JPS61149478A - 六方晶乃至立方晶の窒化ホウ素膜の製造方法 - Google Patents
六方晶乃至立方晶の窒化ホウ素膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS61149478A JPS61149478A JP27871184A JP27871184A JPS61149478A JP S61149478 A JPS61149478 A JP S61149478A JP 27871184 A JP27871184 A JP 27871184A JP 27871184 A JP27871184 A JP 27871184A JP S61149478 A JPS61149478 A JP S61149478A
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- hexagonal
- film
- boron nitride
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
造方法に関する。
六方晶窒化ホウ素（ｈ−ａＮ）は金属とぬれにくい性質
を有しているために、化合物半導体を製造する際のカー
トやルツが等に使用されておシ、従来Ｂｃ／３ 等のハ
ロダン化物を窒素ガスやアンモエアガス中で反応させて
製造されている。しかし良好な結晶性をもつｈ−ＢＮ即
ちパイロリチツク−ＢＮを製造するためには少くとも７
３００℃以上の温度を必要とし又、高周波コイルや、グ
四ー放電等によシグツズマを生成させ分解反応を促進し
、被覆される材料の温度を下げる方法も検討されている
が、生成した膜の結晶性が良好なものは得られにくい。
を有しているために、化合物半導体を製造する際のカー
トやルツが等に使用されておシ、従来Ｂｃ／３ 等のハ
ロダン化物を窒素ガスやアンモエアガス中で反応させて
製造されている。しかし良好な結晶性をもつｈ−ＢＮ即
ちパイロリチツク−ＢＮを製造するためには少くとも７
３００℃以上の温度を必要とし又、高周波コイルや、グ
四ー放電等によシグツズマを生成させ分解反応を促進し
、被覆される材料の温度を下げる方法も検討されている
が、生成した膜の結晶性が良好なものは得られにくい。
一方、立方晶窒化ホウ素（Ｃ−ＢＮ）は非常に硬くファ
インセラミック材料として使用されお）、とのＣ−ＢＮ
の製造に当っては上記の方法で得られたＢＮを更に高温
高圧で処理する事が必要であるため製造設備に費用がか
かシ、工業的生産には適さない。
インセラミック材料として使用されお）、とのＣ−ＢＮ
の製造に当っては上記の方法で得られたＢＮを更に高温
高圧で処理する事が必要であるため製造設備に費用がか
かシ、工業的生産には適さない。
本発明は原料としてボラジン又はその誘導体を用い、し
かも高電界下で膜生成を行わしめることにより、より低
温で結晶性の良好なｈ−ＢＮ膜乃至Ｃ−ＢＮ膜を安定し
た品質で、よシ速く製造できる方法を提供するものであ
る。
かも高電界下で膜生成を行わしめることにより、より低
温で結晶性の良好なｈ−ＢＮ膜乃至Ｃ−ＢＮ膜を安定し
た品質で、よシ速く製造できる方法を提供するものであ
る。
本発明は種々の材料の表面に六方晶乃至立方晶系の窒化
ホウ素膜を形成するに轟って、原料としてボラジン又は
ボラジン誘導体を用い、それを分解プラズマ化しつ＼、
高電界下で当該材料の表面に窒化ホウ素膜を成長せしめ
ることを特償とする六方晶乃至立方晶系窒化ホウ素膜の
製造方法である０ 以下、本発明の六方晶乃至立方晶系の窒化ホウ素膜の製
造方法を添付図面に示す装置をもちいて詳細に説明する
。
ホウ素膜を形成するに轟って、原料としてボラジン又は
ボラジン誘導体を用い、それを分解プラズマ化しつ＼、
高電界下で当該材料の表面に窒化ホウ素膜を成長せしめ
ることを特償とする六方晶乃至立方晶系窒化ホウ素膜の
製造方法である０ 以下、本発明の六方晶乃至立方晶系の窒化ホウ素膜の製
造方法を添付図面に示す装置をもちいて詳細に説明する
。
先づ、ぎラジン又は例えば三塩化ボラジン、二塩化メチ
ルボラジン等のボラジン誘導体を原料アンプル１０に入
れ、真空槽１の中に例えば金属、石英、炭素、セラミッ
クス等の種々の材質の被覆すべき材料３をセットする。
ルボラジン等のボラジン誘導体を原料アンプル１０に入
れ、真空槽１の中に例えば金属、石英、炭素、セラミッ
クス等の種々の材質の被覆すべき材料３をセットする。
次に真空槽１を排気して真空にしてから加熱ヒーター２
を加熱する。材料３の温度が例えば５００〜／左ＯＯ℃
になったら、ＲＦ発振器５および直流高圧電源６のスイ
ッチを入れてゲンペ１２からパルプ８で流量調節しなが
ら少量のアンモニアガス又は窒素ガスをガス導入ロアよ
シ真空槽１の中に導入する。一方、恒温槽１１で所定の
温度に加熱されたボラジン又はボラジン誘導体をパルプ
９で流量調−しつ＼ガス導入ロアよシ真空槽１に導入す
る。導入されたガスは真空槽中でＲＦコイル４によシ、
プラズマ状態を形成しつ＼分解、反応し高電界下で材料
３に引き寄せられ、材料３と衝突し、材料３の表面に窒
化ホウ素の膜が成長する。
を加熱する。材料３の温度が例えば５００〜／左ＯＯ℃
になったら、ＲＦ発振器５および直流高圧電源６のスイ
ッチを入れてゲンペ１２からパルプ８で流量調節しなが
ら少量のアンモニアガス又は窒素ガスをガス導入ロアよ
シ真空槽１の中に導入する。一方、恒温槽１１で所定の
温度に加熱されたボラジン又はボラジン誘導体をパルプ
９で流量調−しつ＼ガス導入ロアよシ真空槽１に導入す
る。導入されたガスは真空槽中でＲＦコイル４によシ、
プラズマ状態を形成しつ＼分解、反応し高電界下で材料
３に引き寄せられ、材料３と衝突し、材料３の表面に窒
化ホウ素の膜が成長する。
本発明の製造方□法によれば、Ｂ−Ｎ結合を有し□
ているがラジン又はボラジン誘導体を原料として使用し
、又高電界下で膜形成を行わせるので六方晶乃至立方晶
系の窒化ホウ素膜の成長速度が速くしかも物質な膜が、
より低温で製造できる。
、又高電界下で膜形成を行わせるので六方晶乃至立方晶
系の窒化ホウ素膜の成長速度が速くしかも物質な膜が、
より低温で製造できる。
実施例および比較例
図面に示す装置を用い、材料３としてカーデン板を真空
槽１の所定の位置にセットし原料として−♂ラジンを原
料アンプル１０に入れ、真空槽内を１０″″ 〜１０″
″５ｔａｒｔ まで排気し、カーぎン板を加熱した。
槽１の所定の位置にセットし原料として−♂ラジンを原
料アンプル１０に入れ、真空槽内を１０″″ 〜１０″
″５ｔａｒｔ まで排気し、カーぎン板を加熱した。
カーぎン板が所定の温度に達したら、ＲＦ発振器のスイ
ッチを入れ、さらに直流高圧電源６によシ所定の電圧を
かけた上で、恒温槽１１で数トールの蒸気圧に調整され
たが２ジンのガスを？ンベ１２からのアンモニアガスで
３倍程度に希釈しながら真空槽内に導入し、ＲＦコイル
４でプラズマを生成させ、高電界中でカーがン板上に成
長させた。その結果を下記の第１表に示す〇比較のため
に印荷電圧を０にする以外は全く同様の条件下窒化ホウ
素膜を成長させたところ、カー？ン板の温度が６００℃
およびｇｏθ℃の場合、成長した窒化ホウ素膜はアモル
ファスであシ、当該温度が１０００℃および／２００℃
の場合、成長した窒化ホウ素膜はアモルファスと六方晶
の混合系であった。
ッチを入れ、さらに直流高圧電源６によシ所定の電圧を
かけた上で、恒温槽１１で数トールの蒸気圧に調整され
たが２ジンのガスを？ンベ１２からのアンモニアガスで
３倍程度に希釈しながら真空槽内に導入し、ＲＦコイル
４でプラズマを生成させ、高電界中でカーがン板上に成
長させた。その結果を下記の第１表に示す〇比較のため
に印荷電圧を０にする以外は全く同様の条件下窒化ホウ
素膜を成長させたところ、カー？ン板の温度が６００℃
およびｇｏθ℃の場合、成長した窒化ホウ素膜はアモル
ファスであシ、当該温度が１０００℃および／２００℃
の場合、成長した窒化ホウ素膜はアモルファスと六方晶
の混合系であった。
又、前記の実施例において窒化ホウ素膜の成長速度の一
例をあげるとカーがン板温度ｇＯθ℃、印荷電圧−にＶ
の場合、７時間で約／μｍであシ、同一装置で原料とし
て三塩化ホウ素（Ｂｃｌρ を使用した場合と比較して
約２〜３倍の成長速度であることが確認された。
例をあげるとカーがン板温度ｇＯθ℃、印荷電圧−にＶ
の場合、７時間で約／μｍであシ、同一装置で原料とし
て三塩化ホウ素（Ｂｃｌρ を使用した場合と比較して
約２〜３倍の成長速度であることが確認された。
添附図面は本発明による六方晶乃至立方晶の窒化ホウ素
膜の製造方法を実施するための装置の概略図である。 １は真空槽、３は被覆対象材料、２は轟核材料加熱用ヒ
ーター、４はＲＦ（高周波）コイル、５はＲＦ発振器、
６は直流高圧電源、７は原料がス導入口、８および９は
パルプ、１ｏは原料アンプル、ｉ １ｔｔｉ 恒ａ Ｎ
ｓ １２はガスデンベ。
膜の製造方法を実施するための装置の概略図である。 １は真空槽、３は被覆対象材料、２は轟核材料加熱用ヒ
ーター、４はＲＦ（高周波）コイル、５はＲＦ発振器、
６は直流高圧電源、７は原料がス導入口、８および９は
パルプ、１ｏは原料アンプル、ｉ １ｔｔｉ 恒ａ Ｎ
ｓ １２はガスデンベ。
Claims (1)
- 種々の材料の表面に六方晶乃至立方晶の窒化ホウ素膜を
形成するに当つて、原料としてボラジン又はボラジン誘
導体を用い、それをプラズマ化し分解、反応せしめつつ
高電界下で当該材料の表面に窒化ホウ素膜を成長せしめ
ることを特徴とする六方晶乃至立方晶の窒化ホウ素膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27871184A JPS61149478A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 六方晶乃至立方晶の窒化ホウ素膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27871184A JPS61149478A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 六方晶乃至立方晶の窒化ホウ素膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61149478A true JPS61149478A (ja) | 1986-07-08 |
Family
ID=17601123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27871184A Pending JPS61149478A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 六方晶乃至立方晶の窒化ホウ素膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61149478A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61153279A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-11 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 硬質窒化ホウ素被覆材料の製造方法 |
| JPS61174378A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-06 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 硬質窒化ホウ素被覆材料の製造方法 |
| JPS6369972A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 立方晶系窒化ホウ素膜の製造方法 |
| US5629053A (en) * | 1990-04-06 | 1997-05-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for manufacturing microcrystalline cubic boron-nitride-layers |
| CZ307168B6 (cs) * | 2017-03-03 | 2018-02-14 | Univerzita Karlova | Způsob a zařízení pro přípravu vrstev nitridu boritého v křemenných ampulích |
| JP2020147826A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 六方晶窒化ホウ素膜を形成する方法および装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6015933A (ja) * | 1983-07-07 | 1985-01-26 | Nec Corp | 薄膜形成法 |
| JPS6134173A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 高硬度窒化ホウ素膜の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP27871184A patent/JPS61149478A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6015933A (ja) * | 1983-07-07 | 1985-01-26 | Nec Corp | 薄膜形成法 |
| JPS6134173A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 高硬度窒化ホウ素膜の製造方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0582473B2 (ja) * | 1984-12-27 | 1993-11-19 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | |
| JPS61174378A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-06 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 硬質窒化ホウ素被覆材料の製造方法 |
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| JPS6369972A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 立方晶系窒化ホウ素膜の製造方法 |
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| WO2020189158A1 (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 六方晶窒化ホウ素膜を形成する方法および装置 |
| KR20210134745A (ko) | 2019-03-15 | 2021-11-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 육방정 질화붕소막을 형성하는 방법 및 장치 |
| US20220165568A1 (en) * | 2019-03-15 | 2022-05-26 | Tokyo Electron Limited | Method and device for forming hexagonal boron nitride film |
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