KR970072042A - 플라즈마 가공 장치 및 플라즈마 가공 방법 - Google Patents

플라즈마 가공 장치 및 플라즈마 가공 방법 Download PDF

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Abstract

고주파의 입사파의 이동 방향으로 캐소드 전극의 고주파 전송 케이블의 임피던스 특성이 변화하는 하나 이상의 부정합 부분이 플라즈마 가공에 사용되는 캐소드 전극에 구비됨으로, 플라즈마 가공으로 극히 균일한 막두께를 갖는 고품질의 퇴적막을 형성할 수 있고, 고속으로 균일한 막 품질을 기판상에 형성할 수 있으며, 효과적으로 반도체 장비를 형성할 수 있고, 또한 극히 균일한 막 두께 및 균일한 막 특성을 갖는 고품질의 퇴적막을 고속으로 다수의 원통형 기판의 축방향 및 원주 방향으로 형성할 수 있어 반도체 장치를 효과적으로 형성할 수 있다.

Description

플라즈마 가공 장치 및 플라즈마 가공 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 플라즈마 가공 장치의 일례를 나타내는 도식적 단면도.

Claims (50)

  1. 감압가능한 공간을 갖는 반응 용기, 상기 반응 용기내에 배치된 기판 유지 부재 및 캐소드 전극으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치에서, 고주파 전력이 캐소드 전극에 공급되어, 기판 유지 부재 및 캐소드 전극 사이에 플라즈마가 발생하여, 기판의 플라즈마 가공이 수행되며, 캐소드 전극에 고주파 전송 선로의 임피던스 특성이 고주파의 입사파의 이동 방향에 따라 변경되는 하나 이상의 부정합 부분이 구비된 플라즈마 가공 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 임피던스 특성이 이동 방향에 따라 작은 값에서 큰 값으로 변경되는 플라즈마 가공 장치.
  3. 제1항에 있어서, 플라즈마 가공이 퇴적막 형성을 포함하는 플라즈마 가공 장치.
  4. 제1항에 있어서, 플라즈마 가공이 에칭 가공을 포함하는 플라즈마 가공 장치.
  5. 제1항에 있어서, 플라즈마 가공이 에싱 가공을 포함하는 플라즈마 가공 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 캐소드 전극이 전도체 및 전도체를 덮는 유전체로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  7. 제6항에 있어서, 유전체가 상이한 두께를 갖는 부분으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  8. 제6항에 있어서, 유전체가 상이한 유전 상수를 갖는 부분으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 전도체가 상이한 직경을 갖는 부분으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  10. 제7항에 있어서, 유전체가 고주파 전력이 입력되는 측에 작은 두께를 갖는 부분으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  11. 제6항에 있어서, 유전체가 상이한 두께를 갖는 부분으로 이루어지며, 전도체는 상이한 직경을 갖는 부분으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  12. 제11항에 있어서, 유전체가 고주파 전력이 입력되는 측에 작은 두께를 갖는 부분으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  13. 제9항에 있어서, 전도체가 고주파 전력이 입력되는 측에 큰 직경을 갖는 부분으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  14. 제11항에 있어서, 전도체가 고주파 전력이 입력되는 측에 큰 직경을 갖는 부분으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  15. 제11항에 있어서, 유전체가 고주파 전력이 입력되는 측에 작은 두께를 갖는 부분으로 이루어지며, 전도체는 고주파 전력이 입력되는 측에 큰 직경을 갖는 부분으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  16. 제8항에 있어서, 유전체가 덮힌 전도체가 상이한 직경을 갖는 부부으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  17. 제16항에 있어서, 전도체가 고주파 전력이 입력되는 측에 큰 직경을 갖는 부분으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  18. 제8항에 있어서, 유전체가 고주파 전력이 입력되는 측에 큰 유전 상수를 갖는 플라즈마 가공 장치.
  19. 제7항에 있어서, 유전체가 캐소드 전극의 중앙 부분에 작은 두께를 갖는 부분으로 이루어지는 플라즈마 가공 장치.
  20. 제1항에 있어서, 유전체가 캐소드 전극에 입력되는 고주파의 정재파의 노드에 상응하는 부정합 부분을 포함하는 플라즈마 가공 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 부정합 부분이 고주파의 반사면을 포함하는 플라즈마 가공 장치.
  22. 제21항에 있어서, 부정합 부분이 캐소드 전극의 전도체의 직경의 변화, 또는 전도체를 덮고 있는 유전체의 두께의 변화를 포함하는 플라즈마 가공 장치.
  23. 제21항에 있어서, 상기 부정합 부분이 복수로 제공되는 플라즈마 가공 장치.
  24. 제22항에 있어서, 상기 유전체가 점차 변화는 두께를 갖는 부분을 포함하는 플라즈마 가공 장치.
  25. 제1항에 있어서, 기판은 원통형 기판이며, 원통형 기판은 자유로이 회전할 수 있고, 다수의 원통형 기판의 중앙 축이 실질적으로 동일한 원주로 구축되도록 다수의 원통형 기판이 반응 용기내의 캐소드 전극 주위에 배치되어, 플라즈마 캐소드 전극 및 다수의 원통형 기판의 사이에 발생하며, 원통형 기판 표면의 플라즈마 가공이 원통형 기판이 회전하면서 수행되는 플라즈마 가공 장치.
  26. 제1항에 있어서, 기판은 원통형 기판이며, 다수의 캐소드 전극이 원통형 기판 주위에 배치되어, 플라즈마가 캐소드 전극 및 원통형 기판 사이에 발생하여, 원통형 기판 표면의 플라즈마 가공이 수행되는 플라즈마 가공 장치.
  27. 제26항에 있어서, 원통형 기판이 자유롭게 회전할 수 있으며, 원통형 기판 표면의 플라즈마 가공은 원통형 기판이 회전하면서 수행되는 플라즈마 가공 장치.
  28. 제1항에 있어서, 기판이 평판상 기판이며, 단일 캐소드 전극 또는 다수의 캐소드 전극이 평판상 기판에 평행하게 배열되어, 플라즈마가 캐소드 전극 및 평판상 기판의 사이에서 발생하여, 평판상 기판 표면의 플라즈마 가공이 수행되는 플라즈마 가공 장치.
  29. 제1항에 있어서, 기판은 유지 롤로부터 전달되고, 막 형성 중 권취롤로 권취되는 시트상 기판이며, 단일 캐소드 전극 또는 다수의 캐소드 전극이 시트상 기판에 평행하게 배열되어, 플라즈마 캐소드 전극 및 시트상 기판의 사이에서 발생하여, 시트상 기판 표면의 플라즈마 가공이 수행되는 플라즈마 가공 장치.
  30. 제1항에 있어서, 고주파 전력의 주파수가 30 내지 600MHz의 범위인 플라즈마 가공장치.
  31. 제1항에 있어서, 고주파 전력의 주파수가 30 내지 300MHz의 범위인 플라즈마 가공장치.
  32. 제1항에 있어서, 캐소드 전극이 막대형이며, 캐소드 전극이 캐소드 전극의 축방향에서 실질적으로 불균일한 두께의 유전체 커버로 덮힌 플라즈마 가공 장치.
  33. -감압가능한 공간을 갖는 반응 용기로 기체를 도입하고; -반응 용기내의 캐소드 전극에 고주파 전력을 인가하고; -고주파 방전에 의하여 플라즈마를 생성시키고;-기판 유지 부재에 의하여 유지된 기판의 플라즈마 가공을 수행하는 단계로 이루어지며, 고주파 전력이 고주파 전송 선로의 임피던스 특성이 고주파의 입사파의 이동방향으로 변경되는 부정합 부분을 갖는 캐소드 전극에 공급되어 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 가공방법.
  34. 제33항에 있어서, 캐소드 전극이 막대형이며, 캐소드 전극이 캐소드 전극의 축방향에서 불균일한 두께를 갖는 유전체 커버로 덮힌 플라즈마 가공 방법.
  35. 제33항에 있어서, 기판이 원통형 기판이며,다수의 원통형 기판의 중앙 축이 실질적으로 동일한 원주로 구축되도록, 반응 용기내의 캐소드 전극의 주위에 배치되어, 플라즈마가 캐소드 전극 및 다수의 원통형 기판사이에서 발생하여, 원통형 기판이 회전하면서 원통형 기판 표면의 플라즈마 가공이 수행되는 플라즈마 가공 방법.
  36. 제33항에 있어서, 기판이 원통형 기판이며, 다수의 캐소드 전극이 원통형 기판 주위에 배열되어, 플라즈마가 캐소드 전극 및 원통형 기판 사이에 발생하여 원통형 기판 표면의 플라즈마 가공이 수행되는 플라즈마 가공 방법.
  37. 제36항에 있어서, 원통형 기판 표면의 플라즈마 가공이 원통형 기판을 회전하면서 수행되는 플라즈마 가공 방법.
  38. 제33항에 있어서, 기판은 평판상 기판이며, 단일의 캐소드 전극 또는 다수의 캐소드 전극이 평판상 기판에 평행하게 배열되고, 플라즈마가 캐소드 전극 및 평판상 기판의 사이에 발생하여, 평판상 기판 표면의 플라즈마 가공이 수행되는 플라즈마 가공 방법.
  39. 제33항에 있어서, 기판이 유지 롤로부터 전달되며, 막 형성 중 권취롤로 권취되는 시트상 기판이며, 단일 캐소드 전극 또는 다수의 캐소드 전극이 시트상 기판에 평행하게 배열되어, 플라즈마가 캐소드 전극 및 시트상 기판의 사이에서 발생하여, 시트상 기판 표면의 플라즈마 가공이 수행되는 플라즈마 가공 방법.
  40. 제33항에 있어서, 캐소드 전극에 인가되는 고주파 전력의 주파수 60 내지 300MHz의 범위인 플라즈마 가공 방법.
  41. 제33항에 있어서, 플라즈마 가공이 퇴적막 형성을 포함하는 플라즈마 가공 방법.
  42. 제33항에 있어서, 플라즈마 가공이 에칭 가공을 포함하는 플라즈마 가공 방법.
  43. 제33항에 있어서, 플라즈마 가공이 애싱 가공을 포함하는 플라즈마 가공 방법.
  44. 제41항에 있어서, 퇴적막이 주기율표의 Ⅳ족 원소중 하나 이상을 포함하는 비정질의 재료를 포함하는 플라즈마 가공 방법.
  45. 제44항에 있어서, Ⅳ족 원소중 하나 이상의 원소가 규소인 플라즈마 가공 방법.
  46. 제41항에 있어서, 퇴적막이 전자사진 감광성 부재에 사용되는 플라즈마 가공 방법.
  47. 중앙 전도체 및 전도체를 덮는 유전체로 이루어지며, 또한 전도체의 한 말단부에 입력되는 고주파에 따라 임피던스가 변하는 부정합 부분이 구비된 캐소드 전극.
  48. 제47항에 있어서, 부정합 부분이 복수로 구비되는 캐소드 전극.
  49. 제47항에 있어서, 부정합 부분은 중앙 전도체의 직경이 변하거나 또는 유전체의 직경이 변하는 부분을 포함하는 캐소드 전극.
  50. 제47항에 있어서, 부정합 부분이 상이한 유전 상수를 갖는 유전체가 접촉되는 부분을 포함하는 캐소드 전극.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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