CN103382554B - 常压化学气相沉积机台异常监控方法及系统 - Google Patents
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Abstract
一种常压化学气相沉积机台异常监控方法，包括以下步骤：对卸载传送器进行监测；获取处于异常位置的晶片位置状态信息；发出控制指令自动将所述处于异常位置的晶片拾取。同时还提供了一种常压化学气相沉积机台异常监控系统。上述常压化学气相沉积机台异常监控方法中，通过对卸载传送器进行监测，发现晶片处于异常位置后将其及时拾取，防止该晶片在继续传送过程中因位置异常而导致缺陷，同时该方法及系统可以实时监控机台传送系统的异常，而不需要对其进行定期保养，降低了成本。
Description
【技术领域】
本发明涉及半导体技术，特别是涉及一种常压化学气相沉积机台异常监控方法及系统。
【背景技术】
常压化学气相沉积(APCVD)是指在大气压下进行的一种化学气相沉积的方法，其所需的系统简单，反应速度快，成为半导体芯片生产工艺中的重要一环。目前，在芯片制造过程中，大部分所需的薄膜材料，不论是导体、半导体，或是介电材料，都可以用化学气相沉积来制备。
在日常的半导体制造工艺中，晶柱(lot)指按某种方式生成的硅柱状体，将这些晶柱切成薄片就称为晶片(wafer)，晶片是进行集成电路制造的基板，一般以直径来区分。在晶片上根据需要划分不同的区域，每个区域用于生产特定功能的芯片(die)。
常压化学气相沉积机台是在常压下对晶片表面进行化学气相沉积等相关工艺的装置，其晶片传送系统较复杂。晶片由装载传送器送入传送带，进行常压化学气相沉积，晶片经过常压化学气相沉积后，由卸载传送器将晶片从传动带末端传送至卸载位置。在晶片传输过程中，由于传送系统异常造成晶片超过正常传送位置，传感器发出的位置异常信号传到后台，后台会将所有机械手的传送停止，从而造成处于异常位置的晶片未被机械手拾取而从机台掉落划伤表面，致使其报废。
为了解决上述问题，传统的解决方法收集相关异常数据并统计出传送系统中各个零件的异常周期，定期保养更换。但这种定期保养更换影响了机台的正常工作时间，导致成本增加。
【发明内容】
基于此，有必要提供一种降低成本的常压化学气相沉积机台异常监控方法。
一种常压化学气相沉积机台异常监控方法，包括以下步骤：对卸载传送器进行监测；获取处于异常位置的晶片位置状态信息；发出控制指令自动将所述处于异常位置的晶片拾取。
在其中一个实施例中，还包括以下步骤：关闭装载传送器，停止输送未加工晶片进入常压化学气相沉积机台；等所述常压化学气相沉积机台内的晶片生产结束后发出控制信号将所述常压化学气相沉积机台关闭。
在其中一个实施例中，还包括步骤：将处于异常位置的晶片放置于预设处。
在其中一个实施例中，还包括步骤：根据所述处于异常位置的晶片位置状态信息生成异常通知，并发送至预设对象。
此外，还有必要提供一种降低成本的常压化学气相沉积机台异常监控系统。
一种常压化学气相沉积机台异常监控系统，包括：
监测装置，用于对卸载传送器进行监测，并获取处于异常位置的晶片位置状态信息；
处理器，与所述监测装置相连接，用于接收处于异常位置的晶片位置状态信息并发出控制指令；
拾取装置，与所述处理器相连接，用于根据控制指令自动将所述处于异常位置的晶片拾取。
在其中一个实施例中，所述处理器与常压化学气相沉积机台相连接，还用于关闭装载传送器，停止输送未加工晶片进入常压化学气相沉积机台，并等所述常压化学气相沉积机台内的晶片生产结束后发出控制信号将所述常压化学气相沉积机台关闭。
在其中一个实施例中，其特征在于，还包括晶片存放装置，用于存放所述处于异常位置的晶片。
在其中一个实施例中，其特征在于，所述处理器根据所述处于异常位置的晶片位置状态信息生成异常通知，并发送至预设对象。
上述常压化学气相沉积机台异常监控方法及系统中，通过对卸载传送器进行监测，发现晶片处于异常位置后将其及时拾取，防止该晶片在继续传送过程中因位置异常而导致缺陷，同时该方法及系统可以实时监控机台传送系统的异常，而不需要对其进行定期保养，降低了成本。
【附图说明】
图1为常压化学气相沉积机台的示意图；
图2为本发明一实施例的常压化学气相沉积机台异常监控方法的流程图；
图3为本发明另一实施例的常压化学气相沉积机台异常监控方法的流程图；
图4为本发明实施例中常压化学气相沉积机台异常监控系统的示意图。
【具体实施方式】
为了解决传统的常压化学气相沉积机台传动系统的异常处理方法中，收集相关异常数据并统计出传送系统中各个零件的异常周期，进行定期保养更换，从而影响了机台的正常工作时间，导致成本增加问题，提出了一种降低成本的常压化学气相沉积机台异常监控方法。
请参阅图1，在常压化学气相沉积工艺中，处于晶盒中未加工的晶片由装载机械手10抓取后放置于装载传送器20，然后经装载传送器20送入传送带30，进行常压化学气相沉积。晶片经过常压化学气相沉积后，由卸载传送器40将晶片从传动带末端传送至卸载位置50，再由往返梭60送至返回位置70，最后由卸载机械手(图未标)将晶片抓取放回晶盒中，完成该工艺的生产传输过程。
在上述生产工艺中，整个传送系统是通过发动机驱动的，如果发动机、电源线或者电压出现异常，都会导致晶片偏离正常的位置，使卸载机械手无法将其放回至晶盒中。处于异常位置的晶片由机械手抓取，由于抓取位置偏差，会导致晶片出现划片等缺陷，影响后续工艺。传统的解决方法是对整个传送系统加装传感器，传感器发出的晶片位置异常信号传到后台，后台会将所有机械手的传送停止，从而造成后续的晶片未被机械手拾取而从机台掉落划伤表面，致使其报废。
请参见图2，本实施例中的常压化学气相沉积机台异常监控方法，包括以下步骤：
步骤S110，对卸载传送器进行监测。对卸载传送器40处的晶片进行监控，实时得到卸载传送器40中晶片的位置状态信息。
步骤S120，获取处于异常位置的晶片位置状态信息。当传送系统出现异常时，晶片偏离正常的位置。此时，获取处于异常位置的晶片位置状态信息，晶片位置状态信息包括晶片的异常位置及晶片的编号等，并将这些信息进行及时反馈。
步骤S130，发出控制指令自动将处于异常位置的晶片拾取。在卸载传送器40处设置专门的拾取装置。系统分析处于异常位置的晶片位置状态信息后，发出控制指令，拾取装置将处于异常位置的晶片拾取，以防止在后续的传送过程中出现更多缺陷。拾取后，处于异常位置的晶片将被放置于预设处，将其与正常生产出的晶片分开。
上述常压化学气相沉积机台异常监控方法中，通过对卸载传送器进行监测，发现晶片处于异常位置后将其及时拾取，防止该晶片在继续传送过程中因位置异常而导致缺陷，同时该方法可以实时监控机台传送系统的异常，而不需要对其进行定期保养，降低了成本。
在获取完处于异常位置的晶片位置状态信息后，常压化学气相沉积机台异常监控方法还可包括根据处于异常位置的晶片位置状态信息生成异常通知，并发送至预设对象的步骤。预设对象可以是无尘室的相关操作人员，接到异常通知后，相关操作人员可以立即采取应对措施，关闭机台并进行检修。
请参阅图3，在一实施例中，为了进一步减少损失，上述常压化学气相沉积机台异常监控方法还包括以下步骤：
步骤S140，关闭装载传送器，停止输送未加工晶片进入常压化学气相沉积机台。在卸载传送器40处的晶片位置出现异常时，系统及时发出指令，关闭装载传送器20，防止未加工晶片进入常压化学气相沉积机台。
步骤S150，等常压化学气相沉积机台内的晶片生产结束后发出控制信号将常压化学气相沉积机台关闭。停止输送未加工晶片之后，机台内剩余的晶片继续当前生产流程，当这批次晶片生产结束后系统发出控制信号将常压化学气相沉积机台关闭。
如果常压化学气相沉积机台一出现异常就立即关闭的话，还处在机台内的晶片就将全部报废。上述步骤等机台内的晶片全部生产结束后再将机台关闭，防止更多的晶片报废，进一步减少了损失。
请参阅图4及图1，还提供了应用上述常压化学气相沉积机台异常监控方法的常压化学气相沉积机台异常监控系统，包括监测装置410、处理器(图未示)及拾取装置430。
监测装置410加装在机台靠近卸载传送器40的一端，并与处理器相连接。监测装置410用于对卸载传送器40进行监控，实时得到卸载传送器40中晶片的位置状态信息。当传送系统出现异常时，晶片偏离正常的位置。此时，监测装置410获取处于异常位置的晶片位置状态信息，并将这些信息反馈给处理器。
处理器与拾取装置430相连接，接收处于异常位置的晶片位置状态信息并对其进行分析，然后发出控制指令至拾取装置430。
拾取装置430根据控制指令自动将处于异常位置的晶片拾取，以防止在后续的传送过程中出现更多缺陷。拾取后，处于异常位置的晶片将被放置于晶片存放装置450。晶片存放装置450用于存放处于异常位置的晶片，将这些晶片与正常生产出的晶片分开。
上述常压化学气相沉积机台异常监控系统中，通过对卸载传送器进行监测，发现晶片处于异常位置后将其及时拾取，防止该晶片在继续传送过程中因位置异常而导致缺陷，同时该系统可以实时监控机台传送系统的异常，而不需要对其进行定期保养，降低了成本。
在获取完处于异常位置的晶片位置状态信息后，处理器还用于根据处于异常位置的晶片位置状态信息生成异常通知，并发送至预设对象。预设对象可以是无尘室的相关操作人员，接到异常通知后，相关操作人员可以立即采取应对措施，关闭机台并进行检修。
为了进一步减少损失，处理器还与常压化学气相沉积机台相连接。在卸载传送器40处的晶片位置出现异常时，处理器及时发出指令，关闭装载传送器20，防止未加工晶片进入常压化学气相沉积机台。停止输送未加工晶片之后，机台内剩余的晶片继续当前生产流程，当这批次晶片生产结束后处理器发出控制信号将常压化学气相沉积机台关闭。
如果常压化学气相沉积机台一出现异常就立即关闭的话，还处在机台内的晶片就将全部报废。处理器等机台内的晶片全部生产结束后再发出控制信号将机台关闭，防止更多的晶片报废，进一步减少了损失。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种常压化学气相沉积机台异常监控方法，其特征在于，包括以下步骤：
对卸载传送器进行监测；
获取处于异常位置的晶片位置状态信息；所述晶片位置状态信息包括晶片的异常位置及晶片的编号；
发出控制指令自动将所述处于异常位置的晶片拾取；
关闭装载传送器，停止输送未加工晶片进入常压化学气相沉积机台；
等所述常压化学气相沉积机台内的晶片生产结束后发出控制信号将所述常压化学气相沉积机台关闭。
2.根据权利要求1所述的常压化学气相沉积机台异常监控方法，其特征在于，还包括步骤：
将处于异常位置的晶片放置于预设处。
3.根据权利要求1所述的常压化学气相沉积机台异常监控方法，其特征在于，还包括步骤：
根据所述处于异常位置的晶片位置状态信息生成异常通知，并发送至预设对象。
4.一种常压化学气相沉积机台异常监控系统，其特征在于，包括：
监测装置，用于对卸载传送器进行监测，并获取处于异常位置的晶片位置状态信息；所述晶片位置状态信息包括晶片的异常位置及晶片的编号；
处理器，与所述监测装置相连接，用于接收处于异常位置的晶片位置状态信息并发出控制指令；
拾取装置，与所述处理器相连接，用于根据控制指令自动将所述处于异常位置的晶片拾取；
其中，所述处理器与常压化学气相沉积机台相连接，还用于关闭装载传送器，停止输送未加工晶片进入常压化学气相沉积机台，并等所述常压化学气相沉积机台内的晶片生产结束后发出控制信号将所述常压化学气相沉积机台关闭。
5.根据权利要求4所述的常压化学气相沉积机台异常监控系统，其特征在于，还包括晶片存放装置，用于存放所述处于异常位置的晶片。
6.根据权利要求4所述的常压化学气相沉积机台异常监控系统，其特征在于，所述处理器根据所述处于异常位置的晶片位置状态信息生成异常通知，并发送至预设对象。
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