JPS60189925A - 高周波放電反応装置 - Google Patents
高周波放電反応装置Info
- Publication number
- JPS60189925A JPS60189925A JP4605884A JP4605884A JPS60189925A JP S60189925 A JPS60189925 A JP S60189925A JP 4605884 A JP4605884 A JP 4605884A JP 4605884 A JP4605884 A JP 4605884A JP S60189925 A JPS60189925 A JP S60189925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- opposite electrode
- counter electrode
- electrode
- matching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波電圧を印加することにより生じたプラズ
マの化学反応を利用する装置にかかり、電極間にプラズ
マを効果的に生じさせるための手段に関するものである
。
マの化学反応を利用する装置にかかり、電極間にプラズ
マを効果的に生じさせるための手段に関するものである
。
従来のこの種の装置を第１図に示した。この装置では真
空チャンバー５の中で高周波印加電極１と対向電極４と
の間に、高周波電源２より高周波印加電極側マツチング
ボックス３を経由して高周波電圧を印加しプラズマ７を
発生させ、プラズマ７の化学反応を利用、薄膜形成、表
面処理、蝕刻等を行うものである。９は絶縁物、６はシ
ールド板である。対向電極４は接地電位か、浮遊電位か
で用いられ、図の場合は両者の切り替えが可能な構造と
なっている。この従来の構造には、対向電極側において
高周波電力のマツチングが調整できない欠点があり、そ
のために電極間に効果的にプラズマを発生させることが
不可能である。ただし、マツチングボックス３のほかに
対向電極側にもマツチング回路を必要とすることは、最
近見出され注目されているものである。その改良型とし
て、第２図に示した構造の装置がある。この装置では可
変リアクタンスコイル１０により、高周波電力のマツチ
ング調節が可能である。しかし、この構成では対向電極
４は常に直流的には接地電位となっており、対向電極に
直流バイアスを付加することが不可能であり、そのため
にプラズマ内部の電子およびイオンの制御が困難である
。
空チャンバー５の中で高周波印加電極１と対向電極４と
の間に、高周波電源２より高周波印加電極側マツチング
ボックス３を経由して高周波電圧を印加しプラズマ７を
発生させ、プラズマ７の化学反応を利用、薄膜形成、表
面処理、蝕刻等を行うものである。９は絶縁物、６はシ
ールド板である。対向電極４は接地電位か、浮遊電位か
で用いられ、図の場合は両者の切り替えが可能な構造と
なっている。この従来の構造には、対向電極側において
高周波電力のマツチングが調整できない欠点があり、そ
のために電極間に効果的にプラズマを発生させることが
不可能である。ただし、マツチングボックス３のほかに
対向電極側にもマツチング回路を必要とすることは、最
近見出され注目されているものである。その改良型とし
て、第２図に示した構造の装置がある。この装置では可
変リアクタンスコイル１０により、高周波電力のマツチ
ング調節が可能である。しかし、この構成では対向電極
４は常に直流的には接地電位となっており、対向電極に
直流バイアスを付加することが不可能であり、そのため
にプラズマ内部の電子およびイオンの制御が困難である
。
本発明はこれらの欠点の除去を目的とするもので、対向
電極を直流的に浮遊電位とし、あるいは任意の直流バイ
ア・スを印加することが可能で、かつ高周波電力のマツ
チングを可能にした新規の装置を提供するものである。
電極を直流的に浮遊電位とし、あるいは任意の直流バイ
ア・スを印加することが可能で、かつ高周波電力のマツ
チングを可能にした新規の装置を提供するものである。
以下図面を用い、実施例によって本発明を説明する。
第３図に本発明の実施例を示す。本発明では第２図の可
変リアクタンス１０に代って対向電極側マツチング回路
１１が新規に取付けられている。
変リアクタンス１０に代って対向電極側マツチング回路
１１が新規に取付けられている。
マツチング回路１１の実施例を第４図（ａ）〜（ｉ）に
示す。
示す。
これらの図で、４は第３図の対向電極、１２は固定コン
デンサー、１５は固定インダクタンス、１４．１７．３
７は可変コンデンサー、１３は可変インダクタンスであ
る。
デンサー、１５は固定インダクタンス、１４．１７．３
７は可変コンデンサー、１３は可変インダクタンスであ
る。
これらの例に示すように、本発明の対向電極側マツチン
グ回路１１は、コンデンサーで切ることにより対向電極
をアースから浮かせた構造をとるものである。本発明の
対向電極は直流的に接地電位としないような回路であれ
ば良くここに示した回路にとられれない。この対向電極
側マツチング回路１１は、対向電極に流入する高周波電
力をマツチングして有効に接地し、しかも直流的にはこ
れを浮遊電位にしている点が特徴である。
グ回路１１は、コンデンサーで切ることにより対向電極
をアースから浮かせた構造をとるものである。本発明の
対向電極は直流的に接地電位としないような回路であれ
ば良くここに示した回路にとられれない。この対向電極
側マツチング回路１１は、対向電極に流入する高周波電
力をマツチングして有効に接地し、しかも直流的にはこ
れを浮遊電位にしている点が特徴である。
第５図は、本発明の他の実施例である。ここでは高周波
カットフィルター１８を置き、これを通して直流バイア
ス電圧を対向電極に印加している。このバイアス電圧に
よりプラズマ７中の電子およびイオンの運動を制御する
ことができ、プラズマによる反応特性をコントロールす
ることが可能となる。直流バイアス電圧は相対的なもの
であるため、第５図の対向電極の代りに、真空チャンバ
ー５についてマツチングをとる方法も可能である。
カットフィルター１８を置き、これを通して直流バイア
ス電圧を対向電極に印加している。このバイアス電圧に
よりプラズマ７中の電子およびイオンの運動を制御する
ことができ、プラズマによる反応特性をコントロールす
ることが可能となる。直流バイアス電圧は相対的なもの
であるため、第５図の対向電極の代りに、真空チャンバ
ー５についてマツチングをとる方法も可能である。
高周波カットフィルター１８の実施例を第６図に示す。
この場合はインダクタンス２０とコンデンサー２１でロ
ーパスフィルターを構成している。
ーパスフィルターを構成している。
第６図に示した実施例は最も単純な例である。
要は高周波をカットし直流を対向電極に導入可能であれ
ば良く、ここに示した回路にとられれない。第７図には
第５図の構成に加えて、スイッチ２３により高周波印加
電極ｌの方にもさらに直流バイアス電圧を印加できるよ
うにした装置を示す。プラズマの反応特性のコントロー
ルは−Ｔｌ容易になる。但し、この場合のマツチングボ
ックス３にはマツチング回路１１におけると同様の直流
印加への配慮が必要である。
ば良く、ここに示した回路にとられれない。第７図には
第５図の構成に加えて、スイッチ２３により高周波印加
電極ｌの方にもさらに直流バイアス電圧を印加できるよ
うにした装置を示す。プラズマの反応特性のコントロー
ルは−Ｔｌ容易になる。但し、この場合のマツチングボ
ックス３にはマツチング回路１１におけると同様の直流
印加への配慮が必要である。
第８図には、プラズマ被処理物２７をプラズマ７の外に
由すため、先述の対向電極４をメツシュ対向電極２５に
置換した装置を示す。高周波印加電極１とメツシュ対向
電極２５との間に効果的な放電を生じさせるためにメツ
シュ対向電極側マツチング回路１１があり、プラズマ被
処理物２７へ荷電粒子が照射されるのをコントロールす
るため直流バイアス電圧がメツシュ対向電極２５に印加
されている。この構成の装置を用いるときは、たとえば
または ガスを用いた 高周波放電によってａ−８ｔ：Ｈ膜を高速に膜質良く被
処理物２７上に堆積することができる。
由すため、先述の対向電極４をメツシュ対向電極２５に
置換した装置を示す。高周波印加電極１とメツシュ対向
電極２５との間に効果的な放電を生じさせるためにメツ
シュ対向電極側マツチング回路１１があり、プラズマ被
処理物２７へ荷電粒子が照射されるのをコントロールす
るため直流バイアス電圧がメツシュ対向電極２５に印加
されている。この構成の装置を用いるときは、たとえば
または ガスを用いた 高周波放電によってａ−８ｔ：Ｈ膜を高速に膜質良く被
処理物２７上に堆積することができる。
マタ、５ｉＨ４１−たは５ｉ２Ｈ６ガスとＮＨ３ガスの
混合ガスを用いてＳｉ３Ｎ４膜を高速に膜質良く被処理
物２７上に成膜することもできた。
混合ガスを用いてＳｉ３Ｎ４膜を高速に膜質良く被処理
物２７上に成膜することもできた。
この装置の処理物ホルダー２６に取付けられたスイッチ
２２は、直流またはＡＣまたはＲＦ電源２４とアースと
もに切替えられるようになっている。これによって成膜
条件を二層コントロールすることができる二 第９図には本発明をバレル型装置に応用したものである
。ここでは両電極の配置が平行平板形がら同し円筒形に
変っている。しがし、本発明の観点からする限り両者の
間に差異はない。被処理物２７を大■に処理てきる。た
だし、２９は絶紛物、３０は温度制御機構である。
２２は、直流またはＡＣまたはＲＦ電源２４とアースと
もに切替えられるようになっている。これによって成膜
条件を二層コントロールすることができる二 第９図には本発明をバレル型装置に応用したものである
。ここでは両電極の配置が平行平板形がら同し円筒形に
変っている。しがし、本発明の観点からする限り両者の
間に差異はない。被処理物２７を大■に処理てきる。た
だし、２９は絶紛物、３０は温度制御機構である。
本発明は以上説明した通りであって、プラズマを高効率
で発生し、対向電極に直流バイアスを印加することで、
プラズマ内およびプラズマ近傍の荷電粒子の動きを制御
し高速で良質の処理を行なうことができるものである。
で発生し、対向電極に直流バイアスを印加することで、
プラズマ内およびプラズマ近傍の荷電粒子の動きを制御
し高速で良質の処理を行なうことができるものである。
本発明が半導体製造装置等に寄与するところは多大であ
り、工業」二有為の発明ということができる。
り、工業」二有為の発明ということができる。
第１図は従来の高周波放電反応装置の例。第２図は同様
の他の例である。第３図は本発明の装置の実施例であり
、第４図はそのうち対向電極側マツチング回路１１の実
施例を示す。第５図、第７図、第８図、第９図は本発明
の他の実施例を示す。第６図はそのうちの高周波カット
フィルター１８の実施例を示す。 １・・・高周波印加電極、２・・・高周波電源、３・・
・高周波印加電極側マツチングボックス、４・・・対向
電極、５・・・真空チャンバー、６・・・シールド板、
７・・・プラズマ、８・・・スイッチ、９・・・絶縁物
、１０．１３・・・可変インダクタンスコイル、１１・
・・対向電極側マツチング回路、１２・・・固定コンデ
ンサー１１４．１７．３７・・・可変コンデンサー、１
５・・・固定インダクタンス、１８・・・高周波カット
フィルター、１９・・・直流電源、２０・・・高周波カ
ットフィルター、２１・・・直流電源、２２，２３．２
８・・・スイッチ、２４・・・直流またはＡＣまたはＲ
Ｆ電鯨。 ２５・・・メツシュ対向電極、２６・・・処理物ボルダ
−１２７・・・被処理物、２９・・・絶縁物、３０・・
・温度制御機構 特許出願人 日電アネルバ株式会社
の他の例である。第３図は本発明の装置の実施例であり
、第４図はそのうち対向電極側マツチング回路１１の実
施例を示す。第５図、第７図、第８図、第９図は本発明
の他の実施例を示す。第６図はそのうちの高周波カット
フィルター１８の実施例を示す。 １・・・高周波印加電極、２・・・高周波電源、３・・
・高周波印加電極側マツチングボックス、４・・・対向
電極、５・・・真空チャンバー、６・・・シールド板、
７・・・プラズマ、８・・・スイッチ、９・・・絶縁物
、１０．１３・・・可変インダクタンスコイル、１１・
・・対向電極側マツチング回路、１２・・・固定コンデ
ンサー１１４．１７．３７・・・可変コンデンサー、１
５・・・固定インダクタンス、１８・・・高周波カット
フィルター、１９・・・直流電源、２０・・・高周波カ
ットフィルター、２１・・・直流電源、２２，２３．２
８・・・スイッチ、２４・・・直流またはＡＣまたはＲ
Ｆ電鯨。 ２５・・・メツシュ対向電極、２６・・・処理物ボルダ
−１２７・・・被処理物、２９・・・絶縁物、３０・・
・温度制御機構 特許出願人 日電アネルバ株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高周波電圧を印加することにより生じたプラズマの化学
反応を利用する装置であって、ａ、該高周波電圧を印加
する手段および高周波印加電極。 ｂ、該高周波印加電極との間で放電を生じさせる対向電
極。 Ｃ９該対向電極と接地電位との間で高周波電力のマツチ
ングを調節でき、かつ該対向電極に直流バイアス重重を
印加できるようにした手段。 を有することを特長とする高周波放電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4605884A JPS60189925A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 高周波放電反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4605884A JPS60189925A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 高周波放電反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189925A true JPS60189925A (ja) | 1985-09-27 |
Family
ID=12736412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4605884A Pending JPS60189925A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 高周波放電反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189925A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163021A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放電加工装置 |
| JPS62280378A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-05 | Hitachi Ltd | プラズマ制御装置 |
| JPH02101745A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応装置 |
| US20130306240A1 (en) * | 2002-12-20 | 2013-11-21 | Lam Research Corporation | System and Method for Controlling Plasma With an Adjustable Coupling to Ground Circuit |
-
1984
- 1984-03-10 JP JP4605884A patent/JPS60189925A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6163021A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放電加工装置 |
| JPS62280378A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-05 | Hitachi Ltd | プラズマ制御装置 |
| JPH02101745A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応装置 |
| US20130306240A1 (en) * | 2002-12-20 | 2013-11-21 | Lam Research Corporation | System and Method for Controlling Plasma With an Adjustable Coupling to Ground Circuit |
| US9190302B2 (en) * | 2002-12-20 | 2015-11-17 | Lam Research Corporation | System and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE68924413T2 (de) | Radiofrequenzinduktion/Mehrpolplasma-Bearbeitungsvorrichtung. | |
| US4844775A (en) | Ion etching and chemical vapour deposition | |
| US12002652B2 (en) | Variable mode plasma chamber utilizing tunable plasma potential | |
| JPH0527244B2 (ja) | ||
| JP2003515433A (ja) | ハイブリッドプラズマ処理装置 | |
| JPH06240452A (ja) | 陰極スパッタリングによってプラズマを発生させるための装置 | |
| JP2000156370A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPS5633839A (en) | Plasma treatment and device therefor | |
| JPH02116128A (ja) | 反応性イオン・エツチング装置 | |
| JPH0850996A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0613196A (ja) | プラズマ発生方法および発生装置 | |
| EP0209109B1 (en) | Method of and apparatus for forming film by utilizing low-temperature plasma | |
| JPS60189925A (ja) | 高周波放電反応装置 | |
| KR100641956B1 (ko) | 물리적 증기 증착을 위한 스퍼터 타겟 및 이를 포함한 장치 및 방법 | |
| JPH0850998A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS597212B2 (ja) | プラズマ・エッチング方法 | |
| JP2569019B2 (ja) | エッチング方法及びその装置 | |
| JPS57210631A (en) | Reactive type ion etching method | |
| JPH05175163A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3577785B2 (ja) | イオンビーム発生装置 | |
| JPH0527967B2 (ja) | ||
| JPH06280030A (ja) | 薄膜作成装置 | |
| JPH07193049A (ja) | エッチング装置及びエッチング方法 | |
| JPH03123022A (ja) | プラズマ成膜装置 | |
| JPH06275222A (ja) | 複数電極による自己バイアス制御装置 |