KR970065764A - 플라즈마 공정 장치 및 플라즈마 공정 방법 - Google Patents

플라즈마 공정 장치 및 플라즈마 공정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970065764A
KR970065764A KR1019970010297A KR19970010297A KR970065764A KR 970065764 A KR970065764 A KR 970065764A KR 1019970010297 A KR1019970010297 A KR 1019970010297A KR 19970010297 A KR19970010297 A KR 19970010297A KR 970065764 A KR970065764 A KR 970065764A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
cathode electrode
plasma
transmission line
plasma processing
Prior art date
Application number
KR1019970010297A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100256192B1 (ko
Inventor
사또시 다까끼
아쓰시 야마가미
Original Assignee
미따라이 후지오
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미따라이 후지오, 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 미따라이 후지오
Publication of KR970065764A publication Critical patent/KR970065764A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100256192B1 publication Critical patent/KR100256192B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

넓은 면적의 기판 상에 매우 균일한 두께 및 품질을 갖는 고 품질 퇴적막의 형성과 같은 플라즈마 공정을 고속으로 수행하기 위하여, 1) 고주파 전원의 발진 고주파가 적어도 30 내지 600MHz의 범위로 사용되고, 2) 정합 회로와 캐소드 전극이 전송 선로를 따라 접속되고, 상기 전송 선로를 따라 상기 고주파 전력이 전송되고, 3) 상기 캐소드 전극이 막대상의 도전성 구조를 가지며, 상기 캐소드 전극과 상기 전송 선로의 내부 도체 사이의 접속부에서 캐소드 전극의 단면의 외부 형상이 내부도체의 단면의 외부 형상과 동일하며, 4) 상기 캐소드 전극과 상기 전송 선로의 내부 도체와의 적어도 접속부분이 상기 전송 선로의 단면에 대해 전송 매체의 외부형상과 동일한 외부 형상을 갖는 유전체 부재로써 피복된다.

Description

플라즈마 공정 장치 및 플라즈마 공정 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 플라즈마 공정 장치의 실례를 나타내는 도식적 단면도, 제5도는 플라즈마 장치의 바람직한 실례를 도시하는 도식적 단면도, 제8도는 또다른 바람직한 플라즈마 장치의 위치 관계를 예시하기 위한 도식적 투시도.

Claims (23)

  1. 감압가능한 공간을 갖는 반응 용기, 상기 반응 용기내에 배치된 기판 유지수단 및 캐소드 전극, 및 고주파 전원에 의해 발생된 고주파 전력을 정합 회로를 통하여 상기 캐소드 전극에로 공급하기 위한 전송 선로로 이루어지며, 상기 기판 유지 수단에 의해 유지되는 기판과 상기 캐소드 전극과의 사이에 플라즈마를 발생시켜 기판상에 플라즈마 공정을 수행하는 플라즈마 공정 장치에 있어서, 1) 상기 고주파 전원으로부터 발진된 파의 발진 주파수가 적어도 30 내지 600MHz의 범위로 이루어지고, 2) 상기 정합 회로와 상기 캐소드 전극이 전송 선로를 따라 접속되어, 상기 전송 선로를 따라 상기 고주파 전력이 전송되고, 3) 상기 캐소드 전극이 막대상의 도전성 구조를 가지며, 상기 캐소드 전극과 상기 전송 선로의 내부 도체 사이의 접속부에서 캐소드 전극의 단면의 외부 형상이 내부도체의 단면의 외부 형상과 동일하며, 4) 상기 캐소드 전극과 상기 전송 선로의 내부 도체와의 사이에 적어도 접속부분이 상기 전송 선로의 단면에 대해 전송 매체의 외부형상과 동일한 외부 형상을 갖는 유전체 부재로써 피복되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 공정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판이 원통형 기판이고, 상기 기판 유지 수단은 다수의 상기 원통형 기판이 원통형 기판의 중심축이 실질적으로 동일한 원주상에 위치하도록 반응 용기내에 배치된 캐소드 전극의 주위에 배치되게 배열되므로, 플라즈마를 다수의 상기 원통형 기판과 상기 캐소드 전극 사이에서 발생시켜 원통형 기판의 표면상에 플라즈마 공정을 수행하는 것으로 이루어진 플라즈마 공정 장치.
  3. 제1항에 있어서, 기판이 원통형 기판이고, 상기 기판 유지 수단은 다수의 캐소드 전극이 상기 원통형 기판 주위에 위치하도록 배열되므로, 플라즈마를 상기 캐소드 전극들과 원통형 기판 사이에서 발생시켜 원통형 기판의 표면상에 플라즈마 공정을 수행하는 것으로 이루어진 플라즈마 공정 장치.
  4. 제1항에 있어서, 기판을 회전시키면서 상기 기판의 표면상에 플라즈마 공정을 수행하도록 제작된 플라즈마 공정 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판이 평판상 기판이고, 단일 캐소드 전극 또는 다수의 캐소드 전극이 평판상 기판과 평행하게 배열되므로 플라즈마를 캐소드 전극과 평판상 기판 사이에 발생시켜 평판상 기판의 표면 상에 플라즈마 공정을 수행하는 플라즈마 공정 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판이 막의 형성시에 유지 롤로부터 공급되고 권취롤에 의해 권취되는 시트상 기판이며, 단일 캐소드 전극 또는 다수의 캐소드 전극이 시트상 기판과 평행하게 배열되므로 플라즈마를 캐소드 전극과 시트상 기판 사이에 발생시켜 시트상 기판의 표면 상에 플라즈마 공정을 수행하는 플라즈마 공정 장치.
  7. 제1항에 있어서, 고주파 전원의 발진 주파수가 적어도 60 내지 300MHz의 범위로 이루어지는 플라즈마 공정 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 공정이 퇴적막의 형성, 에칭 및 애싱으로 이루어지는 군으로부터 선택된 공정인 플라즈마 공정 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 도전성 구조체용 재료가 상기 내부 도체용 재료와 동일한 플라즈마 공정 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 캐소드 전극을 피복한 유전체 부재 및 상기 전송 선로를 피복한 전송 매체가 동일 재료로 제조된 플라즈마 공정 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 전송 선로가 전송 매체를 피복하기 위한 실드를 갖는 플라즈마 공정 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 실드가 어어스되는 플라즈마 공정 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 실드가 도전성 재료인 플라즈마 공정 장치.
  14. 감압가능한 공간을 갖는 반응 용기, 및 상기 반응 용기내에 배치되고 발진 주파수가 적어도 30 내지 600MHz의 범위로 이루어진 고주파 전원에 전송 선로를 통하여 접속된 캐소드 전극으로 이루어지는 플라즈마 공정 장치에 있어서, 상기 캐소드 전극이 도전성 부재를 갖고 상기 도전성 부재와 상기 전송 선로의 접속 부위의 단면 형상이 상기 접속 부분에서 상기 전송 선로의 내부 도체의 단면 형상과 동일하거나 실질적으로 동일한 플라즈마 공정 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 캐소드 전극이 상기 도전성 부재를 피복하기 위한 유전체 부재를 가지며, 상기 유전체 부재는 상기 내부 도체 주위에 구비된 전송 매체의 단면의 외형과 동일하거나 실질적으로 동일한 형상으로 형성되는 플라즈마 공정 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 전송 매체가 도전성 재료로서 피복되는 플라즈마 공정 장치.
  17. 감압가능한 공간을 갖는 반응 용기, 상기 반응 용기내에 배치된 기판 유지수단 및 캐소드 전극, 및 고주파수 전원에 의해 발생된 고주파수 전력을 정합 회로를 통하여 상기 캐소드 전극으로 공급하기 위한 전송 선로로 이루어지는 플라즈마 공정 장치를 사용하여, 상기 플라즈마 공정장치가 기판 유지 수단에 의해 고정된 기판과 캐소드 전극사이에 플라즈마를 발생시켜 기판 상에 플라즈마 공정을 수행하는 플라즈마 공정 방법에 있어서, 1) 상기 고 주파수 전원으로부터 발진된 파의 발진 주파수는 적어도 30 내지 600MHz의 범위로 이루어지고, 2) 상기 정합 회로 및 캐소드 전극은 전송 선로를 통하여 접속되고 고 주파수 전력은 상기 전송 선로를 통하여 전송되고, 3) 상기 캐소드 전극은 막대형의 도전성 구조를 가지며 상기 캐소드 전극과 상기 전송 선로의 내부 도체와의 접속부에서는 캐소드 전극의 단면의 외부 형상이 내부도체의 횡단면의 외부 형상과 동일하고, 4) 적어도 상기 캐소드 전극과 전송 선로의 내부 도체 사이의 접속부는 전송선로의 단면내 전송 매체의 외부형상과 동일한 외부 형상을 갖는 유전체 부재에 의해 피복되며, 상기 플라즈마 공정은 상기 반응 용기내 압력을 낮추고 플라즈마 공정에 사용되는 가스를 용기내로 도입하고, 상기 캐소드와 상기 기판 사이에 고주파를 인가하여 플라즈마를 발생시키고, 및 상기 플라즈마에 의해 기판의 표면 상에 플라즈마 공정을 수행하는 것으로 이루어진 플라즈마 공정 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 플라즈마 공정이 퇴적막 형성인 플라즈마 공정 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 퇴적막이 적어도 1종 이상의 Ⅳ족 원자를 함유하는 비정질 재료를 함유하는 플라즈마 공정 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 Ⅳ족 원소가 규소를 포함하는 플라즈마 공정 방법.
  21. 제17항에 있어서, 상기 플라즈마 공정이 기판을 회전시키면서 수행되는 플라즈마 공정 방법.
  22. 제17항에 있어서, 상기 플라즈마 공정이 기판을 이동시키면서 수행되는 플라즈마 공정 방법.
  23. 제17항에 있어서, 상기 플라즈마 공정이 에칭 또는 애싱으로 이루어진 플라즈마 공정 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970010297A 1996-03-25 1997-03-25 플라즈마 공정 장치 및 플라즈마 공정 방법 KR100256192B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-68360 1996-03-25
JP8068360A JPH09256160A (ja) 1996-03-25 1996-03-25 プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄによる堆積膜形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970065764A true KR970065764A (ko) 1997-10-13
KR100256192B1 KR100256192B1 (ko) 2000-05-15

Family

ID=13371561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970010297A KR100256192B1 (ko) 1996-03-25 1997-03-25 플라즈마 공정 장치 및 플라즈마 공정 방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH09256160A (ko)
KR (1) KR100256192B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11214196A (ja) * 1998-01-29 1999-08-06 Mitsubishi Electric Corp プラズマ発生装置
JPH11246971A (ja) 1998-03-03 1999-09-14 Canon Inc 微結晶シリコン系薄膜の作製方法及び作製装置
KR100698876B1 (ko) * 2001-07-20 2007-03-22 삼성전자주식회사 플라즈마를 사용하는 가공장치
JP2013004172A (ja) * 2011-06-10 2013-01-07 Tokyo Electron Ltd 高周波電力分配装置およびそれを用いた基板処理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63235478A (ja) * 1987-03-24 1988-09-30 Canon Inc マイクロ波プラズマｃｖｄ装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100256192B1 (ko) 2000-05-15
JPH09256160A (ja) 1997-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8795467B2 (en) Plasma processing apparatus and method
US6664737B1 (en) Dielectric barrier discharge apparatus and process for treating a substrate
KR100535171B1 (ko) 플라즈마 처리방법 및 장치
KR970003557A (ko) 재료 처리용 이중 주파수의 용량성 결합 플라즈마 리액터
KR940010866A (ko) 마이크로파 플라즈마 처리장치 및 처리방법
KR960026129A (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
KR100276599B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 처리방법
KR970065764A (ko) 플라즈마 공정 장치 및 플라즈마 공정 방법
JP3983557B2 (ja) 誘導結合型プラズマ処理装置
JP2000328248A (ja) 薄膜形成装置のクリーニング方法及び薄膜形成装置
JP4093704B2 (ja) プラズマ処理装置
KR100290158B1 (ko) 대면적 평면 안테나를 이용한 플라즈마 가공장치
JPS60123032A (ja) プラズマ処理方法および装置
JP2000073175A (ja) 表面処理装置
CN112992635B (zh) 一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备
KR970072042A (ko) 플라즈마 가공 장치 및 플라즈마 가공 방법
JP2000260598A (ja) プラズマ発生装置
JPH06291064A (ja) プラズマ処理装置
JP2646261B2 (ja) プラズマ処理装置
JPS622544A (ja) 無声放電型ガスプラズマ処理装置
JPS5931977B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置
JP2001085409A (ja) プラズマ処理装置
JPS63243278A (ja) 薄膜の製造方法
JP2020092195A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101262904B1 (ko) 플라즈마 식각 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130123

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140127

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150127

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee