CN101225550B - 改善晶圆缺陷的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体制造工艺方法,公开了一种改善晶圆缺陷的方法,包括在晶圆从蚀刻腔体传回至预载室时,先改变传送晶圆的机械手臂在预载室门边的停靠位置,使该手臂停靠在与预载室门平行的位置,或停靠在背向预载室门并与该门成一角度的位置,再打开预载室门,把晶圆传回预载室;所述角度的范围为:0°<角度<180°。本发明改善晶圆缺陷的方法,能有效避免预载室的聚合物被吹落到晶圆表面的情况,可显著改善晶圆表面缺陷。

Description

改善晶圆缺陷的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺方法,尤其涉及一种通过减少灰尘改善晶圆缺陷的方法。
背景技术
晶圆的生产是在无尘室内进行,对灰尘的要求很高,一旦灰尘含量超过一定标准,就会使晶圆产生致命的缺陷。
晶圆在蚀刻过程中会产生很多称为聚合物(polymer)的副产物,当聚合物积聚到一定程度,掉在晶圆上时,就有可能使晶圆产生缺陷,如果严重就会使整片晶圆报废。聚合物的产生不可避免,关键是如何才能使聚合物不掉到晶圆上。
图1所示为目前晶圆在蚀刻过程中传送的路线,预载室(Load Lock,LL)是晶圆在蚀刻前放的位置;CH(Chamber)是晶圆蚀刻时的腔体;TM(transfer。chamber)是晶圆在预载室和蚀刻腔体之间传送时的中转站。通常这3个空间有门关着,互相独立。只有当晶圆在LL和CH之间需要传送时门才会开,而这3个地方的压力设定通常为LL>TM>CH。当晶圆从CH传回到LL时,先使传送晶圆的机械手臂与LL的门垂直,即将晶圆停在LL的门边上,再把门打开,然后把晶圆传回LL。由于压力的差异(LL>TM),在开门的瞬间,很容易使原来在LL的聚合物全都掉在晶圆上,使晶圆缺陷随机出现,且晶圆朝向预载室的一边缺陷较多,清洗蚀刻腔体或预载室都未能改善晶圆缺陷状况。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种改善晶圆缺陷的方法,能有效减少预载室的聚合物掉到晶圆上的几率,明显改善晶圆表面缺陷。
为了解决上述技术问题,本发明改善晶圆缺陷的方法,包括:在晶圆从蚀刻腔体传回至预载室时,先改变传送晶圆的机械手臂在预载室门边的停靠位置,使该手臂停靠在与预载室门平行的位置,或停靠在背向预载室门并与该门成一角度的位置,再打开预载室门,把晶圆传回预载室;所述角度的范围为:0°<角度<180°。
本发明改善晶圆缺陷的方法,能有效避免预载室的聚合物被开门时的压力差吹落到晶圆表面的情况,显著改善晶圆表面缺陷。
附图说明
图1是现有晶圆从蚀刻腔体传回至预载室时,机械手臂在预载室门边停靠的位置示意图;
图2是本发明一实施例中,晶圆从蚀刻腔体传回至预载室时,机械手臂停靠位置的示意图;
图3是现有方法制作的晶圆的检测结果图;
图4是本发明方法制作的晶圆的检测结果图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
本发明的改善晶圆缺陷的方法,包括步骤:在晶圆从蚀刻腔体传回至预载室时,先改变传送晶圆的机械手臂在预载室门边的停靠位置,使该手臂停靠在与预载室门平行的位置,或停靠在背向预载室门并与该门成一角度的位置,再打开预载室门,把晶圆传回预载室。所述角度的范围为:0°<角度<180°。
在本发明的一个制作电容工序的实施例中,当晶圆由机械手臂从蚀刻腔体传回到预载室时,改变传统的把晶圆停在预载室门边的做法,将机械手臂转动到与预载室门平行的位置进行停靠(见图2),使晶圆远离预载室门,再打开预载室的门,此时由于晶圆和预载室门相隔一定距离,开门时,压力差(LL>TM)吹落的预载室内的聚合物等灰尘物质掉到晶圆表面的几率大大减少,然后,机械手臂把晶圆传回预载室,完成晶圆的传送。
在本发明的另一个制作电容工序的实施例中,当晶圆由机械手臂从蚀刻腔体传回到预载室时,转动机械手臂,使其在背向预载室门(装载晶圆的一端)并与该门成一角度的位置进行停靠,所述角度的范围为:0°<角度<180°,再打开预载室门,把晶圆传回预载室。
本发明方法制作的晶圆经检测机台验证,能有效改善晶圆缺陷的状况,图3为现有方法制作的晶圆的检测结果图,图4为本发明方法制作的晶圆的检测结果图。在图3、4中,“+”表示在晶圆表面检测到的由灰尘产生的缺陷,图3的晶圆有97个缺陷,图4的晶圆有23个缺陷。比较图3和图4,显然可得出:经过本发明方法调整机械手臂的停靠位置后,晶圆的缺陷状况得到明显改善。本发明方法通常能使晶圆减少20%~30%的缺陷。

Claims (1)

1.一种改善晶圆缺陷的方法,其特征在于,包括:在晶圆从蚀刻腔体传回至预载室时,先改变传送晶圆的机械手臂在预载室门边的停靠位置,使该手臂停靠在与预载室门平行的位置,或停靠在背向预载室门并与该门成一角度的位置,再打开预载室门,把晶圆传回预载室;所述角度的范围为:0°<角度<180°。
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