KR101283645B1 - 내장 무선 주파수 안테나를 구비한 유도 결합 플라즈마반응기 - Google Patents

내장 무선 주파수 안테나를 구비한 유도 결합 플라즈마반응기 Download PDF

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Abstract

내장 무선 주파수 안테나를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기가 게시된다. 본 발명의 플라즈마 반응기는 기판 지지대가 구비된 진공 챔버, 기판 지지대의 측면을 따라 설치된 무선 주파수 안테나를 갖는 환형 플라즈마 발생기 및, 무선 주파수 안테나로 플라즈마 방전을 위한 전원을 공급하는 전원 공급원을 포함한다. 환형 플라즈마 발생기는 기판 지지대의 주변을 따라서 감겨진 무선 주파수 안테나, 무선 주파수 안테나와 기판 지지대 사이에 설치된 절연 부재 및, 진공 챔버의 내부 영역과 격리 되도록 무선 주파수 안테나를 덮는 유전체 커버를 포함한다. 환형 플라즈마 발생기는 피처리 기판의 주변으로 균일한 환형 플라즈마를 형성하며, 진공 챔버의 내부에 설치되어 피처리 기판과의 거리가 멀지 않도록 하여 플라즈마 처리 효율을 높일 수 있다.
마그네틱 코어, 플라즈마, 반응기, 무선 주파수 안테나

Description

내장 무선 주파수 안테나를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기{INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR HAVING A BUILT-IN RADIO FREQUENCY ANTENNA}
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 단면도이다.
도 2는 기판 지지대에 장착된 환형 플라즈마 발생기의 단면 사시도이다.
도 3은 환형 플라즈마 발생기의 부분 단면도이다.
도 4 및 도 5는 환형 플라즈마 발생기의 변형예를 보여주는 부분 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 진공 챔버 101: 가스 출구
110: 기판 지지대 120: 피처리 기판
200: 가스 공급부 201: 가스 입구
202: 가스 분배판 300: 환형 플라즈마 발생기
310: 유전체 커버 320: 마그네틱 코어 커버
330: 무선 주파수 안테나 340: 절연 부재
400: 제1 전원 공급원 410: 임피던스 정합기
420: 제2 전원 공급원 422: 제3 전원 공급원
430: 임피던스 정합기
본 발명은 무선 주파수(radio frequency)를 이용한 유도 결합 플라즈마 반응기(inductively coupled plasma reactor)에 관한 것으로, 구체적으로는 플라즈마 처리 효율을 높이고 보다 균일한 대면적의 고밀도 플라즈마를 발생할 수 있는 유도 결합 플라즈마 반응기에 관한 것이다.
플라즈마는 같은 수의 음이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.
플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다.
용량 결합 플라즈마 소스는 정확한 용량 결합 조절과 이온 조절 능력이 높아서 타 플라즈마 소스에 비하여 공정 생산력이 높다는 장점을 갖는다. 반면, 무선 주파수 전원의 에너지가 거의 배타적으로 용량 결합을 통하여 플라즈마에 연결되기 때문에 플라즈마 이온 밀도는 용량 결합된 무선 주파수 전력의 증가 또는 감소에 의해서만 증가 또는 감소될 수 있다. 그러나 무선 주파수 전력의 증가는 이온 충격 에너지를 증가시킨다. 결과적으로 이온 충격에 의한 손상을 방지하기 위해서는 공급되는 무선 주파수 전력의 한계성을 갖게 된다.
한편, 유도 결합 플라즈마 소스는 무선 주파수 전원의 증가에 따라 이온 밀도를 쉽게 증가시킬 수 있으며 이에 따른 이온 충격은 상대적으로 낮아서 고밀도 플라즈마를 얻기에 적합한 것으로 알려져 있다. 그럼으로 유도 결합 플라즈마 소스는 고밀도의 플라즈마를 얻기 위하여 일반적으로 사용되고 있다. 유도 결합 플라즈마 소스는 대표적으로 무선 주파수 안테나(RF antenna)를 이용하는 방식과 변압기를 이용한 방식(변압기 결합 플라즈마(transformer coupled plasma)라고도 함)으로 기술 개발이 이루어지고 있다. 여기에 전자석이나 영구 자석을 추가하거나, 용량 결합 전극을 추가하여 플라즈마의 특성을 향상 시키고 재현성과 제어 능력을 높이기 위하여 기술 개발이 이루어지고 있다.
무선 주파수 안테나는 나선 타입 안테나(spiral type antenna) 또는 실린더 타입 안테나(cylinder type antenna)가 일반적으로 사용된다. 무선 주파수 안테나는 플라즈마 반응기(plasma reactor)의 외부에 배치되며, 석영과 같은 유전체 위도우(dielectric window)를 통하여 플라즈마 반응기의 내부로 유도 기전력을 전달한다. 무선 주파수 안테나를 이용한 유도 결합 플라즈마는 고밀도의 플라즈마를 비교적 손쉽게 얻을 수 있으나, 안테나의 구조적 특징에 따라서 플라즈마 균일도가 영향을 받는다. 그럼으로 무선 주파수 안테나의 구조를 개선하여 균일한 고밀도의 플라즈마를 얻기 위해 노력하고 있다.
반도체 제조 공정에서 회로 패턴이 형성되지 않는 기판의 가장 자리 영역이나 후면에도 불필요한 막이 형성되는데 이렇게 형성되어지는 막은 불필요한 오염원으로 작용하게 된다. 그럼으로 기판의 전면과 후면에 불필요하게 증착된 박막을 제거하기 위한 식각 공정 및 장치가 반도체 제조 공정에 사용되고 있다. 이러한 피처리 기판의 선택적 영역에 대한 플라즈마 처리는 피처리 기판의 대형화에 따라 균일한 처리가 용이하지 않다. 그럼으로 선택적 처리 영역에 대한 균일한 플라즈마 처리가 가능한 플라즈마 반응기가 요구되고 있다.
한편, 대면적의 플라즈마를 얻기 위하여 안테나의 구조를 넓게 하거나 안테나에 공급되는 전력을 높이는 것은 한계성을 갖는다. 예를 들어, 정상파 효과(standing wave effect)에 의해 방사선상으로 비균일한 플라즈마가 발생되는 것으로 알려져 있다. 또한, 안테나에 높은 전력이 인가되는 경우 무선 주파수 안테나의 용량성 결합(capacitive coupling)이 증가하게 됨으로 유전체 윈도우를 두껍게 해야 하며, 이로 인하여 무선 주파수 안테나와 플라즈마 사이의 거리가 증가함으로 전력 전달 효율이 낮아지는 문제점이 발생된다.
본 발명의 목적은 피처리 기판의 주변으로 균일한 환형 플라즈마를 형성하는 환형 플라즈마 발생기를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기를 제공하며, 진공 챔버의 내부에 설치되어 피처리 기판과의 거리가 멀지 않도록 하여 플라즈마 처리 효율 을 높일 수 있는 유도 결합 플라즈마 반응기를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 유도 결합 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 유도 결합 플라즈마 반응기는: 기판 지지대가 구비된 진공 챔버; 기판 지지대의 측면을 따라 설치된 무선 주파수 안테나를 갖는 환형 플라즈마 발생기; 및 무선 주파수 안테나로 플라즈마 방전을 위한 전원을 공급하는 전원 공급원을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 환형 플라즈마 발생기는: 기판 지지대의 주변을 따라서 감겨진 무선 주파수 안테나; 무선 주파수 안테나와 기판 지지대 사이에 설치된 절연 부재; 및 진공 챔버의 내부 영역과 격리 되도록 무선 주파수 안테나를 덮는 유전체 커버를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 안테나 재킷의 내부에 무선 주파수 안테나를 따라서 설치되되 자속 출입구가 진공 챔버의 내부 영역을 향하도록 무선 주파수 안테나를 덮는 마그네틱 코어 커버를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 마그네틱 코어 커버는 비자성 스페이서를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 기판 지지대의 가장자리 영역을 따라서 융기된 방전 방지벽을 포함한다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도 면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 내장 무선 주파수 안테나를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 단면도이다.
도 1을 참조하여, 본 발명의 플라즈마 반응기는 피처리 기판(120)이 놓이는 기판 지지대(110)가 설치된 진공 챔버(100)를 구비한다. 진공 챔버(100)의 상부에는 하나 이상의 가스 분배판(202)을 갖는 가스 공급부(200)가 구비된다. 가스 공급부(200)의 가스 입구(201)는 가스 공급원(미도시)에 연결된다. 진공 챔버(100)의 하단에는 진공 펌프(미도시)에 연결된 가스 출구(101)가 구비된다. 진공 챔버(100)의 내부에는 피처리 기판의 주변으로 환형 플라즈마를 형성하기 위한 환형 플라즈마 발생기(300)가 구비된다.
도 2는 기판 지지대에 장착된 환형 플라즈마 발생기의 단면 사시도이다.
도 2를 참조하여, 환형 플라즈마 발생기(300)는 기판 지지대(110)의 주변으로 장착된다. 환형 플라즈마 발생기(300)는 기판 지지대(110)의 주변을 따라서 실린더 형으로 감겨진 무선 주파수 안테나(330)를 구비한다. 무선 주파수 안테나(330)와 기판 지지대(110) 사이에는 절연 부재(340)가 설치된다. 절연 부재(340)는 단면 구조가 I 형상을 갖는다. 그럼으로 절연 부재(340)는 내 측으로는 기판 지지대(110)에 장착되는 그리고 외측으로는 무선 주파수 안테나(330)가 장착된다. 그리고 무선 주파수 안테나(330)는 진공 챔버(100)의 내부 영역과 격리 되도록 유전체 커버(330)에 의해 덮여진다.
무선 주파수 안테나(330)는 무선 주파수를 공급하는 무선 주파수를 공급하는 제1 전원 공급원(400)에 임피던스 정합기(410)를 통하여 연결된다. 제1 전원 공급원(50)은 별도의 임피던스 정합기 없이 출력 전원의 제어가 가능한 무선 주파수 전원 공급원을 사용하여 구성할 수도 있다.
기판 지지대(110)는 서로 다른 무선 주파수를 공급하는 제2 및 제3 전원 공급원(420, 422)에 임피던스 정합기(430)를 통하여 전기적으로 연결되어 바이어스 된다. 제2 및 제3 전원 공급원(420, 422)은 서로 다른 무선 주파수를 기판 지지대(110)로 공급한다. 기판 지지대(110)의 이중 전원 공급 구조는 진공 챔버(100)의 내부에 플라즈마 발생을 더욱 용이하게 하고, 피처리 기판(120)의 표면에서 플라즈마 이온 에너지 조절을 더욱 개선시켜 공정 생산력을 더욱 향상 시킬 수 있다. 제2 및 제3 전원 공급원(420, 430)은 별도의 임피던스 정합기 없이 출력 전압의 제어가 가능한 무선 주파수 전원 공급원을 사용하여 구성할 수 도 있다. 기판 지지대(110)는 이중 바이어스 구조를 갖지만, 하나의 전원 공급원에 의한 단일 바이어스 구조를 가질 수도 있다. 또는 기판 지지대(110)는 바이어스 전원의 공급이 없는 제로 포텐셜을 갖도록 구성할 수도 있다.
무선 주파수 안테나(330)는 마그네틱 코어 커버(320)에 의해 덮여진다. 마그네틱 코어 커버(320)는 수직 단면 구조가 말편자 형상을 갖고 무선 주파수 안테나(330)를 따라서 덮어지도록 설치되어 자속 출입구가 유전체 커버(310)를 향하도록 설치된다. 그럼으로 도 3에 도시된 바와 같이, 무선 주파수 안테나(330)에 의해 발생된 자기장(332)은 마그네틱 코어 커버(320)에 의해 자속이 집속됨으로 자속의 손실을 최소화 할 수 있다.
마그네틱 코어 커버(320)는 페라이트 재질로 제작되지만 다른 대안의 재료로 제작될 수 도 있다. 마그네틱 코어 커버(320)는 다수의 말편자 형상의 페라이트 코어 조각들을 조립하여 구성할 수 있다. 또는 일체형의 페라이트 코어를 사용할 수도 있다. 여러 개의 조각을 사용하여 구성하는 경우에는 각 조각의 조립면에 절연 물질과 같은 비자성 스페이서를 삽입하여 연결할 수 있다. 도면에는 구체적으로 냉각수 공급 채널을 도시하지 않았으나 예들 들어, 무선 주파수 안테나(330)와 마그네틱 코어 커버(320)의 사이에 냉각수 공급 채널이 구비될 수 있다. 그리고 무선 주파수 안테나(330)와 유전체 커버(310) 사이에는 페러데이 쉴드가 선택적으로 설치될 수 있다.
가스 공급부(200)를 통하여 진공 챔버(100)의 내부로 공정 가스가 공급되고 제1 전원 공급원(400)으로부터 무선 주파수가 공급되어 무선 주파수 안테나(330)가 구동되면 피처리 기판의 주변으로 균일한 환형 플라즈마를 형성된다. 특히, 마그네틱 코어 커버(320)에 의해서 자속이 강하게 집속되어 짐으로 플라즈마 발생 효율이 높아진다. 또한 진공 챔버(100)의 내부에서 피처리 기판에 가깝게 설치됨으로서 전력 대비 높은 플라즈마 처리 효율을 얻을 수 있다.
도 4 및 도 5는 환형 플라즈마 발생기의 변형예를 보여주는 부분 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 환형 플라즈마 발생기(300)에 탑재되는 마그네틱 코어 커버(320')는 무선 주파수 안테나(330)를 전체적으로 덮는 구조로 구성될 수 있다. 그리고 도 5에 도시된 바와 같이, 절연 부재(340)는 기판 지지대(110)의 가장자리 영역을 따라서 융기된 방전 방지벽(341)이 구성될 수 있다. 방전 방지벽(341)은 무선 주파수 안테나(330)와 기판 지지대(110)의 정전 결합되는 것을 방지하여 플라즈마 균일도가 낮아지는 것을 방지한다.
이상에서 설명된 본 발명의 내장 무선 주파수 안테나를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 한다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 내장 무선 주파수 안테나를 구비한 유도 결합 플라즈마 반응기에 의하면, 환형 플라즈마 발생기(300)는 피처리 기판의 주변으로 균일한 환형 플라즈마를 형성하며, 진공 챔버의 내부에 설치되어 피처리 기판과의 거리가 멀지 않도록 하여 플라즈마 처리 효율을 높일 수 있다. 특히, 마그네틱 코어 커버(320)에 의해서 자속이 강하게 집속되어 짐으로 플라즈마 발생 효율이 높아진다. 또한 진공 챔버(100)의 내부에서 피처리 기판에 가깝게 설치됨으로서 전력 대비 높은 플라즈마 처리 효율을 얻을 수 있다.

Claims (5)

  1. 기판 지지대가 구비된 진공 챔버;
    기판 지지대의 측면을 따라 설치된 무선 주파수 안테나를 갖는 환형 플라즈마 발생기; 및
    무선 주파수 안테나로 플라즈마 방전을 위한 전원을 공급하는 전원 공급원을 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기에 있어서,
    상기 환형 플라즈마 발생기는
    기판 지지대의 주변을 따라서 감겨진 무선 주파수 안테나와,
    무선 주파수 안테나와 기판 지지대 사이에 설치된 절연 부재 및
    진공 챔버의 내부 영역과 격리 되도록 무선 주파수 안테나를 덮는 유전체 커버를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    안테나 재킷의 내부에 무선 주파수 안테나를 따라서 설치되되 자속 출입구가 진공 챔버의 내부 영역을 향하도록 무선 주파수 안테나를 덮는 마그네틱 코어 커버를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 마그네틱 코어 커버는 비자성 스페이서를 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
  5. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 기판 지지대의 가장자리 영역을 따라서 융기된 방전 방지벽을 포함하는 유도 결합 플라즈마 반응기.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01196827A (ja) * 1988-02-02 1989-08-08 Matsushita Electron Corp プラズマエッチング方法
KR20000006443A (ko) * 1998-06-26 2000-01-25 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 에칭방법,클리닝방법,플라즈마처리장치및정합회로
KR100255703B1 (ko) * 1991-06-27 2000-05-01 조셉 제이. 스위니 전자기 rf연결부를 사용하는 플라즈마 처리기 및 방법
KR20060015992A (ko) * 2004-08-16 2006-02-21 삼성전자주식회사 플라즈마를 이용한 반도체 제조장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01196827A (ja) * 1988-02-02 1989-08-08 Matsushita Electron Corp プラズマエッチング方法
KR100255703B1 (ko) * 1991-06-27 2000-05-01 조셉 제이. 스위니 전자기 rf연결부를 사용하는 플라즈마 처리기 및 방법
KR20000006443A (ko) * 1998-06-26 2000-01-25 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 에칭방법,클리닝방법,플라즈마처리장치및정합회로
KR20060015992A (ko) * 2004-08-16 2006-02-21 삼성전자주식회사 플라즈마를 이용한 반도체 제조장치

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