JPS60169563A - テルル化金属の製造方法及び装置 - Google Patents
テルル化金属の製造方法及び装置Info
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- JPS60169563A JPS60169563A JP59221106A JP22110684A JPS60169563A JP S60169563 A JPS60169563 A JP S60169563A JP 59221106 A JP59221106 A JP 59221106A JP 22110684 A JP22110684 A JP 22110684A JP S60169563 A JPS60169563 A JP S60169563A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
- C23C16/306—AII BVI compounds, where A is Zn, Cd or Hg and B is S, Se or Te
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明はテルル化水素の合成及びテルル化水素からの金
属テルル化物の合成に関する。本発明は特に２元テルル
化水銀及びＨｇ１−ｘ ＣｃｉＸＴｅ 。
属テルル化物の合成に関する。本発明は特に２元テルル
化水銀及びＨｇ１−ｘ ＣｃｉＸＴｅ 。
Ｈｇ １−Ｘ Ｍｎ＞（ＴｅやＨｇ１−ｘ （Ｍｎ１−
ｙ Ｃｄｙ）ｘ Ｔｅなどの３元テルル化水銀の合成及
びこれらテルル化物を配合した光検知器に関するもので
あるが、本発明はこれらに限定されない。
ｙ Ｃｄｙ）ｘ Ｔｅなどの３元テルル化水銀の合成及
びこれらテルル化物を配合した光検知器に関するもので
あるが、本発明はこれらに限定されない。
背景技術
従来、これら２元及び３元テルル化水素は普通水銀蒸気
の存在下で気化カドミウム及びテルルアルキルを熱蒸着
させることからなる気相エピタキシャル法によって製造
されている。ところで、テルルアルキルは高温でしか分
解しないので、気相エピタキシーによってテルル化カド
ミウム水銀を製造することはほぼ３５００以上の温度で
わずかに実施可能であった。これがしばしば欠点になっ
ていた。
の存在下で気化カドミウム及びテルルアルキルを熱蒸着
させることからなる気相エピタキシャル法によって製造
されている。ところで、テルルアルキルは高温でしか分
解しないので、気相エピタキシーによってテルル化カド
ミウム水銀を製造することはほぼ３５００以上の温度で
わずかに実施可能であった。これがしばしば欠点になっ
ていた。
さらに、カドミウム及びテルルアルキルは気相で付加物
を形成するが、この付加物は各アルキルの分解温度よシ
低い温度で分解する。従って、一般式ＣｄＸＨｇ１−ｘ
Ｔｅ中のＸの値が、カドミウムアルキル及びテルルア
ルキル混合体の熱分解によってテルル化カドミウム水銀
を形成するときの反応条件の複雑な関数になる。
を形成するが、この付加物は各アルキルの分解温度よシ
低い温度で分解する。従って、一般式ＣｄＸＨｇ１−ｘ
Ｔｅ中のＸの値が、カドミウムアルキル及びテルルア
ルキル混合体の熱分解によってテルル化カドミウム水銀
を形成するときの反応条件の複雑な関数になる。
発明の要約
本発明はテルル化水素気体を金属の気体源と均一に混合
することからなる金属テルル化物の制御された製造方法
において、純粋なテルル化水素気体、金属Ｍの気体源及
び水銀の流れを混合し、そして加熱された基体ａ４によ
って流動混合物を熱分解して該基体上にテルル化金属水
銀（Ｍｘ Ｈｇ １．−ｘＴｅ ）の層を形成すること
を特徴とする上記方法を提供するものである。
することからなる金属テルル化物の制御された製造方法
において、純粋なテルル化水素気体、金属Ｍの気体源及
び水銀の流れを混合し、そして加熱された基体ａ４によ
って流動混合物を熱分解して該基体上にテルル化金属水
銀（Ｍｘ Ｈｇ １．−ｘＴｅ ）の層を形成すること
を特徴とする上記方法を提供するものである。
発明の好適な実施態様
金属が十分揮発性であるならば、該金属の気体源は該金
属自体の蒸気であればよい。
属自体の蒸気であればよい。
金属アルキルなどの揮発性で熱分解性の他の有機金属化
合物も使用できる。好適な揮発性布１１金属化合物には
ジメチルカドミウム、ジエチルカドミウムや水素置換金
属アルギルがある。
合物も使用できる。好適な揮発性布１１金属化合物には
ジメチルカドミウム、ジエチルカドミウムや水素置換金
属アルギルがある。
本発明の方法は（光化学的にテルル化水素を分解する）
光の不在下で行う必要があり、またテルル化水素からは
曝発注の連鎖反応を開始させることがある痕跡量の水、
酸素及び他の遊離ラジカル源を除去しておく必要がある
。好適には、テルル化水素は水素などの適当な不活性希
釈剤で希釈する。また、報告によれば、テルル化水素の
分圧は室温で２５ Ｔｏｒｒ未満でなければならない。
光の不在下で行う必要があり、またテルル化水素からは
曝発注の連鎖反応を開始させることがある痕跡量の水、
酸素及び他の遊離ラジカル源を除去しておく必要がある
。好適には、テルル化水素は水素などの適当な不活性希
釈剤で希釈する。また、報告によれば、テルル化水素の
分圧は室温で２５ Ｔｏｒｒ未満でなければならない。
本発明方法の安全面については（テルル化水素の燃焼性
に関する）以下の文献をみられたい。
に関する）以下の文献をみられたい。
Ａ Ｓ Ｙｕｓｂｉｎ、 ＲＶ Ｐｅｋｈｏｍｏｖ、
Ｉｚｖ、 Ａｋａｄ、 Ｎａｕｋ。
Ｉｚｖ、 Ａｋａｄ、 Ｎａｕｋ。
５ＳＳＲ，Ｓｅｒ、 Ｋｈｉｍ、α２．２８０１−３．
１９７６、 （ＣＡ８６１０００８４）。
１９７６、 （ＣＡ８６１０００８４）。
Ｖ Ｓ Ｍｉｋｈｅｅｖ、 Ｌ Ｉ Ｎ１ｋｏｌａｅｖ
、 Ｖ Ｙａ、 Ｖｅｒｋｈｏｖｓｋｉｉ。
、 Ｖ Ｙａ、 Ｖｅｒｋｈｏｖｓｋｉｉ。
Ａ Ｓ Ｙｕｓｋｉｎ、 Ｉｚｖ、 Ａｋａｄ、 Ｎａ
ｕｋ ５ＳＳＲ，Ｓｅｒ、 Ｋｈｉｍ。
ｕｋ ５ＳＳＲ，Ｓｅｒ、 Ｋｈｉｍ。
（９）、 ２１１７−１９．１９７７ （ＣＡ ８８：
２５０６６）。
２５０６６）。
ＧＰ Ｕｓｔｙｕｇｏｖ、 ＢＮＶｉｇｄｏｒｏｖｉｃ
ｈ、 Ｉｚｖ、 Ａｋａｄ。
ｈ、 Ｉｚｖ、 Ａｋａｄ。
Ｎａｎｋ ５ＳＳＲ，Ｎｅｏｒｇ、 Ｍａｔｅｒ、、
５（１）、 １６３−５． １９６９（ＣＡ ６５：
９１０１０）。
５（１）、 １６３−５． １９６９（ＣＡ ６５：
９１０１０）。
しかし、意外なことに純粋なテルル化水素は２５０℃の
高温でも動力学的に安定であることが見出された。
高温でも動力学的に安定であることが見出された。
本発明によれば、テルル化水素気体及び前記気体源の少
なくともひとつの制御された流れをつ＜シ、これら流れ
を混合してから、加熱された基体上で流動混合物のほぼ
すべてを熱分解させて、該基体上に金属テルル化物の層
を形成させれば、制御された組成のテルル化カドミウム
水銀を得ることができる。これによると、混合気体の成
分の相対流量を制御することによって金属テルル化物の
組成を制御することができる。
なくともひとつの制御された流れをつ＜シ、これら流れ
を混合してから、加熱された基体上で流動混合物のほぼ
すべてを熱分解させて、該基体上に金属テルル化物の層
を形成させれば、制御された組成のテルル化カドミウム
水銀を得ることができる。これによると、混合気体の成
分の相対流量を制御することによって金属テルル化物の
組成を制御することができる。
また、混合気体の成分の相対流量を変えるととＫよって
、金属テルル化物の厚みに従っての組成を変えることが
できる。さらに、相対流量を連続的または断続的に変え
れば、層組成を厚みに従って変えることができる。
、金属テルル化物の厚みに従っての組成を変えることが
できる。さらに、相対流量を連続的または断続的に変え
れば、層組成を厚みに従って変えることができる。
テルル化水素は制御された条件下においてその場で発生
させることができる。
させることができる。
水銀の気体源は好適には水銀蒸気であればよく、一般式
ＣｄｘＨｇ １−ｘ Ｔｅ中のＸの値は（好適にはジメ
チルカドミウムである）カドミウム気体源の相対流量及
びテルル化水素の相対流量全制御することによって好適
には調節できる。水銀蒸気は高温水銀面に対して平衡状
態にあればよい。
ＣｄｘＨｇ １−ｘ Ｔｅ中のＸの値は（好適にはジメ
チルカドミウムである）カドミウム気体源の相対流量及
びテルル化水素の相対流量全制御することによって好適
には調節できる。水銀蒸気は高温水銀面に対して平衡状
態にあればよい。
反応体の全分圧は好適には１〜１０ Ｔｏｒｒの間にあ
り、これは水素または他の不活性希釈剤の分圧を十分に
して、全圧をほぼ大気圧にすることによって補うことが
できる。
り、これは水素または他の不活性希釈剤の分圧を十分に
して、全圧をほぼ大気圧にすることによって補うことが
できる。
基体は好適には炭素であればよく、この場合マイクロ波
源かＲ，Ｆ、源によって局部的に加熱できる。あるいは
、テルル化カドミウム、アンチモン化インジウム、ケイ
素、ヒ化ガリウム、スピネル（Ｍｇ Ａ１２０４）やサ
ファイア（Ａｚ２ｏ３）などの基体も使用でき、これら
はマイクロ波源かＪり、１−源によって加熱された炭素
サスセプター（５ｕｓｃｅｐｔｏｒ ）上に取付けるこ
とができる。
源かＲ，Ｆ、源によって局部的に加熱できる。あるいは
、テルル化カドミウム、アンチモン化インジウム、ケイ
素、ヒ化ガリウム、スピネル（Ｍｇ Ａ１２０４）やサ
ファイア（Ａｚ２ｏ３）などの基体も使用でき、これら
はマイクロ波源かＪり、１−源によって加熱された炭素
サスセプター（５ｕｓｃｅｐｔｏｒ ）上に取付けるこ
とができる。
本発明の方法によれば、高温基体上で分解し、かつ他の
反応体と共着（ｃｏ−ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）するド
ーパントの熱分解性気体源の制御された流れをつくれば
、ドープ化デルル化カドミウム水銀を生長させることが
できる。こうすれば、対応するトリメチル化合物の蒸気
からガリウム、ヒ素及びリント−パン）ｋ得ることがで
き、また対応する水素化物からケイ素及びゲルマニウム
ドーパントを得るととができる。このように、本発明に
よれば、光発電性でかつ光伝導性のテルル化カドミウム
水銀を生長させることができる。
反応体と共着（ｃｏ−ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）するド
ーパントの熱分解性気体源の制御された流れをつくれば
、ドープ化デルル化カドミウム水銀を生長させることが
できる。こうすれば、対応するトリメチル化合物の蒸気
からガリウム、ヒ素及びリント−パン）ｋ得ることがで
き、また対応する水素化物からケイ素及びゲルマニウム
ドーパントを得るととができる。このように、本発明に
よれば、光発電性でかつ光伝導性のテルル化カドミウム
水銀を生長させることができる。
本発明はまたその範囲に前記の新規方法のいずれかによ
って生長させたテルル化カドミウム水銀を配合し／こ（
光発電性か光伝導性の）赤外線光検知装置を包含する。
って生長させたテルル化カドミウム水銀を配合し／こ（
光発電性か光伝導性の）赤外線光検知装置を包含する。
テルル化水素気体の好適な発生装置はテルル表面に分子
水素の流れを流す手段と流動水系全解離させるために該
表面にマイクロ波放射線を発生させる手段とからなる。
水素の流れを流す手段と流動水系全解離させるために該
表面にマイクロ波放射線を発生させる手段とからなる。
該表面はテルル管の内面であればよく、そしてテルル管
はマイクロ波キャビティによって取囲むことができる０
マイクロ波放射線の周波数は臨界的ではないが、好適に
は２，４５０ ＭＨｚであればよい。
はマイクロ波キャビティによって取囲むことができる０
マイクロ波放射線の周波数は臨界的ではないが、好適に
は２，４５０ ＭＨｚであればよい。
上記新規装置は本発明に従って高純度テルル化物（特に
テルル化カドミウム水銀）の製造方法に使用するテルル
化水素を発生させるのに特に好適である。というのは、
反応体がいずれも水素化物形成不純物を含まない状態で
得ることができる水素とテルルであるからである。しか
し、テルル化水素はまた原子水素とテルルを反応させる
ことからなる他の方法によっても得ることができる。例
えば、水素ふん囲気中でテルル電極間に放電を適用して
もよい。
テルル化カドミウム水銀）の製造方法に使用するテルル
化水素を発生させるのに特に好適である。というのは、
反応体がいずれも水素化物形成不純物を含まない状態で
得ることができる水素とテルルであるからである。しか
し、テルル化水素はまた原子水素とテルルを反応させる
ことからなる他の方法によっても得ることができる。例
えば、水素ふん囲気中でテルル電極間に放電を適用して
もよい。
金属テルル化物（例えばテルル化γルミニウム）上での
鉱酸の反応まだはテルル陰極を使用する水溶液の′６′
ｓからな゛る方法では、十分な程度に容易には精製でき
ない不純物を含むテルル化水素が得られる。
鉱酸の反応まだはテルル陰極を使用する水溶液の′６′
ｓからな゛る方法では、十分な程度に容易には精製でき
ない不純物を含むテルル化水素が得られる。
以下、本発明による方法及び装置を添付図面により説明
するか、この図面は光検知器に好適なテルル化カドミウ
ム水銀の製造用装置を示す。
するか、この図面は光検知器に好適なテルル化カドミウ
ム水銀の製造用装置を示す。
（スンテレス・スチール製の）図示装置は精製水素ヲマ
スフローメータ２ａ、 ２ｂ、 ２Ｃ，２ｄ及び２ｅに
送るマニホールド１からなる。マスフローメータ２ａは
管状反応器に直接水素を供給し、メータ２ｂ、２ｃ及び
２ｄはアルキルバブラー６ｂ、６ａ及びテルル化水素発
生器７にそれぞれ空気弁４ａ、４１〕及び４Ｃを介して
通じている。マスフローメータ２ｅはバイパスライン２
１に通じている。弁３ａ。
スフローメータ２ａ、 ２ｂ、 ２Ｃ，２ｄ及び２ｅに
送るマニホールド１からなる。マスフローメータ２ａは
管状反応器に直接水素を供給し、メータ２ｂ、２ｃ及び
２ｄはアルキルバブラー６ｂ、６ａ及びテルル化水素発
生器７にそれぞれ空気弁４ａ、４１〕及び４Ｃを介して
通じている。マスフローメータ２ｅはバイパスライン２
１に通じている。弁３ａ。
３ｂ及び３Ｃを開き、弁５ａ、 ５ｂ及び５Ｃを閉じて
、対応するテルル化水素発生器７及びアルキルバブラー
６３及び６ｂをオフする。アルキルバブラー６ａには制
御された温度でジメチルカドミウムが、そして（同様に
温度が制御されている）アルギルバブラー６ｂには所要
の適当なドーパノドであるアルキルが収容されている。
、対応するテルル化水素発生器７及びアルキルバブラー
６３及び６ｂをオフする。アルキルバブラー６ａには制
御された温度でジメチルカドミウムが、そして（同様に
温度が制御されている）アルギルバブラー６ｂには所要
の適当なドーパノドであるアルキルが収容されている。
さらにあるいは代りに、マスフローコントローラ２ｆ−
＜介してシステムに水素化物として使用するのが有利な
リンなどのドーパントを直接添加してもよい〇テルル化
水素発生器７は２４５０ Ｍ）Ｉｚマイクロ波キャビテ
ィー８中に設けた高純度（代表的な不純物レベルば１１
）Ｉ）ｍ未満）のテルル管９からなる。マイクロ波放射
線の強度を調節して、テルル化水素出力金制御する。テ
ルル管９の温度はほぼ２５℃に維持しておく。
＜介してシステムに水素化物として使用するのが有利な
リンなどのドーパントを直接添加してもよい〇テルル化
水素発生器７は２４５０ Ｍ）Ｉｚマイクロ波キャビテ
ィー８中に設けた高純度（代表的な不純物レベルば１１
）Ｉ）ｍ未満）のテルル管９からなる。マイクロ波放射
線の強度を調節して、テルル化水素出力金制御する。テ
ルル管９の温度はほぼ２５℃に維持しておく。
アルキルバブラー６３及び６ｂの温度が制御されている
ので、カドミウムアルキル、テルル化水素及び場合に応
じて水素化物及びアルキルドーパノドの制御された流れ
を、水素で高度に希釈された形でミキサー２２、次に反
応器１０に送ることができる。各反応体蒸気の分圧は１
Ｔｏｒｒ程度で、全圧はほぼ１気圧である。
ので、カドミウムアルキル、テルル化水素及び場合に応
じて水素化物及びアルキルドーパノドの制御された流れ
を、水素で高度に希釈された形でミキサー２２、次に反
応器１０に送ることができる。各反応体蒸気の分圧は１
Ｔｏｒｒ程度で、全圧はほぼ１気圧である。
反応器１０に水銀浴１１を取付ける。この浴を炉１２に
よってほぼ１５０℃に加熱して、水銀ふん囲気をつくり
、ミキサー２２からの反応体気体と完全に混合する。炭
素サスセプター１５６Ｒ，Ｆ、コイル１３によって局部
加熱し、よく制御された反応でテルル化水素、カドミウ
ムアルキル及び（存在する場合には）ドーノくント源を
熱分解させて、傾斜面１４に均一に制御された組成のテ
ルル化カドミウム水銀エピタキシャル層を形成する。テ
ルル化カドミウムなどの適当な基体層を捷ず水銀浴の不
在下で傾斜面１４に付着させることができる。該層が適
当な厚みに達した後、公知方法で処理して赤外線光検知
装置にする。
よってほぼ１５０℃に加熱して、水銀ふん囲気をつくり
、ミキサー２２からの反応体気体と完全に混合する。炭
素サスセプター１５６Ｒ，Ｆ、コイル１３によって局部
加熱し、よく制御された反応でテルル化水素、カドミウ
ムアルキル及び（存在する場合には）ドーノくント源を
熱分解させて、傾斜面１４に均一に制御された組成のテ
ルル化カドミウム水銀エピタキシャル層を形成する。テ
ルル化カドミウムなどの適当な基体層を捷ず水銀浴の不
在下で傾斜面１４に付着させることができる。該層が適
当な厚みに達した後、公知方法で処理して赤外線光検知
装置にする。
液体冷却剤ジャケット２３によって反応器が過熱される
のを防止し、かつ過剰の水銀蒸気を凝縮させる。過剰の
反応体気体及び水素をポンプ１７によって排出し、活性
化活性炭ベッド１９に通した後（安全性から）燃焼させ
る。低温トラップ１６によって未反応気体を凝縮させ、
システム内の圧力を弁１８及び２０によって制御する。
のを防止し、かつ過剰の水銀蒸気を凝縮させる。過剰の
反応体気体及び水素をポンプ１７によって排出し、活性
化活性炭ベッド１９に通した後（安全性から）燃焼させ
る。低温トラップ１６によって未反応気体を凝縮させ、
システム内の圧力を弁１８及び２０によって制御する。
本発明の別な実施態様では、反応器１０内のテルル管に
よりその場でテルル化水素を発生器、４ せることかでき、反応器の周囲にマイクロ波゛キャビテ
ィーを設ける。この場合には、高温が適用できる。
よりその場でテルル化水素を発生器、４ せることかでき、反応器の周囲にマイクロ波゛キャビテ
ィーを設ける。この場合には、高温が適用できる。
添付図面は光検知器に好適なテルル化カドミウム水銀の
製造用装置を示す。 ７・・・テルル化水素発 ８°°°マイクロ波キヤ生器
、 ピテイー。 ９・・・テルル管、１０・・・反応器 １４・・・基体 特許出願人 ザマーコウニカンパニーリミテッド手続補
正書（自発） 昭和５９年１１月７６日 特許庁長官 志 賀 学殴 ２ 発明の名称 テルル化金属の製造方法及び装置 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ザ マーコウニ カンパニー リミテッド４代理
人 住所 〒１００東京都千代田区丸の内２丁目４番１号丸
ノ内ビルヂング ７５２区 手 続 補 正 書（方式） 昭和６０年 ３月し３１」 特願昭５９−２２１１０６号 ２ 発明の名称 テルル化金属の製造方法及び装置 ３ 補正をずろ者 事件との関係 特許出願人 名称”Ｊ マーコウニ カンパニー リミテッド４代理
人 住所 〒１００東京都千代田区丸の内２丁目４番１号丸
ノ内ビルデック ７５２区 （発送口 昭和６０年 ２月２６１」）６ 補正の対象 補正の内容 明１１１１８第６百１４行目から７頁２行コてを下記の
如く補正いた（７１、す。 ０′アーエス ユ−二シノ エルベー ・＼ホモフ。 ）連科学アカテミー紀要、ンリース化学（＋２１ 。 ２８０１−３．１９７Ｂ、（ＣＡ ８［１１０００８４
） 。 （ＡＳＹｕｓｈｉｎ、ＲＶＰｅｋｈｏ＋＋１ｏｖ、ｌｚ
ｖ、Ａｋａｄ、Ｎａｕｋ＋５ＳＳＲ，Ｓｃｒ、］（ｈｉ
ｍ、（１２Ｌ２８０１−３．１９７６、（ＣＡ８６１０
００８４）、） ／＼゛−エスミヘーエフ、工／Ｌ イー ニコラーエフ
、ベーヤー ベエルホフスキ−，アーエ、７、 旦−シ
ノ、ソ連科学アカテＥ −紀要９ シリース化学（９）
、 ２１１？−１９，１９７７（ＣＡｇ３： ２５０６
Ｆｉ） 。 （ＶＳ Ｍｉｋｈｅｅｖ、 ’Ｌ、Ｉ Ｎ１ｋｏｌａｅ
ｖ、 Ｖ Ｙａ、 Ｖｅｒｋｈｏｖｓｋｉｉ。 Δ５Ｙｕｓｈｉｎ、Ｉｚｖ、Ａｋａｄ、ＮａｕｋＳＳＳ
Ｒ，Ｓｅｒ、Ｋｈｉ＋ｎ。 ！９Ｌ ２１１７−１９，１９７７ （ＣＡ８８： ２
５０６６）、））ガーベー ウスチューコフ、−Ｉ−−
コーヌ ウイクドロベイッチ２ソ連刊学アヵテく一紀要
、無機物質、 ５ ［１］、 １６３−５．１９６９
（ＣＡ ６５＋ ９］０１０ ］（ＧＰ ＩＪｓｔｙｕ
ｇｏｖ、 ＥＮ Ｖｉｇｄｏｒｏｖｉｃｈ、 Ｉｚｖ、
Ａｋａｄ。
製造用装置を示す。 ７・・・テルル化水素発 ８°°°マイクロ波キヤ生器
、 ピテイー。 ９・・・テルル管、１０・・・反応器 １４・・・基体 特許出願人 ザマーコウニカンパニーリミテッド手続補
正書（自発） 昭和５９年１１月７６日 特許庁長官 志 賀 学殴 ２ 発明の名称 テルル化金属の製造方法及び装置 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 ザ マーコウニ カンパニー リミテッド４代理
人 住所 〒１００東京都千代田区丸の内２丁目４番１号丸
ノ内ビルヂング ７５２区 手 続 補 正 書（方式） 昭和６０年 ３月し３１」 特願昭５９−２２１１０６号 ２ 発明の名称 テルル化金属の製造方法及び装置 ３ 補正をずろ者 事件との関係 特許出願人 名称”Ｊ マーコウニ カンパニー リミテッド４代理
人 住所 〒１００東京都千代田区丸の内２丁目４番１号丸
ノ内ビルデック ７５２区 （発送口 昭和６０年 ２月２６１」）６ 補正の対象 補正の内容 明１１１１８第６百１４行目から７頁２行コてを下記の
如く補正いた（７１、す。 ０′アーエス ユ−二シノ エルベー ・＼ホモフ。 ）連科学アカテミー紀要、ンリース化学（＋２１ 。 ２８０１−３．１９７Ｂ、（ＣＡ ８［１１０００８４
） 。 （ＡＳＹｕｓｈｉｎ、ＲＶＰｅｋｈｏ＋＋１ｏｖ、ｌｚ
ｖ、Ａｋａｄ、Ｎａｕｋ＋５ＳＳＲ，Ｓｃｒ、］（ｈｉ
ｍ、（１２Ｌ２８０１−３．１９７６、（ＣＡ８６１０
００８４）、） ／＼゛−エスミヘーエフ、工／Ｌ イー ニコラーエフ
、ベーヤー ベエルホフスキ−，アーエ、７、 旦−シ
ノ、ソ連科学アカテＥ −紀要９ シリース化学（９）
、 ２１１？−１９，１９７７（ＣＡｇ３： ２５０６
Ｆｉ） 。 （ＶＳ Ｍｉｋｈｅｅｖ、 ’Ｌ、Ｉ Ｎ１ｋｏｌａｅ
ｖ、 Ｖ Ｙａ、 Ｖｅｒｋｈｏｖｓｋｉｉ。 Δ５Ｙｕｓｈｉｎ、Ｉｚｖ、Ａｋａｄ、ＮａｕｋＳＳＳ
Ｒ，Ｓｅｒ、Ｋｈｉ＋ｎ。 ！９Ｌ ２１１７−１９，１９７７ （ＣＡ８８： ２
５０６６）、））ガーベー ウスチューコフ、−Ｉ−−
コーヌ ウイクドロベイッチ２ソ連刊学アヵテく一紀要
、無機物質、 ５ ［１］、 １６３−５．１９６９
（ＣＡ ６５＋ ９］０１０ ］（ＧＰ ＩＪｓｔｙｕ
ｇｏｖ、 ＥＮ Ｖｉｇｄｏｒｏｖｉｃｈ、 Ｉｚｖ、
Ａｋａｄ。
Claims (9)
- （１）テルル化水素気体を金属の気体源と均一に混合す
ることからなる金属テルル化物の制御された製造方法に
おいて、 純粋なテルル化水素気体、金属Ｍの気体源及び水銀の流
れを混合し、そして加熱された基体α荀によって流動混
合物を熱分解して該基体上にテルル化金属水銀（Ｍｘ
Ｈｇ１−ｘ Ｔｅ）の層全形成することを特徴とする上
記方法。 - （２）テルル化水素の分圧が１〜１０ Ｔｏｒｒの範囲
にアシ、そしてテルル化水素及び金属Ｍ及び水銀の気体
源を不活性希釈気体で希釈する特許請求の範囲第１項に
記載の方法。 - （３）該基体の温度が２５０℃未満で必る特許請求の範
囲第１項又は第２項に記載の方法。 - （４） テルル化水素及び金属Ｍの気体源の相対流量を
変えて、厚みに従って付着したテルル化物層の組成Ｍｘ
Ｈｇ１−ｘ Ｔｅを変える特許請求の範囲第１〜３項の
いずれかに記載の方法０ - （５）該金属がカドミウム、カドミウムの気体源がジメ
チルカドミウム、そして水銀の気体源力；水銀蒸気であ
る特許請求の範囲＄１〜４項のいずれかに記載の方法。 - （６） アルミニウム、ガリウム、ヒ素または１）ンの
アルキル、あるいはケイ素またはゲルマニウムの水素化
物を該基体α榎においてテルル化水素で分解して、ドー
プ化テルル化カドミウム水銀層を形成する特許請求の範
囲第１〜５項のいずれかに記載の方法。 - （７）水素ふん囲気中に設けたテルル電極間の放電によ
ってテルル化水素を発生させる特許請求の範囲第１〜６
項のいずれかに記載の方法。 - （８） マイクロ波放射線のテルル表面を横断して流れ
る水素への作用によってテルル化水素を発生させる特許
請求の範囲第１〜７項のいずれかに記載の方法０ - （９）％許請求の範囲第１〜８項のいずれかに記載の方
法で生長させたテルル化カドミウム水銀を利用した光検
知装置。 α０）該金属Ｍがマンガンである特許請求の範囲第１〜
４項のいずれかに記載の方法。 αυ テルル化水素、及び金属Ｍ及び水銀の気体源から
テルル化金属水銀を製造する装置において、 基体及びテルル表面の両者を収容する反応器、該表面を
横断するように水素を流す手段、該反応器の少なくとも
一部を包囲し、かつ該表面において水素を解離し、これ
によってテルル化水素を発生させる手段、そして該基体
を加熱して、テルル化水素、及び金属Ｍ及び水銀の気体
源を分解し、該基体上にテルル化物を形成する手段から
なる上記装置。 ０乃 テルル化水素気体を水銀の気体源と均一に混合し
、そして該混合物を高温の基体（Ｉ４）によって熱分解
して、該基体」二にテルル化水銀の層全形成させること
からなるテルル化水銀の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| GB8327994 | 1983-10-19 | ||
| GB8327994 | 1983-10-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169563A true JPS60169563A (ja) | 1985-09-03 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59221106A Pending JPS60169563A (ja) | 1983-10-19 | 1984-10-19 | テルル化金属の製造方法及び装置 |
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-
1984
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- 1984-10-19 JP JP59221106A patent/JPS60169563A/ja active Pending
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