JPS61234531A - シリコン酸化物の作製方法 - Google Patents

シリコン酸化物の作製方法

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JPS61234531A
JPS61234531A JP60075280A JP7528085A JPS61234531A JP S61234531 A JPS61234531 A JP S61234531A JP 60075280 A JP60075280 A JP 60075280A JP 7528085 A JP7528085 A JP 7528085A JP S61234531 A JPS61234531 A JP S61234531A
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JP
Japan
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gas
silicon oxide
reactor
mixed gas
oxygen
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JP60075280A
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English (en)
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Shigeki Kondo
茂樹 近藤
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は気相成長によるシリコン酸化物の作製方法に関
する。
［従来技術］ 半導体装置の製造工程において、多層配線に用いられる
居間絶縁膜や表面保護膜として利用されているシリコン
酸化Ｍ　（Ｓｉ０２　）は、通常ＣＶＤ法によって形成
されている。すなわち、シリコン酸化膜中のＳｉの供給
源としてのＳｉＨ４ガスと、同じくＯの供給源としての
０２ガスとを混合し、その混合ガスを高温で次のように
気相反応させてＳｉＯ２膜を堆積させる。
ＳｉＨ４＋　２０２　　→　ＳｉＯ２↓＋２Ｈ２０上記
反応は、大気圧下でも、減圧下でも生起する。しかし、
減圧下での反応の法が反応雰囲気の温度を低くすること
ができ、また５ｉ０２堆積反応中にプラズマを照射する
と、更に低い温度の雰囲気下で反応させることができる
。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記従来の方法では、Ｓｉの供給源とな
るＳｉＨ４ガスが爆発性を有するために、その取り扱い
が面倒であるという問題点を有していた。
また、従来の方法で堆積した５ｉ０２膜は通常密度が低
いために、堆積後に更に熱処理を行って緻密化する必要
があり、作製工程の複雑化を招いていた。
［問題点を解決するための手段１ 本発明によるシリコン酸化膜の作製方法は、有機シリコ
ン化合物のガスと酸素ガスとの混合ガスを用いることを
特徴とする。
［作用１ 有機シリコン化合物は爆発性が小さく取り扱いが容易で
あり、また緻密なシリコン酸化膜を形成できるために、
シリコン酸化膜の作製工程を従来に比べて簡単化するこ
とができる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
添付図面は、本発明によるシリコン酸化膜の作製方法を
実施するためのＣＶＤ装置の概略的構成図である。
同図において、貯蔵器ｌおよび２に貯蔵された有機ンリ
コン化合物はガス状態で流量調節系３およびパルプ４を
介して反応炉５へ供給される。なお、貯蔵器内の有機シ
リコン化合物は、気体でも液体でもよいが、液体の場合
は貯蔵器内を脱気する必要がある。
また、窒素ガスと、原料ガスとしての酸素ガスとが流量
調節系３およびバルブ４を介して反応炉５内へ供給され
る。
反応炉５には炉内にプラズマを発生させるためのＲＦコ
イル６、基板を加熱するためのヒータ７が設けられ、炉
内には基板ホルダ８およびその上に固定された基板９が
設置されている。ただし、基板９は、ＲＦコイル６の直
下ではなく、排気口１０側にずらして設置しである。ま
た、炉内のガスは排気口ｌＯから排気される。
貯蔵器ｌおよび２に貯蔵される有機シリコン化合物は、
その化学構造中に、ケイ素、炭素、水素および酸素を含
んでいる。この中で酸素原子は少なくとも１個のケイ素
原子と結合しており、水素原子とは結合していない、ま
た、前記酸素原子は炭素原子と接合していてもよいが、
ケイ素原子２個と結合している方がより好ましい、炭素
原子はメチル基の形で、ケイ素原子と結合しているのが
好ましく、エチル基、プロピル基と炭素−炭素間の結合
数が増加する程好ましくない。
このような有機シリコン化合物の好ましいものとしては
、ヘキサメチルジシロキサンがあり、その外にテトラメ
チルジシロキサン、ジメチルジシロキサン、テトラメト
キシシラン、トリメトキシシラン、ジメトキシシラン等
も適用可能である。
次に、上記作製装置を用いて、本発明のよるシリコン酸
化物の作製方法の一実施例を詳細に説明する。
まず、反応炉５内を１０−６　Ｔａｒｔまで減圧した後
、流量ｍ節糸３によって有機シリコン化合物ガスおよび
酸素ガスの混合ガスを反応炉５内に導入する。この時の
混合比は、体積比で有機シリコン化合物°１°に対して
、酸素ガス°２°以上であればよいが、酸素ガスの割合
を高くすると堆積速度が低下するために、実際は゛２°
〜′３°程度の割合が適当である。
混合ガスが導入されると、ＲＦコイル６に１３．５８Ｍ
Ｈｚの高周波電力を供給して炉内にプラズマを発生させ
る。上述したように、基板９に直接プラズマは照射され
ない、プラズマが発生することによって混合ガスが分解
し、基板９上にはシリコン酸化膜が堆積する。この間の
基板９の温度は、基板８がプラズマ直下に置かれないこ
とで室温程度に保たれるが、ヒータ７によって所望の温
度に加熱してもよい。
所望時間シリコン酸化膜を堆積させた後、混合ガスおよ
び高周波電力の供給を停止する。続いて、炉内に窒素ガ
スを導入して残存するラジカルを除去し、炉内を大気圧
に戻して基板９を取出す。
このようにシリコン酸化膜を形成する場合、有機シリコ
ン化合物のみを原料ガスとして用いることもできるが、
成膜中に炭素および水素が含まれる可能性があり、膜形
成後に高温処理を行う必要がある。本発明のように酸素
ガスを混合することで、成膜中の酸素および水素の含有
量はほとんど皆無となり、高温処理は不要となる。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明によるシリコン酸化
物の作製方法は、取り扱いが容易な有機シリコン化合物
のガスを用いた気相成長によりシリコン酸化物を作製す
るために、作製工程が簡単となり、また緻密なシリコン
酸化物が形成されるために高温処理を必要としない。
また、反応エネルギ供給源としてプラズマを用い、且つ
酸化物を形成する基体をプラズマ発生源の直下に置かな
いことで、低温で良質の酸化物を作製できる。
【図面の簡単な説明】
添付図面は、本発明によるシリコン酸化膜の作製方法を
実施するためのＣＶＤ装置の概略的構成図である。 １．２・・拳有機シリコン化合物の貯蔵器３・・拳流量
調節系 ５・・・反応炉 ６・・・ＲＦコイル ９・・・基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）気相成長により基体上にシリコン酸化物を作製す
    る方法において、 有機シリコン化合物のガスと酸素ガスとの混合ガスを用
    いることを特徴とするシリコン酸化物の作製方法。
  2. （２）上記混合ガスを気相反応させるエネルギ源として
    プラズマを用い、且つ上記基体は前記プラズマが直接照
    射されない位置に設置されることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載のシリコン酸化物の作製方法。
JP60075280A 1985-04-11 1985-04-11 シリコン酸化物の作製方法 Pending JPS61234531A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63228625A (ja) * 1987-03-18 1988-09-22 Toshiba Corp 薄膜形成方法
JPS6450429A (en) * 1987-08-20 1989-02-27 Semiconductor Energy Lab Formation of insulating film
JPH01238024A (ja) * 1988-03-17 1989-09-22 Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk 半導体装置の酸化膜の製造法
JPH07211712A (ja) * 1994-01-25 1995-08-11 Canon Sales Co Inc 成膜方法
US5855970A (en) * 1986-09-09 1999-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming a film on a substrate
US6013338A (en) * 1986-09-09 2000-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. CVD apparatus

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