JP2001032077A - プラズマｃｖｄ製膜方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ製膜方法Info
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- JP2001032077A JP2001032077A JP11204550A JP20455099A JP2001032077A JP 2001032077 A JP2001032077 A JP 2001032077A JP 11204550 A JP11204550 A JP 11204550A JP 20455099 A JP20455099 A JP 20455099A JP 2001032077 A JP2001032077 A JP 2001032077A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 生成プラズマの分布状況に応じて多端子給電
方式の電極への電力供給を最適制御することができるプ
ラズマＣＶＤ製膜方法を提供する。 【解決手段】 基板を保持し加熱する工程と、それぞれ
がインピーダンス変換器を介して電力分配器に接続され
た複数の端子を有する電極と基板との間に反応性ガスを
供給する工程と、電力分配器から各インピーダンス変換
器を介して各端子ごとにそれぞれ高周波電力を給電し、
電極と基板との間に反応性ガスのプラズマを生成する工
程と、プラズマ生成中に各インピーダンス変換器からモ
ニタにそれぞれ送られてくるプラズマ電位ＶDCおよびプ
ラズマ電界強度ＶPPのうち少なくとも一方の情報に基づ
いて、電力分配器からインピーダンス変換器を介して各
端子へ出力される入射電力および反射電力をフィードバ
ック制御することにより電極面全体で実質的に均一なプ
ラズマ密度分布とし、基板上に製膜する工程と、を具備
する。
方式の電極への電力供給を最適制御することができるプ
ラズマＣＶＤ製膜方法を提供する。 【解決手段】 基板を保持し加熱する工程と、それぞれ
がインピーダンス変換器を介して電力分配器に接続され
た複数の端子を有する電極と基板との間に反応性ガスを
供給する工程と、電力分配器から各インピーダンス変換
器を介して各端子ごとにそれぞれ高周波電力を給電し、
電極と基板との間に反応性ガスのプラズマを生成する工
程と、プラズマ生成中に各インピーダンス変換器からモ
ニタにそれぞれ送られてくるプラズマ電位ＶDCおよびプ
ラズマ電界強度ＶPPのうち少なくとも一方の情報に基づ
いて、電力分配器からインピーダンス変換器を介して各
端子へ出力される入射電力および反射電力をフィードバ
ック制御することにより電極面全体で実質的に均一なプ
ラズマ密度分布とし、基板上に製膜する工程と、を具備
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池用基板に
製膜するプラズマＣＶＤ製膜方法に関する。
製膜するプラズマＣＶＤ製膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に示すように、プラズマＣＶＤ製膜
用の装置１は、ヒータ２上の基板３とガス供給機構６と
の間にラダー電極５を備え、電極５と基板３との間に反
応性ガスを供給しながら電極５に高周波電力を印可する
ことにより電極５と基板３との間にプラズマが生成され
るようになっている。
用の装置１は、ヒータ２上の基板３とガス供給機構６と
の間にラダー電極５を備え、電極５と基板３との間に反
応性ガスを供給しながら電極５に高周波電力を印可する
ことにより電極５と基板３との間にプラズマが生成され
るようになっている。
【０００３】図４に示すように、ラダー電極５には複数
個の端子８ａ，８ｂ，８ｃ〜８ｎを有する多端子給電方
式の多チャンネル電極を採用している。このような多端
子給電方式の電極５では各端子８ａ，８ｂ，８ｃ〜８ｎ
に電力を均等に分配するために、各端子８ａ，８ｂ，８
ｃ〜８ｎごとにインピーダンス変換器９ａ，９ｂ，９ｃ
〜９ｎを１対１にそれぞれ接続するとともに、電源１１
と各インピーダンス変換器９ａ，９ｂ，９ｃ〜９ｎとの
間に電力分配器１０を設けている。すなわち、各チャン
ネルのインピーダンスが均等になるように電力分配器１
０からの入力を各インピーダンス変換器９ａ，９ｂ，９
ｃ〜９ｎで変換して各端子８ａ，８ｂ，８ｃ〜８ｎに給
電している。この場合に、後段のインピーダンス変換器
９ａ，９ｂ，９ｃ〜９ｎにより各端子８ａ，８ｂ，８ｃ
〜８ｎに供給される入射電力やプラズマ生成後の反射電
力がモニタ１２で観察されている。
個の端子８ａ，８ｂ，８ｃ〜８ｎを有する多端子給電方
式の多チャンネル電極を採用している。このような多端
子給電方式の電極５では各端子８ａ，８ｂ，８ｃ〜８ｎ
に電力を均等に分配するために、各端子８ａ，８ｂ，８
ｃ〜８ｎごとにインピーダンス変換器９ａ，９ｂ，９ｃ
〜９ｎを１対１にそれぞれ接続するとともに、電源１１
と各インピーダンス変換器９ａ，９ｂ，９ｃ〜９ｎとの
間に電力分配器１０を設けている。すなわち、各チャン
ネルのインピーダンスが均等になるように電力分配器１
０からの入力を各インピーダンス変換器９ａ，９ｂ，９
ｃ〜９ｎで変換して各端子８ａ，８ｂ，８ｃ〜８ｎに給
電している。この場合に、後段のインピーダンス変換器
９ａ，９ｂ，９ｃ〜９ｎにより各端子８ａ，８ｂ，８ｃ
〜８ｎに供給される入射電力やプラズマ生成後の反射電
力がモニタ１２で観察されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
製膜方法においては、各端子でインピーダンスが均等に
なるように一律に電力を分配するので、実際の生成プラ
ズマの密度分布は均一にならず、かなりのばらつきを生
じる。このため、基板全面にわたる膜厚均一性を達成す
ることができない。
製膜方法においては、各端子でインピーダンスが均等に
なるように一律に電力を分配するので、実際の生成プラ
ズマの密度分布は均一にならず、かなりのばらつきを生
じる。このため、基板全面にわたる膜厚均一性を達成す
ることができない。
【０００５】近時、太陽電池パネルの需要は大型化に進
む傾向にあり、今後はますます大型基板上に製膜する際
に膜厚均一性を達成することが困難になる。このため、
生成中のプラズマの分布状況に応じて多端子給電方式の
電極に対して給電制御することが強く要望されている。
む傾向にあり、今後はますます大型基板上に製膜する際
に膜厚均一性を達成することが困難になる。このため、
生成中のプラズマの分布状況に応じて多端子給電方式の
電極に対して給電制御することが強く要望されている。
【０００６】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであって、生成プラズマの分布状況に応じて多
端子給電方式の電極への電力供給を最適制御することが
できるプラズマＣＶＤ製膜方法を提供することを目的と
する。
れたものであって、生成プラズマの分布状況に応じて多
端子給電方式の電極への電力供給を最適制御することが
できるプラズマＣＶＤ製膜方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマＣ
ＶＤ製膜方法は、生成プラズマにより反応性ガスを分解
反応させて基板上に製膜するプラズマＣＶＤ製膜方法に
おいて、被処理基板を保持し加熱する工程と、それぞれ
がインピーダンス変換器を介して電力分配器に接続され
た複数の端子を有する多端子給電方式の電極と被処理基
板との間に反応性ガスを供給する工程と、前記電力分配
器から各インピーダンス変換器を介して各端子ごとにそ
れぞれ高周波電力を給電し、前記電極と被処理基板との
間に前記反応性ガスのプラズマを生成する工程と、プラ
ズマ生成中に各インピーダンス変換器からモニタにそれ
ぞれ送られてくるプラズマ電位ＶDCおよびプラズマ電界
強度ＶPPのうち少なくとも一方の情報に基づいて、電力
分配器からインピーダンス変換器を介して各端子へ出力
される入射電力および反射電力をフィードバック制御す
ることにより、前記電極面全体で実質的に均一なプラズ
マ密度分布とし、被処理基板上に製膜する工程と、を具
備することを特徴とする。
ＶＤ製膜方法は、生成プラズマにより反応性ガスを分解
反応させて基板上に製膜するプラズマＣＶＤ製膜方法に
おいて、被処理基板を保持し加熱する工程と、それぞれ
がインピーダンス変換器を介して電力分配器に接続され
た複数の端子を有する多端子給電方式の電極と被処理基
板との間に反応性ガスを供給する工程と、前記電力分配
器から各インピーダンス変換器を介して各端子ごとにそ
れぞれ高周波電力を給電し、前記電極と被処理基板との
間に前記反応性ガスのプラズマを生成する工程と、プラ
ズマ生成中に各インピーダンス変換器からモニタにそれ
ぞれ送られてくるプラズマ電位ＶDCおよびプラズマ電界
強度ＶPPのうち少なくとも一方の情報に基づいて、電力
分配器からインピーダンス変換器を介して各端子へ出力
される入射電力および反射電力をフィードバック制御す
ることにより、前記電極面全体で実質的に均一なプラズ
マ密度分布とし、被処理基板上に製膜する工程と、を具
備することを特徴とする。
【０００８】ここで「プラズマ電位ＶDC」とは、プラズ
マの直流成分を表わすパラメータのことをいう。ＶDCの
値が大きい場合はプラズマの電位（電圧）は高く、逆に
ＶDCの値が小さい場合はプラズマの電位（電圧）は低く
なる。このプラズマ電位ＶDCの値は、プラズマ密度と直
接の関係はもたないが、プラズマ生成領域におけるプラ
ズマの状態を把握するための１つの目安となる。
マの直流成分を表わすパラメータのことをいう。ＶDCの
値が大きい場合はプラズマの電位（電圧）は高く、逆に
ＶDCの値が小さい場合はプラズマの電位（電圧）は低く
なる。このプラズマ電位ＶDCの値は、プラズマ密度と直
接の関係はもたないが、プラズマ生成領域におけるプラ
ズマの状態を把握するための１つの目安となる。
【０００９】また「プラズマ電界強度ＶPP」とは、プラ
ズマの交流成分を表わすパラメータのことをいう。ＶPP
の値が大きい場合はプラズマ生成領域内の電界が強く、
逆にＶPPの値が小さい場合はプラズマ生成領域内の電界
が弱くなる。このＶPPの値はプラズマ密度と直接的な関
係を有するものであり、プラズマ密度を増大させるため
にはＶPPの値を大きくする必要がある。
ズマの交流成分を表わすパラメータのことをいう。ＶPP
の値が大きい場合はプラズマ生成領域内の電界が強く、
逆にＶPPの値が小さい場合はプラズマ生成領域内の電界
が弱くなる。このＶPPの値はプラズマ密度と直接的な関
係を有するものであり、プラズマ密度を増大させるため
にはＶPPの値を大きくする必要がある。
【００１０】この場合に、プラズマ情報としてモニタか
ら送られてくるプラズマ電位ＶDCおよびプラズマ電界強
度ＶPPを共にフィードバック制御に用いるようにしても
よいし、プラズマ電位ＶDCのみをフィードバック制御に
用いるようにしてもよいし、プラズマ電界強度ＶPPのみ
をフィードバック制御に用いるようにしてもよい。
ら送られてくるプラズマ電位ＶDCおよびプラズマ電界強
度ＶPPを共にフィードバック制御に用いるようにしても
よいし、プラズマ電位ＶDCのみをフィードバック制御に
用いるようにしてもよいし、プラズマ電界強度ＶPPのみ
をフィードバック制御に用いるようにしてもよい。
【００１１】また、上記電極には８つの端子が設けら
れ、これら８つの端子から上記インピーダンス変換器を
介して上記モニタに時々刻々送られてくるプラズマ情報
に基づいて各インピーダンス変換器への入射電力を個々
にフィードバック制御するようにしてもよい。
れ、これら８つの端子から上記インピーダンス変換器を
介して上記モニタに時々刻々送られてくるプラズマ情報
に基づいて各インピーダンス変換器への入射電力を個々
にフィードバック制御するようにしてもよい。
【００１２】本発明においては、時々刻々変化する生成
プラズマの状況をモニタし、これから得られるプラズマ
情報としてのプラズマ電位ＶDCおよびプラズマ電界強度
ＶPPのうちの少なくとも一方を用いて入射電力／反射電
力をフィードバック制御するので、プラズマ生成領域内
の基板面側でのプラズマ密度が電極全面にわたり実質的
に一様になり、膜厚均一性が大幅に向上する。
プラズマの状況をモニタし、これから得られるプラズマ
情報としてのプラズマ電位ＶDCおよびプラズマ電界強度
ＶPPのうちの少なくとも一方を用いて入射電力／反射電
力をフィードバック制御するので、プラズマ生成領域内
の基板面側でのプラズマ密度が電極全面にわたり実質的
に一様になり、膜厚均一性が大幅に向上する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しながら
本発明の種々の好ましい実施の形態について説明する。
本発明の種々の好ましい実施の形態について説明する。
【００１４】（第１の実施形態）図１乃至図３を参照し
ながら第１の実施形態の製膜方法について説明する。プ
ラズマＣＶＤ装置１はガラス基板３を所定の目標温度に
加熱するためのヒータ２を備えている。このヒータ２は
両面加熱型であり、図示しない他面側にも基板３が保持
されている。各基板３は例えば図示しないポジショナー
によりヒータ２の加熱面にそれぞれ押し付け保持されて
いる。なお、ヒータ２は接地されている。多端子給電方
式のラダー電極５がヒータ２上の基板３に対面するよう
に配置されている。ラダー電極５は８つの給電用端子８
ａ〜８ｈを有し、各端子８ａ〜８ｈごとにインピーダン
ス変換器９ａ〜９ｈがそれぞれ１対１に接続されてい
る。
ながら第１の実施形態の製膜方法について説明する。プ
ラズマＣＶＤ装置１はガラス基板３を所定の目標温度に
加熱するためのヒータ２を備えている。このヒータ２は
両面加熱型であり、図示しない他面側にも基板３が保持
されている。各基板３は例えば図示しないポジショナー
によりヒータ２の加熱面にそれぞれ押し付け保持されて
いる。なお、ヒータ２は接地されている。多端子給電方
式のラダー電極５がヒータ２上の基板３に対面するよう
に配置されている。ラダー電極５は８つの給電用端子８
ａ〜８ｈを有し、各端子８ａ〜８ｈごとにインピーダン
ス変換器９ａ〜９ｈがそれぞれ１対１に接続されてい
る。
【００１５】さらに、ガス供給機構６がラダー電極５の
背面側に配置されている。ガス供給機構６の配管は図示
しないガス供給源に連通接続され、反応性ガスとしてシ
ランを主成分とするプロセスガスが供給されるようにな
っている。さらに、防着板７がガス供給機構６の背面側
に配置されている。なお、ラジカルヒータ４が基板３と
ラダー電極５との間に配置されている。
背面側に配置されている。ガス供給機構６の配管は図示
しないガス供給源に連通接続され、反応性ガスとしてシ
ランを主成分とするプロセスガスが供給されるようにな
っている。さらに、防着板７がガス供給機構６の背面側
に配置されている。なお、ラジカルヒータ４が基板３と
ラダー電極５との間に配置されている。
【００１６】基板３とラダー電極５との相互間距離は例
えば約３５ｍｍに設定され、基板３とガス供給機構６と
の相互間距離は例えば４０〜９０ｍｍに設定されてい
る。プラズマは基板３と電極５とで挟まれた狭い領域に
生成されるようになっている。
えば約３５ｍｍに設定され、基板３とガス供給機構６と
の相互間距離は例えば４０〜９０ｍｍに設定されてい
る。プラズマは基板３と電極５とで挟まれた狭い領域に
生成されるようになっている。
【００１７】図２に示すように、ラダー電極５は平行格
子状の金属線グリッドからなり、給電用の端子８ａ〜８
ｈはインピーダンスが均等になるように図示の如くラダ
ー電極５の適所にそれぞれ配置されている。
子状の金属線グリッドからなり、給電用の端子８ａ〜８
ｈはインピーダンスが均等になるように図示の如くラダ
ー電極５の適所にそれぞれ配置されている。
【００１８】８チャンネルのインピーダンス変換器９ａ
〜９ｈは電力分配器１０を介して高周波電源１１にそれ
ぞれ接続されている。高周波電源１１は例えば１３．５
６ＭＨｚの高周波電力（電圧）を電極５に印可し、電極
５と基板３との間にプラズマを生じさせるようになって
いる。
〜９ｈは電力分配器１０を介して高周波電源１１にそれ
ぞれ接続されている。高周波電源１１は例えば１３．５
６ＭＨｚの高周波電力（電圧）を電極５に印可し、電極
５と基板３との間にプラズマを生じさせるようになって
いる。
【００１９】各インピーダンス変換器９ａ〜９ｈはモニ
タ１２の入力側に接続され、プラズマ生成中の情報とし
て入射電力、反射電力、プラズマ電位ＶDCおよびプラズ
マ電界強度ＶPPがモニタ１２に送られるようになってい
る。モニタ１２の出力側は制御器１３の入力側に接続さ
れ、上記の各種プラズマ情報が制御器１３に送られるよ
うになっている。さらに制御器１３の出力側は電力分配
器１０に接続され、モニタ１２から得られた各種プラズ
マ情報に基づくフィードバック制御信号が電力分配器１
０に送られるようになっている。なお、電極５までは製
膜室の真空雰囲気下に配置されるが、インピーダンス変
換器９ａ〜９ｈ、電力分配器１０、電源１１、モニタ１
２並びに制御器１３は大気雰囲気下に配置される。
タ１２の入力側に接続され、プラズマ生成中の情報とし
て入射電力、反射電力、プラズマ電位ＶDCおよびプラズ
マ電界強度ＶPPがモニタ１２に送られるようになってい
る。モニタ１２の出力側は制御器１３の入力側に接続さ
れ、上記の各種プラズマ情報が制御器１３に送られるよ
うになっている。さらに制御器１３の出力側は電力分配
器１０に接続され、モニタ１２から得られた各種プラズ
マ情報に基づくフィードバック制御信号が電力分配器１
０に送られるようになっている。なお、電極５までは製
膜室の真空雰囲気下に配置されるが、インピーダンス変
換器９ａ〜９ｈ、電力分配器１０、電源１１、モニタ１
２並びに制御器１３は大気雰囲気下に配置される。
【００２０】次に、上記装置の動作について説明する。
【００２１】真空排気された製膜室内にプロセスガスの
導入を開始するとともに、電源１１から電力分配器１０
および各インピーダンス変換器９ａ〜９ｈを介して電極
５の各端子８ａ〜８ｈごとに給電を開始する。これによ
り電極５と基板３との間にプラズマが生成される。この
ときの初期の入射電力量は各端子８ａ〜８ｈにおけるイ
ンピーダンスが均等になるようにそれぞれ設定されてい
る。
導入を開始するとともに、電源１１から電力分配器１０
および各インピーダンス変換器９ａ〜９ｈを介して電極
５の各端子８ａ〜８ｈごとに給電を開始する。これによ
り電極５と基板３との間にプラズマが生成される。この
ときの初期の入射電力量は各端子８ａ〜８ｈにおけるイ
ンピーダンスが均等になるようにそれぞれ設定されてい
る。
【００２２】生成プラズマが安定したところで、制御器
１３はモニタ１２からの入射電力、反射電力、プラズマ
電位ＶDCおよびプラズマ電界強度ＶPPに関する入力デー
タに基づき電力分配器１０へフィードバック制御信号を
送る。すなわち、プラズマ情報のデータ入力が行われる
と、制御器１３のＣＰＵはメモリから所定の演算式を呼
び出し、この演算式および入力データを用いてプラズマ
の最適制御を行なうために必要な各チャンネルへの入射
電力（給電量）の値をそれぞれ求める。さらに制御器１
３のＣＰＵは求めた入射電力値に対応するフィードバッ
ク制御信号を電力分配器１０に送る。これに応じて電力
分配器１０は各チャンネルのインピーダンス変換器９ａ
〜９ｈに電源１１からの入射電力を再分配する。すなわ
ち、プラズマ分布密度が低い部分にあたる端子への入射
電力を増大させる一方で、プラズマ分布密度が高い部分
にあたる端子への入射電力を減少させ、プラズマ生成領
域全体として一様なプラズマ分布密度とする。これによ
り電極５の各端子８ａ〜８ｈごとに最適量の給電がなさ
れ、電極面全体にわたり均一なプラズマ分布密度とな
り、膜厚均一性の高い製膜が得られる。
１３はモニタ１２からの入射電力、反射電力、プラズマ
電位ＶDCおよびプラズマ電界強度ＶPPに関する入力デー
タに基づき電力分配器１０へフィードバック制御信号を
送る。すなわち、プラズマ情報のデータ入力が行われる
と、制御器１３のＣＰＵはメモリから所定の演算式を呼
び出し、この演算式および入力データを用いてプラズマ
の最適制御を行なうために必要な各チャンネルへの入射
電力（給電量）の値をそれぞれ求める。さらに制御器１
３のＣＰＵは求めた入射電力値に対応するフィードバッ
ク制御信号を電力分配器１０に送る。これに応じて電力
分配器１０は各チャンネルのインピーダンス変換器９ａ
〜９ｈに電源１１からの入射電力を再分配する。すなわ
ち、プラズマ分布密度が低い部分にあたる端子への入射
電力を増大させる一方で、プラズマ分布密度が高い部分
にあたる端子への入射電力を減少させ、プラズマ生成領
域全体として一様なプラズマ分布密度とする。これによ
り電極５の各端子８ａ〜８ｈごとに最適量の給電がなさ
れ、電極面全体にわたり均一なプラズマ分布密度とな
り、膜厚均一性の高い製膜が得られる。
【００２３】上記装置を用いて基板３上に実際にＳｉＮ
ｘ膜を形成し、得られたＳｉＮｘ膜の各々につき評価し
たところ良好な結果が得られた。この場合に、被処理基
板３として５００ｍｍ×５００ｍｍサイズのガラス基板
を供試した。原料プロセスガスとしてシラン／アンモニ
ア／窒素の混合ガスを用いた。ガスの混合比率はＳＨ 4
／ＮＨ3／Ｎ2＝１：１．７：１４とした。また、製膜雰
囲気の圧力は１．０Ｔｏｒｒとした。
ｘ膜を形成し、得られたＳｉＮｘ膜の各々につき評価し
たところ良好な結果が得られた。この場合に、被処理基
板３として５００ｍｍ×５００ｍｍサイズのガラス基板
を供試した。原料プロセスガスとしてシラン／アンモニ
ア／窒素の混合ガスを用いた。ガスの混合比率はＳＨ 4
／ＮＨ3／Ｎ2＝１：１．７：１４とした。また、製膜雰
囲気の圧力は１．０Ｔｏｒｒとした。
【００２４】なお、上記実施形態では５００ｍｍ×５０
０ｍｍサイズの基板に製膜する場合について説明した
が、本発明はこれのみに限られることなく例えば１００
０ｍｍ×１０００ｍｍサイズの大型基板に製膜すること
も可能である。
０ｍｍサイズの基板に製膜する場合について説明した
が、本発明はこれのみに限られることなく例えば１００
０ｍｍ×１０００ｍｍサイズの大型基板に製膜すること
も可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、プ
ラズマ生成中に各インピーダンス変換器からモニタにそ
れぞれ送られてくるプラズマ電位ＶDCおよびプラズマ電
界強度ＶPPのうち少なくとも一方の情報に基づいて、電
力分配器からインピーダンス変換器を介して各端子へ出
力される入射電力および反射電力をフィードバック制御
することにより、前記電極面全体で実質的に均一なプラ
ズマ密度分布とし、被処理基板上に膜厚均一性の高い製
膜を得ることができる。
ラズマ生成中に各インピーダンス変換器からモニタにそ
れぞれ送られてくるプラズマ電位ＶDCおよびプラズマ電
界強度ＶPPのうち少なくとも一方の情報に基づいて、電
力分配器からインピーダンス変換器を介して各端子へ出
力される入射電力および反射電力をフィードバック制御
することにより、前記電極面全体で実質的に均一なプラ
ズマ密度分布とし、被処理基板上に膜厚均一性の高い製
膜を得ることができる。
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマＣＶＤ製膜方
法に用いられる装置を示すブロック回路図。
法に用いられる装置を示すブロック回路図。
【図２】多端子給電方式のラダー電極を模式的に示す平
面ブロック図。
面ブロック図。
【図３】プラズマＣＶＤ製膜装置の概要を示す斜視図。
【図４】従来のプラズマＣＶＤ製膜方法に用いられる装
置を示すブロック回路図。
置を示すブロック回路図。
２…ヒータ、３…基板、 ５…電極、６…ガス供給機構、 ８ａ〜８ｈ…端子、 ９ａ〜９ｈ…インピーダンス変換器、 １０…電力分配器、 １１…高周波電源、 １２…ＲＦモニタ、 １３…制御器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA13 AA18 BA40 FA03 KA15 KA30 KA39 KA41 LA16 5F045 AA08 AB33 AC01 AC12 AE21 AF07 BB02 CA13 EH04 EH12 EH20 EK08 GB08
Claims (5)
- 【請求項１】 生成プラズマにより反応性ガスを分解反
応させて基板上に製膜するプラズマＣＶＤ製膜方法にお
いて、 被処理基板を保持し加熱する工程と、 それぞれがインピーダンス変換器を介して電力分配器に
接続された複数の端子を有する多端子給電方式の電極と
被処理基板との間に反応性ガスを供給する工程と、 前記電力分配器から各インピーダンス変換器を介して各
端子ごとにそれぞれ高周波電力を給電し、前記電極と被
処理基板との間に前記反応性ガスのプラズマを生成する
工程と、 プラズマ生成中に各インピーダンス変換器からモニタに
それぞれ送られてくるプラズマ電位ＶDCおよびプラズマ
電界強度ＶPPのうち少なくとも一方の情報に基づいて、
電力分配器からインピーダンス変換器を介して各端子へ
出力される入射電力および反射電力をフィードバック制
御することにより、前記電極面全体で実質的に均一なプ
ラズマ密度分布とし、被処理基板上に製膜する工程と、
を具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ製膜方法。 - 【請求項２】 プラズマ情報としてモニタから送られて
くるプラズマ電位Ｖ DCおよびプラズマ電界強度ＶPPを共
にフィードバック制御に用いることを特徴とする請求項
１記載のプラズマＣＶＤ製膜方法。 - 【請求項３】 プラズマ情報としてモニタから送られて
くるプラズマ電位Ｖ DCのみをフィードバック制御に用い
ることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ製膜
方法。 - 【請求項４】 プラズマ情報としてモニタから送られて
くるプラズマ電界強度ＶPPのみをフィードバック制御に
用いることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ
製膜方法。 - 【請求項５】 上記電極には８つの端子が設けられ、こ
れら８つの端子から上記インピーダンス変換器を介して
上記モニタに時々刻々送られてくるプラズマ情報に基づ
いて各インピーダンス変換器への入射電力を個々にフィ
ードバック制御することを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマＣＶＤ製膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11204550A JP2001032077A (ja) | 1999-07-19 | 1999-07-19 | プラズマｃｖｄ製膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11204550A JP2001032077A (ja) | 1999-07-19 | 1999-07-19 | プラズマｃｖｄ製膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001032077A true JP2001032077A (ja) | 2001-02-06 |
Family
ID=16492366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11204550A Withdrawn JP2001032077A (ja) | 1999-07-19 | 1999-07-19 | プラズマｃｖｄ製膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001032077A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005150260A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置の給電システム及び給電方法 |
| JP2006144091A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | プラズマ制御方法およびプラズマ制御装置 |
| CN102271453A (zh) * | 2010-06-01 | 2011-12-07 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 功率比例调节器和调节方法、电感耦合等离子体发生装置 |
| JP4932942B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2012-05-16 | 株式会社京三製作所 | パルス変調高周波電力制御方法およびパルス変調高周波電源装置 |
| KR20200037430A (ko) * | 2017-08-29 | 2020-04-08 | 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 | Rf 밸런싱 회로 및 교차 결합된 simo 전송 네트워크를 위한 제어 |
-
1999
- 1999-07-19 JP JP11204550A patent/JP2001032077A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005150260A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置の給電システム及び給電方法 |
| JP4551081B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2010-09-22 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置の給電システム及び給電方法 |
| JP2006144091A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | プラズマ制御方法およびプラズマ制御装置 |
| JP4932942B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2012-05-16 | 株式会社京三製作所 | パルス変調高周波電力制御方法およびパルス変調高周波電源装置 |
| CN102474971A (zh) * | 2009-08-07 | 2012-05-23 | 株式会社京三制作所 | 脉冲调制高频功率控制方法以及脉冲调制高频电源装置 |
| US8704607B2 (en) | 2009-08-07 | 2014-04-22 | Kyosan Electric Mfg. Co., Ltd. | Pulse modulated RF power control method and pulse modulated RF power supply device |
| CN102271453A (zh) * | 2010-06-01 | 2011-12-07 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 功率比例调节器和调节方法、电感耦合等离子体发生装置 |
| CN102271453B (zh) * | 2010-06-01 | 2013-09-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 功率比例调节器和调节方法、电感耦合等离子体发生装置 |
| KR20200037430A (ko) * | 2017-08-29 | 2020-04-08 | 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 | Rf 밸런싱 회로 및 교차 결합된 simo 전송 네트워크를 위한 제어 |
| KR102360431B1 (ko) | 2017-08-29 | 2022-02-14 | 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 | Rf 밸런싱 회로 및 교차 결합된 simo 전송 네트워크를 위한 제어 |
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