JPH05175163A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH05175163A JPH05175163A JP33921691A JP33921691A JPH05175163A JP H05175163 A JPH05175163 A JP H05175163A JP 33921691 A JP33921691 A JP 33921691A JP 33921691 A JP33921691 A JP 33921691A JP H05175163 A JPH05175163 A JP H05175163A
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- JP
- Japan
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- plasma processing
- plasma
- processing chamber
- electrode
- side electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理室の圧力といったプラズマパラ
メータを変更することなく、自己バイアス電圧を制御で
きるプラズマ処理装置を提供する。 【構成】 高周波電力が印加される印加側電極８と、接
地側電極１とが配設されたプラズマ処理室６内には、接
地された導体１２が、印加側電極８の周囲に、移動可能
に設けられ、あるいは、該導体１２の露出面積を可変す
る絶縁カバー１３が設けられている。
メータを変更することなく、自己バイアス電圧を制御で
きるプラズマ処理装置を提供する。 【構成】 高周波電力が印加される印加側電極８と、接
地側電極１とが配設されたプラズマ処理室６内には、接
地された導体１２が、印加側電極８の周囲に、移動可能
に設けられ、あるいは、該導体１２の露出面積を可変す
る絶縁カバー１３が設けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、プラズマ処理
を用いたドライエッチング装置やプラズマＣＶＤ装置な
どのようなプラズマ処理装置に関する。
を用いたドライエッチング装置やプラズマＣＶＤ装置な
どのようなプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のプラズマ処理装置、例えば、ド
ライエッチング装置として、図６に示される反応性スパ
ッタエッチング装置がある。
ライエッチング装置として、図６に示される反応性スパ
ッタエッチング装置がある。
【０００３】同図において、１はプロセスガス吹き出し
孔２を有する上部電極板３がネジ４によって取り付けら
れた接地側電極としての上部電極、５はプロセスガス供
給孔、６は高真空状態に保たれるプラズマ処理室、７は
エッチング処理されるシリコンウェハ、８は高周波電源
９に接続された印加側電極としての下部電極、１０は電
極のアノード側とカソード側を絶縁する電極カバー、１
１は高周波整合器である。
孔２を有する上部電極板３がネジ４によって取り付けら
れた接地側電極としての上部電極、５はプロセスガス供
給孔、６は高真空状態に保たれるプラズマ処理室、７は
エッチング処理されるシリコンウェハ、８は高周波電源
９に接続された印加側電極としての下部電極、１０は電
極のアノード側とカソード側を絶縁する電極カバー、１
１は高周波整合器である。
【０００４】次に、動作を説明する。
【０００５】プラズマ処理室６において、上部電極１か
らプロセスガス供給孔を通してプロセスガスが供給さ
れ、下部電極８に高周波電力が印加されると、上部電極
１と下部電極８との間にプラズマが生成される。このプ
ラズマ中のイオン、ラジカル等の活性種により、シリコ
ンウェハ７のエッチングが進行する。この際に、下部電
極８近傍のプラズマに形成されるシースにより自己バイ
アス電圧が発生し、イオン等の荷電粒子が加速されて当
該ウェハ７の垂直なエッチングが可能となる。
らプロセスガス供給孔を通してプロセスガスが供給さ
れ、下部電極８に高周波電力が印加されると、上部電極
１と下部電極８との間にプラズマが生成される。このプ
ラズマ中のイオン、ラジカル等の活性種により、シリコ
ンウェハ７のエッチングが進行する。この際に、下部電
極８近傍のプラズマに形成されるシースにより自己バイ
アス電圧が発生し、イオン等の荷電粒子が加速されて当
該ウェハ７の垂直なエッチングが可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般に、プラズマの制
御は、プロセスガスの供給量の変更、プラズマ処理室の
圧力の変更、または、高周波電力等の変更で行われてい
るが、このようなプラズマパラメータの変更では、プラ
ズマ状態に大きな影響を与えてしまうことになる。
御は、プロセスガスの供給量の変更、プラズマ処理室の
圧力の変更、または、高周波電力等の変更で行われてい
るが、このようなプラズマパラメータの変更では、プラ
ズマ状態に大きな影響を与えてしまうことになる。
【０００７】このプラズマ状態に影響を与えることな
く、エッチング特性に大きく寄与するイオンエネルギー
に相当する自己バイアス電圧を変化させるには、プラズ
マ処理室６の構成、特に高周波電圧印加電極（カソード
電極）と、接地側電極およびプラズマ処理室の外壁等
（アノード電極）との面積比を変化させる、すなわち、
プラズマ処理室６の構造自体を変更する以外には、実用
的な手法はなかった。
く、エッチング特性に大きく寄与するイオンエネルギー
に相当する自己バイアス電圧を変化させるには、プラズ
マ処理室６の構成、特に高周波電圧印加電極（カソード
電極）と、接地側電極およびプラズマ処理室の外壁等
（アノード電極）との面積比を変化させる、すなわち、
プラズマ処理室６の構造自体を変更する以外には、実用
的な手法はなかった。
【０００８】本発明は、上述の点に鑑みて為されたもの
であって、従来のようにプラズマ処理室の構造を変更す
ることなく、しかも、プラズマパラメータを変更するこ
となく、自己バイアス電圧を制御できるプラズマ処理装
置を提供することを目的とする。
であって、従来のようにプラズマ処理室の構造を変更す
ることなく、しかも、プラズマパラメータを変更するこ
となく、自己バイアス電圧を制御できるプラズマ処理装
置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では、上述の目的
を達成するために、次のように構成している。
を達成するために、次のように構成している。
【００１０】すなわち、請求項第１項に記載の本発明
は、高周波電源に接続された印加側電極と、接地側電極
とが配設されたプラズマ処理室内を備え、前記プラズマ
処理室内には、接地された導体が、前記印加側電極の周
囲に、移動可能に設けられている。
は、高周波電源に接続された印加側電極と、接地側電極
とが配設されたプラズマ処理室内を備え、前記プラズマ
処理室内には、接地された導体が、前記印加側電極の周
囲に、移動可能に設けられている。
【００１１】また、請求項第２項に記載の本発明は、高
周波電源に接続された印加側電極と、接地側電極とが配
設されたプラズマ処理室を備え、前記プラズマ処理室内
には、接地された導体が、前記印加側電極の周囲に設け
られるとともに、前記導体の表面を覆う絶縁カバーが、
該導体に対して移動可能に設けられている。
周波電源に接続された印加側電極と、接地側電極とが配
設されたプラズマ処理室を備え、前記プラズマ処理室内
には、接地された導体が、前記印加側電極の周囲に設け
られるとともに、前記導体の表面を覆う絶縁カバーが、
該導体に対して移動可能に設けられている。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、印加側電極の周囲に導体を
設けているので、接地側電極を介する放電に比べて前記
導体を介した放電の方が、プラズマインピーダンスが低
下することになり、プラズマは、接地側電極よりも導体
側に広がり、プラズマが接するアノードとカソードとの
面積比が変化し、自己バイアス電圧が低下することにな
る。したがって、前記導体の位置あるいは該導体の露出
面積を可変するこにより、自己バイアス電圧の制御が可
能となる。
設けているので、接地側電極を介する放電に比べて前記
導体を介した放電の方が、プラズマインピーダンスが低
下することになり、プラズマは、接地側電極よりも導体
側に広がり、プラズマが接するアノードとカソードとの
面積比が変化し、自己バイアス電圧が低下することにな
る。したがって、前記導体の位置あるいは該導体の露出
面積を可変するこにより、自己バイアス電圧の制御が可
能となる。
【００１３】
【実施例】以下、図面によって本発明の実施例につい
て、詳細に説明する。
て、詳細に説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施例の反応性スパッ
タエッチング装置の概略構成図であり、上述の従来例に
対応する部分には、同一の参照符を付す。
タエッチング装置の概略構成図であり、上述の従来例に
対応する部分には、同一の参照符を付す。
【００１５】同図において、１はプロセスガス吹き出し
孔２を有する上部電極板３がネジ４によって取り付けら
れた接地側電極としての上部電極、５はプロセスガス供
給孔、６は高真空状態に保たれるプラズマ処理室、７は
エッチング処理されるシリコンウェハ、８は高周波電源
９に接続された印加側電極としての下部電極、１０は電
極のアノード側とカソード側を絶縁する電極カバー、１
１は高周波整合器であり、以上の構成は、上述の従来例
と同様である。
孔２を有する上部電極板３がネジ４によって取り付けら
れた接地側電極としての上部電極、５はプロセスガス供
給孔、６は高真空状態に保たれるプラズマ処理室、７は
エッチング処理されるシリコンウェハ、８は高周波電源
９に接続された印加側電極としての下部電極、１０は電
極のアノード側とカソード側を絶縁する電極カバー、１
１は高周波整合器であり、以上の構成は、上述の従来例
と同様である。
【００１６】この実施例の反応性スパッタエッチング装
置では、プロセスガスの供給量やプラズマ処理室６の圧
力といったプラズマパラメータを変更することなく、自
己バイアス電圧を制御できるようにするために、高周波
電力が印加される下部電極８の周囲に、絶縁部である電
極カバー１０を介して、接地された薄い板状の導体１２
を巻回配置しており、さらに、この巻回された板状の導
体（以下、「アースバンド」という）の周囲に、該アー
スバンド１２の表面を覆う絶縁カバー１３を、ステッピ
ングモータなどの駆動手段１４によって上下方向に移動
可能に設けている。
置では、プロセスガスの供給量やプラズマ処理室６の圧
力といったプラズマパラメータを変更することなく、自
己バイアス電圧を制御できるようにするために、高周波
電力が印加される下部電極８の周囲に、絶縁部である電
極カバー１０を介して、接地された薄い板状の導体１２
を巻回配置しており、さらに、この巻回された板状の導
体（以下、「アースバンド」という）の周囲に、該アー
スバンド１２の表面を覆う絶縁カバー１３を、ステッピ
ングモータなどの駆動手段１４によって上下方向に移動
可能に設けている。
【００１７】この絶縁カバー１３は、円筒状であり、プ
ラズマ処理室６内の真空気密が保たれるように、ベロー
ズなどの適宜手段を介してプラズマ処理室６外の駆動手
段１４で駆動されるようになっている。この実施例で
は、絶縁カバー１３の材質としては、メンテンナンスの
際に作業が行い易いように、テフロン（商品名）が用い
られているが、他の実施例として、石英ガラスやセラミ
ック等の耐プラズマ性の絶縁物質を用いてもよく、この
場合には、絶縁カバー１３自体のエッチングがなく、異
物が増加しないことになる。
ラズマ処理室６内の真空気密が保たれるように、ベロー
ズなどの適宜手段を介してプラズマ処理室６外の駆動手
段１４で駆動されるようになっている。この実施例で
は、絶縁カバー１３の材質としては、メンテンナンスの
際に作業が行い易いように、テフロン（商品名）が用い
られているが、他の実施例として、石英ガラスやセラミ
ック等の耐プラズマ性の絶縁物質を用いてもよく、この
場合には、絶縁カバー１３自体のエッチングがなく、異
物が増加しないことになる。
【００１８】図２は、図１のアースバンド１２の展開図
および斜視図である。薄い板状の導体を、電極カバー１
０に巻回して円筒状のアースバンド１２としており、該
アースバンド１２を接地している。
および斜視図である。薄い板状の導体を、電極カバー１
０に巻回して円筒状のアースバンド１２としており、該
アースバンド１２を接地している。
【００１９】上記構成を有するスパッタエッチング装置
では、アースバンド１２の表面を覆う絶縁カバー１３
を、図１の上下方向に移動させることにより、接地され
たアースバンド１２の露出面積を可変し、これによっ
て、上部電極１およびアースバンド１２へのプラズマイ
ンピーダンスを制御することができ、自己バイアス電圧
を、プラズマパラメータを変化させることなく、制御で
きることになる。
では、アースバンド１２の表面を覆う絶縁カバー１３
を、図１の上下方向に移動させることにより、接地され
たアースバンド１２の露出面積を可変し、これによっ
て、上部電極１およびアースバンド１２へのプラズマイ
ンピーダンスを制御することができ、自己バイアス電圧
を、プラズマパラメータを変化させることなく、制御で
きることになる。
【００２０】例えば、絶縁カバー１３を図１に示される
ように下方に移動させてアースバンド１２の露出面積を
増加させると、上部電極１を介する放電に比べてアース
バンド１２を介した放電の方が、プラズマインピーダン
スが低下するために、プラズマは、上部電極１側よりも
下部電極８のアースバンド１２側に広がり、プラズマが
接するアノードとカソードとの面積比が変化し、自己バ
イアス電圧が低下することになる。このため、イオンに
よる物理的スパッタリングによる寄与の大きいレジスト
のエッチングレートは低下するが、他のプラズマパラメ
ータには大きな変化がないために、被加工物のエッチン
グレートの変化は少なく、相対的に対レジスト選択比が
向上することになる。
ように下方に移動させてアースバンド１２の露出面積を
増加させると、上部電極１を介する放電に比べてアース
バンド１２を介した放電の方が、プラズマインピーダン
スが低下するために、プラズマは、上部電極１側よりも
下部電極８のアースバンド１２側に広がり、プラズマが
接するアノードとカソードとの面積比が変化し、自己バ
イアス電圧が低下することになる。このため、イオンに
よる物理的スパッタリングによる寄与の大きいレジスト
のエッチングレートは低下するが、他のプラズマパラメ
ータには大きな変化がないために、被加工物のエッチン
グレートの変化は少なく、相対的に対レジスト選択比が
向上することになる。
【００２１】なお、図３に絶縁カバー１３を移動させて
アースバンド１２の露出面積を可変したときの自己バイ
アス電圧の変化を示しており、横軸はアースバンドの露
出度を、縦軸は自己バイアス電圧をそれぞれ示してい
る。この図から明らかなように、アースバンド１２の露
出面積を大きくすると、上述のように、自己バイアス電
圧が低下することが分かり、また、高周波電源９のパワ
ーの大小によっても制御可能範囲Ａ，Ｂを変えることが
できる。
アースバンド１２の露出面積を可変したときの自己バイ
アス電圧の変化を示しており、横軸はアースバンドの露
出度を、縦軸は自己バイアス電圧をそれぞれ示してい
る。この図から明らかなように、アースバンド１２の露
出面積を大きくすると、上述のように、自己バイアス電
圧が低下することが分かり、また、高周波電源９のパワ
ーの大小によっても制御可能範囲Ａ，Ｂを変えることが
できる。
【００２２】図４は、本発明の他の実施例の概略構成図
であり、上述の実施例に対応する部分には、同一の参照
符を付す。
であり、上述の実施例に対応する部分には、同一の参照
符を付す。
【００２３】この実施例では、絶縁カバー１３だけでな
く、アースバンド１２も駆動手段１５によって上下に移
動可能に構成している。これによって、上述の実施例よ
りも自己バイアス電圧の制御範囲が一層広まることにな
る。その他の構成は、上述の実施例と同様である。
く、アースバンド１２も駆動手段１５によって上下に移
動可能に構成している。これによって、上述の実施例よ
りも自己バイアス電圧の制御範囲が一層広まることにな
る。その他の構成は、上述の実施例と同様である。
【００２４】図５は、本発明のさらに他の実施例の概略
構成図であり、図１の実施例に対応する部分には、同一
の参照符を付す。
構成図であり、図１の実施例に対応する部分には、同一
の参照符を付す。
【００２５】この実施例は、プラズマ処理室６の側面に
マグネットコイル１６を配置しており、マグネトロン放
電を利用したプラズマ処理を行うようにしている。その
他の構成は、図１の実施例と同様である。
マグネットコイル１６を配置しており、マグネトロン放
電を利用したプラズマ処理を行うようにしている。その
他の構成は、図１の実施例と同様である。
【００２６】上述の各実施例では、アースバンド１２を
覆う絶縁カバー１３を移動可能に設けたけれども、絶縁
カバー１３を設けることなく、アースバンド１２のみを
移動可能に設けてもよい。
覆う絶縁カバー１３を移動可能に設けたけれども、絶縁
カバー１３を設けることなく、アースバンド１２のみを
移動可能に設けてもよい。
【００２７】上述の各実施例では、ドライエッチング装
置に適用したけども、本発明はドライエッチング装置に
限るものではなく、プラズマＣＶＤ装置などのように、
プラズマ処理を利用した他の装置にも同様に適用できる
ものである。
置に適用したけども、本発明はドライエッチング装置に
限るものではなく、プラズマＣＶＤ装置などのように、
プラズマ処理を利用した他の装置にも同様に適用できる
ものである。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、印加側電
極の周囲に導体を移動可能あるいは該導体の露出面積を
可変可能に設けているので、従来例のように、プラズマ
処理室の構造を変更することなく、しかも、プラズマパ
ラメータを変更することなく、自己バイアス電圧を制御
できることになる。
極の周囲に導体を移動可能あるいは該導体の露出面積を
可変可能に設けているので、従来例のように、プラズマ
処理室の構造を変更することなく、しかも、プラズマパ
ラメータを変更することなく、自己バイアス電圧を制御
できることになる。
【図１】本発明の一実施例の概略構成図である。
【図２】図１のアースバンドを示す図である。
【図３】アースバンドの露出度と自己バイアス電圧との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図４】本発明の他の実施例の概略構成図である。
【図５】本発明のさらに他の実施例の概略構成図であ
る。
る。
【図６】従来例の概略構成図である。
１ 上部電極（接地側電極） ６ プラズマ処理室 ８ 下部電極（印加側電極） ９ 高周波電源 １２ アースバンド（導体） １３ 絶縁カバー １４，１５ 駆動手段
【手続補正書】
【提出日】平成４年６月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】この種のプラズマ処理装置、例えば、ド
ライエッチング装置として、図６に示される反応性イオ
ンエッチング装置がある。
ライエッチング装置として、図６に示される反応性イオ
ンエッチング装置がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】図１は、本発明の一実施例の反応性イオン
エッチング装置の概略構成図であり、上述の従来例に対
応する部分には、同一の参照符を付す。
エッチング装置の概略構成図であり、上述の従来例に対
応する部分には、同一の参照符を付す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】この実施例の反応性イオンエッチング装置
では、プロセスガスの供給量やプラズマ処理室６の圧力
といったプラズマパラメータを変更することなく、自己
バイアス電圧を制御できるようにするために、高周波電
力が印加される下部電極８の周囲に、絶縁部である電極
カバー１０を介して、接地された薄い板状の導体１２を
巻回配置しており、さらに、この巻回された板状の導体
（以下、「アースバンド」という）の周囲に、該アース
バンド１２の表面を覆う絶縁カバー１３を、ステッピン
グモータなどの駆動手段１４によって上下方向に移動可
能に設けている。
では、プロセスガスの供給量やプラズマ処理室６の圧力
といったプラズマパラメータを変更することなく、自己
バイアス電圧を制御できるようにするために、高周波電
力が印加される下部電極８の周囲に、絶縁部である電極
カバー１０を介して、接地された薄い板状の導体１２を
巻回配置しており、さらに、この巻回された板状の導体
（以下、「アースバンド」という）の周囲に、該アース
バンド１２の表面を覆う絶縁カバー１３を、ステッピン
グモータなどの駆動手段１４によって上下方向に移動可
能に設けている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】上記構成を有するイオンエッチング装置で
は、アースバンド１２の表面を覆う絶縁カバー１３を、
図１の上下方向に移動させることにより、接地されたア
ースバンド１２の露出面積を可変し、これによって、上
部電極１およびアースバンド１２へのプラズマインピー
ダンスを制御することができ、自己バイアス電圧を、プ
ラズマパラメータを変化させることなく、制御できるこ
とになる。
は、アースバンド１２の表面を覆う絶縁カバー１３を、
図１の上下方向に移動させることにより、接地されたア
ースバンド１２の露出面積を可変し、これによって、上
部電極１およびアースバンド１２へのプラズマインピー
ダンスを制御することができ、自己バイアス電圧を、プ
ラズマパラメータを変化させることなく、制御できるこ
とになる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楠見 嘉宏 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社中央研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 高周波電源に接続された印加側電極と、
接地側電極とが配設されたプラズマ処理室内を備え、 前記プラズマ処理室内には、接地された導体が、前記印
加側電極の周囲に、移動可能に設けられることを特徴と
するプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 高周波電源に接続された印加側電極と、
接地側電極とが配設されたプラズマ処理室を備え、 前記プラズマ処理室内には、接地された導体が、前記印
加側電極の周囲に設けられるとともに、前記導体の表面
を覆う絶縁カバーが、該導体に対して移動可能に設けら
れることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33921691A JPH05175163A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33921691A JPH05175163A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175163A true JPH05175163A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18325351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33921691A Pending JPH05175163A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175163A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0814495A2 (en) * | 1996-06-20 | 1997-12-29 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
| US5705019A (en) * | 1994-10-26 | 1998-01-06 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US6112697A (en) * | 1998-02-19 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods |
| US6159867A (en) * | 1998-02-19 | 2000-12-12 | Micron Technology, Inc. | RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US6562684B1 (en) | 2000-08-30 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming dielectric materials |
| JP2012138497A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP33921691A patent/JPH05175163A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5705019A (en) * | 1994-10-26 | 1998-01-06 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US6221782B1 (en) | 1994-12-15 | 2001-04-24 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
| US5891350A (en) * | 1994-12-15 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chambers |
| US6513452B2 (en) | 1994-12-15 | 2003-02-04 | Applied Materials Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
| EP0814495A3 (en) * | 1996-06-20 | 1998-08-12 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
| EP0814495A2 (en) * | 1996-06-20 | 1997-12-29 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
| US6235646B1 (en) | 1998-02-19 | 2001-05-22 | Micron Technology, Inc. | RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US6227141B1 (en) | 1998-02-19 | 2001-05-08 | Micron Technology, Inc. | RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods |
| US6159867A (en) * | 1998-02-19 | 2000-12-12 | Micron Technology, Inc. | RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US6112697A (en) * | 1998-02-19 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods |
| US6533894B2 (en) | 1998-02-19 | 2003-03-18 | Micron Technology, Inc. | RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US6705246B2 (en) | 1998-02-19 | 2004-03-16 | Micron Technology, Inc. | RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods of effecting plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US6562684B1 (en) | 2000-08-30 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming dielectric materials |
| US6583441B2 (en) | 2000-08-30 | 2003-06-24 | Micron Technology, Inc. | Capacitor constructions comprising a nitrogen-containing layer over a rugged polysilicon layer |
| US6607965B2 (en) | 2000-08-30 | 2003-08-19 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitors |
| US6791113B2 (en) | 2000-08-30 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Capacitor constructions comprising a nitrogen-containing layer over a rugged polysilicon layer |
| JP2012138497A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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