JPS60826A - 超微粒子の製造方法と製造装置 - Google Patents

超微粒子の製造方法と製造装置

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JPS60826A
JPS60826A JP10948883A JP10948883A JPS60826A JP S60826 A JPS60826 A JP S60826A JP 10948883 A JP10948883 A JP 10948883A JP 10948883 A JP10948883 A JP 10948883A JP S60826 A JPS60826 A JP S60826A
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JP
Japan
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ultrafine particles
vacuum vessel
vacuum
vacuum chamber
wall
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JP10948883A
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English (en)
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Fumio Iida
文雄 飯田
Yasutomo Fujiyama
藤山 靖朋
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、研摩剤等に用いられる超微粒子をプラズマ・
エネルギーを用いて製造する際の製造方法と製造装置に
関するものである。
プラス4放電の工′ネルギーを用いることに、より、原
料気体を高温加熱することなく活性化、分解または反応
させて該気体または生成気体から、単一元素または化合
物の超微粒子を製造する方法はすでに知られている。し
かも、この方法によれば通常の化学反応では得られ難い
化合物や単一元素の超微粒子を4得ることができる。ま
た、この種のプラズマ・エネルギーを用いる超微粒子製
造装置では、原料気体を多量に供給し、かつ大出力の高
周波電力を投入することにより、原料気体からの超微粒
子生成速度が向上する。この効果を得るには例えば周波
数/3S乙IVII(z + /θ0〜10θOWの高
周波電力を投入する必要があるが、このような大出力の
高周波電力を投入した場合、プラズマの衝撃により反応
炉器壁が加熱される。特に、多量にまた長時間にわたっ
て反応炉を運転すると、反応炉器壁の温度が30θ℃以
上になることもある。高温状態では、一部の粒子は反応
炉器壁面において結晶化あるいは膜化し、超微粒子の中
に、結晶化し粒径の大きくなった粒子や、膜片が混在し
、粒径が不均一になる欠点がある。
第1の発明の目的は、反応炉器壁面における超微粒子の
結晶化、膜化を防止し、均一な粒径の超微粒子を製造す
る方法を提供することにある。
また、第コの発明の目的は、反応炉器壁面における超微
粒子の結晶化、膜化を防止し、均一な粒径の超微粒子を
製造する装置を提供することにある。
第1の発明は、プラズマ・エネルギーを用いて真空槽内
で元素または化合物の超微粒子を製造する方法において
、該真空槽壁を冷却することにより、均一な粒径の超微
粒子を製造する方法である。
第スの発明は、プラズマ・エネルギーを用いて真空槽内
で元素または化合物の超微粒子を製造する装置において
、該真空槽大気側外周部に冷却手段を設けた超微粒子製
造装置である。
本発明の冷却の方法は、水、液体窒素などの流体を真空
槽の大気側外周部に沿って流すことにより行なわれる。
また、フレオン等の冷媒気体を用 1いた冷凍装置によ
り行なわれる。
真空槽の壁面は730℃以下に保持されることが特に望
ましい。これは、冷却による効果は、130℃をこえる
温度では十分発現されないためである。
本発明の冷却の装置は、真空槽壁面の冷却効果が得られ
れば所期の目的が達成されるので、真空槽の大気側外周
部に接して冷却室を設けたり、コイルを外周部に接して
巻きつけるなど種々の形状をとりうる。
ところで、プラズマ・エネルギーを用いた超微粒子の製
造方法としては大別して誘導結合型装置を用いる方法と
容量結合型装置を用いる方法とがある。
前者は、高周波電源に接続した高周波コイルを配置し、
該コイルに高周波電力をフィードし、電磁エネルギーで
ガスをプラズマ化し、超微粒子を製造する方法である。
一方後者では、反応炉の真空槽を取り囲むようにしてカ
ソード電極を配置し、真空槽の内部にアノード電極を配
置し、両電極間にガスを流しながら、両電極間に直流も
しくは交流の電界を印加し、原料ガスをプラズマ化して
超微粒子を製造する方法である。本発明はいずれのタイ
プにも適用することができる。
本発明による装置の実施態様を図面を参照して説明する
。初めに本発明を用いた誘導結合型超微系に接続された
真空壁3及び真空シール用0リンゲタによって形成され
た真空槽と、該真空槽中でプラズマ放電汐な発生させる
ための高周波電源に接続された高周波コイル乙により構
成される。この装置を用いて超微粒子は次のようにして
製造される。原料ガスをガス供給パイプ/及びバルブ7
から真空槽に導入する。高周波コイルに高周波電力を供
給し、該真空槽中でプラズマを発生させる。
冷却用流体流入口9より冷却用流体な該真空槽の大気側
外周部に接して設けられた冷却室に流入させて真空槽壁
を100℃以下に保持しておく。活性化し、分解または
反応した原料ガスは超微粒子gとして真空槽内壁に多量
に付着、堆積する。堆積した超微粒子は、バルブ7を閉
じた後、該真空槽を大気圧に戻し、真空壁3を取りはず
して回収する。
なお本例におけるように高周波コイル乙を該真空槽外に
設置することによって形成される超微粒子の不均一性の
一因ともなる粒体の付着による放電電力の低下を避ける
ことができる。
次に本発明を用いた容量結合型超微粒子製造装置の例を
第2図に示す。真空槽自体の構造は基本的には前例と同
様であるが、該真空槽内にてプラズマを発生させるのに
高周波コイル乙の代わりに、真空壁コの大気側外周部に
高周波電源//に接続した円筒状カソード電極乙aと、
その対向電極として該真空槽中にアース接地したニード
ル状アノード電極7.2を配置した。本例においては、
プラズマはカソード電極゛乙aとアノード電極/2の間
の真空中で発生し、ガス供給パイプ/及びバルブ7から
導入された原料ガスはプラズマ中で活性化され、分解、
反応し、冷却用流体で730°C以下に冷却された真空
槽内壁に超微粒子として付着、堆積する。堆積した超微
粒子は前例と同様にして回収する。
本発明によれば、通常の化学反応では得られ難い化合物
や単一元素の超微粒子を同−元素比及び均一な粒径にて
安定かつ多量に製造することができる上に、反応器壁の
冷却により生成微粒子の結合も数分子の結゛合にとどめ
得るので粒子径数70〜数700Aと極めて粒子径の小
さい超微粒子を製造することができる。
本発明は511(4を原料ガスとしてSlの超微粒子、
5IH4とNOの混合気体から8102 の超微粒子、
sin、とN2またはNH3の混合気体から813N(
4(窒化シリコン)の超微粒子、AlCl3と02の混
合気体からAj’203(アルミナ)の超微粒子、5I
H4とCH,の混合気体からあるいは(CH3)、、5
iH2(ジメチル・シラン)を原料ガスとしてSICの
超微粒子、W(CO)、を原料ガスとしてWの超微粒子
、M、、 cz、とB2の混合気体から鳩の超微粒子、
B2 H6’t−N2の混合気体からBN(ボロン・ナ
イトライド)の超微粒子等を製造する際に適用すること
ができる。
本発明を用いて得られた超微粒子には種々の用途がある
。例えばsio□では、光学ガラスの研摩剤、電子写真
における電子潜像あるいは静電a像を可視化するときに
用いるトナーの流動性付与剤、塗料の増粘剤、つや消し
剤、シリコンゴムの補強剤、印刷インキの増粘剤、にじ
み防止剤、接着剤の増粘剤なと、各分野で広範囲の用途
がある。
以下に実施例をあげて、本発明をさらに具体的に説明す
る。
実施例/ 第1図に示した誘導結合型超微粒子製造装置を用いてs
 i H4(シラン)ガスを原料ガスとして、Slの超
微粒子を製造した。/ 3.!; l、 MHzの高周
波電源を用いて30θWの高周波電力を投入し、10〜
10 ’rorrの真空に排気された真空槽中でプラズ
マ放電を発生させた。冷却用流体としては液体窒素を用
い、真空槽壁が10θ、/3θ、/汐θ。
/70..13.0°Cになるように冷却した。各温度
において生成粒子の結晶化、膜化の程度を観察し、粒径
分布を測定した。また、比較のために真空槽壁を冷却し
ないで製造した粒子について同様に試験した。結果は第
1表に示したとおりで、真空槽壁を730℃以下に冷却
すると、均一な粒径の超微粒子を得ることができる。
実施例コ 第2図に示した容量結合型超微粒子製造装置を用いて、
5II(4(シラン)ガスにNoを混合□ゝした気体を
原料とし、5102 の超微粒子を製造した。
/3.5乙MHzの高周波電源を用いて300Wの高周
波電力を投入し、10〜10Tor、rの真空に排気さ
れた真空槽中でプラズマ放電を発生させた。
冷却用流体としては水を用い真空槽壁が、10θ/30
./SQ、/70.23θ℃になるように冷却した。各
温度において生成粒子の結晶化、膜化の程度を観察し、
粒径分布を測定した。また、比較のために真空槽壁を冷
却しな℃・で製造した粒子に9いて同様に試験した。結
果は第2表に示したとおりで真空槽壁を730°C以下
に冷却すると均一な粒径の超微粒子を得ることができる
以上の実施例からも明らかなように、真空槽壁な750
°C以下に冷却すると、狭い粒径分布の超微粒子を製造
することができる。
【図面の簡単な説明】
た容量結合型超微粒子製造装置の縦断面図である。 ハ・・・・・原料ガス供給パイプ。 ユ・・・・・・冷却室。 3・・・・・・真空壁。 グ・・・・・・真空シール用Oリング。 S・・・・・・プラズマ。 乙・・・・・・高周波コイル。 乙a・・・円筒状カソード電極。 7・・・・・・バルブ。 g・・・・・・超微粒子。 7・・・・・・冷却用流体流入口。 10・・・・・・冷却用流体排出口。 //・・・・・・高周波電源。 /2・・・・・・斗−ドル状アノード電極。 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 +11 プラズマ・エネルギーを用いて真空槽内で元素
    または化合物の超微粒子を製造する方法において、該真
    空槽壁を冷却することを特徴とする超微粒子の製造方法
    。 (2) 前記真空槽壁を73θ℃以下に冷却することを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の超微粒子の製造
    方法。 (3) プラズマ・エネルギーを用いて真空槽内で元素
    または化合物の超微粒子を製造する装置において、該真
    空槽の大気側外周部に接して冷却手段を設けたことを特
    徴とする超微粒子製造装置。
JP10948883A 1983-06-18 1983-06-18 超微粒子の製造方法と製造装置 Pending JPS60826A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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