JPH0644554B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH0644554B2 JPH0644554B2 JP59060344A JP6034484A JPH0644554B2 JP H0644554 B2 JPH0644554 B2 JP H0644554B2 JP 59060344 A JP59060344 A JP 59060344A JP 6034484 A JP6034484 A JP 6034484A JP H0644554 B2 JPH0644554 B2 JP H0644554B2
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- JP
- Japan
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- frequency
- electrode
- film
- substrate
- plasma cvd
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、グロー放電分解により得られる非晶質シリコ
ン（以下ａ−Ｓｉと略す）等の非晶質半導体膜，ＳｉＮ
ｘ（ｘ＝０〜４／３）等の窒化膜，ＳｉＯｘ（ｘ＝０〜
２）等の酸化膜等の薄膜を形成するためのブラズマＣＶ
Ｄ装置に関する。
ン（以下ａ−Ｓｉと略す）等の非晶質半導体膜，ＳｉＮ
ｘ（ｘ＝０〜４／３）等の窒化膜，ＳｉＯｘ（ｘ＝０〜
２）等の酸化膜等の薄膜を形成するためのブラズマＣＶ
Ｄ装置に関する。
従来、この種の製造装置としては、真空に引かれた反応
室内に高周波電極と基板を設置するための基板電極とを
一対、対向させて配置したものが知られている。更に、
処理する基板枚数を増やすため、第１図に示すように高
周波電極２と基板電極３とを交互に複数列並置し、該薄
膜を形成するための基板４を基板電極３の両側に配置し
て単一の電源５から給電するようにした量産型の装置も
提案されている（特開昭５８−４８４１６号公報参
照）。
室内に高周波電極と基板を設置するための基板電極とを
一対、対向させて配置したものが知られている。更に、
処理する基板枚数を増やすため、第１図に示すように高
周波電極２と基板電極３とを交互に複数列並置し、該薄
膜を形成するための基板４を基板電極３の両側に配置し
て単一の電源５から給電するようにした量産型の装置も
提案されている（特開昭５８−４８４１６号公報参
照）。
しかしながら通常該薄膜の形成は、ガス圧0.1〜10Torr
にて電極間に交流電界を印加し、原料ガスをグロー放電
分解することにより行われるが、これらは全て１台の電
源から電界を印加するもので、後者の場合には各電極対
は並列に接続されたものである。この方法によれば、基
板サイズを大きくした場合、良質な膜の得られる13.56M
Hzの周波数帯では、各列の基板における該薄膜の一様性
が得られない。
にて電極間に交流電界を印加し、原料ガスをグロー放電
分解することにより行われるが、これらは全て１台の電
源から電界を印加するもので、後者の場合には各電極対
は並列に接続されたものである。この方法によれば、基
板サイズを大きくした場合、良質な膜の得られる13.56M
Hzの周波数帯では、各列の基板における該薄膜の一様性
が得られない。
一例として、３つの高周波電極と、その間に２つの基板
電極とが置かれた第１図の装置構成に基づく装置を用い
て実際にａ−Ｓｉの成膜実験を行った結果について以下
に説明する。上述のように一台の電源により高周波電界
を印加した場合、各基板電極の両側に置かれた基板（４
０cm角のガラス板）間での膜厚バラツキは±２８％にも
達した。特に、中心の電極の両側に置かれた高周波電極
の両側に位置する基板上のａ−Ｓｉの膜厚は、外側の高
周波電極に対するそれに比較して４０％程度しか成膜さ
れなかった。
電極とが置かれた第１図の装置構成に基づく装置を用い
て実際にａ−Ｓｉの成膜実験を行った結果について以下
に説明する。上述のように一台の電源により高周波電界
を印加した場合、各基板電極の両側に置かれた基板（４
０cm角のガラス板）間での膜厚バラツキは±２８％にも
達した。特に、中心の電極の両側に置かれた高周波電極
の両側に位置する基板上のａ−Ｓｉの膜厚は、外側の高
周波電極に対するそれに比較して４０％程度しか成膜さ
れなかった。
一方、１００ＫHz程度の周波数帯を用いても、ａ−Ｓｉ
膜等を形成した場合には得られた膜の応力が大きく、ま
た膜質についても十分な特性を得ることは難しかった。
膜等を形成した場合には得られた膜の応力が大きく、ま
た膜質についても十分な特性を得ることは難しかった。
特に高い周波数帯において一様性が得られない理由は、
各電極の負荷インピーダンスの差異による電力供給の不
均等、および放電状態が時々刻々変動するために均等な
放電ができないことによるものである。しかも、このよ
うに多列に基板を配置した場合には、各高周波電極間で
の電磁的な相互干渉のために、安定に放電を維持するこ
とが難しいという欠点があった。
各電極の負荷インピーダンスの差異による電力供給の不
均等、および放電状態が時々刻々変動するために均等な
放電ができないことによるものである。しかも、このよ
うに多列に基板を配置した場合には、各高周波電極間で
の電磁的な相互干渉のために、安定に放電を維持するこ
とが難しいという欠点があった。
そこで、上記欠点を除去する装置として、第２図に示す
装置が本発明者等により考えられた。第２図において、
鉛直方向に高周波電極１２と基板電極１３とが多列に、
かつ交互に配置されており、この高周波電極と基板電極
間個々に高周波電源１５が接続されている。各基板電極
は同電位にして、通常は接地されているが必ずしもその
必要はない。また各電源１５の出力部は位相調整器１６
により個々の電源毎に位相が制御される。
装置が本発明者等により考えられた。第２図において、
鉛直方向に高周波電極１２と基板電極１３とが多列に、
かつ交互に配置されており、この高周波電極と基板電極
間個々に高周波電源１５が接続されている。各基板電極
は同電位にして、通常は接地されているが必ずしもその
必要はない。また各電源１５の出力部は位相調整器１６
により個々の電源毎に位相が制御される。
本装置を用いて前記と同様の条件で行った実験結果を示
す。この第２図の構成を用いた場合、電力を個々の高周
波電極毎に調整することにより、各基板間で±６％の膜
厚バラツキとなり、前記の結果と比べ大幅に膜厚バラツ
キが低減された。
す。この第２図の構成を用いた場合、電力を個々の高周
波電極毎に調整することにより、各基板間で±６％の膜
厚バラツキとなり、前記の結果と比べ大幅に膜厚バラツ
キが低減された。
しかしながら、第２図の装置の場合には、位相調整器に
より位相を整合させるので、発振周波数を全て一致させ
る必要がある。しかし水晶発振子等の固有周波数を有す
る電源を用いた場合やメガヘルツ（ＭHz）帯の高い周波
数を使用する場合には、発振周波数を一致させることは
極めて困難である。一方位相調整器を用いないで個々の
電源により成膜を行っても、上記と同様の±６％の膜厚
バラツキを得ることができるが、この場合には相互干渉
が大きく、その大きさは印加した正味の電力の５〜３０
％程度にも達した。即ち、各電極間での電磁的相互干渉
により、ある電源の反射波が異常に大きくなる、いわゆ
る電力の逆流という問題も生じる。
より位相を整合させるので、発振周波数を全て一致させ
る必要がある。しかし水晶発振子等の固有周波数を有す
る電源を用いた場合やメガヘルツ（ＭHz）帯の高い周波
数を使用する場合には、発振周波数を一致させることは
極めて困難である。一方位相調整器を用いないで個々の
電源により成膜を行っても、上記と同様の±６％の膜厚
バラツキを得ることができるが、この場合には相互干渉
が大きく、その大きさは印加した正味の電力の５〜３０
％程度にも達した。即ち、各電極間での電磁的相互干渉
により、ある電源の反射波が異常に大きくなる、いわゆ
る電力の逆流という問題も生じる。
本発明は、多列に電極対を配置して薄膜を形成する場合
に、特に高周波放電において問題となる不均等放電を除
去すると共に、大面積の基板を用いても再現性よく各基
板に一様に薄膜を形成でき、しかも電磁的相互干渉を除
去することによって安定な放電を実現可能なプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することを目的とする。
に、特に高周波放電において問題となる不均等放電を除
去すると共に、大面積の基板を用いても再現性よく各基
板に一様に薄膜を形成でき、しかも電磁的相互干渉を除
去することによって安定な放電を実現可能なプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、上記目的を達成するために、グロー放
電法を利用して得られる非晶質半導体膜，窒化膜，酸化
膜等の薄膜を形成するための、同一反応室内に複数列並
置され対のうち少なくとも一方の電極に基板が装着され
た高周波電極対と、該複数の高周波電極対間に高周波電
界を印加するための高周波電源とを備えて成るプラズマ
ＣＶＤ装置において、前記高周波電源部は、単一の発振
源と、該単一の発振源から分配され独立に高周波電力及
び整合条件の制御が可能な少なくとも２つの出力部とを
有するものとする。
電法を利用して得られる非晶質半導体膜，窒化膜，酸化
膜等の薄膜を形成するための、同一反応室内に複数列並
置され対のうち少なくとも一方の電極に基板が装着され
た高周波電極対と、該複数の高周波電極対間に高周波電
界を印加するための高周波電源とを備えて成るプラズマ
ＣＶＤ装置において、前記高周波電源部は、単一の発振
源と、該単一の発振源から分配され独立に高周波電力及
び整合条件の制御が可能な少なくとも２つの出力部とを
有するものとする。
上記の構成により、高周波電源の出力部が独立している
ので、各電極への印加電力は個々に調整され、各電極の
均等な放電が可能となる。従って形成される薄膜の膜厚
バラツキは低減される。更に、発振源自体は単一である
ので、位相が揃い、電磁的相互干渉は除去される。
ので、各電極への印加電力は個々に調整され、各電極の
均等な放電が可能となる。従って形成される薄膜の膜厚
バラツキは低減される。更に、発振源自体は単一である
ので、位相が揃い、電磁的相互干渉は除去される。
第３図に本発明になるプラズマＣＶＤ装置の一実施例を
示す。前記した第２図とは、その位相調整方式が異なっ
ている。第４図は第１図のプラズマＣＶＤ装置で用いた
高周波電源５の詳細を示すもので、基本的には発振部１
８と、電力制御機器等を含む増幅部１９，整合回路２
０，出力端子２１とから成り、この場合は増幅部１９，
整合回路２０，出力端子２１により出力部を構成してい
る。一方第５図は第３図に示す高周波電源１６の詳細図
を示すもので、発振部１８は単一で、増幅部１９，整合
回路２０，出力端子２１が個々に分配され、出力部が独
立した構成となっている。
示す。前記した第２図とは、その位相調整方式が異なっ
ている。第４図は第１図のプラズマＣＶＤ装置で用いた
高周波電源５の詳細を示すもので、基本的には発振部１
８と、電力制御機器等を含む増幅部１９，整合回路２
０，出力端子２１とから成り、この場合は増幅部１９，
整合回路２０，出力端子２１により出力部を構成してい
る。一方第５図は第３図に示す高周波電源１６の詳細図
を示すもので、発振部１８は単一で、増幅部１９，整合
回路２０，出力端子２１が個々に分配され、出力部が独
立した構成となっている。
この第５図のように、高周波電源の出力部を独立させる
ことにより、各電極に印加する電力が個々に調整でき
る。よって、各電極の形状がことなる様な場合でも、各
電極の均等な放電が可能となる。しかも発振部は単一で
あるため、位相調整器を不要として位相を揃えることが
できる。従って、各電極間での電磁的相互作用により電
源の反射波が異常に大きくなるような、いわゆる電力の
逆流という問題は除去できる。また、第５図の方式では
発振周波数が単一であるから、第２図の装置におけるよ
うな発振周波数の違いによるビート現象等の干渉がない
ので、発振源も陽極同調方式，水晶発振子等自励式，他
励式を問わずに選定できる。また、電源構成も簡単とな
り低価格化がはかれ、また電源自体は１台にまとめられ
るため、その制御も簡単にできるという利点がある。
ことにより、各電極に印加する電力が個々に調整でき
る。よって、各電極の形状がことなる様な場合でも、各
電極の均等な放電が可能となる。しかも発振部は単一で
あるため、位相調整器を不要として位相を揃えることが
できる。従って、各電極間での電磁的相互作用により電
源の反射波が異常に大きくなるような、いわゆる電力の
逆流という問題は除去できる。また、第５図の方式では
発振周波数が単一であるから、第２図の装置におけるよ
うな発振周波数の違いによるビート現象等の干渉がない
ので、発振源も陽極同調方式，水晶発振子等自励式，他
励式を問わずに選定できる。また、電源構成も簡単とな
り低価格化がはかれ、また電源自体は１台にまとめられ
るため、その制御も簡単にできるという利点がある。
第３図の構成の装置で、前記と同様の条件で、ａ−Ｓｉ
成膜実験をおこなったところ、膜厚バラツキは、第２図
の装置で得られた結果と同等（６％）であるが、位相調
整器を必要とすることなしに、各電極間での相互干渉を
防止することができた。
成膜実験をおこなったところ、膜厚バラツキは、第２図
の装置で得られた結果と同等（６％）であるが、位相調
整器を必要とすることなしに、各電極間での相互干渉を
防止することができた。
第６図は本発明の他の実施例を示すもので、第３図と異
なる点は、複数の電極の内、幾何学的形状が等価な電極
同士は並列に接続し、高周波電源１６の出力端子２１に
接続するものである。幾何学的形状が等価な場合、放電
時の負荷インピーダンスはほぼ等しく、これらを一括し
て放電させてもぼ均等な放電が得られ、出力端子からの
ケーブル長を調整する程度のインピーダンス調整によ
り、完全な制御が可能となる。この構成によれば、高周
波電源の出力部を少なくすることができるため、第３図
の構成に比べ、更に簡略化が図れるという利点がある。
実際に前述の３つの高周波電極を有する装置を用い、こ
の内の形状的に対称な外側の高周波電極を一括して実験
を行ったところ、これらに対向した基板間の膜厚バラツ
キは±３％と殆ど問題がなかった。
なる点は、複数の電極の内、幾何学的形状が等価な電極
同士は並列に接続し、高周波電源１６の出力端子２１に
接続するものである。幾何学的形状が等価な場合、放電
時の負荷インピーダンスはほぼ等しく、これらを一括し
て放電させてもぼ均等な放電が得られ、出力端子からの
ケーブル長を調整する程度のインピーダンス調整によ
り、完全な制御が可能となる。この構成によれば、高周
波電源の出力部を少なくすることができるため、第３図
の構成に比べ、更に簡略化が図れるという利点がある。
実際に前述の３つの高周波電極を有する装置を用い、こ
の内の形状的に対称な外側の高周波電極を一括して実験
を行ったところ、これらに対向した基板間の膜厚バラツ
キは±３％と殆ど問題がなかった。
第７図は別の実施例を示すもので、第３図と異なるの
は、高周波電極１２の両側にも基板を設置するようにし
た点であり、これにより、更に基板の装着数を倍増でき
るという利点が得られる。この場合、基板電極１３は接
地しても良いが、むしろ接地しない方が高周波電極と基
板電極側の電界分布が均等に分配されるため、薄膜を形
成した場合に膜厚分布が良好となる。
は、高周波電極１２の両側にも基板を設置するようにし
た点であり、これにより、更に基板の装着数を倍増でき
るという利点が得られる。この場合、基板電極１３は接
地しても良いが、むしろ接地しない方が高周波電極と基
板電極側の電界分布が均等に分配されるため、薄膜を形
成した場合に膜厚分布が良好となる。
以上に述べたように、本発明によれば、グロー放電法を
利用して得られる非晶質半導体膜，窒化膜，酸化膜等の
薄膜を形成するための、同一反応室内に複数列並置され
対のうち少なくとも一方の電極に基板が装着された高周
波電極対と、該複数の高周波電極対間に高周波電界を印
加するための高周波電源とを備えて成るプラズマＣＶＤ
装置において、前記高周波電源部は、単一の発振源と、
該単一の発振源から分配され独立に高周波電力及び整合
条件の制御が可能な少なくとも２つの出力部とを有する
るものとしたので、下記の効果を奏する。
利用して得られる非晶質半導体膜，窒化膜，酸化膜等の
薄膜を形成するための、同一反応室内に複数列並置され
対のうち少なくとも一方の電極に基板が装着された高周
波電極対と、該複数の高周波電極対間に高周波電界を印
加するための高周波電源とを備えて成るプラズマＣＶＤ
装置において、前記高周波電源部は、単一の発振源と、
該単一の発振源から分配され独立に高周波電力及び整合
条件の制御が可能な少なくとも２つの出力部とを有する
るものとしたので、下記の効果を奏する。
(1)高周波電源の出力部が独立しているので、各電極へ
の印加電力は個々に調整され、各電極の均等な放電が可
能。
の印加電力は個々に調整され、各電極の均等な放電が可
能。
(2)上記(1)により、形成される薄膜の膜厚バラツキは低
減され、膜厚バラツキ±６％を達成可能。
減され、膜厚バラツキ±６％を達成可能。
(3)発振源自体は単一であるので、位相が揃い、電磁的
相互干渉を除去可能。
相互干渉を除去可能。
(4)上記(3)により、発振源をその方式によらずに選定可
能。
能。
(5)電源構成も簡単となり低価格化および制御性の向上
が実現可能。
が実現可能。
第１図は従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図、第２図は
他のプラズマＣＶＤ装置の断面図、第３図，第６図及び
第７図はそれぞれ本発明の異なる実施例になるプラズマ
ＣＶＤ装置の断面図、第４図及び第５図はそれぞれ第１
図及び第３図の装置の電源の詳細図である。 １１：反応室、１２：高周波電極、１３：基板電極、１
４：基板、１５，１６：高周波電源、１８：発振部、１
９：増幅部、２０：整合回路、２１：出力端子。
他のプラズマＣＶＤ装置の断面図、第３図，第６図及び
第７図はそれぞれ本発明の異なる実施例になるプラズマ
ＣＶＤ装置の断面図、第４図及び第５図はそれぞれ第１
図及び第３図の装置の電源の詳細図である。 １１：反応室、１２：高周波電極、１３：基板電極、１
４：基板、１５，１６：高周波電源、１８：発振部、１
９：増幅部、２０：整合回路、２１：出力端子。
Claims (1)
- 【請求項１】グロー放電法を利用して得られる非晶質半
導体膜，窒化膜，酸化膜等の薄膜を形成するための、同
一反応室内に複数列並置され対のうち少なくとも一方の
電極に基板が装着された高周波電極対と、該複数の高周
波電極対間に高周波電界を印加するための高周波電源と
を備えて成るプラズマＣＶＤ装置において、前記高周波
電源部は、単一の発振源と、該単一の発振源から分配さ
れ独立に高周波電力及び整合条件の制御が可能な少なく
とも２つの主力部とを有することを特徴とするプラズマ
ＣＶＤ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060344A JPH0644554B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US06/691,861 US4633811A (en) | 1984-03-28 | 1985-01-16 | Plasma CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060344A JPH0644554B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60202929A JPS60202929A (ja) | 1985-10-14 |
| JPH0644554B2 true JPH0644554B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=13139447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59060344A Expired - Lifetime JPH0644554B2 (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4633811A (ja) |
| JP (1) | JPH0644554B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101362811B1 (ko) * | 2008-02-11 | 2014-02-14 | (주)소슬 | 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3802852A1 (de) * | 1988-02-01 | 1989-08-03 | Leybold Ag | Einrichtung fuer die beschichtung eines substrats mit einem material, das aus einem plasma gewonnen wird |
| JPH02101744A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応方法 |
| US4958592A (en) * | 1988-08-22 | 1990-09-25 | General Electric Company | Resistance heater for diamond production by CVD |
| DE3830249A1 (de) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Schott Glaswerke | Plasmaverfahren zum beschichten ebener substrate |
| US5041201A (en) * | 1988-09-16 | 1991-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
| JPH02101745A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応装置 |
| US5039376A (en) * | 1989-09-19 | 1991-08-13 | Stefan Zukotynski | Method and apparatus for the plasma etching, substrate cleaning, or deposition of materials by D.C. glow discharge |
| US5225375A (en) * | 1991-05-20 | 1993-07-06 | Process Technology (1988) Limited | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductor substrates |
| JPH05209279A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-08-20 | Canon Inc | 金属膜形成装置および金属膜形成法 |
| US6042686A (en) | 1995-06-30 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Power segmented electrode |
| US6076481A (en) * | 1996-04-03 | 2000-06-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| KR100489643B1 (ko) * | 1997-11-05 | 2005-09-06 | 에스케이 주식회사 | 박막제조장치의자동화시스템 |
| DE19808206A1 (de) * | 1998-02-27 | 1999-09-02 | Gesche | Waferbehandlung |
| JP2002531695A (ja) * | 1998-12-01 | 2002-09-24 | エス ケー コーポレーション | 薄膜製造装置 |
| JP4141560B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2008-08-27 | 日本メクトロン株式会社 | 回路基板のプラズマ処理装置 |
| JP2000260598A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Sharp Corp | プラズマ発生装置 |
| US20030079983A1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-05-01 | Maolin Long | Multi-zone RF electrode for field/plasma uniformity control in capacitive plasma sources |
| JP4659238B2 (ja) * | 2001-03-06 | 2011-03-30 | 株式会社カネカ | 半導体層の製膜方法 |
| JP2004288984A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Sharp Corp | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP4185483B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2008-11-26 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP4584722B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2010-11-24 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
| JP2006196681A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Sharp Corp | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 |
| JP5237833B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP4870608B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2012-02-08 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
| JP5280784B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2013-09-04 | 日本碍子株式会社 | 成膜装置 |
| JP4558067B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2010-10-06 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| MX2010002570A (es) * | 2008-09-26 | 2010-05-27 | Ngk Insulators Ltd | Aparato de deposicion de pelicula. |
| JPWO2010055669A1 (ja) * | 2008-11-12 | 2012-04-12 | 株式会社アルバック | 電極回路、成膜装置、電極ユニットおよび成膜方法 |
| DE102014011933A1 (de) * | 2014-08-14 | 2016-02-18 | Manz Ag | Plasmabehandlungsvorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten |
| DE102019002647A1 (de) * | 2019-04-10 | 2020-10-15 | Plasmetrex Gmbh | Waferboot und Behandlungsvorrichtung für Wafer |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846057B2 (ja) * | 1979-03-19 | 1983-10-14 | 富士通株式会社 | プラズマ処理方法 |
| JPS5877225A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置製造装置 |
| US4381965A (en) * | 1982-01-06 | 1983-05-03 | Drytek, Inc. | Multi-planar electrode plasma etching |
| US4500563A (en) * | 1982-12-15 | 1985-02-19 | Pacific Western Systems, Inc. | Independently variably controlled pulsed R.F. plasma chemical vapor processing |
| US4478173A (en) * | 1983-04-18 | 1984-10-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method and apparatus for sensing and controlling the intensity of energy in a deposition system |
| US4464223A (en) * | 1983-10-03 | 1984-08-07 | Tegal Corp. | Plasma reactor apparatus and method |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP59060344A patent/JPH0644554B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-01-16 US US06/691,861 patent/US4633811A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 第４２回応物学会予稿集，（１９８１−１０−７），Ｐ．４１１（７Ｐ−Ａ−７） |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101362811B1 (ko) * | 2008-02-11 | 2014-02-14 | (주)소슬 | 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60202929A (ja) | 1985-10-14 |
| US4633811A (en) | 1987-01-06 |
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