JPS6270567A - トリガ機構 - Google Patents
トリガ機構Info
- Publication number
- JPS6270567A JPS6270567A JP60209992A JP20999285A JPS6270567A JP S6270567 A JPS6270567 A JP S6270567A JP 60209992 A JP60209992 A JP 60209992A JP 20999285 A JP20999285 A JP 20999285A JP S6270567 A JPS6270567 A JP S6270567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trigger
- discharge
- decreased
- target
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスパッタ装置に係り、特に、多層薄膜を形成す
るスイッチングスパッタ装置に好適なトリガ機構に関す
る。
るスイッチングスパッタ装置に好適なトリガ機構に関す
る。
アルゴン等の不活性ガスイオンをターゲットに照射し、
ターゲット物質をスノくツタして、このターゲット近傍
に配置した基板に被着させるスパッタリングには、従来
、主に平行平板二極スパッタ装置が用いられている。こ
の種のスパッタ装置では、放電はターゲットと基板部と
の間で行なわれターゲットプラズマを形成する。
ターゲット物質をスノくツタして、このターゲット近傍
に配置した基板に被着させるスパッタリングには、従来
、主に平行平板二極スパッタ装置が用いられている。こ
の種のスパッタ装置では、放電はターゲットと基板部と
の間で行なわれターゲットプラズマを形成する。
従来の装置は、特公告60−18749号公報に記載さ
れているように、真空容器内にガスを導入し、規定真空
度に調整後、電極間に、直流もしくは、高周波電源よシ
ミ力を注入して、放電プラズマを生成させている。
れているように、真空容器内にガスを導入し、規定真空
度に調整後、電極間に、直流もしくは、高周波電源よシ
ミ力を注入して、放電プラズマを生成させている。
成膜上、スパッタリングを行々うときのガス圧力を低く
抑えなければならない場合がある。このような場合、放
電開始可能な圧力迄ガス圧力を一旦上げて点火後、正規
のガス圧力にもどす方法や、トリガ電極の予備放電によ
り、点火させる方法がとられている。
抑えなければならない場合がある。このような場合、放
電開始可能な圧力迄ガス圧力を一旦上げて点火後、正規
のガス圧力にもどす方法や、トリガ電極の予備放電によ
り、点火させる方法がとられている。
しかし、複数のスパッタリングターゲットを交互にスパ
ッタさせようとする場合、毎回圧力を上げる方法や、毎
回トリガ電極のスイッチを入れる方法は、成膜の質的面
より好壕しくない。
ッタさせようとする場合、毎回圧力を上げる方法や、毎
回トリガ電極のスイッチを入れる方法は、成膜の質的面
より好壕しくない。
本発明の目的は、スイッチングスノくツタ装置のカソー
ド電極への電力投入に同期したトリガ装置により、トリ
ガ電極よシの不純物スノくツタを低く抑えることのでき
るトリガ装[k提供することにある。
ド電極への電力投入に同期したトリガ装置により、トリ
ガ電極よシの不純物スノくツタを低く抑えることのでき
るトリガ装[k提供することにある。
本発明では、スパッタさせる放電プラズマを形成する際
の不安定性、ばらつき、点火後の不必要なトリガ放電、
及び、トリガ放電による不純物を低減させるため、カソ
ード酸・甑への投入電力が一定値以上になってトリガ装
くルスを印カロさせ、放電開始後、反射電力が一定値以
下になったとき、トリガパルスを停止させる。
の不安定性、ばらつき、点火後の不必要なトリガ放電、
及び、トリガ放電による不純物を低減させるため、カソ
ード酸・甑への投入電力が一定値以上になってトリガ装
くルスを印カロさせ、放電開始後、反射電力が一定値以
下になったとき、トリガパルスを停止させる。
以下1本発明の一実施列を、第1図、第2図によシ説明
する。第1図は、二組のターゲットをもつ高周波スパッ
タリング装置を示す。図において、1は被膜を形成する
物質であるターゲットで、カソード電極2の上に機械的
に固定されている。3はアース7−ルドでカソードを包
みこむように配置されている。このカソードと対向する
上方部に、薄膜を形成する母材となる基板4があり、こ
れは基板ホルダに増付けられている。これらは、真空容
器6内に収納されている。
する。第1図は、二組のターゲットをもつ高周波スパッ
タリング装置を示す。図において、1は被膜を形成する
物質であるターゲットで、カソード電極2の上に機械的
に固定されている。3はアース7−ルドでカソードを包
みこむように配置されている。このカソードと対向する
上方部に、薄膜を形成する母材となる基板4があり、こ
れは基板ホルダに増付けられている。これらは、真空容
器6内に収納されている。
今、真空容器内が一定の圧力となるように、ガス導入口
8よりガスを流入させ、高同波電源よυ電力を投入する
。このとき、動作ガス圧力が低いと放電プラズマが生成
しにくいtめ、先端を細く針状にしたトリガ電極7と、
アースシールド3との間に、パルス状、もしくけ、交流
の高電圧を印加し、アーク放電を生成させる。このとき
出来たアークプラズマによシ、ターゲット前面上のガス
空間を電離させてターゲットプラズマ放電を開始させる
ことができる。このとき、トリガ放電によるアークプラ
ズマは、アースシールド材を構成するSUS材をスパッ
タさせるなめ、成膜上好ましくなくターゲットプラズマ
放電が点火後は出来るだけ速やかに、トリガ放電を停止
させる必要がある。
8よりガスを流入させ、高同波電源よυ電力を投入する
。このとき、動作ガス圧力が低いと放電プラズマが生成
しにくいtめ、先端を細く針状にしたトリガ電極7と、
アースシールド3との間に、パルス状、もしくけ、交流
の高電圧を印加し、アーク放電を生成させる。このとき
出来たアークプラズマによシ、ターゲット前面上のガス
空間を電離させてターゲットプラズマ放電を開始させる
ことができる。このとき、トリガ放電によるアークプラ
ズマは、アースシールド材を構成するSUS材をスパッ
タさせるなめ、成膜上好ましくなくターゲットプラズマ
放電が点火後は出来るだけ速やかに、トリガ放電を停止
させる必要がある。
本発明では、トリガ放電の開始は、ターゲットに注入さ
れる高周波進行波電力Pf’を検出し、高周波電力の設
定値pfとの比較により、ある一定値以上になったとき
に、高圧パルストリガ電源〜トリガ電極間のゲートを開
いて、高電圧を印加する。このように、トリガ放電を生
成して、ターゲットプラズマ放電を点火させると、ター
ゲラトル基板間のインピーダンスが激減するため1回路
の整合条件さえ整っていれば1反射電力Prが直ちに減
少する。即ち、ターゲットプラズマが生成したか否かは
、反射電力をモニタすればわかる訳である。このことよ
り、反射電力Prがある一定値迄下ってきたときに、ト
リガ放電を停止させて。
れる高周波進行波電力Pf’を検出し、高周波電力の設
定値pfとの比較により、ある一定値以上になったとき
に、高圧パルストリガ電源〜トリガ電極間のゲートを開
いて、高電圧を印加する。このように、トリガ放電を生
成して、ターゲットプラズマ放電を点火させると、ター
ゲラトル基板間のインピーダンスが激減するため1回路
の整合条件さえ整っていれば1反射電力Prが直ちに減
少する。即ち、ターゲットプラズマが生成したか否かは
、反射電力をモニタすればわかる訳である。このことよ
り、反射電力Prがある一定値迄下ってきたときに、ト
リガ放電を停止させて。
必要時以外にトリガ放電を継続させることのないように
する。
する。
第2図に、上記の時間関係を示す。aは、高周波出力オ
ン信号、bは高周波進行波電力を示し。
ン信号、bは高周波進行波電力を示し。
設定出力Pfに対し、Pf’ 迄上昇した時点1゜で、
比較出力Cをオンにする。比較出力Cは、高圧パルスト
リガ電源のゲートを開き、トリガ電極出力eを出し、ト
リガ放電を開始する。
比較出力Cをオンにする。比較出力Cは、高圧パルスト
リガ電源のゲートを開き、トリガ電極出力eを出し、ト
リガ放電を開始する。
トリガ教戒により、ターゲットプラズマ放電が始まり、
反射波dは急激に減少する。そして設定きれftPr’
より少なくなった時点t2で、トリガを源のゲートを
閉じ、トリガ放電を停止させる。
反射波dは急激に減少する。そして設定きれftPr’
より少なくなった時点t2で、トリガを源のゲートを
閉じ、トリガ放電を停止させる。
Pr’ 、 Pf’ の設定値を適切に選んで、トリ
ガ時間(1zi+) を出来るだけ短くして使用するこ
とが望ましい。
ガ時間(1zi+) を出来るだけ短くして使用するこ
とが望ましい。
本発明によれば、放電開始のためのトリガ心極放電時間
を、最少限に短くすることができるので。
を、最少限に短くすることができるので。
トリガ放電による不純・吻スパッタを減らすことができ
、形成膜の質的向上が図れる。
、形成膜の質的向上が図れる。
第1図は本発明の一実施例のブロックダイヤグラム、第
2図は本発明のタイム7〜ケンスk 示i。 l・・・ターゲット、2・・・カソード電極、3・・・
アース7−ルド、4・・・基板、5・・・基板ホルダ、
6・・・真空容器、7・・・トリガ電極。
2図は本発明のタイム7〜ケンスk 示i。 l・・・ターゲット、2・・・カソード電極、3・・・
アース7−ルド、4・・・基板、5・・・基板ホルダ、
6・・・真空容器、7・・・トリガ電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、真空容器内に設けた薄膜を形成すべき基板と、この
基板に対向して配置されたターゲットと、このターゲッ
トの前面にプラズマを生成する電極と、前記プラズマの
初期点火をさせるトリガ電極とを備えた、プラズマスパ
ッタリングを行なう装置において、 前記プラズマを生成する前記電極への注入電力と同期さ
せて、前記トリガ電極を起動停止させることを特徴とす
るトリガ機構。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60209992A JPS6270567A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | トリガ機構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60209992A JPS6270567A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | トリガ機構 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6270567A true JPS6270567A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16582062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60209992A Pending JPS6270567A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | トリガ機構 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6270567A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998034267A1 (de) * | 1997-02-01 | 1998-08-06 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur regelung von glimmentladungen mit pulsförmiger energieversorgung |
US6240163B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-05-29 | Advanced Laser & Fusion Technology | Radiation E.G. X-ray pulse generator mechanisms |
JP2011124087A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Shinkawa Ltd | プラズマ点火装置、プラズマ点火方法、およびプラズマ発生装置 |
JP2012049139A (ja) * | 2011-10-05 | 2012-03-08 | Shinkawa Ltd | プラズマ点火装置、プラズマ点火方法、およびプラズマ発生装置 |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP60209992A patent/JPS6270567A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998034267A1 (de) * | 1997-02-01 | 1998-08-06 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur regelung von glimmentladungen mit pulsförmiger energieversorgung |
US6240163B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-05-29 | Advanced Laser & Fusion Technology | Radiation E.G. X-ray pulse generator mechanisms |
JP2011124087A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Shinkawa Ltd | プラズマ点火装置、プラズマ点火方法、およびプラズマ発生装置 |
US8716939B2 (en) | 2009-12-10 | 2014-05-06 | Shinkawa Ltd. | Plasma ignition system, plasma ignition method, and plasma generating apparatus |
JP2012049139A (ja) * | 2011-10-05 | 2012-03-08 | Shinkawa Ltd | プラズマ点火装置、プラズマ点火方法、およびプラズマ発生装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7247221B2 (en) | System and apparatus for control of sputter deposition process | |
JP4120974B2 (ja) | 薄膜作製方法および薄膜作製装置 | |
JP4231944B2 (ja) | 陰極スパッタリング装置のフラッシュオ−バ抑圧装置 | |
KR20070040747A (ko) | 선전리를 갖는 펄스 모드에서 마그네트론 양극 미분쇄에의한 증착 | |
JP3408540B2 (ja) | プラズマ処理チャンバー内の軟プラズマ点火 | |
JPH0114312B2 (ja) | ||
JPS6270567A (ja) | トリガ機構 | |
KR910011341A (ko) | 서브스트레이트들을 코팅하기 위한 방법 및 장치 | |
KR100200009B1 (ko) | Ito 투명도전막의 제작방법 | |
JP4101554B2 (ja) | スパッタ装置及び方法 | |
JP3895463B2 (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP3294166B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JPH11152564A (ja) | プリスパッタ方法および装置 | |
Kuzmichev et al. | Investigation of a pulsed magnetron sputtering discharge with a vacuum pentode modulator power supply | |
JP2836072B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP2002306957A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH09202968A (ja) | スパッタ装置及び堆積膜形成方法 | |
JP2002020865A (ja) | スパッタ装置並びにスパッタ支援装置及びスパッタ制御方法 | |
JPH0818372A (ja) | 圧電素子の周波数調整装置及び圧電周波数調整方法 | |
JPH05331634A (ja) | スパッタリング装置 | |
JPS58171568A (ja) | スパツタリング装置 | |
JPH07320325A (ja) | 光ディスクの成膜方法 | |
JP3392490B2 (ja) | スパッタリング方法及びその装置 | |
JP2003073824A (ja) | 薄膜作成法 | |
JPH11229138A (ja) | スパッタ装置 |