JPS6163021A - 放電加工装置 - Google Patents
放電加工装置Info
- Publication number
- JPS6163021A JPS6163021A JP18403584A JP18403584A JPS6163021A JP S6163021 A JPS6163021 A JP S6163021A JP 18403584 A JP18403584 A JP 18403584A JP 18403584 A JP18403584 A JP 18403584A JP S6163021 A JPS6163021 A JP S6163021A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impedance matching
- discharge
- electrode
- power
- substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、グロー放電法ならびにスパッタリング法によ
って薄膜を堆積したりエツチングしたりする放電加工装
置に関する。
って薄膜を堆積したりエツチングしたりする放電加工装
置に関する。
従来例の構成とその問題点
従来、グロー放電装置、スパッタリング装置等放電を用
いた加工装置には放電電力を供給する電極からのインピ
ーダンスと電源とのインピーダンスを合わせるためのマ
ツチング装置か付いていた。
いた加工装置には放電電力を供給する電極からのインピ
ーダンスと電源とのインピーダンスを合わせるためのマ
ツチング装置か付いていた。
装置が大型化し、大電力を必要とするようになるト上述
のインピーダンスマツチングだけでは不十分となってき
た。小電力では無視しても実用上は問題ではなかった装
置全体のインピーダンスが大電力放電では問題になって
きた。インピーダンスが集中定数では表わせなく、分布
定数回路で取り扱わなければならなくなったためである
。装置全体のインピーダンスを電源のインピーダンスと
合わせるマツチング装置は従来のグロー放電装置。
のインピーダンスマツチングだけでは不十分となってき
た。小電力では無視しても実用上は問題ではなかった装
置全体のインピーダンスが大電力放電では問題になって
きた。インピーダンスが集中定数では表わせなく、分布
定数回路で取り扱わなければならなくなったためである
。装置全体のインピーダンスを電源のインピーダンスと
合わせるマツチング装置は従来のグロー放電装置。
スパッタリング装置にはなかった。
発明の目的
本発明は、放電電力供給側と相対する基板側電極のイン
ピーダンスマツチングを行なうことにより、大電力によ
る放電によっても装置全体のマツチングを合わせること
ができる放電加工装置を提供することを目的とする。
ピーダンスマツチングを行なうことにより、大電力によ
る放電によっても装置全体のマツチングを合わせること
ができる放電加工装置を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は放電電力を供給する側の電極からのインピーダ
ンスマツチングを行なう装置と基板を支持する電極から
のインピーダンスマツチングとを行なう装置とを有して
いるので大電力放電を行なっても装置全体のインピーダ
ンスを電源インピーダンスと精度よく合わすことができ
る。
ンスマツチングを行なう装置と基板を支持する電極から
のインピーダンスマツチングとを行なう装置とを有して
いるので大電力放電を行なっても装置全体のインピーダ
ンスを電源インピーダンスと精度よく合わすことができ
る。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図に基づいて説明する
。
。
図は、本発明による放電加工装置のマツチング回路を含
んだ略図である。高周波電源１がら送られた電力は、装
置２内にある放電電力供給用電極３に接続されているマ
ツチングボックス（図示せずンに供給される。マツチン
グボックス内の回路の構成は、１０回転はどのインダク
タンス４と固定容量６および可変容量６である。固定容
量６および可変容量らは装置によって多少異なるが１０
０〜１ｏｏｏＰＦ程度である。このマツチング回路は従
来より行なわれていたものである。
んだ略図である。高周波電源１がら送られた電力は、装
置２内にある放電電力供給用電極３に接続されているマ
ツチングボックス（図示せずンに供給される。マツチン
グボックス内の回路の構成は、１０回転はどのインダク
タンス４と固定容量６および可変容量６である。固定容
量６および可変容量らは装置によって多少異なるが１０
０〜１ｏｏｏＰＦ程度である。このマツチング回路は従
来より行なわれていたものである。
本発明によるマツチング回路は、装置２内にある基板γ
を支持する電極８に接続されているもので図に示すよう
な構成になっており、１０回転はどのインダクタンス１
ｏと可変容量１１と１２からなる。可変容量１１と１２
は、可変容量６とほぼ同じで良（１００〜１０００ＰＦ
程、窒である。
を支持する電極８に接続されているもので図に示すよう
な構成になっており、１０回転はどのインダクタンス１
ｏと可変容量１１と１２からなる。可変容量１１と１２
は、可変容量６とほぼ同じで良（１００〜１０００ＰＦ
程、窒である。
高周波電力を装置２に供給し、可変容量６゜１１．１２
を調節して、マツチングを合わせる。
を調節して、マツチングを合わせる。
直流的にはインダクタンス１０によって基板支持電極は
接地されている。
接地されている。
なお、基板側に電力を供給し逆スパツタを行なって基板
洗浄に用いる機能を有するスパンタリング装置があり、
この場合、基板側の電極からインピーダンスマツチング
を行なっているが、この場合もあくまで放電電力を加え
ている電極側によるインピーダンスのマツチングである
ため、本発明の主旨とは異なったものであり、マツチン
グ回路の構成も異なっている。
洗浄に用いる機能を有するスパンタリング装置があり、
この場合、基板側の電極からインピーダンスマツチング
を行なっているが、この場合もあくまで放電電力を加え
ている電極側によるインピーダンスのマツチングである
ため、本発明の主旨とは異なったものであり、マツチン
グ回路の構成も異なっている。
発明の効果
本発明によれば、インピーダンスマツチングを基板側で
も合わせることができ、大電力でも十分なマツチング条
件が得られるため異常放電がなく安定で均一な放電が得
られる。このため同一電力で堆積またはエツチング速度
を１０〜３０％も向上させることができる。
も合わせることができ、大電力でも十分なマツチング条
件が得られるため異常放電がなく安定で均一な放電が得
られる。このため同一電力で堆積またはエツチング速度
を１０〜３０％も向上させることができる。
図は本発明による一実施例の装置の構成略図である。
１・・・・・・高周波電源、２・・・・・放電装置、３
・・・・・・放電電力供給用電極、４，１ｏ・・・・・
・インダクタンス、５・・・・・・固定容量、６，１１
．１２・−・・・可変容量、７・・・・・・基板、８・
・・・・・基板支持用電極。
・・・・・・放電電力供給用電極、４，１ｏ・・・・・
・インダクタンス、５・・・・・・固定容量、６，１１
．１２・−・・・可変容量、７・・・・・・基板、８・
・・・・・基板支持用電極。
Claims (1)
- 放電電力を供給する側の電極からのインピーダンスマ
ッチングを行なう装置と、放電によって材料を堆積また
はエッチングする基板を支持する電極からのインピーダ
ンスマッチングを行なう装置とを有する放電加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18403584A JPS6163021A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 放電加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18403584A JPS6163021A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 放電加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163021A true JPS6163021A (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=16146218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18403584A Pending JPS6163021A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 放電加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163021A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4447649C2 (de) * | 1993-06-30 | 2002-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | Vorrichtung zur elektrischen Entladungsbearbeitung unter Benutzung variabler Kapazität und variabler Induktivität |
| JP2008192633A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| CN107305830A (zh) * | 2016-04-20 | 2017-10-31 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57210631A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Toshiba Corp | Reactive type ion etching method |
| JPS60189925A (ja) * | 1984-03-10 | 1985-09-27 | Anelva Corp | 高周波放電反応装置 |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP18403584A patent/JPS6163021A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57210631A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Toshiba Corp | Reactive type ion etching method |
| JPS60189925A (ja) * | 1984-03-10 | 1985-09-27 | Anelva Corp | 高周波放電反応装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4447649C2 (de) * | 1993-06-30 | 2002-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | Vorrichtung zur elektrischen Entladungsbearbeitung unter Benutzung variabler Kapazität und variabler Induktivität |
| JP2008192633A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| CN107305830A (zh) * | 2016-04-20 | 2017-10-31 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法 |
| CN107305830B (zh) * | 2016-04-20 | 2020-02-11 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法 |
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