能である。例えば、噴出速度Ｖｇを０．４ｍ／秒以上とすることで、従来法と同等の成膜速度を維持しつつ、混合ガス噴出口２００が混合ガスの成膜によって口径が小さくなっていくことや、混合ガス噴出口２００が塞がってしまうことを容易に防止することができる。さらに、噴出速度Ｖｇが１ｍ／秒以上であれば、従来法よりも成膜速度を明確に早めることが可能であり、成膜処理時間をより効果的に短縮することができる。また、本発明の製造装置１０００において、複数の混合ガス噴出口２００が設けられる場合、基板ホルダー５００が保持可能な基板６００の枚数と、混合ガス噴出口２００の口数との比は、１：０．４～１．５であることが好ましい。基板ホルダー５００が保持可能な基板６００の枚数と、混合ガス噴出口２００の口数との比は、１：０．４～１．５であれば、上記のガス速度やガス流量の均一性を満足しつつ、成膜速度の低下を防止することができる。
製造装置１０００において、混合ガス噴出口２００と基板ホルダー５００との最短距離は、１５０ｍｍ以上であることが好ましい。混合ガス８１０の噴出速度やガス流量、混合ガス噴出口２００の口数によっても、最適な最短距離は異なるものの、上記の最短距離が１５０ｍｍ以上であれば、成膜室１００における基板６００周辺の成膜温度よりも、混合ガス噴出口２００周辺の温度を十分に下げることができる。これにより、混合ガス噴出口２００が混合ガスの成膜によって口径が小さくなっていくことや、混合ガス噴出口２００が塞がってしまうことを容易に防止することができる。
〈排ガス処理装置９００〉
排ガス処理装置９００は、成膜室１００から排出される排ガスを処理する装置であり、具体的には、成膜室１００の下流に配置され、排ガス処理装置９００内で排ガス中のＳｉＣｌ２と、排ガスと混合した塩化水素ガスとを反応させて、ＳｉＣｌ２をＳｉＣｌ４に転換する装置である。排ガス処理装置９００内で排ガス中のＳｉＣｌ２をＳｉＣｌ４に転換することにより、排ガス中のＳｉＣｌ２を希釈することができる。そのため、排気配管３５０等の、排ガス処理装置９００の下流にあり、排ガス処理装置９００から排出される排気ガスを製造装置１０００の外部へ排出する設備に高次のクロロシランポリマーが析出することを防止し、設備の内部が閉塞することを抑制することができる。
排ガス処理装置９００は、成膜室１００から排出される排ガスを処理する装置であり、具体的には、成膜室１００の下流に配置され、排ガス処理装置９００内で排ガス中のＳｉＣｌ２と、排ガスと混合した塩化水素ガスとを反応させて、ＳｉＣｌ２をＳｉＣｌ４に転換する装置である。排ガス処理装置９００内で排ガス中のＳｉＣｌ２をＳｉＣｌ４に転換することにより、排ガス中のＳｉＣｌ２を希釈することができる。そのため、排気配管３５０等の、排ガス処理装置９００の下流にあり、排ガス処理装置９００から排出される排気ガスを製造装置１０００の外部へ排出する設備に高次のクロロシランポリマーが析出することを防止し、設備の内部が閉塞することを抑制することができる。
排ガス処理装置９００は、その内部をＳｉＣｌ２からＳｉＣｌ４への転換に適した温度に調製できるよう、ヒータ４００に囲まれて配置されることが好ましい。
［排ガス処理装置９００の実施形態］
図１４は、排ガス処理装置９００ａ、９００ｂの上面からみた断面を示す概略図である。図１４（ａ）には、排ガス処理装置９００の一態様として排ガス処理装置９００ａを示し、図１４（ｂ）には、排ガス処理装置９００ａとは異なる態様の排ガス処理装置９００ｂを示す。
図１４は、排ガス処理装置９００ａ、９００ｂの上面からみた断面を示す概略図である。図１４（ａ）には、排ガス処理装置９００の一態様として排ガス処理装置９００ａを示し、図１４（ｂ）には、排ガス処理装置９００ａとは異なる態様の排ガス処理装置９００ｂを示す。
排ガス処理装置９００ａは、箱状の筐体９１０ａを有し、成膜室１００から排出される排ガスを筐体９１０ａ内部へ導入する排ガス導入口９２０ａと、排ガスを筐体９１０ａ内部から外部へ排出する排ガス排出口９３０ａを備える。例えば、排ガス導入口９２０ａが図９に示す混合ガス排出管３１０と直接接続することにより、成膜室１００から排出される排ガスを排ガス処理装置９００ａに導入することができる。また、排ガス排出口９３０ａが図９に示す排気配管３５０と直接接続することにより、排ガス処理装置９００ａから排気配管３５０へ排ガスを排出することができる。
そして、排ガス処理装置９００ａは、筐体９１０ａの内部に塩化水素ガスを導入することのできる塩化水素ガス導入管３２０ａを備えてもよい。これにより、塩化水素ガス導入管３２０と塩化水素ガス導入管３２０ａのいずれかのみを使用またはこれらを併用して、塩化水素ガスの混合量を制御することができる。なお、排ガス処理装置９００ａは、排ガス中の各種ガスの含有量を検出する検出手段や、排ガス処理装置９００ａ内部をＳｉＣｌ２からＳｉＣｌ４への転換に好適な温度に制御できるよう、温度測定手段やヒータ４００の制御手段を備えていてもよい。
また、筐体９１０ａの内部には、排ガスと塩化水素ガスとを混合した混合ガスを滞留させることができるよう、複数の滞留板９４０ａを備えてもよい。滞留板９４０ａによって、ＳｉＣｌ２からＳｉＣｌ４への転換に好適な環境に混合ガスを長く留めておくことができる。
なお、排ガス処理装置９００内の混合ガスの滞留時間ｔは、原料ガスの流量（物質量ｎ モル/sec）と成膜室の温度（T）、処理室の内容積（Va）と管内圧力（P）から算出することができ、例えば気体の状態方程式PV=ｎRTから温度T、１secの流入体積VLを計算し、ｔ＝Va/VLで計算することができる。
例えば、排ガス処理装置９００ａの場合には、筐体９１０ａ内部の中央に形成された板状の滞留板９４１ａと、筐体９１０ａの内壁より突出するように形成された板状の滞留板９４２ａを備える。滞留板９４１ａ、９４２ａのいずれも、それらの長手方向が排ガス導入口９２０ａより侵入する排ガスの侵入方向と平行となるように配置されている。そして、滞留板９４１ａ、９４２ａが排ガス導入口９２０ａから排ガス排出口９３０ａへ向けて交互に配置されている。
図１４（ａ）では、滞留板９４１ａは３つ備えられているが、排ガス処理装置９００の設置態様により任意の数を備えることができ、３つに限定されない。滞留板９４１ａが１つであっても排ガスより炭化珪素を析出させることが可能であり、２つ以上備えられていることが好ましく、４よつ以上備えられていることがより好ましい。また、図９に示すように、ＳｉＣｌ２からＳｉＣｌ４への転換に問題が無ければ、滞留板が無いボックス状の排ガス処理装置９００であってもよい。
一方、図１４（ｂ）に示す排ガス処理装置９００ｂの場合には、筐体９１０ａ内部の中央に形成された滞留板９４１ｂと、筐体９１０ａの内壁より突出するように形成された板状の滞留板９４２ｂを備える。排ガス処理装置９００ａとは異なり、滞留板９４１ｂは中央部が排ガス排出口９３０ａの方へ屈曲したくの字状の断面を有し、排ガス排出口９３０ａから排ガス導入口９２０ａへ向けて広がるテーパー状となっている。また、滞留板９４２ｂは滞留板９４２ａと同様に板状であるものの、先端が排ガス導入口９２０ａの方へ傾くように傾斜して設置されている。これにより、筐体９１０ａの内部に侵入した排ガスが通り抜けられずに留まりやすくなる領域Ａができるため、排ガス処理装置９００ａの場合よりも排ガスの流通がより阻害されることで、ＳｉＣｌ２からＳｉＣｌ４へより効率的に転換することができる。
なお、排ガス処理装置９００ｂは、排ガス処理装置９００ａと同様に、箱状の筐体９１０ａ、排ガス導入口９２０ａ、排ガス排出口９３０ａ、および塩化水素ガス導入管３２０ａを備える。
排ガス処理装置９００を構成する各部材は、使用環境に耐えられるよう黒鉛製であることが好ましい。黒鉛であれば排ガス処理装置の任意の形状への加工が容易であり、また、排ガス処理時に不活性雰囲気下とすることで、高温となる成膜条件に十分な耐久性を持つことができる。
〈四重極型質量分析計１６００〉
四重極型質量分析計１６００は、４本の電極ロッド（四重極）に直流電圧と交流電圧を与えることで、ある特定の質量（m/z値）のイオンだけがはじき飛ばされずに通過できる電場を形成させることのできる、質量分析計である。排気配管３５０に排気ガスをサンプリングするためのサンプリング配管１６１０を接続し、差動排気を行って排気ガスをサンプリングして、四重極型質量分析計１６００で排気ガスの成分を検知することができる。
四重極型質量分析計１６００は、４本の電極ロッド（四重極）に直流電圧と交流電圧を与えることで、ある特定の質量（m/z値）のイオンだけがはじき飛ばされずに通過できる電場を形成させることのできる、質量分析計である。排気配管３５０に排気ガスをサンプリングするためのサンプリング配管１６１０を接続し、差動排気を行って排気ガスをサンプリングして、四重極型質量分析計１６００で排気ガスの成分を検知することができる。
〈コールドトラップ１７００〉
コールドトラップ１７００は、減圧操作において気体を液体に濃縮する装置である。製造装置１０００では、サンプリング配管１６１０の後流に配置されており、排気配管３５０から排気ガスがコールドトラップ１７００に導入され、主にガス状のＳｉＣｌ４を液体化して濃縮することができる。
コールドトラップ１７００は、減圧操作において気体を液体に濃縮する装置である。製造装置１０００では、サンプリング配管１６１０の後流に配置されており、排気配管３５０から排気ガスがコールドトラップ１７００に導入され、主にガス状のＳｉＣｌ４を液体化して濃縮することができる。
（その他の構成）
本発明の一実施形態の製造装置１０００は、上記の構成の他、更なる構成を備えていてもよい。製造装置２０００についても同様である。例えば、図９に示すように、成膜室１００が内部に挿入された、例えばカーボン製の円筒状の外筒１１００、外筒１１００の内部において成膜室１００を第１面１１０の外部から固定する保持治具１２００、外筒１１００が内部に挿入され、外筒１１００との間にＡｒガス等の不活性ガスを流通させるセラミック炉芯管１３００、外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００をそれらの両端において固定する固定フランジ１４００、成膜室１００を外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００と共に内部に収める筐体１５００を備えてもよい。また、未図示ではあるが、成膜室１００の室内の温度や第１面１００の温度、混合ガス噴出口２００の温度を測定することのできる温度計等の温度測定手段、ヒータ４００の発熱を制御するスイッチ等の制御手段や発熱させるための電源等を備えることができる。
本発明の一実施形態の製造装置１０００は、上記の構成の他、更なる構成を備えていてもよい。製造装置２０００についても同様である。例えば、図９に示すように、成膜室１００が内部に挿入された、例えばカーボン製の円筒状の外筒１１００、外筒１１００の内部において成膜室１００を第１面１１０の外部から固定する保持治具１２００、外筒１１００が内部に挿入され、外筒１１００との間にＡｒガス等の不活性ガスを流通させるセラミック炉芯管１３００、外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００をそれらの両端において固定する固定フランジ１４００、成膜室１００を外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００と共に内部に収める筐体１５００を備えてもよい。また、未図示ではあるが、成膜室１００の室内の温度や第１面１００の温度、混合ガス噴出口２００の温度を測定することのできる温度計等の温度測定手段、ヒータ４００の発熱を制御するスイッチ等の制御手段や発熱させるための電源等を備えることができる。
［排ガス処理方法］
次に、本発明の排ガス処理方法の一例として、製造装置１０００を用いる排ガス処理方法について説明する。本発明の排ガス処理方法は、以下に説明する混合工程と、熱処理工程と、を含む。
次に、本発明の排ガス処理方法の一例として、製造装置１０００を用いる排ガス処理方法について説明する。本発明の排ガス処理方法は、以下に説明する混合工程と、熱処理工程と、を含む。
〈混合工程〉
本工程は、塩化珪素ガスおよび炭素系ガスを原料ガスとして用いて、炭素基板の表面に化学蒸着により炭化珪素多結晶を成膜する成膜室１００から排出されるSiCl2を含有する排ガスと、塩化水素ガスとを混合して混合ガスを得る工程である。
本工程は、塩化珪素ガスおよび炭素系ガスを原料ガスとして用いて、炭素基板の表面に化学蒸着により炭化珪素多結晶を成膜する成膜室１００から排出されるSiCl2を含有する排ガスと、塩化水素ガスとを混合して混合ガスを得る工程である。
排ガス中には、以下に説明する炭化珪素の原料ガスとなる塩素珪素ガスおよび炭素系ガスと、さらにこれらの原料ガスを運搬する役目を持つアルゴンガスやヘリウムガス等の希ガスや水素ガス等のキャリアガスが含まれ、更に適宜窒素ガス等のドーパントガスやアルゴンガスを含んでもよい。
（塩化珪素ガス）
塩化珪素ガスとしては、熱ＣＶＤ法による炭化珪素のＣＶＤ成長に用いられるものであれば、特に制限はない。例えば、クロロシランガスとして、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ3、ＳｉＣｌ4等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を混合したものを好適に用いることができる。また、これらのクロロシランの単量体のみならず、２量体のガスを用いることもできる。例えば、塩化珪素ガスがＳｉＣｌ4またはＳｉＣｌ3であってもよい。
塩化珪素ガスとしては、熱ＣＶＤ法による炭化珪素のＣＶＤ成長に用いられるものであれば、特に制限はない。例えば、クロロシランガスとして、ＳｉＨ3Ｃｌ、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ3、ＳｉＣｌ4等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を混合したものを好適に用いることができる。また、これらのクロロシランの単量体のみならず、２量体のガスを用いることもできる。例えば、塩化珪素ガスがＳｉＣｌ4またはＳｉＣｌ3であってもよい。
（炭素系ガス）
炭素系ガスとしては、塩化珪素ガスと同様に公知のものを用いることができ、一般的には炭化水素ガスを使用することができる。例えば、常温付近でガス状態であってハンドリングする上で好都合であることから、炭素数が５以下の飽和炭化水素、又は、炭素数が５以下の不飽和炭化水素からなる炭素系ガスであるのがよく、これらの１種又は２種以上を混合したものを好適に用いることができる。特に、炭素数が５以下の炭化水素から選ばれた１種または２種以上であり、メタン、エタン、プロパン、ブタンやこれらに類似する炭化水素ガスを、適宜炭素系ガスとして用いることができる。また、芳香族炭化水素等のガスも使用可能ではあるが、一般に分解速度が遅く、カーボンの凝集体を作りやすいので注意が必要である。また、炭素系ガスのキャリアガスとしては、ガス同士の反応を抑えることができることから、水素を用いるのが好ましい。
炭素系ガスとしては、塩化珪素ガスと同様に公知のものを用いることができ、一般的には炭化水素ガスを使用することができる。例えば、常温付近でガス状態であってハンドリングする上で好都合であることから、炭素数が５以下の飽和炭化水素、又は、炭素数が５以下の不飽和炭化水素からなる炭素系ガスであるのがよく、これらの１種又は２種以上を混合したものを好適に用いることができる。特に、炭素数が５以下の炭化水素から選ばれた１種または２種以上であり、メタン、エタン、プロパン、ブタンやこれらに類似する炭化水素ガスを、適宜炭素系ガスとして用いることができる。また、芳香族炭化水素等のガスも使用可能ではあるが、一般に分解速度が遅く、カーボンの凝集体を作りやすいので注意が必要である。また、炭素系ガスのキャリアガスとしては、ガス同士の反応を抑えることができることから、水素を用いるのが好ましい。
〈熱処理工程〉
本工程は、混合ガスを熱処理してSiCl2をSiCl4に転換する工程であり、例えば排ガス処理装置９００により混合ガスを熱処理することができる。
本工程は、混合ガスを熱処理してSiCl2をSiCl4に転換する工程であり、例えば排ガス処理装置９００により混合ガスを熱処理することができる。
（熱処理温度）
熱処理工程において、混合ガスの熱処理温度が１２００Ｋ以上１５００Ｋ以下であることで、ＳｉＣｌ２等の高次のクロロシランポリマーを効率的にＳｉＣｌ４に転換することができる。混合ガスの熱処理温度が１２００Ｋ以上１５００Ｋ以下の条件から外れる場合には、ＳｉＣｌ２のＳｉＣｌ４への転換が効率的ではなくなるおそれがある。なお、排ガス処理室の室内温度は、ヒータ４００を用いて制御することができる。
熱処理工程において、混合ガスの熱処理温度が１２００Ｋ以上１５００Ｋ以下であることで、ＳｉＣｌ２等の高次のクロロシランポリマーを効率的にＳｉＣｌ４に転換することができる。混合ガスの熱処理温度が１２００Ｋ以上１５００Ｋ以下の条件から外れる場合には、ＳｉＣｌ２のＳｉＣｌ４への転換が効率的ではなくなるおそれがある。なお、排ガス処理室の室内温度は、ヒータ４００を用いて制御することができる。
（ＳｉＣｌ２とＨＣｌの混合比）
混合工程における排ガス中のＳｉＣｌ２と塩化水素ガスとの混合比は、モル比でＳｉＣｌ２：ＨＣｌ＝１：１．５～８であることで、ＳｉＣｌ２等の高次のクロロシランポリマーを効率的にＳｉＣｌ４に転換することができる。排ガス中のＳｉＣｌ２と塩化水素ガスとの混合比が上記の条件から外れる場合には、ＳｉＣｌ２のＳｉＣｌ４への転換が効率的ではなくなるおそれがある。なお、排ガスと塩化水素ガスとの混合は、塩化水素ガス導入管３２０により外部より塩化水素ガスを排ガスに導入することにより行うことができる。
混合工程における排ガス中のＳｉＣｌ２と塩化水素ガスとの混合比は、モル比でＳｉＣｌ２：ＨＣｌ＝１：１．５～８であることで、ＳｉＣｌ２等の高次のクロロシランポリマーを効率的にＳｉＣｌ４に転換することができる。排ガス中のＳｉＣｌ２と塩化水素ガスとの混合比が上記の条件から外れる場合には、ＳｉＣｌ２のＳｉＣｌ４への転換が効率的ではなくなるおそれがある。なお、排ガスと塩化水素ガスとの混合は、塩化水素ガス導入管３２０により外部より塩化水素ガスを排ガスに導入することにより行うことができる。
なお、排ガス中のＳｉＣｌ２と塩化水素ガスとの混合比は、ＳｉＣｌ２と塩化水素ガスの含有量を検出することのできる検出手段を用いて測定および制御することができる。
（その他の工程）
本発明の排ガス処理方法は上記の工程以外にも、他の工程を含むことができる。例えば、排ガスを排ガス処理室から排気配管３５０へ排出する工程や、上記した排ガス処理室へ導入する前の炭素源ガスを温める工程が挙げられる。
本発明の排ガス処理方法は上記の工程以外にも、他の工程を含むことができる。例えば、排ガスを排ガス処理室から排気配管３５０へ排出する工程や、上記した排ガス処理室へ導入する前の炭素源ガスを温める工程が挙げられる。
また、四重極型質量分析計１６００を用いて排気ガスの成分を検知する工程や、排気配管３５０から排気ガスをコールドトラップ１７００に導入し、ガス状のＳｉＣｌ４を液体化して濃縮し、ＳｉＣｌ４を回収する回収工程を含めることができる。
［炭化珪素多結晶ウエハの製造方法］
次に、本発明の炭化珪素多結晶ウエハの製造方法について説明する。本発明の炭化珪素多結晶ウエハの製造方法は、本発明の排ガス処理方法を含む。排ガス処理方法については上記したとおりであり、説明は省略する。
次に、本発明の炭化珪素多結晶ウエハの製造方法について説明する。本発明の炭化珪素多結晶ウエハの製造方法は、本発明の排ガス処理方法を含む。排ガス処理方法については上記したとおりであり、説明は省略する。
本発明の炭化珪素多結晶ウエハの製造方法は、本発明の排ガス処理方法の他、成膜工程等、炭化珪素多結晶ウエハを製造するための工程を含むことができる。以下、本発明の炭化珪素多結晶ウエハの製造方法の一例として、製造装置１０００を用いる炭化珪素多結晶ウエハの製造方法について説明する。
（成膜工程）
成膜工程は、成膜室１００において、基板ホルダー５００に基板６００同士を非接触で等間隔に積層され、かつ、成膜対象面６１０を側面１３０と平行に設置された複数の基板６００に対し、複数の混合ガス噴出口２００から混合ガス８１０を成膜室１００に噴出すると共に、混合ガス排出口３００から混合ガス８１０を成膜室１００から排出して、混合ガス８１０を成膜対象面６１０と平行な方向に流通させて、基板６００に膜を成膜する工程である。このように成膜すれば、基板間や同一成膜対象面において、厚みのバラツキの少ない膜を成膜することができる。
成膜工程は、成膜室１００において、基板ホルダー５００に基板６００同士を非接触で等間隔に積層され、かつ、成膜対象面６１０を側面１３０と平行に設置された複数の基板６００に対し、複数の混合ガス噴出口２００から混合ガス８１０を成膜室１００に噴出すると共に、混合ガス排出口３００から混合ガス８１０を成膜室１００から排出して、混合ガス８１０を成膜対象面６１０と平行な方向に流通させて、基板６００に膜を成膜する工程である。このように成膜すれば、基板間や同一成膜対象面において、厚みのバラツキの少ない膜を成膜することができる。
また、基板６００の成膜対象面６１０と左側面１３０ｃとの隙間の幅７００、および右側面１３０ｄとの隙間の幅７１０が、等間隔に積層した基板６００間のそれぞれの隙間の幅７２０と同一であると、これらの隙間を混合ガスが均一に流れるため、基板間や同一成膜対象面において、より厚みのバラツキの少ない膜を成膜することができる。
例えば、図１３を用いて説明したように、混合ガス噴出口２００から噴出される混合ガス８１０の噴出速度Ｖｇを、混合ガス８１０の拡散速度Ｖｄよりも早くすることが好ましい。
炭化珪素多結晶ウエハの製造方法においては、炭化珪素の原料となる塩化珪素ガスと炭素系ガスが原料ガスとなり、原料ガスとさらにこれらの原料ガスを運搬する役目を持つアルゴンガスやヘリウムガス等の希ガスや水素ガス等のキャリアガスを混合したものが、混合ガス８１０となる。混合ガス８１０は更に適宜窒素ガス等のドーパントガスやアルゴンガスを含んでもよい。塩化珪素ガスや炭素系ガス、キャリアガス等については、排ガス処理方法においてした説明と同様であるため、ここでは説明を省略する。
さらに、炭化珪素多結晶膜を成膜する場合には、塩化珪素ガスにおける珪素原子数に対する炭素系ガスにおける炭素原子数の比（Ｃ／Ｓｉ）が重要であり、Ｃ／Ｓｉを０．７～１．３に制御することにより、基板６００に炭化珪素多結晶の薄膜をエピタキシャル成長させることが容易となり、成長速度を大きくすることができて生産性の向上に繋がる。Ｃ／Ｓｉが０．７～１．３から外れた場合には、珪素原子と炭素原子の存在割合のバランスが悪くなることで、炭化珪素多結晶の成膜が困難となるおそれや、成膜速度が遅くなるおそれ、成膜に関与しない原料ガスが増えて無駄になるおそれがある。例えば、Ｃ／Ｓｉが０．７未満であると、未反応のＳｉが金属状態で膜に付着（ドロップレット）してしまうおそれがあり、欠陥発生の原因となる。また、Ｃ／Ｓｉが１．３を超えると、バンチングと呼ばれる表面段差が発生するおそれがあり、デバイスを作製する上で悪影響を与えることがある。より好ましくは、Ｃ／Ｓｉを０．８～１．２とする。
炭化珪素多結晶薄膜の成長速度は1０μｍ／時間～７０μｍ／時間とするのが好適であり、その際の塩化珪素ガスについては、上記で好適な例として挙げた塩化珪素ガスの濃度が１体積％～１０体積％になるようにするのがよく、好ましくは２体積％～４体積％であるのがよい。一方の炭素系ガスについては、好適な例として挙げた炭素系ガスの濃度が０．０１体積％～１体積％以下になるようにするのがよく、好ましくは０．０２体積％～０．０６体積％であるのがよい。なお、この濃度範囲は、一例としてＣ3Ｈ8の場合について例示したものであり、この濃度範囲を目安として、他の炭素系ガスを用いる場合には、カーボン（C）の量で等量となるように変更すればよい。例えば、炭素系ガスとしてメタン（ＣＨ４）を用いる場合には、この濃度範囲の上限値及び下限値をそれぞれ３倍にすればよい。
また、炭化珪素多結晶薄膜の成長圧力については、成長温度と同様、炭化珪素薄膜をＣＶＤ成長させる際の一般的な条件をそのまま採用することができる。例えば、成長圧力を１０，０００Ｐａ～１１０，０００Ｐａの範囲とするのがよい。
また、本発明の炭化珪素多結晶ウエハの製造方法では、複数のＳｉ基板又はＣ基板を基板６００とし、その成膜対象面６１０のそれぞれに炭化珪素多結晶薄膜を成長させることができる。一度の成膜処理における基板６００の枚数については、特に制限はないが、５～１０枚の基板から２０枚～３０枚、またはそれ以上の数の基板６００まで、同時に成膜させることができる。
そして、基板６００のそれぞれの表面に成長させる炭化珪素多結晶薄膜の膜厚については、適宜設定することができ、特に制限はないが、一般的には０．２ｍｍ以上５ｍｍ以下の範囲の膜厚に設定することができる。
また、本発明の炭化珪素多結晶ウエハの製造方法においては、炭化珪素多結晶薄膜をＣＶＤ成膜させる際の成長温度は１４００Ｋ以上１８００Ｋ以下の範囲にするのがよい。本発明では、結晶系が３Ｃの炭化珪素多結晶ウエハの製造を主目的としており、一般に、成長温度が１８００Ｋより高い温度では、炭化珪素の成膜においてエピタキシャル成長が起こる場合があり、結晶系が４Ｈの六方晶が３Ｃと共に成膜されるおそれがある。また、成長温度が１４００Ｋより低いと、炭化珪素の成長速度が遅くなり、厚い膜を作成するのに適していない条件となるおそれがある。炭化珪素の成膜において、温度が高くなると成長速度が速くなることから、結晶系が３Ｃの炭化珪素多結晶を高速成膜（１０μｍ／Ｈｒ以上）できるよう、成長温度は上記のように１４００K以上１８００Ｋ以下の範囲にするのがよい。
（その他の工程）
本発明の炭化珪素多結晶ウエハの製造方法は、上記した成膜工程や排ガス処理方法以外にも、他の工程を含むことができる。例えば、基板ホルダー５００に基板６００同士を非接触で等間隔に積層して、基板６００を基板ホルダー５００に設置する工程や、基板６００を設置した基板ホルダー５００を成膜室１００に設置する工程、製造装置１０００を成膜できる状態に立ち上げる工程、成膜工程後に成膜室１００を冷却する工程、成膜後の基板を成膜室１００から取り出す工程等が挙げられる。
本発明の炭化珪素多結晶ウエハの製造方法は、上記した成膜工程や排ガス処理方法以外にも、他の工程を含むことができる。例えば、基板ホルダー５００に基板６００同士を非接触で等間隔に積層して、基板６００を基板ホルダー５００に設置する工程や、基板６００を設置した基板ホルダー５００を成膜室１００に設置する工程、製造装置１０００を成膜できる状態に立ち上げる工程、成膜工程後に成膜室１００を冷却する工程、成膜後の基板を成膜室１００から取り出す工程等が挙げられる。
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は以下の内容に制限されるものではない。
（実施例１）
基板６００として、直径４インチ（１００ｍｍ）、厚み１ｍｍの炭素基板を９枚用意した。図９に示す炭化珪素多結晶ウエハの製造装置１０００を用いて、熱ＣＶＤ法により、基板６００の成膜対象面６１０となる両面に炭化珪素多結晶膜を成膜し、炭化珪素多結晶ウエハを製造した。炭化珪素多結晶ウエハを製造後、排ガス処理装置９００の下流に配置された排気配管３５０の内部を観察し、高次のクロロシランポリマー等の排ガス中の塩素含有珪素源ガスに起因する付着物の有無を確認した。
基板６００として、直径４インチ（１００ｍｍ）、厚み１ｍｍの炭素基板を９枚用意した。図９に示す炭化珪素多結晶ウエハの製造装置１０００を用いて、熱ＣＶＤ法により、基板６００の成膜対象面６１０となる両面に炭化珪素多結晶膜を成膜し、炭化珪素多結晶ウエハを製造した。炭化珪素多結晶ウエハを製造後、排ガス処理装置９００の下流に配置された排気配管３５０の内部を観察し、高次のクロロシランポリマー等の排ガス中の塩素含有珪素源ガスに起因する付着物の有無を確認した。
〈炭化珪素多結晶ウエハの製造装置１０００〉
外筒１１００は黒鉛製の両端坩堝から形成された筒状の形状であり、セラミック炉芯管１３００に挿入されたものである。セラミック炉芯管１３００および外筒１１００の両端は金属製の固定フランジ１４００で密閉され、黒鉛材料の酸化防止のために、内部にＡｒガスが導入されている。そして、外筒１１００の内部に成膜室１００が保持冶具１２００で固定されている。黒鉛製の混合ガス導入管２１０は、成膜室１００の内部に混合ガス噴出口２００が位置するように、保持治具１２００および第１面１００に挿入されて設置される。そして、黒鉛製の混合ガス排出管３１０は、成膜室１００の内部に混合ガス排出口３００が位置するように、第２面１２０に挿入されて設置される。成膜室１００から排出される排ガスは、混合ガス排出管３１０を介して排ガス導入口９２０ａより筐体９１０ａの内部へ導入され、筐体９１０ａの内部から排ガス排出口９３０ａを介して排気配管３５０へ排出される。また、セラミック炉芯管１３００を囲む円筒状の黒鉛製ヒータ４００が設置されており、さらに、成膜室１００および排ガス処理装置９００ａを外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００と共に内部に収める筐体１５００を備える。そして、成膜室１００に供給された混合ガス８１０は、排気配管３５０に接続された未図示の真空ポンプを用いて製造装置１０００から外部へ排出可能である。
外筒１１００は黒鉛製の両端坩堝から形成された筒状の形状であり、セラミック炉芯管１３００に挿入されたものである。セラミック炉芯管１３００および外筒１１００の両端は金属製の固定フランジ１４００で密閉され、黒鉛材料の酸化防止のために、内部にＡｒガスが導入されている。そして、外筒１１００の内部に成膜室１００が保持冶具１２００で固定されている。黒鉛製の混合ガス導入管２１０は、成膜室１００の内部に混合ガス噴出口２００が位置するように、保持治具１２００および第１面１００に挿入されて設置される。そして、黒鉛製の混合ガス排出管３１０は、成膜室１００の内部に混合ガス排出口３００が位置するように、第２面１２０に挿入されて設置される。成膜室１００から排出される排ガスは、混合ガス排出管３１０を介して排ガス導入口９２０ａより筐体９１０ａの内部へ導入され、筐体９１０ａの内部から排ガス排出口９３０ａを介して排気配管３５０へ排出される。また、セラミック炉芯管１３００を囲む円筒状の黒鉛製ヒータ４００が設置されており、さらに、成膜室１００および排ガス処理装置９００ａを外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００と共に内部に収める筐体１５００を備える。そして、成膜室１００に供給された混合ガス８１０は、排気配管３５０に接続された未図示の真空ポンプを用いて製造装置１０００から外部へ排出可能である。
製造装置１０００において、セラミック炉芯管１３００の寸法は外径２１０ｍｍ、内径１９０ｍｍで厚みは均一であり、長さが７００ｍｍである。外筒１１００は外径１８０ｍｍ、内径１７０ｍｍで厚みは均一であり、長さが７００ｍｍである。また、成膜室１００は、外形が１１８ｍｍ角で長さが３２０ｍｍの直方体状であり、内形が１１０ｍｍ角で長さが３１２ｍｍの直方体状であり、厚みは均一である。
（ガス噴出口２００）
図１０に示すように、第１面１１０に内径が１２ｍｍの混合ガス噴出口２００が１列に４個配置されている。４つの混合ガス噴出口２００は、管中心で２２ｍｍの等間隔に配置されている。また、混合ガス噴出口２００の列は、第１面１１０における幅方向（列と直交する方向）の中央部に配置されている。
図１０に示すように、第１面１１０に内径が１２ｍｍの混合ガス噴出口２００が１列に４個配置されている。４つの混合ガス噴出口２００は、管中心で２２ｍｍの等間隔に配置されている。また、混合ガス噴出口２００の列は、第１面１１０における幅方向（列と直交する方向）の中央部に配置されている。
また、成膜室から排出されるSiCl2を含有する排ガスと、塩化水素ガスとを混合して混合ガスを得られるよう、混合ガス排出管３１０には内径１０ｍｍの塩化水素ガス導入管３２０を接続した。
（排ガス処理装置９００）
排ガス処理装置９００としては、図９に示す塩化水素ガス導入管３２０ａおよび滞留板が無い黒鉛性で、排ガス導入口９２０ａから排ガス排出口９３０ａまでの直線距離９００Ｌが５０ｍｍ、１００ｍｍ、２００ｍｍおよび３００ｍｍの４種類のボックス状の排ガス処理装置９００を使用した。排ガス処理装置９００は、内径１００ｍｍの円筒状であり、厚みは均一である。また、排ガス導入口９２０ａおよび排ガス排出口９３０ａの開口径は５６ｍｍであり、混合ガス排出管３１０および排気配管３５０の内径と同一である。また、排ガス処理装置９００の温度はヒータ４００により制御し、１１００Ｋから１６００Ｋまで変化させた。
排ガス処理装置９００としては、図９に示す塩化水素ガス導入管３２０ａおよび滞留板が無い黒鉛性で、排ガス導入口９２０ａから排ガス排出口９３０ａまでの直線距離９００Ｌが５０ｍｍ、１００ｍｍ、２００ｍｍおよび３００ｍｍの４種類のボックス状の排ガス処理装置９００を使用した。排ガス処理装置９００は、内径１００ｍｍの円筒状であり、厚みは均一である。また、排ガス導入口９２０ａおよび排ガス排出口９３０ａの開口径は５６ｍｍであり、混合ガス排出管３１０および排気配管３５０の内径と同一である。また、排ガス処理装置９００の温度はヒータ４００により制御し、１１００Ｋから１６００Ｋまで変化させた。
（基板６００の設置）
図１２に示す態様のように、９枚の基板６００を基板ホルダー５００に設置した。基板６００は、溝５１１および溝５２１によって基板ホルダー５００に固定された状態で、成膜室１００に設置した。図１２（ｂ）に示す態様のように、基板ホルダー５００の上保持棒５１０は、上側面１３０ａとの間に混合ガス８１０が侵入しないように上側面１３０ａと密接させ、下保持棒５２０は、下側面１３０ｂとの間に混合ガス８１０が侵入しないように下側面１３０ｂと密接させた。基板６００の成膜対象面６１０と左側面１３０ｃとの隙間の幅７００、右側面１３０ｄとの隙間の幅７１０および、等間隔に積層した基板６００間のそれぞれの隙間の幅７２０と同一とし、それぞれ１０ｍｍとした。なお、混合ガス噴出口２００と基板ホルダー５００との最短距離は、１５０ｍｍとした。
図１２に示す態様のように、９枚の基板６００を基板ホルダー５００に設置した。基板６００は、溝５１１および溝５２１によって基板ホルダー５００に固定された状態で、成膜室１００に設置した。図１２（ｂ）に示す態様のように、基板ホルダー５００の上保持棒５１０は、上側面１３０ａとの間に混合ガス８１０が侵入しないように上側面１３０ａと密接させ、下保持棒５２０は、下側面１３０ｂとの間に混合ガス８１０が侵入しないように下側面１３０ｂと密接させた。基板６００の成膜対象面６１０と左側面１３０ｃとの隙間の幅７００、右側面１３０ｄとの隙間の幅７１０および、等間隔に積層した基板６００間のそれぞれの隙間の幅７２０と同一とし、それぞれ１０ｍｍとした。なお、混合ガス噴出口２００と基板ホルダー５００との最短距離は、１５０ｍｍとした。
（炭化珪素多結晶膜の成膜）
黒鉛材料の酸化防止のために、外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００との間、および筐体１５００内にＡｒガスを流した。そして、未図示の真空ポンプによって成膜室１００内を真空排気した後、混合ガス導入管２１０を使って水素ガスを毎分２００ｃｍ3の流量で成膜室１００へ導入しながら、成膜室１００内の圧力を大気圧（１０１，３２５Ｐａ）に調整した。その後、圧力を一定に保ちながら、第１面１１０の温度を１１００Ｋ以下、および混合ガス噴出口２００の温度を１２００Ｋ以下に維持しつつ、成膜室１００内の温度を１５００Ｋまで上げた。そして、成膜室１００へ導入する水素ガスの流量を毎分３．０リットルまで増加させた。その状態を３分間保持した後、この水素ガスへＳｉＣｌ4ガスを毎分０．３リットル、ＣＨ４ガスを毎分０．３リットル、Ａｒガスを毎分１．０リットル、水素ガスを毎分１．０リットル混合して混合ガス８１０とし、Ｖｇ＞Ｖｄの状態で基板６００へ炭化珪素多結晶膜の熱ＣＶＤによる成膜を開始した。
黒鉛材料の酸化防止のために、外筒１１００およびセラミック炉芯管１３００との間、および筐体１５００内にＡｒガスを流した。そして、未図示の真空ポンプによって成膜室１００内を真空排気した後、混合ガス導入管２１０を使って水素ガスを毎分２００ｃｍ3の流量で成膜室１００へ導入しながら、成膜室１００内の圧力を大気圧（１０１，３２５Ｐａ）に調整した。その後、圧力を一定に保ちながら、第１面１１０の温度を１１００Ｋ以下、および混合ガス噴出口２００の温度を１２００Ｋ以下に維持しつつ、成膜室１００内の温度を１５００Ｋまで上げた。そして、成膜室１００へ導入する水素ガスの流量を毎分３．０リットルまで増加させた。その状態を３分間保持した後、この水素ガスへＳｉＣｌ4ガスを毎分０．３リットル、ＣＨ４ガスを毎分０．３リットル、Ａｒガスを毎分１．０リットル、水素ガスを毎分１．０リットル混合して混合ガス８１０とし、Ｖｇ＞Ｖｄの状態で基板６００へ炭化珪素多結晶膜の熱ＣＶＤによる成膜を開始した。
排ガス処理装置９００内で熱処理した後の排ガスは、コールドトラップ１７００（ヤマト科学製CA301、ガラストラップを使用）に導入し、－２０℃でＳｉＣｌ４を液体化して回収した。
また、コールドトラップ１７００の前の排気配管３５０にガスサンプリング用のサンプリング配管１６１０を接続し、差動排気を行って排気ガスをサンプリングして、四重極質量分析計１６００（PrismaPlus製QMG220 マス比1-200）で排気ガスの成分を検知した。
成膜処理を４時間行った後、混合ガス８１０の供給やヒータ４００による加熱を止めて基板６００を室温まで冷却後、基板ホルダー５００より炭化珪素多結晶膜が成膜した基板６００を取り出した。炭化珪素は正常に成膜され、成膜に問題はなかった。また、成膜後の排気配管３５０の内部を観察し、高次のクロロシランポリマー等の排ガス中の塩素含有珪素源ガスに起因する付着物の有無を確認したところ、塩素含有珪素源ガスに起因する付着物は無かった。
また、基板６００や製造装置１０００の内部に析出したＳｉＣ量は、使用した原料が全量ＳｉＣとなった場合のＳｉＣ量の３６質量％であった。ここで、原料ガス(塩化珪素ガス、炭素系ガス、Ａｒガス、Ｈ２ガス等の混合ガス)を０．３L/ｍｉｎで４時間供給した場合のＳｉＣｌ４のモル数は約３．２モルになり、ＳｉＣ析出量（３６質量％）を除くと、排気されるSi系ガスはＳｉＣｌ４換算で約２モル（分子量１６９．９）、約３４８ｇであった。
基板６００の温度を１５００Ｋとして、排ガス処理装置９００内部の温度を１１００Ｋ～１６００Ｋまで１００Ｋ毎に変化させた。各温度で排ガス導入口９２０ａから排ガス排出口９３０ａまでの直線距離９００Ｌが５０ｍｍ、１００ｍｍ、２００ｍｍおよび３００ｍｍである４種類の排ガス処理装置９００を用いた。各直線距離９００Ｌにおける混合ガスの排ガス処理装置９００内部の滞留時間は、５０ｍｍで１．８秒、１００ｍｍで３．６秒、２００ｍｍで７．２秒、３００ｍｍで１０．８秒であった。
四重極質量分析計１６００による排ガスの測定では、Ａｒ、Ｈ２、ＳｉＣｌ４、ＨＣｌの元素が検出された。ＳｉＣｌ２やＳｉＣｌ３等のＳｉＣｌ４が分解した塩化珪素類は検出されなかった。四重極質量分析計１６００の測定でＳｉＣｌ４が検出されたときにＡｒ（質量数４０）のピークと比を表６に示す。表６において、NDは未検出を示す。表６において、ＨＣｌが０、０．２、０．５、１．０の単位はＬ／ｍｉｎであり、塩化水素ガス導入管３２０より排ガスに導入する塩化水素の量である。また、ＨＣｌ／ＳｉＣｌ２が３．１、４．２、５．７、８．３は、塩化水素ガス導入管３２０より塩化水素を導入した後の、排ガス中のＨＣｌ／ＳｉＣｌ２のモル比である。
コールドトラップ１７００で回収したＳｉＣｌ４量（ｇ）を表７に示す。基板上にＳｉＣｌ４の３６質量％が析出し、排ガス処理装置９００内部で約１０質量％がＳｉＣとして析出した。
それらの析出を考慮すると、ＳｉＣｌ４の実際の回収量は、原料ガスのＳｉＣｌ４が全量ＳｉＣｌ２に転換されると仮定して計算した回収量の結果に一致し、ＨＣｌ/ＳｉＣｌ２比が２以上、温度１２００Ｋから１５００ＫでＳｉＣｌ４が特に多く回収できることが分かった。
（従来例）
排ガス処理装置９００および塩化水素ガス導入管３２０を備えておらず、排ガスが混合ガス排出管３１０より製造装置の外部へ排出される他は、製造装置１０００と同構成である炭化珪素多結晶ウエハの製造装置３０００（図８）を使用し、実施例と同様の条件で成膜処理を行って、成膜後の混合ガス排出管３１０の内部を観察した。炭化珪素は正常に成膜され、成膜に問題はなかったものの、原料のＳｉＣｌ２ガスに起因する付着物が混合ガス排出管３１０の内部に約３００ｇ付着していた。
排ガス処理装置９００および塩化水素ガス導入管３２０を備えておらず、排ガスが混合ガス排出管３１０より製造装置の外部へ排出される他は、製造装置１０００と同構成である炭化珪素多結晶ウエハの製造装置３０００（図８）を使用し、実施例と同様の条件で成膜処理を行って、成膜後の混合ガス排出管３１０の内部を観察した。炭化珪素は正常に成膜され、成膜に問題はなかったものの、原料のＳｉＣｌ２ガスに起因する付着物が混合ガス排出管３１０の内部に約３００ｇ付着していた。
（まとめ）
本発明により、排気ガスに塩化水素ガスをＨＣｌ/ＳｉＣｌ２質量比が２以上となるように添加して混合ガスとし、熱処理温度を１２００Ｋ以上１５００Ｋ以下にして混合ガスを熱処理することにより、炭化珪素多結晶ウエハの製造装置内部の排気配管等へクロロシラン系ポリマーを付着させることなく、ＳｉＣｌ４に転換してＳｉＣｌ２を回収することが可能であることが確認できた。
本発明により、排気ガスに塩化水素ガスをＨＣｌ/ＳｉＣｌ２質量比が２以上となるように添加して混合ガスとし、熱処理温度を１２００Ｋ以上１５００Ｋ以下にして混合ガスを熱処理することにより、炭化珪素多結晶ウエハの製造装置内部の排気配管等へクロロシラン系ポリマーを付着させることなく、ＳｉＣｌ４に転換してＳｉＣｌ２を回収することが可能であることが確認できた。
１００ 成膜室
１１０ 第１面
１１０ 成膜室
１２０ 第２面
１３０ 側面
１３０ａ 上側面
１３０ｂ 下側面
１３０ｃ 左側面
１３０ｄ 右側面
２００ 混合ガス噴出口
２１０ 混合ガス導入管
３００ 混合ガス排出口
３１０ 混合ガス排出管
３２０ 塩化水素ガス導入管
３２０ａ 塩化水素ガス導入管
３５０ 排気配管
４００ ヒータ
５００ 基板ホルダー
５１０ 上保持棒
５１１ 溝
５２０ 下保持棒
５２１ 溝
６００ 基板
６１０ 成膜対象面
７００ 幅
７１０ 幅
７２０ 幅
８００ 混合ガス
８１０ 混合ガス
９００ 排ガス処理装置
９００ａ 排ガス処理装置
９００ｂ 排ガス処理装置
９００Ｌ 直線距離
９１０ａ 筐体
９２０ａ 排ガス導入口
９３０ａ 排ガス排出口
９４０ａ 滞留板
９４１ａ 滞留板
９４１ｂ 滞留板
９４２ａ 滞留板
９４２ｂ 滞留板
１０００ 製造装置
１１００ 外筒
１２００ 保持治具
１３００ セラミック炉芯管
１４００ 固定フランジ
１５００ 筐体
１６００ 四重極型質量分析計
１６１０ サンプリング配管
１７００ コールドトラップ
２０００ 製造装置
３０００ 製造装置
１１０ 第１面
１１０ 成膜室
１２０ 第２面
１３０ 側面
１３０ａ 上側面
１３０ｂ 下側面
１３０ｃ 左側面
１３０ｄ 右側面
２００ 混合ガス噴出口
２１０ 混合ガス導入管
３００ 混合ガス排出口
３１０ 混合ガス排出管
３２０ 塩化水素ガス導入管
３２０ａ 塩化水素ガス導入管
３５０ 排気配管
４００ ヒータ
５００ 基板ホルダー
５１０ 上保持棒
５１１ 溝
５２０ 下保持棒
５２１ 溝
６００ 基板
６１０ 成膜対象面
７００ 幅
７１０ 幅
７２０ 幅
８００ 混合ガス
８１０ 混合ガス
９００ 排ガス処理装置
９００ａ 排ガス処理装置
９００ｂ 排ガス処理装置
９００Ｌ 直線距離
９１０ａ 筐体
９２０ａ 排ガス導入口
９３０ａ 排ガス排出口
９４０ａ 滞留板
９４１ａ 滞留板
９４１ｂ 滞留板
９４２ａ 滞留板
９４２ｂ 滞留板
１０００ 製造装置
１１００ 外筒
１２００ 保持治具
１３００ セラミック炉芯管
１４００ 固定フランジ
１５００ 筐体
１６００ 四重極型質量分析計
１６１０ サンプリング配管
１７００ コールドトラップ
２０００ 製造装置
３０００ 製造装置
Claims (5)
- 塩化珪素ガスおよび炭素系ガスを原料ガスとして用いて、炭素基板の表面に化学蒸着により炭化珪素多結晶を成膜する成膜室から排出されるSiCl2を含有する排ガスと、塩化水素ガスとを混合して混合ガスを得る混合工程と、
前記混合ガスを熱処理して前記SiCl2をSiCl4に転換する熱処理工程と、
を含む、排ガス処理方法。 - 前記混合ガスの熱処理温度が１２００Ｋ以上１５００Ｋ以下である、請求項１に記載の排ガス処理方法。
- 前記塩化珪素ガスがＳｉＣｌ４またはＳｉＣｌ３である、請求項１または２に記載の排ガス処理方法。
- 前記混合工程における前記排ガス中のSiCl2と前記塩化水素ガスとの混合比は、モル比でSiCl2：ＨＣｌ＝１：１．５～８である、請求項１～３のいずれかに記載の排ガス処理方法。
- 請求項１～４のいずれかに記載の排ガス処理方法を含む、炭化珪素多結晶ウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020120083A JP7484515B2 (ja) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | 排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020120083A JP7484515B2 (ja) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | 排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022017028A true JP2022017028A (ja) | 2022-01-25 |
| JP7484515B2 JP7484515B2 (ja) | 2024-05-16 |
Family
ID=80185706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020120083A Active JP7484515B2 (ja) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | 排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7484515B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016534867A (ja) * | 2013-08-28 | 2016-11-10 | ハンワ ケミカル コーポレイション | 廃ガスの精製方法および精製装置 |
| WO2018008642A1 (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 株式会社Ihi | ケイ素化合物材料の製造方法およびケイ素化合物材料製造装置 |
| JP2020083666A (ja) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 黒鉛基材、炭化珪素の成膜方法および炭化珪素基板の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111232986A (zh) | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 新特能源股份有限公司 | 多晶硅还原生产中的尾气回收方法及回收系统 |
-
2020
- 2020-07-13 JP JP2020120083A patent/JP7484515B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016534867A (ja) * | 2013-08-28 | 2016-11-10 | ハンワ ケミカル コーポレイション | 廃ガスの精製方法および精製装置 |
| WO2018008642A1 (ja) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 株式会社Ihi | ケイ素化合物材料の製造方法およびケイ素化合物材料製造装置 |
| JP2020083666A (ja) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 黒鉛基材、炭化珪素の成膜方法および炭化珪素基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7484515B2 (ja) | 2024-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102385703B1 (ko) | 그래핀 층 구조체를 제조하는 방법 | |
| KR101094913B1 (ko) | Iii-v 족 반도체 물질을 형성하기 위한 제조 공정 시스템 | |
| CA2312790C (en) | Growth of very uniform silicon carbide epitaxial layers | |
| Carlsson et al. | Chemical vapor deposition | |
| KR101390425B1 (ko) | 화학기상증착 챔버용 온도제어 퍼지 게이트 밸브 | |
| JP5564311B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 | |
| US9082694B2 (en) | Substrate processing apparatus, method for manufacturing substrate, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP5727362B2 (ja) | 化学気相蒸着反応器内にガスを流通させるためのシステムおよび方法 | |
| US20120083100A1 (en) | Thermalizing gas injectors for generating increased precursor gas, material deposition systems including such injectors, and related methods | |
| EP3879010A1 (en) | Sic semiconductor substrate, and, production method therefor and production device therefor | |
| JP6609300B2 (ja) | 特定形状の炭化ケイ素の育成装置 | |
| Kornev et al. | Catalytic effects of electrode material on the silicon tetrachloride hydrogenation in RF-arc-discharge | |
| KR101238284B1 (ko) | 무촉매 나노와이어 제조 방법 및 이를 위한 장치 | |
| US20050255245A1 (en) | Method and apparatus for the chemical vapor deposition of materials | |
| CN103681259B (zh) | 用于制造碳化硅半导体器件的方法 | |
| JP2022017028A (ja) | 排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法 | |
| JP7484516B2 (ja) | 排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法 | |
| US20020088389A1 (en) | High throughput epitaxial growth by chemical vapor deposition | |
| JP6436024B2 (ja) | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法 | |
| JP7354898B2 (ja) | 排ガス処理方法および炭化珪素多結晶ウエハの製造方法 | |
| JP2011178611A (ja) | シリコン生成方法 | |
| US20130089490A1 (en) | Method and device | |
| JPS60116776A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP2021500305A (ja) | クロロシランから不純物を除去するための方法及び装置 | |
| JP7245417B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230126 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230919 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230926 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20231127 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240125 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240402 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240415 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7484515 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |