JPS60191269A - 電子写真感光体製造装置 - Google Patents

電子写真感光体製造装置

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JPS60191269A
JPS60191269A JP59048368A JP4836884A JPS60191269A JP S60191269 A JPS60191269 A JP S60191269A JP 59048368 A JP59048368 A JP 59048368A JP 4836884 A JP4836884 A JP 4836884A JP S60191269 A JPS60191269 A JP S60191269A
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JP
Japan
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drum
vacuum chamber
high frequency
vacuum tank
potential
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JP59048368A
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Inventor
Toshiro Matsuyama
松山　外志郎
Hisashi Hayakawa
尚志 早川
Yoshimi Kojima
小島　義巳
Shiro Narukawa
成川　志郎
Noboru Ebara
江原　襄
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 この発明は高周波電位を容量結合によって印加する、所
謂容量結合型のプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体
製造装置に関する。
〈発明の背景〉 非晶質シリコンを主体とした電子写真感光体の感光膜形
成は、最も一般的には、プラズマＣＶＤ法によりモノシ
ランガス或いはジシランガスの分解によって行われてい
る。このプラズマＣＶＤ法はプラズマを発生させるため
のエネルギーとしての高周波電力を供給する方法により
誘導結合型と容量結合型に大別される。上記非晶質シリ
コン等を主体とする電子写真感光体の多量製造には、量
産性を考慮して容量結合型によるプラズマＣＶＤ法が適
すると考えられている。
第り図または第２図は、ドラム上に均一な膜形成を行う
必要のある電子写真感光体の製造に用いる従来の容量結
合型製造装置を示している。第１図の装置では、膜を形
成するドラム１と高周波（以下、ＲＦという。）電極２
との間に容量結合によりＲＦ電位を印加してプラズマを
発生させる。
しかし、この第１図の装置では、プラズマはドラム１と
ＲＦ電極２との間だけでなく、ＲＦ電極２と金属製真空
槽３との間にも広がってしまう。このようなプラズマの
拡散を防ぐようにしたのが第２図の装置であり、真空槽
３′と同電位にしであるシールド板４を、ドラム１′を
囲むＲＦ電極２′の外側にその電極と数關の間隔を空け
て配置し、ＲＦ電極２′と真空槽３′との間にプラズマ
が広がらないようにしている。
ところでプラズマＣＶＤでは、真空槽全体に反応ガスを
いきわたらせ、且つ真空度を所定の値に保持する必要が
ある。したがって真空槽全体の容積は原料ガスの使用総
量を決定する上で重要な要素となる。しかし、上記の従
来の二つの装置では、何れも真空槽内にＲＦ電極２また
は２′を設ける構成にあるため、真空槽全体の容積はプ
ラズマを必要とする空間の容積に対し非常に太き（なっ
てしまい原料ガスを多（必要とする問題があったそこで
、上記の問題点に鑑み、真空槽内部の電極２．２′を取
り除き、その代わり真空槽の壁をＲＦ組電極設定し、真
空槽の小型化を図る試みがある。しかし、この場合は、
真空槽の壁にＲＦ電位を加えるために、真空槽全体を浮
かしたり、ガス供給系、排ガス系のパイプを一部電気的
に絶縁したりする必要があり、また大気中に露出してい
る真空槽がＲＦ電位となるために装置全体を電気的に遮
蔽する必要があるといった問題を生じる。
〈発明の目的〉 この発明の目的は上記問題点に鑑み、絶縁配備や電気的
な遮蔽を行うことな（真空槽の小型化を実現できる電子
写真感光体製造装置を提供することにある。
〈発明の構成〉 この発明は上記目的を達成するために、真空槽をアース
するとともに高周波電力を供給するためのマツチングボ
ックスの高周波端子を感光体基体に接続したことを特徴
とする。
〈実施例〉 第３図はこの発明の実施例である電子写真感光体製造装
置の横断面図である。
感光体基体としてのドラム１０は真空槽１１内中央に縦
にセントされる。真空槽１１はアースされている。ドラ
ム１０はマツチングボックス１２のＲＦ端子に接続して
いる。マツチングボックス１２は、ＲＦ電源（高周波発
振器）からのＲＦ電力を容量結合によってドラム１０に
供給するタンク回路で構成されている。ＲＦ端子側に直
列接続したコンデンサ１３はタンク回路の周波数を調整
するためのものである。マツチングボックス１２よりコ
ンデンサ１３を通してＲＦ電位をドラム１０と真空槽１
１間に印加することにより、高周波電界を発生させて真
空槽１１内の反応ガスをイオン化し、プラズマを発生さ
せる。
上記のように製造装置を構成すれば、真空槽１１をアー
スし、且つドラム１０にＲＦ組電極設定しているため、
真空槽の壁にＲＦ電位を加える場合に比べ、真空槽全体
を浮かしたり、ガス供給系、排ガス系のパイプを一部電
気的に絶縁したりしなくてよく、また真空槽をアース側
にしているため装置全体を電気的に遮蔽する必要もない
。これによって、電気的な絶縁や遮蔽をするといった構
造上の変更を加えなくても真空槽内部の電極をなくして
真空槽の小型化を実現できる。。
次にこの発明の他の実施例を第４図および第５図によっ
て説明する。
前記実施例ではドラム１０とコンデンサ１３とを接続し
ているだけであるが、成膜条件によってはドラム表面上
への正イオンの衝撃が激しくなり、ドラムに形成される
感光膜の膜質に好ましくない影響を与える。以下、この
正イオンの衝突現象を説明する。ドラム１０はマツチン
グボックス内のコンデンサ１３に接続し、直流的には完
全に浮いているが、真空槽１１内Ｇ巳プラズマが発生す
ると、この浮いている部分に電子と正イオンがＲＦの半
サイクル毎に流れ込んで（る。ところが、正イオンの方
が電子に比べ質量が大きく、プラズマ中の電子の移動度
が正イオンのそれよりはるかに高いため、ドラム１とコ
ンデンサ１３に負電荷が蓄積される。このため、プラズ
マより流れ込む電子とイオンの数が等しくなる平衡状態
に達すると、ドラム表面Ａと真空槽壁Ｂ間の静電ポテン
シャル分布は変化しな（なり第４図の実線Ｃのようにな
る。破線りはゼロレヘルを示している。この平衡時には
ドラム１０とコンデンサ１３に負電荷がある一定量蓄積
されるが、ドラム近傍でのポテンシャルの傾きが大きい
ため正イオンを強く引き寄せる大きな電界が生じて、正
イオンは弗素な高速でドラム表面に衝突する。そこで、
このようなイオンの衝撃による影響をなくすには第５図
に示すように、ドラム１０とコンデンサ１３との間とア
ース間にコイル１４を接続すればよい。このようにすれ
ば、ＲＦの半サイクル毎にプラズマから電子と正イオン
が流れ込んできても、コイル１４を通じて電子および正
イオンがアース側に流出していくので、電子または正イ
オンはドラム１０およびコンデンサ１３に蓄積されない
。したがって平衡点でドラム近傍におけるポテンシャル
の傾きが小さくなり、ドラム近傍で大きな電界が誘起さ
れるのを防ぐことができ、これによって正イオンが激し
くドラム表面に衝突する現象が起きず、良好な膜質の感
光膜を形成することができるっなお・コイルのインダク
タンスを十分に大きく取れば、マツチングボックスのマ
ツチング条件に影響を与えないで済む。
〈発明の効果〉 以上のようにこの発明によれば、真空槽をアースし、且
つ感光体基体に高周波電極を設定して、マツチングボッ
クスを通じて高周波電位を感光体基体と真空槽壁間に印
加するので、真空槽内に余分の電極を設けることなく、
真空槽を小型化でき、且つ真空槽に高周波電極を設定す
る場合の絶縁配備や電気的な遮蔽を行わなくて済み簡単
に構成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）は従来の電子写真感光体製造装置の縦断面
図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のＡ−Ａ′線断面図、
第２図は従来の他の製造装置の横断面図、第３図はこの
発明の実施例である電子写真感光体製造装置の横断面図
、第４図は上記実施例における正イオン衝突現象を説明
するためのポテンシャル分布図、第５図はこの発明の他
の実施例の電子写真感光体製造装置のマツチングボック
ス周辺の回路図である。 １０−ドラム（感光体基体）、１１−真空槽、１２−マ
ツチングボックス。 出願人　シャープ株式会社 代理人　弁理士　小森久夫 第１図（Ａ）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１１高周波電位をマツチングボックスを通じて容量結
    合によって感光体基体と真空槽壁間に印加してプラズマ
    ＣＶＤ法により感光体基体上に感光膜を成長させる電子
    写真感光体製造装置において前記真空槽をアースすると
    ともに前記マツチングボックスの高周波端子を前記感光
    体基体に接続した電子写真感光体製造装置。 （２）前記マツチングボックスの高周波端子とアース間
    をインピーダンス素子で接続した特許請求の範囲第１項
    記載の電子写真感光体製造装置。
JP59048368A 1984-03-13 1984-03-13 電子写真感光体製造装置 Pending JPS60191269A (ja)

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