CN1819112A - 基板处理装置的复原处理方法、基板处理装置、程序 - Google Patents

基板处理装置的复原处理方法、基板处理装置、程序 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置的复原处理方法，在由至少包括对从基板收纳容器输送的晶片(W)进行处理的处理室的多个室所组成的基板处理装置中，在因该基板处理装置的工作中产生异常而工作停止时，在异常解除后复原基板处理装置的状态，包括：基板回收工序(S110～S150步骤中)，对滞留在基板处理装置的各室内晶片(W)进行对应于直到工作停止时实施的处理阶段的基板挽救处理，将被处理基板向基板收纳容器回收；和装置内状态复原工序(S160步骤中等)，使基板处理装置的各室内的状态复原。用于在基板处理装置的工作中因产生异常而停止工作时，节省该基板处理装置的复原处理时间和工夫，并尽可能多地挽救滞留在基板处理装置内的被处理基板。

Description

基板处理装置的复原处理方法、基板处理装置、程序
技术领域
本发明涉及例如对半导体晶片或液晶基板等被处理基板实施规定处理的基板处理装置，因发生异常而停止工作时的基板处理装置的复原处理方法、基板处理装置、程序。
背景技术
一般，这种基板处理装置包括：具有对被处理基板例如对半导体晶片(下面均简称为“晶片”)进行规定处理的多个处理室的处理单元；和例如通过负载锁定室(load lock chamber)而连接在该处理单元上的输送单元。
例如，在组合台型的基板处理装置中，一般是将所述多个处理室和负载锁定室以气体密封的状态连接在形成为矩形的共用输送室的周围，来构成所述处理单元。在共用输送室内设置有由输送臂等构成的处理单元侧输送机构，通过该处理单元侧输送机构，在多个处理室和负载锁定室之间进行晶片的送入和取出。在输送单元中，还设置有由输送臂等构成的输送单元侧输送机构，通过该输送单元侧输送机构，在收容有晶片的盒容器(基板收纳容器)和所述负载锁定室之间进行晶片的送入和取出。
在这样的基板处理装置中，当要对收容在基板收纳容器(例如盒容器)内的晶片实施规定处理时，首先，在输送单元中，通过输送单元侧输送机构从盒容器中取出未处理晶片。在将从盒容器中取出的未处理晶片在送入到负载锁定室之前，先送入到设置在输送单元上的定位装置(例如定位器、予定位载物台)上进行定位。将定位后的未处理晶片从定位装置取出，并送入到负载锁定室。
向负载锁定室送入的未处理的晶片，通过处理单元侧输送机构而从负载锁定室被取出，并向处理室送入，实施规定处理。在处理室中的处理结束后的结束处理晶片，通过处理单元侧输送机构而从处理室取出，并返回到负载锁定室。返回到负载锁定室的结束处理晶片通过输送单元侧输送机构而返回到盒容器。
为了提高在这种基板处理装置中的各个处理室的处理效率，优选使未处理晶片尽可能地靠近处理室待机，所以，即使在处理室中正在进行处理期间，也要将未处理晶片依次从盒容器中取出，并使这些晶片在共用输送室、负载锁定室、定位装置等待机。然后，在处理室中完成了一块晶片的处理后，将结束处理的晶片直接收容在盒容器内，并将所述各待机中的未处理晶片顺序输送，将下一个未处理晶片直接向处理室输送。
然而，在这种基板处理装置中，若在工作中该基板处理装置发生故障、停电、漏电等异常情况，则对所述基板处理装置进行断电等使其紧急停止工作。在这种情况下，例如在处理室内正在处理的晶片的处理被中途打断而滞留在处理室内。此外，在输送单元内、共用输送室内、负载锁定室内等各个室内待机的晶片也原封不动地滞留在各室内。而且，当在各室内进行抽真空等压力控制时，因基板处理装置的工作停止而导致压力控制也停止，所以担心例如垃圾或者灰尘从排气一侧逆流，或者因晶片的处理造成的附着物等微粒漂浮。
在现有技术中，当基板处理装置因产生异常而停止时，在该异常消除后，操作人员将滞留在基板处理装置的各室内的晶片取出，同时通过手工操作对输送单元、处理室、共用输送室、负载锁定室等各室内进行清理，以使基板处理装置的状态复原。
专利文献1：日本特开平11-330185号公报。
如上所述，当基板处理装置紧急停止时，在现有技术中，由操作人员通过手工操作来进行基板处理装置的复原作业，因此，存在作业麻烦以及费时的问题。而且，对于在处理室内中断处理的晶片来说，由于要根据例如存储晶片的蚀刻状态等的记录等，判断此后如何对该晶片进行剩余处理(参照专利文献1)，所以挽救晶片的处理也需要花费时间和工夫，同时，需要操作人员的经验和知识。
关于这点，在因基板处理装置产生异常而停止工作的情况下，在解除异常后投入电源时还需要使所述各输送机构动作，将滞留在输送单元、处理室、共用输送室、负载锁定室等各室内的所有晶片自动回收到原来的盒容器中，由操作人员对回收的晶片进行处理。但是，在这样的情况下，虽然能够节省回收晶片所花费的工夫，但是对被回收晶片的剩余处理，与所述情况相同，由于需要操作人员的经验和知识，而不容易对其进行判断，仍然存在挽救晶片的处理需要花费时间和工夫的问题。
此外，当如上所述那样基板处理装置产生异常时，在将滞留在该基板处理装置内的所有晶片自动回收到原来的盒容器的过程中，并不考虑在基板处理装置的工作停止时的晶片的处理阶段，由于滞留在基板处理装置内的晶片全部回收至盒容器中，所以全部晶片都暴露在大气中。然而，在多个处理室内的连续处理是必要的晶片，向下一个处理室输送的中途，滞留在共用输送室的情况，以及在某个处理室内的加工处理的中途被中断而滞留在该处理室内等的情况下，根据晶片的处理阶段，若在该阶段暴露于大气中，则有时不能挽救晶片。例如，如聚类的加工处理等那样，由于中途被中断的处理，而导致该晶片不能进行剩余处理(例如补充蚀刻处理等)，因此不能挽救晶片。
发明内容
因此，本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种基板处理装置的复原处理方法、基板处理装置、程序，在基板处理装置的工作中因产生异常而停止工作时，可以节省该基板处理装置的复原处理的时间和花费的工夫，此外，在因基板处理装置产生异常而停止工作时，通过对滞留在基板处理装置内的被处理基板进行可靠地挽救处理，而能够尽可能多地挽救被处理基板。
为了解决所述课题，在本发明的一方面中，可以提供一种基板处理装置的复原处理方法，是在由至少包括对从基板收纳容器输送来的被处理基板进行处理的处理室的多个室所组成的基板处理装置中，当由于该基板处理装置的工作中产生异常而导致工作停止时，在该异常解除后，复原所述基板处理装置的状态的基板处理装置的复原处理方法，其中，所述基板处理装置的复原处理方法包括：基板回收工序，对于滞留在所述基板处理装置的各个室内的所述被处理基板，进行对应于直到所述工作停止时实施的处理阶段的基板挽救处理，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；和装置内状态复原工序，使所述基板处理装置的各个室内的状态复原。
在这样的本发明中，因基板处理装置的工作中产生异常而造成工作停止时，可以自动进行使基板处理装置的状态复原的处理，也就是滞留在基板处理装置内的被处理基板的回收和使基板处理装置内的状态复原的处理可以自动进行。这样，与现有技术中的由操作人员手动进行复原处理相比，可以大幅度节省复原处理的时间和工夫。此外，对于滞留在基板处理装置内的被处理基板，对应于直到因基板处理装置的异常造成工作停止时实施的处理阶段，进行相应的正确的挽救处理，可以尽可能多地挽救被处理基板。
此外，在所述方法中的基板挽救处理可以以具有以下工序的方式构成，例如：基板检测工序，检测在所述基板处理装置内滞留的所述被处理基板；处理阶段检测工序，对于通过所述基板检测工序检测出的被处理基板，检测直到所述工作停止时实施的处理阶段；和基板挽救工序，对于通过所述基板检测工序检测出的被处理基板，对应于通过所述处理阶段检测工序检测出的处理阶段，实施相应的基板挽救处理。
这种情况下，所述基板挽救工序例如在通过所述基板检测工序在所述处理室内检测出被处理基板，通过所述处理阶段检测工序检测出该被处理基板的处理阶段是还残留有在该处理室中的处理的处理中途阶段的情况下，在该处理室内对该被处理基板实施剩余的处理。这样，滞留在基板处理装置内的晶片，例如在处理室内的处理中途被中断的状态下滞留的、处于处理中途阶段的情况下，对于该被处理基板实施在该处理室的剩余的处理后，被回收到基板收纳容器中。这样，处于在处理室内的剩余处理中途阶段的被处理基板，由于不是如现有技术这样直接回收而暴露在大气中，所以可以挽救该被处理基板。
此外，所述基板处理装置具有存储在该基板处理装置的工作中被处理基板的处理履历信息的存储装置，通过所述基板检测工序，在所述处理室内检测出被处理基板，通过所述处理阶段检测工序，在检测出该被处理基板的处理阶段是滞留在该处理室的处理的处理中途阶段的情况下，所述基板挽救工序根据存储在所述存储装置中的被处理基板的处理履历信息，设定被处理基板的剩余处理时间，可以对该被处理基板只实施此剩余处理时间的剩余处理。这样，通过根据被处理基板的处理履历信息设定被处理基板的剩余处理时间，可以对该被处理基板设定最佳剩余处理时间，所以可以正确地进行挽救被处理基板。
此外，所述基板处理装置可以包括在检测所述被处理基板的处理状态后、进行缺陷检查的缺陷检查室，当通过所述基板检测工序在所述处理室内检测出被处理基板，并且通过所述处理阶段检测工序检测出该被处理基板的处理阶段是滞留在该处理室的处理的处理中途阶段的情况下，所述基板挽救工序将该被处理基板输送到所述缺陷检查室，在该缺陷检查室中，根据被检测出的被处理基板的处理状态来设定该被处理基板的剩余处理时间，对该被处理基板只实施此剩余处理时间的剩余处理。这样，根据在缺陷检查室检测出的被处理基板的处理状态，通过设定被处理基板的剩余处理时间，可以对应于该被处理基板的实际处理状况设定剩余处理时间，可以更正确地对被处理基板进行挽救。
此外，当通过所述基板检测工序检测出在从某个处理室向另外的处理室输送的中途的被处理基板，并且通过所述处理阶段检测工序检测出该被处理基板的处理阶段是残留有在另外的处理室的必要处理还没有处理完的阶段的情况下，所述基板挽救工序对该被处理基板实施在剩余的处理室的处理。这样，在基板处理装置中晶片例如在某个处理室中的处理完成，但是由于剩下在另外处理室的必要处理，所以在处于必须的全部处理没有完成的处理未完成的阶段的情况，对该被处理基板实施在剩余的另外的处理室的处理后，回收到基板收纳容器中。这样，处于处理未完成阶段的被处理基板，由于不是如现有技术中这样直接回收而暴露在大气中，所以可以挽救该被处理基板。
此外，当通过所述基板检测工序在某个室内检测出被处理基板，并且通过所述处理阶段检测工序检测出该被处理基板的处理阶段是未处理阶段或者处理完成阶段的情况下，所述基板挽救工序将该被处理基板向所述基板收纳容器回收。因为对于未处理阶段或处理完成阶段的被处理基板，直接回收到基板收纳容器即使暴露在大气中也没有问题。这样通过对应于被处理基板的处理阶段进行挽救处理，可以尽可能挽救滞留在基板处理装置内的被处理基板。
此外，在所述装置内状态复原工序中，所述基板处理装置的各室包括至少可以导入吹扫气体的气体导入系统、以及可以通过抽真空和向大气开放调整压力的排气系统，例如，可以实施所述基板处理装置的各室内的清理处理。例如所述基板处理装置的所述处理单元和所述输送单元的各室具有至少可以导入吹扫气体的气体导入系统、以及可以通过抽真空和向大气开放调整压力的排气系统，所述清理处理例如可以是通过所述气体导入系统将吹扫气体(例如，N2气体和惰性气体等)导入到基板处理装置的各个室内，通过所述排气系统抽真空或向大气开放来重复多次规定的处理。这样，可以去除漂浮在基板处理装置各室内的微粒(例如附着物、灰尘、废渣等)。此外，由于通过反复抽真空和向大气开放，附着在各室的壁面和各室内所配置的部件等上的微粒也剥落并强制漂浮，可以把它们去除。
此外，检测被回收到所述基板收纳容器中的被处理基板检测是否是未处理阶段，若检测是未处理阶段，则也可以具有对该被处理基板实施再处理的再处理工序。这样处于没有处理阶段的被处理基板的再处理工序在一旦被回收到基板收纳容器后进行，所以也可以在装置内复原工序后进行。这样可以使处于没有处理阶段的被处理基板的处理与基板处理装置复原前一样进行。
此外，所述基板处理装置具有微粒测量室，并且，所述基板回收工序，在将所述被处理基板回收到所述基板收纳容器之前，输送到所述微粒测量室，在该微粒测量室进行所述被处理基板上的微粒量的测量，并将该测量结果与所述被处理基板相对应而存储在存储装置中。这样，关于实施了复原处理的被处理基板，可以根据微粒量测量结果判断是否是可以再处理的被处理基板。
为了解决所述课题，在本发明的另一方面中，可以提供一种基板处理装置的复原处理方法，是在基板处理装置中，在由于该基板处理装置的工作中产生异常而使工作停止时，在该异常解除后使所述基板处理装置的状态复原的基板处理装置的复原处理方法，而且，所述基板处理装置包括：处理单元，由至少包括处理被处理基板的多个处理室的多个室所构成；输送单元，被连接在所述处理单元上，具有在与收纳所述被处理基板的基板收纳容器之间进行所述被处理基板的交接的输送室；输送单元侧输送机构，被设置在所述输送单元内，将所述被处理基板向所述处理单元送入和取出；和处理单元侧输送机构，被设置在所述处理单元内，将所述被处理基板向所述处理室送入和取出，其中，所述复原处理方法包括：基板回收工序，对于滞留在所述基板处理装置的所述处理单元和/或所述输送单元内的所述被处理基板，对应于直到所述工作停止时已实施的处理的阶段来进行基板挽救处理，通过所述处理单元侧输送机构和/或所述输送单元侧输送机构，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；和装置内状态复原工序，使所述基板处理装置的所述处理单元内和所述输送单元内的状态复原。
在这种情况下，所述基板回收工序对于滞留在所述处理单元内的被处理基板，检测该被处理基板的处理阶段是否是剩余该被处理基板必须的处理的处理阶段，在剩余必须的处理的处理阶段的情况下，实施剩余的处理，通过所述处理单元侧输送机构和所述输送单元侧输送机构，向所述基板收纳容器回收，在不是剩余必须的处理的处理阶段的情况下，通过所述处理单元侧输送机构和所述输送单元侧输送机构，实施向所述基板收纳容器回收的处理单元内的基板挽救处理，对于滞留在所述输送单元内的被处理基板，也可以实施向所述基板收纳容器回收的输送单元内的基板挽救处理。
在这样的本发明中，因基板处理装置的工作中产生异常而使工作停止时，可以自动进行使基板处理装置的状态复原的处理，也就是可以自动进行滞留在处理单元内和/或所述输送单元内的被处理基板的回收、使在所述处理单元内和/或所述输送单元内的状态复原的处理。这样，与现有技术中的由操作人员用手动进行复原处理相比，可以大幅度节省复原处理的时间和工夫。此外，如所述的在处理单元内、输送单元内那样，通过根据被处理基板滞留处进行挽救处理，对应于被处理基板的处理阶段，可以正确地进行挽救处理。这样可以尽可能多地挽救被处理基板。
此外，所述基板处理装置包括在该基板处理装置的工作中存储被处理基板的处理履历信息的存储装置，所述处理单元内基板挽救处理根据存储在所述存储装置中的被处理基板的处理履历信息，检测滞留在所述处理单元内的被处理基板的处理阶段是否是剩余该被处理基板必须处理的处理阶段，根据该检测的结果，实施剩余的处理；此外，所述基板处理装置包括检测所述被处理基板的处理状态后进行缺陷检查的缺陷检查室，所述处理单元内基板挽救处理根据在所述缺陷检查室中检测出的被处理基板的处理状态，检测滞留在所述处理单元内的被处理基板的处理阶段是否是剩余该被处理基板必须要处理的处理阶段，根据该检测结果实施剩余的处理。这样，根据被处理基板的处理履历信息或在缺陷检查室的检查结果，通过实施被处理基板剩余的处理，可以设定该被处理基板最佳的剩余处理时间，所以可以正确地挽救被处理基板。
此外，在所述装置内状态复原工序中，例如也可以实施所述基板处理装置的所述处理单元内和所述输送单元内的各室的清理处理。例如所述基板处理装置的所述处理单元和所述输送单元的各室具有至少可以导入吹扫气体的气体导入系统、通过抽真空和向大气开放的压力调整的排气系统，所述清理处理在所述处理单元和所述输送单元的各室内导入吹扫气体后，可以反复多次进行抽真空和向大气开放的处理。此外，被回收到所述基板收纳容器中的被处理基板检测被处理基板是否是未处理阶段，一旦检测出是未处理阶段，也可以具有对该被处理基板进行再处理的再处理工序。此外所述基板处理装置具有微粒测量室，在使所述被处理基板回收到所述基板收纳容器之前，输送到所述微粒测量室，在该微粒测量室进行所述被处理基板上的微粒量的测量，可以把该测量结果与所述被处理基板相对应，存储到存储装置中。
为了解决所述课题，在本发明的另一方面中，可以提供一种基板处理装置的复原处理方法，是在基板处理装置中，在由于该基板处理装置的工作中产生异常而使工作停止时，在该异常解除后使所述基板处理装置的状态复原的基板处理装置的复原处理方法，而且，所述基板处理装置包括：输送单元，在与收纳被处理基板的放置基板处理容器之间具有进行所述被处理基板的交接的输送室；处理单元，具有将处理所述被处理基板的多个处理室连接在周围的共用输送室以及连接该共用输送室和所述输送单元的输送室的负载锁定室；输送单元侧输送机构，被设置在所述输送单元内，将所述被处理基板向所述负载锁定室送入和取出；和处理单元侧输送机构，被设置在所述处理单元的共用输送室内，将所述被处理基板在所述负载锁定室和所述各处理室之间送入和取出，其中，所述基板处理装置的复原处理方法包括：基板回收工序，对于滞留在所述基板处理装置的所述处理单元和/或所述输送单元的各室内的所述被处理基板，对应于直到所述工作停止时已实施的处理的阶段，进行基板挽救处理，通过所述处理单元侧输送机构和/或所述输送单元侧输送机构，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；和装置内状态复原工序，使所述基板处理装置的各室内的状态复原。
这种情况下，所述基板回收工序若在所述输送单元中检测出被处理基板，则实施向所述基板收纳容器回收的输送单元内的基板挽救处理，若在负载锁定室内检测出被处理基板，则进行该负载锁定室的排气处理后，实施对该被处理基板进行向所述基板收纳容器回收的负载锁定室内的基板挽救处理，若在所述共用输送室检测出被处理基板，就判断该被处理基板的处理阶段是否是未完成处理的阶段，如果是未完成处理的阶段，则实施在剩余的处理室的处理后向所述基板收纳容器回收，如果不是未完成处理的阶段，就实施向所述基板收纳容器回收的共用输送室内的基板挽救处理，若在所述处理室检测出被处理基板，则判断该被处理基板的处理阶段是否是处理中途的阶段，如是处理中途的阶段，就实施在该处理室的剩余的处理后，向所述基板收纳容器回收，如不是处理中途的阶段，就可以实施向所述基板收纳容器回收的处理室内的基板挽救处理。
如采用本发明，在由于基板处理装置的工作中产生异常而工作停止时，可以自动进行使基板处理装置的状态复原的处理，也就是可以自动进行滞留在处理单元和/或所述输送单元的各室内的被处理基板的回收、使在处理单元和/或所述输送单元的各室内的状态复原的处理。这样与现在操作人员用手动进行复原处理相比，可以大幅度节省复原处理的时间和工夫。此外象所说的在输送单元内的基板挽救处理、负载锁定室内的基板挽救处理、共用输送室内的基板挽救处理、处理室内的基板挽救处理那样，通过根据被处理基板滞留的地方进行挽救处理，对应于被处理基板的处理阶段，可以正确地进行挽救处理。这样，可以尽可能多地挽救被处理基板。
此外，所述基板处理装置具有在该基板处理装置的工作中存储被处理基板的处理履历信息的存储装置，所述处理室内基板挽救处理在判断所述处理室内的被处理基板的处理阶段是处理中途的阶段的情况下，根据存储在所述存储装置中的被处理基板的处理履历信息，设定该被处理基板的剩余处理时间，可以对此处理基板只实施此剩余时间的剩余处理，此外所述基板处理装置具有检测所述被处理基板的处理状态后进行缺陷检查的缺陷检查室，所述处理室内的基板挽救处理在判断所述处理室内的被处理基板的处理阶段是处理中途的阶段的情况下，把该被处理基板向所述缺陷检查室输送，在该缺陷检查室中根据被检测了的被处理基板的处理状态，设定该被处理基板的剩余处理时间，可以对该被处理基板只进行此剩余时间的剩余处理。这样根据被处理基板的处理履历信息或在缺陷检查室的检查结果，通过实施被处理基板剩余的处理，可以设定该被处理基板最佳的剩余处理时间，所以可以正确地挽救被处理基板。
此外，在所述装置内状态复原工序中，也可以实施所述基板处理装置的所述处理单元内和所述输送单元的各室内的清理处理。此外，所述基板处理装置的所述处理单元和所述输送单元的各室具有至少可以导入吹扫气体的气体导入系统、通过抽真空和相大气开放的压力调整的排气系统，所述清理处理可以在所述处理单元和所述输送单元的各室内导入吹扫气体后，可以反复多次进行抽真空和向大气开放的处理。此外被回收到所述基板收纳容器中的被处理基板检测被处理基板是否是未处理阶段，若检测出是未处理阶段，则也可以具有对该被处理基板进行再处理的再处理工序。此外，所述基板处理装置具有微粒测量室，在使所述被处理基板回收工序到把所述被处理基板回收到基板收纳容器之前，输送到所述微粒测量室，在该微粒测量室进行所述被处理基板上的微粒量的测量，可以把该测量结果与所述被处理基板相对应，存储到存储装置中。
为了解决所述课题，在本发明另一方面中，提供一种处理被处理基板的基板处理装置，其特征在于，包括：处理单元，由至少包括处理所述被处理基板的多个处理室的多个室所构成；输送单元，被连接在所述处理单元上，具有在与收纳所述被处理基板的基板收纳容器之间，进行所述被处理基板的交接的输送室；输送单元侧输送机构，被设置在所述输送单元内，将所述被处理基板向所述处理单元送入和取出；处理单元侧输送机构，被设置在所述处理单元内，将所述被处理基板向所述处理室送入和取出；和控制装置，由于所述基板处理装置的工作中产生异常工作停止时，在该异常解除后复原所述基板处理装置的状态，其中，所述控制装置包括：基板回收装置，对于滞留在所述基板处理装置的所述处理单元内和/或所述输送单元内的所述被处理基板，对应于直到所述工作停止时实施的处理的阶段进行基板挽救处理，通过所述处理单元侧输送机构和/或所述输送单元侧输送机构，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；和装置内状态复原装置，将所述基板处理装置的所述处理单元内和所述输送单元内的状态复原。
在这样的本发明中，在由于基板处理装置的工作中产生异常而工作停止时，使基板处理装置的状态复原的处理可以自动进行，也就是滞留在所述处理单元内和/或所述输送单元内的被处理基板的回收、处理单元内和/或所述输送单元内的状态复原的处理可以自动进行。这样与现在操作人员用手动进行复原处理相比，可以大幅度节省复原处理的时间和工夫。此外通过对应于被处理基板的处理阶段，进行相应的正确的挽救处理，可以尽可能多地挽救被处理基板。
为了解决所述课题，在本发明的另一方面中，提供一种处理被处理基板的基板处理装置，其特征在于，包括：输送单元，在与收纳所述被处理基板的基板收纳容器之间具有进行所述被处理基板的交接的输送室；处理单元，具有将处理所述被处理基板的多个处理室连接在周围的共用输送室以及连接该共用输送室和所述输送单元的输送室的负载锁定室；输送单元侧输送机构，被设置在所述输送单元的输送室内，将所述被处理基板向所述负载锁定室送入和取出；处理单元侧输送机构，被设置在所述处理单元的共用输送室内，将所述被处理基板在所述负载锁定室和所述各处理室的各室之间送入和取出；和控制装置，在该基板处理装置的工作中产生异常工作停止时，在该异常解除后使所述基板处理装置的状态复原，其中，所述控制装置包括：基板回收装置，对于滞留在所述基板处理装置的所述处理单元内和/或所述输送单元的各室内的所述被处理基板，对应于直到所述工作停止时实施的处理的阶段进行基板挽救处理，通过所述处理单元侧输送机构和/或所述输送单元侧输送机构，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；装置内状态复原装置，将所述基板处理装置的各室内的状态复原。
在这样的本发明中，在由于基板处理装置的工作中产生异常而工作停止时，使基板处理装置的状态复原的处理可以自动进行，也就是滞留在所述处理单元和/或所述输送单元的各室内的被处理基板的回收、处理单元和/或所述输送单元的各室内的状态复原的处理可以自动进行。这样与现在操作人员用手动进行复原处理相比，可以大幅度节省复原处理的时间和工夫。此外通过对应于被处理基板的处理阶段，进行正确的挽救处理，可以尽可能多地挽救被处理基板。
为了解决所述课题，在本发明另一方面中，提供一种程序，一种在由至少包括对从基板收纳容器输送来的被处理基板进行处理的处理室的多各室构成的基板处理装置中，在由于该基板处理装置的工作中产生异常而工作停止时，在该异常解除后进行使所述基板处理装置的状态复原的基板处理装置的复原处理的程序，其中，在计算机中，实施下述处理：基板回收处理，对于滞留在所述基板处理装置的各室内的所述被处理基板，对应于直到所述工作停止时实施的处理的阶段，进行基板挽救处理，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；和装置内状态复原处理，使所述基板处理装置的各室内的状态复原。
此外，所述基板挽救处理例如有基板检测处理，检测出滞留在所述基板处理装置内的所述被处理基板；处理阶段检测处理，对于用所述基板检测处理检测出的被处理基板，检测直到所述工作停止时实施的处理的阶段；基板挽救处理，对于用所述基板检测处理检测出的被处理基板，对应于用所述处理阶段检测处理检测出的处理阶段，实施基板挽救处理。
在这样的本发明中，因基板处理装置的工作中产生异常造成工作停止时，使基板处理装置的状态复原的处理可以通过计算机自动进行，也就是滞留在基板处理装置内的被处理基板的回收和使基板处理装置内的状态复原的处理可以通过计算机自动进行。这样与现在操作人员用手动进行复原处理相比，可以大幅度节省复原处理的时间和工夫。此外对于滞留在基板处理装置内的被处理基板，对应于直到因基板处理装置的异常造成工作停止时实施的处理阶段，进行相应的正确的挽救处理，可以尽可能多地挽救被处理基板。
发明效果：
在本发明中，因基板处理装置的工作中产生异常造成工作停止时，通过自动进行使基板处理装置的状态复原的处理，可以节省复原处理的时间和工夫。此外，对于滞留在基板处理装置内的被处理基板，对应于直到因基板处理装置的异常造成工作停止时实施的处理阶段，进行相应的正确的挽救处理，可以尽可能多地挽救被处理基板。
附图说明
图1是表示本发明实施方式的基板处理装置结构的截面图。
图2是表示图1所示控制部的构成例的框图。
图3是表示图2所示晶片收容信息的具体例的图。
图4是表示图2所示晶片处理履历信息的具体例的图。
图5是表示同一个实施方式的复原处理的具体例的流程图。
图6是表示图5所示的输送单元内的晶片挽救处理的具体例的流程图。
图7是表示图5所示的负载锁定室内的晶片挽救处理的具体例的流程图。
图8是表示图5所示的共用输送室内的晶片挽救处理的具体例的流程图。
图9是表示图8所示的对处理没有完成的晶片的处理的具体例的流程图。
图10是表示图5所示的处理室内的晶片挽救处理的具体例的流程图。
图11是表示图10所示的对处理中途的晶片的处理的具体例的流程图。
图12是表示晶片的处理工序的图，此图(a)是表示在处理室内的稳定工序中途基板处理装置停止工作的情况的图，此图(b)是表示在处理室内的稳定工序中途基板处理装置停止工作的情况下的晶片W的剩余处理的图。
图13是表示晶片的处理工序的图，此图(a)是表示在处理室内的蚀刻工序中途基板处理装置停止工作的情况的图，此图(b)是表示在处理室内的蚀刻工序中途基板处理装置停止工作的情况下的晶片W的剩余处理的图。
图14是表示晶片的处理工序的图，此图(a)是表示在处理室内的结束工序中途基板处理装置停止工作的情况的图，此图(b)是表示在处理室内的结束工序中途基板处理装置停止工作的情况下的晶片W的剩余处理的图。
标号说明
100 基板处理装置
110 处理单元
120 输送单元
130 输送室
131 (131A～131C)盒台
132 (132A～132C)盒容器
133 (133A～133C)闸阀
134 微粒测量室
135 载物台
135a 晶片传感器
136 定位器
138 旋转载物台
138a 晶片传感器
139 光学传感器
140 (140A～140F)处理室
142 (142A～142F)载物台
144 (144A～144F)闸阀
150 共用输送室
164M、164N 交接台
165M、165N 晶片传感器
170 输送单元侧输送机构
172 基座
173a、173b 晶片传感器
173A、173B 拾取器
174 导轨
176 线性电动机驱动机构
180 处理单元侧输送机构
182 基座
183a、183b 晶片传感器
183A、183B 拾取器
184 导轨
186 臂机构
188 (188A～188F)晶片传感器
189 位置传感器
200 控制部
210 CPU
220 ROM
230 RAM
240 计时装置
250 显示装置
260 输入输出装置
270 通报装置
280 各种控制器
290 存储装置
292 晶片收容信息
194 晶片处理履历信息
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。在本说明书和附图中，对实际具有相同功能结构的构成要素，标注同一符号，并省略重复的说明。
(基板处理装置的构成例)
首先，参照附图对本发明的实施方式的基板处理装置进行说明。图1是表示本发明的实施方式的基板处理装置的简要结构的图。该基板处理装置100包括：对被处理基板例如对半导体晶片(下面均简称为“晶片”)W进行成膜处理、蚀刻处理等各种处理的多个处理单元110，以及将晶片W向该处理单元110送入或者取出的输送单元120。
首先，对输送单元120的构成例进行说明。如图1所示，输送单元120具有在基板收纳容器例如后面叙述的盒容器132(132A～132C)和处理单元110之间，送入或者取出晶片的输送室130。输送室130形成为截面大体呈多角形的箱体形状。构成输送室130上的截面大体为多角形的长边的一个侧面上，并列设置有多个盒台131(131A～131C)。这些盒台131A～131C构成为可以分别放置作为基板收纳容器的一个例子的盒容器132A～132C。
在各盒容器132(132A～132C)中，例如可以等间隔地多层放置并收容有最多25块晶片W，内部成为由N2气体氛围充满的密封结构。输送室130构成为能够通过闸阀133(133A～133C)向内部送入和取出晶片W。此外，盒台131和盒容器132的数量并不限定于图1所示的情况。
在所述输送室130一个侧面上配置有微粒测量室(Particle Monitor)134。微粒测量室134具有放置晶片W的载物台135，构成为可以测量附着于放置在该载物台135上的晶片W上的附着物等微粒量。其中，微粒测量室134内的结构可以使用众所周知的结构，这里省略了对该结构的详细说明。在微粒测量室134的载物台135上配置有可以检测晶片W是否放置在载物台135上的晶片传感器135a。晶片传感器135a例如可以由众所周知的拾波传感器(pickup sensor)构成。
在通过这样的微粒测量室134测量晶片W上的微粒量时，例如可以通过输送单元侧输送机构170将想要测量微粒量的晶片W送入微粒测量室134，直接对附着在该晶片W上的微粒量进行测量。根据该微粒量的测量结果，判断是否是可以再处理的晶片W。
此外，在测量输送单元120、共用输送室150、负载锁定室160M、160N、各处理室140A～140F等各室内的微粒量时，可以通过区别于进行晶片处理的晶片的、另外的微粒测量用晶片进行测量。具体地说，例如假设在盒容器132C中收纳有微粒测量用晶片，将微粒测量用晶片从盒容器132C暂时送到要测量微粒量的室，等待经过规定的时间。然后，在经过规定时间后，使微粒测量用晶片返回到微粒测量室134，在微粒测量室134内对附着在微粒测量用晶片上的微粒量进行测量。
后面叙述的控制部200连接在微粒测量室134上，测量后的微粒量等测量结果被发送到控制部200，例如作为记录被存储在设置于控制部200内的存储装置290和存储器等中。
在所述输送室130的端部、即构成截面大体呈多角形的短边的一个侧面上，设置有作为在内部具有旋转载物台138和对晶片W的周边部位进行光学检测的光学传感器139的定位器(予定位载物台)136。通过该定位器136例如检测晶片W的定位平面和缺口等并进行定位。在旋转载物台138上配置有可以检测在该旋转载物台138上是否放置晶片W的晶片传感器138a。晶片传感器138a例如由众所周知的拾波传感器构成。
在所述输送室130内设置有沿长度方向(图1所示的箭头方向)输送晶片W的输送单元侧输送机构(输送室内输送机构)170。固定输送单元侧输送机构170的基座172可滑动地被支撑在沿着长度方向设置在输送室130内的导轨174上。在该基座172和导轨174上分别设置有线性电动机的可动部件和固定部件。在导轨174的端部设置有用于驱动该线性电动机的线性电动机驱动机构176。控制部200连接在线性电动机驱动机构176上。因此，根据来自控制部200的控制信号，线性电动机驱动机构176驱动，使得输送单元侧输送机构170与基座172一起沿着导轨174向箭头方向移动。
输送单元侧输送机构170由具有两个拾取器(pick)173A、173B的双臂机构构成，可以一次取两块晶片。因此，例如在向盒容器132、定位器136、各负载锁定室160M、160N等送入或者取出晶片时，能够以交换晶片的方式送入或者取出。在输送单元侧输送机构170的拾取器173A、173B上分别设置有可以检测是否夹持住晶片W的晶片传感器173a、173b。晶片传感器173a、173b可以分别例如由众所周知的拾波传感器构成。其中，处理单元侧输送机构180的拾取器的个数不限定于所述的情况，例如也可以是只有一个拾取器的单臂机构。
下面，对处理单元110的构成例进行说明。例如在组合台型的基板处理装置的情况下，如图1所示，处理单元110构成为在形成矩形(例如六角形)的共用输送室150的周围，气密性连接有对晶片W例如实施成膜处理(例如等离子体CVD处理)和蚀刻处理(例如等离子体蚀刻处理)等规定处理的多个处理室140(第一～第六处理室140A～140F)、以及负载锁定室160M、160N。
各处理室140A～140F对晶片W例如实施同种处理或不同种处理。在各处理室140(140A～140F)内分别设置有用于放置晶片W的载物台142(142A～142F)。其中，处理室140的个数不是限定于图1所示的情况。
在各处理室140A～140F中，根据表示预先存储在控制部200的存储装置290等中的处理工序等的处理方法等的晶片处理信息，在各处理室140A～140F实施规定的处理。晶片处理信息因晶片的处理种类和条件而不同。作为在晶片W上实施工序处理，例如实施蚀刻处理的情况下的晶片的处理信息，例举了图12所示的处理工序。
图12所示的处理工序由稳定工序、蚀刻工序(处理工序)、结束工序构成。其中所谓的稳定工序是后续的蚀刻处理工序中，为了对晶片W实施蚀刻处理，调整处理室140内的状态的工序。在稳定工序中，例如包括在将晶片W放置在载物台142上后进行的处理室140内的抽真空的工序；导入规定的处理气体的工序；等离子体化工序，在兼作载物台142用的下部电极等的电极上施加规定的高频电，进行等离子体化，使此等离子体状态稳定。所谓蚀刻处理工序是在所述等离子体状态中进行规定时间的蚀刻处理的工序。所谓结束工序是调整在刚刚的蚀刻工序中的实施蚀刻处理后的处理室140内的状态的工序。在此结束工序中，例如包括使刚才的蚀刻处理工序中的蚀刻处理在终点结束的终点工序。此外这样的晶片W的处理工序不是限定为本具体的例子。
所述共用输送室150具有在所述的各处理室140A～140F之间或各处理室140A～140F和各第一、第二负载锁定室160M、160N之间、将晶片W送入或者取出的功能。共用输送室150形成为多角形(例如六角形)，各处理室140(140A～140F)分别通过闸门144(144A～144F)连接在其周围，同时第一、第二负载锁定室160M、160N的前端分别通过闸门(真空一侧闸门)154M、154N连接在其周围。第一、第二负载锁定室160M、160N的底端分别通过闸门(大气一侧闸门)162M、162N而连接在构成输送室130上的截面大体为多角形的长边的另一个侧面上。
第一、第二负载锁定室160M、160N具有临时保存晶片W而调整压力后，通向下一阶段的功能。在各第一、第二负载锁定室160M、160N内部分别设置可以放置晶片W的交接台164M、164N。在此交接台164M、164N上设置有可以检测是否把晶片W放置在此交接台164M、164N上的晶片传感器165M、165N。晶片传感器165M、165N例如分别由众所周知的拾波传感器构成。
第一、第二负载锁定室160M、160N构成为可以吹扫残留物等的微粒和真空排气。具体地说，第一、第二负载锁定室160M、160N分别设置有排气系统，将干燥泵等的真空泵连接在例如具有排气阀(排气控制阀)的排气管；和气体导入系统，将气体导入源连接在具有吹扫阀(吹扫气体控制阀)的气体导入管上。这样的吹扫阀通过控制排气阀等，来进行通过反复导入吹扫气体的抽真空和向大气开放的清理处理和排气处理。
此外，所述共用输送室150和各处理室140A～140F也可以构成为能够吹扫残留物等微粒和真空排气。例如，在所述共用输送室150中，配置有上述那样的导入吹扫气体的气体导入系统和可以抽真空的排气系统，在各处理室140A～140F中，配置有也可以导入除了所述吹扫气体以外的处理气体的气体导入系统和可以抽真空的排气系统。
在这样的处理单元110中，如上述那样，在共用输送室150和各处理室140A～140F之间以及共用输送室150和所述各负载锁定室160M、160N之间分别可开闭地构成气密状态，成为组合台，根据需要可以连通共用输送室150内。此外，在所述第一、第二负载锁定室160M、160N和所述输送室130之间，也可以分别可开闭地构成气密状态。
在共用输送室150内设置有例如由结构上可以弯曲、升降、旋转的多关节臂构成的处理单元侧输送机构(共用输送室内输送机构)180。该处理单元侧输送机构180被支撑在基座182上，可以自由旋转。基座182构成为在从共用输送室150内的底端一侧直到前端一侧配置的导轨184上、例如通过臂机构186可以自由滑动。若采用这样构成的处理单元侧输送机构180，则通过使该处理单元侧输送机构180沿导轨184滑动，而可以在各负载锁定室160M、160N和各处理室140A～140F中进行存取。
例如使处理单元侧输送机构180在与各负载锁定室160M、160N以及相面对配置的处理室140A、140F进行存取时，使处理单元侧输送机构180沿导轨184位于靠近共用输送室150的底端一侧。此外，使处理单元侧输送机构180在处理室140B～140E中进行存取时，使处理单元侧输送机构180沿导轨184位于靠近共用输送室150的前端一侧。因此，利用一个处理单元侧输送机构180，可以在连接在共用输送室150上的全部负载锁定室160M、160N和各处理室140A～140F中进行存取。处理单元侧输送机构180具有两个拾取器183A、183B，可以一次取两块晶片。处理单元侧输送机构180的拾取器183A、183B分别设置有可以检测是否夹持住晶片W的晶片传感器183a、183b。晶片传感器183a、183b可以分别例如由众所周知的拾波传感器构成。
此外，处理单元侧输送机构180的结构不限定为所述的结构，也可以由两个输送机构构成。例如，可以在共用输送室150靠近底端一侧设置有由结构上可弯曲、升降、旋转的多关节臂构成的第一输送机构，在共用输送室150靠近前端一侧设置有由结构上可弯曲、升降、旋转的多关节臂构成的第二输送机构。此外，处理单元侧输送机构180的拾取器个数不限定为两个的情况，例如也可以是仅有一个拾取器的输送机构。
在共用输送室150内，在各处理室140(140A～140F)的闸阀144(144A～144F)的前面部位，分别配置可以检测晶片W是否被送入或取出各处理室140(140A～140F)的晶片传感器188(188A～188F)。此外，在共用输送室150前端一侧设置有用于进行通过处理单元侧输送机构180输送的晶片W的位置修正的位置传感器189。此外，晶片W的位置修正的具体例在后面叙述。这些晶片传感器188A～188F、位置传感器189例如分别由众所周知的拾波传感器构成。
在所述基板处理装置100中设置有控制部200，包括所述输送单元侧输送机构170、处理单元侧输送机构180、各闸阀133、144、154、162、定位器136、微粒测量室134等的控制，对基板处理装置整体的动作进行控制。
(构成控制部的例子)
在此，参照附图对所述控制部200的具体结构的例子进行说明。图2是表示控制部200的具体结构的例子的框图。如图2所示，控制部200包括：构成控制部主体的CPU(中央处理器)210、存入用于CPU210控制各部分的程序数据(例如晶片W的处理和后面叙述的复原处理的程序数据)等的ROM(只读存储器)220、设置用于CPU210进行的各种数据处理的存储区等的RAM(随机存储器)230、用计时的计数器等构成的计时装置240、用显示操作画面和选择画面等的液晶显示器等构成的显示装置250、可以进行输入和编辑操作人员的处理方法等各种数据的输入和向规定的存储介质输出处理方法和处理记录等各种数据输出的输入输出装置260、在基板处理装置100产生漏电等异常时通报的报警器(例如蜂鸣器)等的通报装置270、用于控制基板处理装置100的各部分的各种控制器280、和硬盘(HDD)等的存储装置290。
通过控制母线、系统母线、数据母线等的总线与所述CPU210、ROM220、RAM230、计时装置240、显示装置250、输入输出装置260、通报装置270、各种控制器280、存储装置290进行电连接。
在所述存储装置290中，存储例如是否向盒容器132(132A～132C)收容各晶片W等的晶片收容信息292、各晶片W的处理到什么阶段等的晶片处理履历信息(例如处理记录)294。
在此，参照图3对所述晶片收容信息292的具体例进行说明。如图3所示，晶片收容信息292包括容器名称、系列编号、晶片ID、晶片收容状况、复原处理、晶片处理状况等的项目。容器名称的项目是用于指定盒容器的。晶片收容信息292是用于在每个盒容器中存储。例如若是图1所示的基板处理装置100，则表示盒容器132A～132C的类别。
系列编号的项目是用于指定一块块收容晶片W的盒容器132内的晶片收容层的项目。例如，在一个盒容器132中能够收容25块晶片W的情况下，系列编号为1～25。晶片ID的项目是用于表示收容盒容器132内的各批中的晶片W的晶片ID的项目。其中所说的晶片ID是在晶片W处理前由操作人员赋予的ID，例如在处理前对收容盒容器132中的晶片W，操作人员用输入输出装置260通过规定的操作来进行设定。晶片收容状况的项目是表示晶片W是否收容盒容器132的晶片收容层的项目。在图3所示的例子中，“有”的情况表示收容晶片W，“无”的情况表示没有收容晶片W。
复原处理的项目是用于表示盒容器132的各晶片W是否是进行了后面叙述的复原处理的晶片W的项目。其中，所说的复原处理是例如在基板处理装置100产生漏电等异常而停止工作的情况下，异常解除后使基板处理装置100的状态复原的处理。在图3所示的例子中，“有”的情况是表示进行了复原处理的晶片W，“无”的情况是表示没有进行复原处理的晶片W。晶片处理状况的项目是用于表示盒容器132的各晶片W的现在处理状况(处理阶段)的项目。在图3所示的例子中，“处理完成”表示晶片W必要的处理全部完成，“没有处理”表示晶片W必要的处理完全没有进行。此外，“复原处理中”表示现在正在进行复原处理。
若采用这样的晶片收容信息292，则除了晶片W向收容盒容器132的收容状况以外，还可以掌握有无复原处理、晶片W的处理状况。此外，若将这样的晶片收容信息292由操作人员通过输入输出装置260的操作，在显示装置250上显示，则操作人员也可以看到这些晶片收容信息。这种情况下如图3所示，进行了复原处理的晶片W用斜线表示，其中对于复原处理中的晶片W也可以用深斜线表示。这样可以容易地判断是否是复原处理的晶片W，例如在此后的晶片W的检查等中可以有效地利用。
此外，晶片收容信息292不限定于图3所示的项目，也可以增加项目数，此外，若至少就晶片收容状况分开，则未必要设置复原处理、晶片处理状况的项目。
下面参照图4对所述晶片处理履历信息294的具体例进行说明。如图4所示，晶片处理履历信息294包括容器名称、系列编号、晶片ID、处理编号、晶片的处理阶段、经过时间等的项目。容器名称、系列标号、晶片ID的各项目分别与图3所示的相同，所以省略了详细的说明。
处理编号的项目是用于表示将晶片W实施的处理阶段赋予编号的项目。晶片处理阶段的项目是用于表示晶片W实施的各处理阶段的项目。经过时间的项目是用于表示各处理阶段的时间信息的项目。在图4所示的例子中，例如表示晶片W的处理开始时间(STARTTIME)、向各室送入晶片W的时间(IN)、从各室将晶片W取出的时间(OUT)。此外，在处理阶段的中途基板处理装置100的工作停止的情况下，表示停止时间(STOPTIME)。在图4所示的例子中，可以看出第一处理室140A的蚀刻工序的中途，基板处理装置100的工作停止的情况。
此外，这样的晶片处理履历信息294根据例如设置在各室中的晶片传感器135a、138a、165M、165N、188A～188F和设置在各输送机构170、180中的晶片传感器173a、173b、183a、183b的晶片W的检查结果、处理方法等的晶片处理信息、计时装置240的计时时间等来确定。例如晶片W向定位器136送入或取出的时间根据晶片传感器138a检测出晶片W的时间来确定。此外，晶片W向负载锁定室160M、160N送入或取出的时间根据用晶片传感器165M、165N检测出晶片W的时间来确定。晶片W向第一～第六处理室140A～140F送入或取出的时间根据用晶片传感器188A～188F检测出晶片W的时间来确定。
若采用这样的晶片处理履历信息294，则除了晶片W在(滞留)哪个室的定位信息、有关处理阶段的时间信息以外，还可以掌握在基板处理装置100的工作停止时的晶片W的定位信息和处理阶段信息。此外，关于复原处理的处理阶段也通过加在晶片处理履历信息294，而可以掌握复原处理实施到哪个处理阶段。
此外，若通过由操作人员的输入输出装置260的操作，使这样的晶片处理履历信息294在显示装置250上显示，则操作人员也可以看到这些晶片处理履历信息294。此外，晶片处理履历信息294并不限定在图4所示的项目。
除了所述这样的晶片收容信息292、晶片处理履历信息292以外，使基板处理装置100工作对晶片进行处理所需要的信息等被存储在存储装置290中。例如存储在微粒测量室134测量的测量结果的微粒测量结果信息、用于在各处理室140(140A～140F)处理晶片W需要的处理方法等的晶片处理信息也被存储在存储装置290中。控制部200的CPU210根据存储在存储装置290中的晶片处理信息，控制在各处理室140A～140F对晶片W的处理。
(基板处理装置的动作)
下面，对如上述那样构成的基板处理装置的动作进行说明。基板处理装置100根据上述那样的控制部200的CPU210的程序工作，在各晶片W的每个处理阶段制作成晶片处理履历信息(例如处理方法)294，存储在存储装置290中。
例如，利用输送单元侧输送机构170从盒容器132A～132C中的某一个输送来的晶片W被输送到定位器136，转移到定位器136的转动载物台138，在此被定位。被定位的晶片W从定位器136送出，送入负载锁定室160M或160N内。此时，必须的全部处理已完成的结束处理晶片W若在负载锁定室160M或160N，则取出处理完的晶片W后，送入未处理的晶片W。
送入负载锁定室160M或160N的晶片W，通过处理单元侧输送机构180从负载锁定室160M或160N取出，将该晶片W送入处理的处理室140实施规定的处理。然后，完成在处理室140的处理的处理后的晶片W通过处理单元侧输送机构180从处理室140取出。这种情况下，在该晶片W需要连续在多个处理室140进行处理的情况下，将该晶片W送入进行下一个处理的其它处理室140，实施在该处理室140的处理。
这样完成了全部需要处理的处理后的晶片返回到负载锁定室160M或160N。返回到负载锁定室160M或160N的处理后的晶片W通过输送单元侧输送机构170返回到原来的盒容器132A～132C。
而为了提高各处理室140的处理的效率，希望使晶片W尽可能靠近处理室140待机，所以，在处理室140的正在进行处理期间，也要顺序地从盒容器132取出晶片W，使这些晶片W在共用输送室150、负载锁定室160M或160N、定位器136等待机。若在处理室140完成一块晶片W的处理，则直接返回到原来的盒容器132，将所述各待机中的晶片W顺序输送，在共用输送室150待机的下一块晶片W直接送入处理室140。
在这样的基板处理装置100的工作中，若基板处理装置100中产生故障、停电、漏电等的异常，则基板处理装置100例如就断电而停止工作。若基板处理装置100的工作停止，则例如各处理室140A～140F内正在处理的晶片处理在中途被中断，原封不动地滞留在处理室140A～140F内。此外，在输送单元120内(例如输送室130内、定位器136内、微粒测量室134内)以及处理单元110内(例如共用输送室150内、负载锁定室160M、160N内)等中待机的晶片W原封不动地滞留在各室内。
在本实施方式的基板处理装置100中，在如所述那样因产生异常而使基板处理装置100的工作停止的情况下，在该异常解除后，若重新使基板处理装置100投入电源，就自动进行下面说明的复原处理。
(复原处理)
在此，对基板处理装置100的复原处理进行说明。基板处理装置100的复原处理利用控制部200的CPU210，按照存储在ROM220或存储装置290等中的程序来实施。
本实施方式的复原处理可以主要分为：基板回收处理(基板回收工序)，对晶片W进行规定的晶片挽救处理(基板挽救处理)，如盒容器132回收；装置内状态复原处理(装置内状态复原工序)，复原基板处理装置100的各室内的状态。下面，分别对各自的处理进行说明。
(复原处理中的基板回收处理)
首先，对基板回收处理进行说明。在基板回收处理中，对滞留在基板处理装置100的各室中的晶片W，对应于直到基板处理装置100的工作停止时(以下也简单称为工作停止时)实施的处理阶段，进行相应的挽救处理(基板挽救处理)，将该晶片W返回到输送始点的盒容器132。例如对基板处理装置100内的晶片W，对应于工作停止时晶片W滞留的室，进行相应的挽救处理。若从大局的观点看，则根据晶片W滞留的室不同，对于该晶片W直到工作停止处理到哪个阶段这样的晶片处理阶段是不同的。例如滞留在输送单元120内的晶片W是从盒容器132取出，然后要向处理单元输送的没有处理阶段，或是已经完成全部需要的处理，从处理单元110返回的处理完成阶段。与此相反，滞留在共用输送室150内的晶片W除了是没有处理阶段的晶片和处理完成阶段的晶片以外，还存在有是还剩下在其它处理室的处理的处理没有完成阶段的晶片的可能性。因此，这样通过对应于晶片W滞留的室进行相应的挽救处理，可以对应于晶片W的处理阶段进行恰当的挽救处理。
作为这样的晶片挽救处理，例如滞留在输送单元120内(例如输送室130内、定位器136内、微粒测量室134内等)的晶片W由于可以认为是处理还完全没有进行的未处理的晶片W、或已经完成全部需要的处理的处理完成的晶片W，所以这些晶片W直接返回输送始点的盒容器132也没有问题。因此，处于这样的输送单元120内的晶片W基板上原封不动地返回到输送始点的盒容器132中。
与此相反，滞留在处理单元110内(例如各处理室140A～140F、共用输送室150内、负载锁定室160M、160N内)的晶片W除了是没有处理阶段的晶片和处理完成阶段的晶片以外，还存在有是还剩下没有处理阶段的晶片的可能性。例如在处理室140内，例如存在有在蚀刻工序等的处理中途被中断的处理中途阶段的晶片W(处理中途的晶片)在此状态下滞留的可能性。此外，在共用输送室150内，是要在多个处理室140的处理的晶片W，也存在滞留有剩下在其它的处理室的处理，还没有全部处理完的处理没有完成阶段的晶片W(处理没有完成的晶片)的可能性。例如假设存在有需要连续在第一～第六处理室140A～140F处理的晶片，存在有对于该晶片W完成了在第一～第五处理室140A～140E的处理，从处理室140E取出，在共用输送室150内等待在剩余的第六处理室140F的处理的状态下，基板处理装置100工作停止的情况。
如果假设对于这样处理中途的晶片W和处理没有完成的晶片W也与上述相同，直接回收到盒容器132中，则有时就变成不能挽救这些晶片W。例如如聚类的过程处理等那样，因在中途被中断的处理，若被回收到原来的盒容器132中，则由于该晶片W暴露在大气中，而不能对该晶片W进行剩余的处理(例如剩余的蚀刻处理等)，有时挽救晶片本身变得不可能。因此，对于这样的在处理单元110内的晶片W基板上实施剩余的处理，处理完成后再回收到输送始点的盒容器132中。
对晶片W进行剩余的处理的情况要先实施稳定工序，调整处理室140内的状态。例如在对处理室140的晶片W进行剩余的蚀刻处理的情况下，进行了处理室140内的排气处理后，进行抽真空，使处理室140内的压力为规定的压力，重新导入处理气体，施加高频电，恢复等离子体。作为处理室140的排气处理可以例举的有：例如导入N2气体和惰性气体等的吹扫气体，向大气开放，使此向大气开放和抽真空反复规定的次数的循环吹扫等。例如在处理气体使用腐蚀性气体(例如氯气、氯化氢等)的情况下，可以将导入N2气体等的稀释气体的循环吹扫作为酸排气处理来实施。
这样，在本实施方式中，在因漏电等异常造成基板处理装置的工作停止的情况下，通过进行对应于滞留有晶片W的基板处理装置100的各室的挽救处理，可以对应于晶片W的处理阶段，进行相应的挽救处理，所以可以正确地挽救晶片W。进行所述挽救处理的情况的各室的顺序优选的是从，处于靠近输送始点的和容器132的室晶片W开始，实施基板挽救处理。例如优选的是输送单元120、负载锁定室160、共用输送室150、处理室140的顺序。这样由于可以顺利进行晶片W的回收，所以可以实现有效的复原处理。
此外，在进行基板挽救处理的情况下，需要检测在各室(例如输送单元120、负载锁定室160、共用输送室150、处理室140)的内部是否滞留有晶片W。作为这样的晶片检测方法，可以根据例如图4所示的晶片处理履历信息294中所存储的晶片处理阶段，检测处理单元110内、输送单元120内的哪个室滞留有晶片W。
此外，也可以在输送单元120的微粒测量室134、定位器136、输送室130中，根据各室的晶片传感器135a、138a、输送单元侧输送机构170的传感器173a、173b检测晶片W。此外，在处理单元110的各负载锁定室160M、160N、共用输送室150中，根据各室的晶片传感器165M、165N、处理单元侧输送机构180的晶片传感器183a、183b检测晶片W。
而且此外，也可以利用输送单元侧输送机构170和处理单元侧输送机构180，通过晶片W的送入或取出的动作来检测是否滞留有晶片W。例如在处理室140A～140F中，利用处理单元侧输送机构180，通过晶片W的送入或取出的动作，根据对应于各室的共用输送室的晶片传感器188A～188F和处理单元侧输送机构180的晶片传感器183a、183b，检测在处理室140A～140F内是否滞留有晶片W。
(复原处理中的装置内状态复原处理)
下面，对所述复原处理中的装置内状态复原处理进行说明。这里的装置内状态复原处理是例如通过对输送单元120内、共用输送室150内、负载锁定室160M、160N内、各处理室140A～140F内等的各室实施清理处理，使各室内成为可以实施晶片W的处理的复原处理。作为对各室的清理处理，例如导入N2气体等的吹扫气体，进行使抽真空和向大气开放重复规定次数的清理处理(例如NPPC：Non-PlasmaParticle Cleaning)。在此的清理处理中不仅是向大气开放时，在抽真空时也继续导入吹扫气体。如采用这样的清理处理，则可以去除在各室内漂浮的微粒(例如附着物、灰尘、废渣等)。此外，通过反复抽真空和向大气开放，附着在各室的壁面和各室内所配置的部件等上的微粒也剥落，强制漂浮，也可以将它们去除。
此外，作为基板处理装置100的各室的清理处理，不限定于所述的方法，可以进行众所周知的清理处理。例如可以使用利用等离子体的清理处理。
(复原处理的具体例)
下面，例举具体的例子对上述那样的复原处理进行更详细地说明。图5是表示本实施方式的基板处理装置的复原处理的具体例的主程序的流程图。
在图5所示的复原处理中，作为基板回收处理，首先在S110～S150步骤和S200～S500步骤进行对应于滞留晶片W的各室的晶片挽救处理(基板挽救处理)，使滞留在各室的晶片W回收到输送始点的盒容器132中。也就是作为输送单元内基板挽救处理，在S110步骤中判断在输送单元120内有晶片W的情况下，在S200步骤中进行输送单元120内的晶片挽救处理。此外，作为处理单元内基板挽救处理，在S120步骤中判断在负载锁定室160内有晶片W的情况下，在S300步骤中进行负载锁定室160内的晶片挽救处理(负载锁定室内基板挽救处理)，在S130步骤中判断在共用输送室150内有晶片W的情况下，在S400步骤中进行共用输送室150内的晶片挽救处理(共用输送室内基板挽救处理)，在S140步骤中判断在处理室140内有晶片W的情况下，在S500步骤中进行处理室140内的晶片挽救处理(处理室内基板挽救处理)。下面，对这些晶片挽救处理的具体例进行说明。
(输送单元内的晶片挽救处理)
首先，参照图6对输送单元内的晶片挽救处理(S200步骤)的具体例进行说明。图6是表示输送单元内的晶片挽救处理的子程序的流程图。作为输送单元120内的晶片W，例如除了在输送室130内以夹持在输送单元侧输送机构170上的状态滞留的晶片W以外，考虑滞留在定位器136内和微粒测量室134内的晶片W，所以这些晶片W成为输送单元120内的挽救处理的对象。
在图6所示的输送单元内的晶片挽救处理中，首先在S210步骤中将滞留在输送单元120内的晶片W例如用输送单元侧输送机构170送入微粒测量室134。此时，对于在输送室130内的晶片W，也就是对于在输送单元侧输送机构170的拾取器上的晶片W，直接送入微粒测量室134。对于在定位器136内的晶片W，用输送单元侧输送机构170从定位器136取出，送入微粒测量室134。在这种情况下，在微粒测量室134已经滞留晶片W的情况下，先对该晶片W实施微粒测量后，将该晶片W返回到输送始点的盒容器132中。
然后，在S220步骤中测量在送入微粒测量室134的晶片W上附着的微粒量(微粒测量)，在S230步骤中，将该测量的结果例如作为微粒测量结果信息的记录存储到控制部200的存储装置290中。然后，在S240步骤中，用输送单元侧输送机构170将晶片W从微粒测量室134取出，返回到输送始点的盒容器132中。一旦完成这样的一系列输送单元120内的晶片挽救处理，返回到图5所示的主程序。
若采用这样的输送单元120内的晶片挽救处理，则滞留在输送单元120内的全部晶片W在进行了微粒测量后，被回收到输送始点的盒容器132中。这样做是因为如假设晶片W滞留在输送单元120内，这样的晶片W的处理阶段是还没有进行处理的未处理阶段，或已经全部完成处理的处理完成阶段，所以这些晶片W即使直接回收也没有问题。因此，在输送单元120内的晶片挽救处理中，只要检测存在于输送单元120内，就知道晶片W的处理阶段，所以未必要例如从晶片处理履历信息294检测晶片W的处理阶段。
此外，滞留在输送单元120内的晶片W在回收到盒容器132中之前，进行微粒测量，其结果被存储到记录等中。因此根据微粒量的测量结果，可以判断被回收到盒容器132中的晶片W是否可以进行再处理。
(负载锁定室内的晶片挽救处理)
下面，参照图7对负载锁定室160内的晶片挽救处理(S300步骤)的具体例进行说明。图7是表示负载锁定室160内的晶片挽救处理的子程序的流程图。在图1所示的基板处理装置100中，由于有两个负载锁定室160M、160N，用于这样的基板处理装置100上的图7所示的处理表示晶片W滞留在这些负载锁定室160M、160N中的负载锁定室160的处理。
在图7所示的负载锁定室内的晶片挽救处理中，首先，在S310步骤中，将晶片W放置在负载锁定室160不动，进行负载锁定室160内的排气处理。作为排气处理，例如控制负载锁定室160的排气系统和气体导入系统，同时使抽真空和向大气开放重复规定次数，进行在向大气开放时导入吹扫气体(例如N2气体)的所述循环吹扫。
然后，在S320步骤中，将位于负载锁定室160内的晶片W用输送单元侧输送机构170送入微粒测量室134。具体地说，进行将负载锁定室160向大气开放等的压力调整后，通过输送单元侧输送机构170将该晶片W取出，并送入微粒测量室134。此后，在S330步骤中，进行微粒测量，在S340步骤中，将其测量结果存储到例如记录等中。此后，在S350步骤中，通过输送单元侧输送机构170将晶片W从微粒测量室134取出，返回到输送始点的盒容器132中。若完成这样的一系列负载锁定室160内的晶片挽救处理，则返回到图5所示的主程序。
若采用这样的负载锁定室160内的晶片挽救处理，则滞留在负载锁定室160内的全部晶片W与输送单元120内的晶片W相同，进行微粒测量后，被回收到输送始点的盒容器132中。这样做是因为假设晶片W滞留在负载锁定室160内，则该晶片W的处理阶段与输送单元120内的晶片W相同，是没有处理阶段或者处理完成阶段，所以这些晶片W即使直接回收也没有问题。
但是，在从负载锁定室160取出晶片W之前，进行负载锁定室160的排气处理(例如循环吹扫)。这是由于担心在负载锁定室160中，来自处理室140的处理气体残留在晶片W上。此外，也担心在负载锁定室160进行抽真空的中途，在基板处理装置100的工作停止的情况下，废渣和灰尘从排气一侧逆流。通过进行负载锁定室160的排气处理，可以除去这些残留的处理气体、废渣、灰尘等。此外，作为处理气体使用腐蚀性气体(例如氯气、氯化氢等)进行晶片W的处理的情况下，也可以将所述排气处理作为负载锁定室160内的酸排气处理来进行。因此，由于可以防止腐蚀性气体流向输送单元120一侧，所以可以防止输送单元120的构成部件和输送单元侧输送机构170等的腐蚀。
(共用输送室内的晶片挽救处理)
下面，参照图8对共用输送室150内的晶片挽救处理(S400步骤中)的具体例进行说明。图8表示共用输送室150内的晶片挽救处理的子程序的流程图。在共用输送室150内，除了在任何处理室140也没有进行处理的未处理晶片W以外，有可能存在在一个以上的处理室140中滞留已经完成处理的处理后的晶片W。此外，在所述处理后的晶片W中，不仅是在需要的全部处理室140中完成处理的处理完成晶片，而且还有需要连续在多个处理室140的处理的晶片W，还包括在其它处理室140的处理还没有完成的处理没有完成的晶片W。因此，在共用输送室150内的晶片挽救处理中，检测这样的晶片W的处理阶段，对应于其处理阶段进行相应的晶片挽救处理。
在图8所示的共用输送室内的晶片挽救处理中，首先，在S410步骤中，判断处于共用输送室150内的晶片W是否是处理没有完成的晶片W。具体地说，例如通过图4所示的晶片处理履历信息294检测位于共用输送室150内的晶片W的处理阶段，判断该晶片W的处理阶段是否是处理没有完成的阶段。例如是需要在第一处理室140A和第二处理室140B中的处理的晶片W，该晶片W的晶片处理阶段例如是在第一处理室140A的处理完成后的在共用输送室150内停止的情况下，由于还没有实施第二处理室140B中的处理，所以可以判断该晶片W是处理没有完成的阶段。
在所述S410步骤中，判断位于共用输送室150内的晶片W是处理没有完成的晶片W的情况下，在S420步骤中对处理没有完成的晶片W进行处理后，进入S430步骤中的处理。其中，对在S420步骤中的处理没有完成的晶片W的处理在后面详细叙述。此外，在S410步骤中，判断位于共用输送室150内的晶片W不是处理没有完成的晶片W的情况下，也就是判断是没有进行处理的晶片W或处理完成的晶片W的情况下，进入S430步骤的处理。
在S430步骤中，将所述没有进行处理的晶片W或处理完成的晶片W例如用处理单元侧输送机构180送入负载锁定室160M或160N，在该负载锁定室160M或160N内实施所述那样的排气处理，例如实施所述那样的循环吹扫。在这里所说的处理完成的晶片W中，除了因基板处理装置100的异常造成工作停止时(或复原处理开始时)处理完成的晶片以外，也包括实施复原处理的对处理没有完成的晶片W的处理(S420步骤)后，成为处理完成晶片W的晶片。
继续，在S440步骤中将该晶片W用输送单元侧输送机构170送入微粒测量室134。具体地说，进行将负载锁定室160M或160N向大气开放等的压力调整后，用输送单元侧输送机构170将该晶片W取出，送入微粒测量室134。然后，在S450步骤中进行微粒测量，在S460步骤中将其测量结果例如存储到记录等中。此后，在S470步骤中用输送单元侧输送机构170将该晶片W从微粒测量室134取出，返回到输送始点的盒容器132。这样，若完成一系列的共用输送室150内的晶片挽救处理，则返回到图5所示的主程序。
(对处理未完成的晶片的处理)
在此，参照图9对图8所示的在S420步骤中的处理没有完成的晶片W的处理的具体例进行说明。图9是表示对处理没有完成的晶片W的处理的子程序的流程图。
在图9所示的处理没有完成的晶片W的处理中，首先，在S421步骤中判断将处理没有完成的晶片W此后要输送到的输送目的地的处理室140是否是其它晶片W的处理途中。判断输送目的地的处理室140是否是其它晶片W的处理途中，例如通过用图4所示的晶片处理履历信息294检测所述其它的晶片W的处理阶段来判断。在S421步骤中判断所述输送目的地的处理室140是处理途中的情况下，在S422步骤中待机到该输送目的地的处理室140中的其它晶片W的处理结束为止，返回到图8所示程序。输送目的地的处理室140中的其它晶片W的处理结束后，进行处理没有完成的晶片W的处理。具体地说，在此情况下，由于处理没有完成的晶片W是在共用输送室150正在待机的状态，当图8的程序结束后返回图5到主程序时，在S150步骤中由于输送中的晶片W还没有被回收，所以重新实施S400的处理，也就是重新实施图9所示的子程序。此时，若在输送目的地的处理室中的其它晶片W的处理结束，则通过在S423步骤以后的处理，进行在共用输送室150正在待机的处理没有完成的晶片W的处理。
另一方面，在S421步骤中判断所述输送目的地的处理室140不是处理途中的情况下，在S423步骤中控制处理单元侧输送机构180，对处理没有完成的晶片W进行位置修正。这是因为在处理单元侧输送机构180的输送动作中，在使基板处理装置100的工作停止的情况下，输送动作中的处理单元侧输送机构180也紧急停止，有时存在因惯性力等使夹持在处理单元侧输送机构180的拾取器上的晶片的位置偏离的情况。若这样在晶片W的位置偏离的状态下送入处理室140，由于担心例如被闸阀144挂住、或偏离处理室140的载物台142而放置，所以为了防止这样的晶片W的位置偏离，在送入处理室140之前进行晶片W的位置修正。
该晶片W的位置的修正例如利用设置在共用输送室150上的位置传感器189如下述那样进行。也就是保持在拾取器上夹持晶片W的状态将处理单元侧输送机构180送到位置传感器189上，通过位置传感器189检测该晶片W的偏离量。根据用位置传感器189检测出的偏离量，使处理单元侧输送机构180的拾取器位置挪动进行调整，通过这样来进行晶片W的位置修正。
然后，在S424步骤中用处理单元侧输送机构180将经过位置修正的处理没有完成的晶片W送入下次进行处理的处理室140。随后，在S425步骤中在输送目的地的处理室140中进行处理没有完成的晶片W的处理。
此后，在S426步骤中判断是否完成全部的处理。若是需要在多个处理室140中进行处理的晶片W，判断是否在各处理室140中的处理全部结束，对该晶片W的全部处理是否完成。在S426步骤中判断全部的处理没有完成的情况下，返回到在S424步骤中的处理，进行剩余的处理。此外，在S426步骤中判断全部处理完成的情况下，一系列的处理没有完成的晶片的处理结束，返回到图8所示的程序。
若采用这样的共用输送室150内的晶片挽救处理，在处于共用输送室150内的晶片W的处理阶段是处理完成的阶段的情况下，进行在负载锁定室160中的排气处理和微粒测量后，回收到输送始点的盒容器132。与此相反，在处于共用输送室150内的晶片W的处理阶段是处理没有完成的阶段的情况下，进行在需要的处理室中的处理，直到全部的处理完成，然后回收到输送始点的盒容器132。从而，例如对于处理没有完成的晶片W，由于不是直接回收到处于大气状态的盒容器132，所以处理没有完成的晶片W不暴露在大气中，可以防止不能挽救的情况发生。这样，通过对应于晶片W的处理阶段进行正确的挽救处理，可以尽可能多地挽救被处理基板。
(处理室内的晶片挽救处理)
下面，参照附图10对处理室140内的晶片挽救处理的具体例进行说明。图10是表示处理室140内的晶片挽救处理的子程序的流程图。在图1所示的基板处理装置100中，由于具有六个处理室140A～140F，所以适用于这样的基板处理装置100的图10所示的处理，表示晶片W滞留在这些处理室140A～140F中的处理室140的处理。
此外，在处理室140内除了送入该处理室140内还没有开始处理的未处理的晶片W、或者在该处理室140内的处理全部结束后没有取出而滞留的处理后的晶片W(包括处理没有完成的晶片W和处理完成的晶片W)以外，还有在该处理室140的处理已开始而在中途处理中断的处理中途的晶片W滞留的情况。此外，即使是处理中途的晶片W，根据在该处理室140中的处理阶段中的哪个处理阶段(例如后述的稳定工序中、蚀刻工序中、结束工序中等)因基板处理装置100工作停止而被中断的不同，其挽救处理也不同。因此，在处理室140内的晶片挽救处理中，还包括与在这样的处理室内的晶片W的处理阶段的处理相对应的挽救处理。
在图10所示的处理室140内的晶片挽救处理中，首先，在S510步骤中判断位于处理室140内的晶片W是否是处理中途的晶片W。具体地说，例如利用图4所示的晶片处理履历信息294检测位于处理室140内的晶片W的处理阶段，判断该晶片W的处理阶段是否是处理中途的阶段。例如，采用图4所示的晶片处理履历信息294，晶片ID132A-22的晶片W由于在第一处理室140A的蚀刻工序的处理途中，基板处理装置100停止工作，可以判断是处理中途的阶段。
在所述S510步骤中判断位于处理室140内的晶片W是处理中途的晶片W的情况下，在S520步骤中进行对处理中途的晶片W的处理后，进入在S530步骤中的处理。此外，在S520步骤中的对处理中途的晶片W详细的处理在后面叙述。此外，在S510步骤中判断位于处理室140内的晶片W不是处理中途的晶片W的情况下，例如判断是未处理的晶片W或者处理完的晶片W的情况下，直接进入S530步骤。
在S530步骤中，判断在处理室140内的晶片W是否是处理没有完成的晶片W。在这里所说的处理没有完成的晶片W，除了因基板处理装置100的异常造成工作停止时(或复原处理开始时)而处理没有完成的晶片W的以外，还包括在S520步骤中的对处理中途的晶片W的处理即使实施，还需要在其它处理室140中的处理的处理没有完成的晶片W。
在所述S530步骤中判断位于处理室140内的晶片W是处理没有完成的晶片W的情况下，在S540步骤中进行对处理没有完成的晶片W的处理后，进入在S550步骤中的处理。此外，在S540步骤中的对处理没有完成的晶片W的处理与图8所示的S420步骤中的处理相同，其具体例与图9所示的相同。此外，在S530步骤中判断位于处理室140内的晶片W不是处理没有完成的晶片W的情况下，也就是判断是未处理的晶片W或者处理完的晶片W的情况下，进入S550步骤中的处理。
在S550步骤中例如通过处理单元侧输送机构180将未处理的晶片W或者处理完的晶片W送入负载锁定室160M或160N，在该负载锁定室160M或160N中实施所述的排气处理，例如实施循环吹扫。在这里所说的处理完成的晶片W，除了因基板处理装置100的异常造成的工作停止时(或者复原处理开始时)处理完成的晶片W的以外，还包括实施在S540步骤中对处理没有完成的晶片W的处理后成为处理完成的晶片W。
接着，在S560步骤中用输送单元侧输送机构170将该晶片W送入微粒测量室134。具体地说，进行将负载锁定室160M或者160N向大气开放等的压力调整后，用输送单元侧输送机构170将该晶片W取出，送入微粒测量室134。此后，在S570步骤中进行微粒测量，在S580步骤中将其测量结果存储到例如记录等中。此后，在S590步骤中用输送单元侧输送机构170将晶片W从微粒测量室134取出，返回到输送始点的盒容器132中。若完成这样的一系列处理室140内的晶片挽救处理，则返回到图5所示的主程序。
(对处理中途的晶片的处理)
在此，参照图11对图10所示的S520步骤中的处理中途的晶片W的处理的具体例进行说明。图11是表示对处理中途的晶片W的处理的子程序的流程图。图11所示的对处理中途的晶片的处理是进行对应于因基板处理装置100的异常造成工作停止时被中断的晶片处理阶段的挽救处理。也就是一般在处理室140中的晶片W的处理分阶段经过多个处理工序(处理方法)进行，所以通过对应于在哪个处理工序的阶段中断来进行剩余的处理，可以进行对应于晶片W的处理阶段的适当的晶片挽救处理。
在所述处理室140的晶片W的处理工序(处理程序方法)因晶片W的处理的种类和条件等而不同，这里，图12～图14表示通过所示的稳定工序TS、蚀刻工序TP、结束工序TE进行蚀刻处理的情况的具体例。图12～图14中的TS、TP、TE分别表示稳定工序、蚀刻工序、结束工序需要的时间。图12～图14是表示晶片的处理工序的具体例的图，图12～图14的(a)分别表示晶片W的处理工序中在何处基板处理装置100工作停止的图，图12～图14的(b)分别表示在图12～图14的(a)中基板处理装置100工作停止的情况下的晶片W的剩余处理的图。
在图11所示的对处理中途的晶片W的处理中，首先，在S521步骤中判断处理室140内的处理中途的晶片W是否是在稳定工序的途中停止处理的。具体地说，例如通过图4所示的晶片处理履历信息294检测位于处理室140内的晶片W的处理阶段，判断该晶片W的处理是否是在稳定工序中停止的。在S521步骤中判断处理室140内的处理中途的晶片W是在稳定工序的途中停止的情况下，在S522步骤中从最初实施该稳定工序。
如图12(a)所示，在稳定工序的途中晶片W的处理停止的情况下，由于在该晶片W上还没有进行蚀刻处理，所以作为对这样的处理中途的晶片W的剩余处理，如图12(b)所示，直接从稳定工序的最初进行再处理就足够。
然后，若S522步骤中的处理结束，也就是若稳定工序结束，则在S527步骤中继续此后的处理，在S528步骤中判断该处理室140的剩余处理是否结束，在判断剩余处理没有结束的情况下，返回在S527步骤中的处理。作为此后的处理，在如图12(b)所示的处理中途的晶片W的剩余处理中，在稳定工序结束后继续实施蚀刻工序TP、结束工序TE。这样，若全部工序结束，则通过进行排气处理和压力控制等，调整处理室140内的状态后，将处理完的晶片W取出。然后，在S528步骤中判断该处理室140中的剩余处理结束的情况下，一系列的对处理中途的晶片的处理结束，返回至图10所示的处理室内的晶片挽救处理。
在所述S521步骤中判断处理室140内的处理中途的晶片W不是在稳定工序的途中停止的情况下，在S523步骤中判断处理室140内的处理中途的晶片W是否是在蚀刻工序的途中停止。在这种情况下，也用图4所示的晶片处理履历信息294检测位于处理室140内的晶片W的处理阶段，判断该晶片W的处理是否是在蚀刻工序中停止。根据图4所示的晶片处理履历信息294，由于晶片ID132A-22的晶片W在第一处理室140A的蚀刻工序的处理途中基板处理装置100停止工作，所以可以判断该晶片W是在蚀刻工序中途停止处理的。
在所述S523步骤中判断处理室140内的处理中途的晶片W是在蚀刻工序中途停止处理的情况下，在S524步骤中在稳定工序后实施该蚀刻工序的剩余处理。也就是进行处理室140内的排气处理后，进行抽真空，使处理室140内的压力为规定的压力，重新导入处理气体，施加高频电力来恢复等离子体，重新进行剩余时间的蚀刻。
如图13(a)所示，在蚀刻工序中途停止处理的情况下，在该晶片W中由于蚀刻处理正在进行到中途，基本上只进行剩余时间TPR的蚀刻处理即可。但是，在该情况下，由于蚀刻处理一度被中断，重新通过稳定工序进行排气处理后，由于导入新的处理气体进行等离子体化，要考虑等离子体状态在蚀刻处理的中断前和中断后不能完全相同的情况。因此，在晶片W的剩余处理中，可以设定图13(b)所示那样的补充蚀刻时间TA。因此，在图13(b)所示那样的晶片W的剩余处理中，在因基板处理装置100的异常造成工作停止时(处理中断时)的蚀刻处理的剩余时间TPR中加上补充蚀刻时间TA，只进行此时间的蚀刻处理。该补充蚀刻时间TA在晶片W的处理工序(处理方法)中作为复原处理的方法，操作人员可以预先在存储装置290中利用输入输出装置260的操作自由设定，也可以在实施复原处理时操作人员用输入输出装置260输入。
此外，在本实施方式的晶片W的剩余处理中，根据图4所示的晶片处理履历信息294求出蚀刻处理的剩余时间TPR，在此蚀刻处理的剩余时间TPR中，在需要的情况下加上补充蚀刻时间TA，将这些时间作为剩余处理时间，对只进行该剩余处理时间的蚀刻处理的情况进行说明，但该剩余处理时间未必需要根据图4所示的晶片处理履历信息294求出。例如，将处理室140A～140F中的一个(例如处理室140F)作为缺陷检查室来构成，将在蚀刻工序中途停止处理的晶片W送入缺陷检查室，在缺陷检查室检测晶片W的处理状态(例如在晶片W上用蚀刻处理形成的孔洞底的蚀刻残渣量等)，根据该检测的结果可以设定蚀刻处理的剩余处理时间(例如TPR+TA)。在缺陷检查室有电子显微镜等的检测装置，根据对该缺陷检查室内的晶片W用电子显微镜等拍照，可以根据得到的电子图象来检测晶片W的处理状态。
此外，在所述蚀刻工序中预先实施的稳定工序也可以实施预先在晶片W的处理工序(处理方法)中的稳定工序TS，也可以实施区别于晶片W的处理工序(处理方法)另外设定的晶片挽救处理时的稳定工序TS’。这种情况下，例如向下部电极等施加的高频电压可以以分段施加的方式来设定。特别是施加较高的高频电压的情况下，通过分段施加，例如可以防止在处理室140内产生微粒。这样的高频电压施加方法例如可以通过分段的电压值和作用该电压的时间等进行设定。
然后，若在S524步骤中的处理结束，也就是若蚀刻工序的剩余处理结束，则在S527步骤中继续此后的处理，在S528步骤中判断该处理室140的剩余处理是否结束，在判断剩余处理没有结束的情况下，返回在S527步骤中的处理。作为此后的处理，在如图13(b)所示的处理中途的晶片W的剩余处理中，在蚀刻工序结束后继续实施结束工序。这样，若全部工序结束，则通过进行排气处理和压力控制等，调整处理室140内的状态后，将处理完的晶片W取出。然后，在S528步骤中判断该处理室140中的剩余处理结束的情况下，一系列的对处理中途的晶片的处理结束，返回至图10所示的处理室内的晶片挽救处理。
在所述S523步骤中判断处理室140内的处理中途的晶片W不是在蚀刻工序中途停止处理的情况下，在S525步骤中判断处理室140内的处理中途的晶片W是否是在结束工序中途停止处理的。这种情况下，例如也用图4所示的晶片处理履历信息294检测位于处理室140内的晶片W的处理阶段，判断该晶片W的处理阶段是否是在结束工序中途停止的。
在S525步骤中判断处理室140内的处理中途的晶片W是在结束工序中途停止处理的情况下，在S526步骤中，在稳定工序后实施该结束工序的剩余处理。也就是进行在处理室140内的排气处理后，进行抽真空，使处理室140内的压力成为规定压力，重新导入处理气体，施加高频电来恢复等离子体，重新实施剩余时间的终点处理等的结束工序。
例如，如图14(a)所示那样在结束工序中途停止处理的情况下，如图14(b)所示，只进行该结束工序中的终点处理的剩余时间TER的终点处理。也就是将结束工序的剩余时间TER经过的时刻作为终点，结束此前的蚀刻工序中的蚀刻处理。
然后，若在S525步骤中的处理结束，也就是若结束工序结束，则在S527步骤中继续此后的处理，在S528步骤中判断该处理室140的剩余处理是否结束，在判断剩余处理没有结束的情况下，返回到在S527步骤中的处理。作为此后的处理，在如图14(b)所示的处理中途的晶片W的剩余处理中，由于通过结束工序结束，而全部的工序结束，所以通过进行排气处理和压力控制等调整处理室140内的状态后，取出处理完的晶片W。然后，在S528步骤中判断该处理室140中的剩余处理结束的情况下，一系列的对处理中途的晶片的处理结束，返回至图10所示的处理室内的晶片挽救处理。
然而，作为所述那样的终点处理有各种各样的方法。例如有将规定的终点时间的经过时刻作为终点，使蚀刻处理结束的方法(第一终点处理方法)，根据等离子体状态、用终点检测方法检测的终点，使蚀刻处理结束的方法(第二终点处理方法)，在用所述终点检测方法检测出终点的情况下，在该时刻使蚀刻处理结束，在没有检测出终点而经过规定的终点时间的情况下，以该经过的时刻使蚀刻处理结束的方法(第三终点处理方法)等。此外，作为这样的终点检测方法，除了根据在处理室140内激发的等离子体发光向量的变化检测的方法以外，还有将来自光源的光向晶片W照射，根据其反射光的衍射光的变化进行检测的方法。
本实施方式的图11所示的晶片挽救处理可以在包括任何终点处理的结束工序中使用。例如，如所述第一终点处理方法和第三终点处理方法那样，包括利用经过规定的终点时间确定终点的处理的情况下，预先设定所述规定的终点时间(例如图14中的TE)，所以，若知道工作停止时间TS，则可以求出结束工序的剩余时间TER。因此，如上所述，将经过结束工序的剩余时间TER作为终点，使蚀刻处理结束。这种情况下，在第三终点处理方法中不进行用等离子体状态等的终点的检测。
与此相反，在第二终点处理方法的情况下，蚀刻处理的终点由于专门根据等离子体状态和晶片状态进行检测，所以不是预先设定用于确定所述终点的规定的终点时间(例如图14中的TE)的原因。在这种情况下，例如在进行各晶片W的结束工序时，测量终点时间后预先存储到存储器等中，在因基板处理装置100的异常而停止工作时，将此前的各晶片W的终点时间的平均值作为实施挽救处理的晶片W的终点时间，根据该终点时间可以计算出结束工序的剩余时间TER。
其中，对于在所述结束工序之前实施的稳定工序，与在所述蚀刻工序之前实施的稳定工序相同，在晶片W的处理工序(处理方法)中也可以实施预先设定的稳定工序TS，但是也可以实施区别于晶片W的处理工序(处理方法)而另外设定的晶片挽救处理时的稳定工序TS’。这种情况下，例如向下部电极施加的高频电压可以以分段施加的方式设定。
这样，若所述一系列的处理室140内的晶片挽救处理结束，则返回到图5所示的主程序的处理。也就是在图5所示的S150步骤中判断输送中的晶片W是否全部被回收。也就是判断利用在S200步骤～S500步骤的各晶片挽救处理进行处理的晶片W是否送入输送始点的盒容器132而全部的晶片被回收。在S150步骤中判断还没有将全部的晶片W回收的情况下，返回到S110的处理，在判断将全部晶片回收的情况下，转到下一个装置内状态复原处理(S160步骤中、S170步骤中)的处理。
(装置内状态复原处理)
在图5所示的复原处理中，作为装置内状态复原处理，例如在S160步骤中实施基板处理装置100的各室的清理处理。也就是例如对输送单元120内、共用输送室150内、负载锁定室160M、160N内、各处理室140A～140F内等各室实施清理处理。作为对各室的清理处理，例如导入吹扫气体(例如N2气体)，进行使抽真空和向大气开放重复规定次数的清理处理(例如NPPC：Non-Plasma Particle Cleaning)。去除在这些室内的微粒，将各室内调整到可以进行晶片处理的状态。此外，作为清理处理，并不限定于所述处理，也可以适用于用基板处理装置自动进行的众所周知的清理处理。
然后，在S170步骤中进行所述各室内的微粒测量处理。例如假设在盒容器132C中收容微粒测量用的晶片，此微粒测量用的晶片从盒容器132C中取出，并再次送入各室，此后，返回到微粒测量室134，在微粒测量室134内测量在微粒测量用的晶片上附着的微粒量。然后，将各室的微粒量的测量结果例如存储到记录等中。该记录例如可以存储到控制部200的存储手段290和存储器等中。
若所述各室的微粒测量处理结束，则进行对回收到盒容器132中的未处理的晶片再处理。具体地说，在S180步骤中判断在被回收到盒容器132中的未处理的晶片W中是否残留有未处理的晶片。具体地说，例如利用图3所示的晶片收容信息292，判断被回收到盒容器132中的晶片W中是否残留有未处理的晶片。例如采用图3所示的晶片收容信息292，晶片ID132A-23的晶片由于复原处理是“有”，而且晶片处理状况是“没有处理”，所以可以判断该晶片W是复原处理的晶片W，是处于未处理阶段。
在所述S180步骤中判断残留有未处理的晶片的情况下，在S190步骤中进行未处理晶片的再处理(未处理晶片的再处理工序)。其中，对于未处理的晶片，根据该晶片W的处理信息(处理方法)，从最初开始实施晶片处理。这样，未处理晶片W的再处理再次被回收到盒容器132中，由于是在基板处理装置100的各室进行清理处理后而进行的，所以可以使未处理晶片W的处理与基板处理装置100的复原前一样进行。若这样的未处理晶片的再处理结束，则一系列复原处理也结束。
其中，在所述实施方式中，对于基板处理装置100的各室的装置内状态复原处理在全部室的基板回收处理结束后，对再次进行各室的清理处理的情况举例进行了说明，但是未必限定于此，也可以在内各室进行基板回收处理和装置内状态复原处理。例如，在处理单元110内的晶片回收处理后立刻实施处理单元110内的清理处理，此外，也可以在共用输送室150内的晶片回收处理后立刻实施共用输送室150内的清理处理。处理室140内的清理处理也可以在晶片W滞留的状态下直接进行。因此，在处理室140内处理被中断时，可以在处理室140内的清理的同时去除漂浮后落到晶片W上的微粒。
此外，所述实施方式的复原处理在异常解除后，可以通过投入电源自动实施，此外，例如使是否实施复原处理的选择画面在控制部200的显示装置250上显示，可以通过操作人员用输入输出装置260的操作选择后实施。此外，复原处理不仅仅是全部，也可以选择一部分来实施，例如在基板回收处理中也可以分别选择输送单元内的晶片挽救处理(S200步骤中)、负载锁定室内的晶片挽救处理(S300)、共用输送室内的晶片挽救处理(S400)、处理室内的晶片挽救处理(S500)来实施。
若采用本实施方式的基板处理装置100，则在基板处理装置100的工作中因产生异常而停止工作时，在该异常解除后作为基板处理装置100的状态复原的复原处理，对在基板处理装置的各室内滞留的晶片W对应于直到工作停止时实施的处理阶段，进行相应的挽救处理，将晶片W自动回收到盒容器132中(基板回收工序)，同时通过自动进行基板处理装置100的各室内的清理处理等，使各室的状态复原(装置内状态复原工序)，可以自动进行使基板处理装置100的状态复原的处理。这样可以节省基板处理装置100的复原处理的时间和工夫。此外，在基板处理装置100因产生异常停止工作时，通过对应于晶片W的处理阶段进行正确的挽救处理，可以尽可能多地挽救晶片W。
其中，所述实施方式的复原处理对于具有微粒测量室134的基板处理装置100进行了说明，也可以适用于不具有微粒测量室134的基板处理装置100。这种情况下，也可以省略微粒测量室134中的晶片W和各室的微粒测量。例如对于图5所示的S170步骤、图6所示的S210～S230步骤、图7所示的S320～S340步骤、图8所示的S440～S460步骤、图10所示的S560～S580步骤也分别可以省略。
此外，对于用所述实施方式详细叙述的本发明，即适用于由多个器具构成的系统，也适合由一个器具构成的装置。向系统或者装置提供存储实现所述实施方式功能的软件程序的存储介质，该系统或者装置的计算机(或者CPU和MPU)通过读取收容存储介质等介质的程序后实施，当然也可以实现本发明。
这种情况下，从存储介质的介质读取的程序本身实现所述的实施方式的功能，作为存储此程序的存储介质等的介质，例如可以使用软(注册商标)盘、硬盘、光盘、光磁盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、磁带、非易失性存储器插件板、ROM或者通过网络的下载等。
此外，通过执行计算机读出的程序，不仅可以实现所述的实施方式的功能，以该程序的指示为基础，在计算机中工作的OS等进行实际处理的一部分或者全部，用该处理实现所述实施方式的功能的情况也包括在本发明中。
此外，从存储介质的介质中读出的程序，写入到插入在计算机的功能扩张插件板或者具有连接在计算机上的功能扩张部件的存储器后，根据该程序的指示，该功能扩张插件板和具有功能扩张部件的CPU等进行实际处理的一部分或者全部，利用该处理实现所述实施方式的功能的情况也包括在本发明内。
上面，参照附图对本发明的优选实施方式进行了说明，但是本发明当然并不限定在所述例子中。不言而喻，本领域技术人员在权利要求书记载的范围内可以想到各种变化例或者修正例，可以理解成这些当然也属于本发明的技术范围内。
例如，在所述实施方式中，以在共用输送室周围连接多个处理室的所谓组合台型基板处理装置为例对处理单元进行了说明，但是，例如除了将负载锁定室连接在处理室上，将多个处理单元并排连接在输送单元上的所谓串联型基板处理装置等以外，本发明可以适用于基板装置因产生异常而停止工作的各种型式的基板处理装置。
工业实用性
本发明可以适用于对被处理基板实施规定处理的基板处理装置因产生异常而停止工作时的基板处理装置的复原处理方法、基板处理装置、程序。

Claims (31)

1.一种基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
是在由至少包括对从基板收纳容器输送来的被处理基板进行处理的处理室的多个室所组成的基板处理装置中，当由于该基板处理装置的工作中产生异常而导致工作停止时，在该异常解除后，复原所述基板处理装置的状态的基板处理装置的复原处理方法，其中，所述基板处理装置的复原处理方法包括：
基板回收工序，对于滞留在所述基板处理装置的各个室内的所述被处理基板，进行对应于直到所述工作停止时实施的处理阶段的基板挽救处理，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；和
装置内状态复原工序，使所述基板处理装置的各个室内的状态复原。
2.如权利要求1所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于，所述基板挽救处理包括：
基板检测工序，检测在所述基板处理装置内滞留的所述被处理基板；
处理阶段检测工序，对于通过所述基板检测工序检测出的被处理基板，检测直到所述工作停止时实施的处理阶段；和
基板挽救工序，对于通过所述基板检测工序检测出的被处理基板，对应于通过所述处理阶段检测工序检测出的处理阶段，实施相应的基板挽救处理。
3.如权利要求2所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板挽救工序，在通过所述基板检测工序在所述处理室内检测出被处理基板、并通过所述处理阶段检测工序检测出该被处理基板的处理阶段是还残留有在该处理室中的处理的处理中途阶段的情况下，在该处理室内对该被处理基板实施剩余的处理。
4.如权利要求3所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置包括存储在该基板处理装置的工作中被处理基板的处理履历信息的存储装置，
当通过所述基板检测工序在所述处理室内检测出被处理基板，并且通过所述处理阶段检测工序检测出该被处理基板的处理阶段是滞留在该处理室的处理的处理中途阶段的情况下，所述基板挽救工序根据存储在所述存储装置中的被处理基板的处理履历信息，来设定被处理基板的剩余处理时间，对该被处理基板只实施此剩余处理时间的剩余处理。
5.如权利要求3所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置包括在检测所述被处理基板的处理状态后、进行缺陷检查的缺陷检查室，
当通过所述基板检测工序在所述处理室内检测出被处理基板，并且通过所述处理阶段检测工序检测出该被处理基板的处理阶段是滞留在该处理室的处理的处理中途阶段的情况下，所述基板挽救工序将该被处理基板输送到所述缺陷检查室，在该缺陷检查室中，根据被检测出的被处理基板的处理状态来设定该被处理基板的剩余处理时间，对该被处理基板只实施此剩余处理时间的剩余处理。
6.如权利要求2～5中任一项所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
当通过所述基板检测工序检测出在从某个处理室向另外的处理室输送的中途的被处理基板，并且通过所述处理阶段检测工序检测出该被处理基板的处理阶段是残留有在另外的处理室的必要处理还没有处理完的阶段的情况下，所述基板挽救工序对该被处理基板实施在剩余的处理室的处理。
7.如权利要求2～6中任一项所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
当通过所述基板检测工序在某个室内检测出被处理基板，并且通过所述处理阶段检测工序检测出该被处理基板的处理阶段是未处理阶段或者处理完成阶段的情况下，所述基板挽救工序将该被处理基板向所述基板收纳容器回收。
8.如权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述装置内状态复原工序实施所述基板处理装置的各室内的清理处理。
9.如权利要求8所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置的各室包括至少可以导入吹扫气体的气体导入系统、以及可以通过抽真空和向大气开放来调整压力的排气系统，
所述清理处理是通过所述气体导入系统将吹扫气体导入到基板处理装置的各个室内，并通过所述排气系统反复进行规定次数的抽真空或者向大气开放的处理。
10.如权利要求1～9中任一项所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
还包括再处理工序，检测被回收到所述基板收纳容器中的被处理基板是否是未处理阶段，若检测出是未处理阶段，则对该被处理基板实施再处理。
11.如权利要求1～10中任一项所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置具有微粒测量室，
所述基板回收工序，在将所述被处理基板回收到所述基板收纳容器之前，输送到所述微粒测量室，在该微粒测量室进行所述被处理基板上的微粒量的测量，并将该测量结果与所述被处理基板相对应而存储在存储装置中。
12.一种基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
是在基板处理装置中，在由于该基板处理装置的工作中产生异常而使工作停止时，在该异常解除后使所述基板处理装置的状态复原的基板处理装置的复原处理方法，而且，所述基板处理装置包括：处理单元，由至少包括处理被处理基板的多个处理室的多个室所构成；输送单元，被连接在所述处理单元上，具有在与收纳所述被处理基板的基板收纳容器之间进行所述被处理基板的交接的输送室；输送单元侧输送机构，被设置在所述输送单元内，将所述被处理基板向所述处理单元送入和取出；和处理单元侧输送机构，被设置在所述处理单元内，将所述被处理基板向所述处理室送入和取出，其中，所述复原处理方法包括：
基板回收工序，对于滞留在所述基板处理装置的所述处理单元和/或所述输送单元内的所述被处理基板，对应于直到所述工作停止时已实施的处理的阶段来进行基板挽救处理，通过所述处理单元侧输送机构和/或所述输送单元侧输送机构，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；和
装置内状态复原工序，使所述基板处理装置的所述处理单元内和所述输送单元内的状态复原。
13.如权利要求12所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板回收工序，对于滞留在所述处理单元内的被处理基板，检测该被处理基板的处理阶段是否是剩余该被处理基板必须的处理的处理阶段，在剩余必须的处理的处理阶段的情况下，实施剩余的处理，通过所述处理单元侧输送机构和所述输送单元侧输送机构，向所述基板收纳容器回收，在不是剩余必须的处理的处理阶段的情况下，通过所述处理单元侧输送机构和所述输送单元侧输送机构，实施向所述基板收纳容器回收的处理单元内的基板挽救处理，
对于滞留在所述输送单元内的被处理基板，通过所述输送单元侧输送机构实施向所述基板收纳容器回收的输送单元内的基板挽救处理。
14.如权利要求13所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置包括在该基板处理装置的工作中存储被处理基板的处理履历信息的存储装置，
所述处理单元内基板挽救处理根据存储在所述存储装置中的被处理基板的处理履历信息，检测滞留在所述处理单元内的被处理基板的处理阶段是否是剩余该被处理基板必须处理的处理阶段，根据该检测的结果，实施剩余的处理。
15.如权利要求13所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置包括检测所述被处理基板的处理状态后进行缺陷检查的缺陷检查室，
所述处理单元内基板挽救处理根据在所述缺陷检查室中检测出的被处理基板的处理状态，检测滞留在所述处理单元内的被处理基板的处理阶段是否是剩余该被处理基板必须要处理的处理阶段，根据该检测结果实施剩余的处理。
16.如权利要求12～15中任一项所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述装置内状态复原工序实施所述基板处理装置的所述处理单元内和所述输送单元的各室内的清理处理。
17.如权利要求16所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置的所述处理单元和所述输送单元的各室包括至少可以导入吹扫气体的气体导入系统、以及可以通过抽真空和向大气开放调整压力的排气系统，
所述清理处理是通过所述气体导入系统将吹扫气体导入到所述处理单元和所述输送单元的各室内，并通过所述排气系统抽真空或者向大气开放来重复多次规定的处理。
18.如权利要求12～17中任一项所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
还包括再处理工序，检测被回收到所述基板收纳容器中的被处理基板是否是未处理阶段，若检测是未处理阶段，则对该被处理基板实施再处理。
19.如权利要求12～18中任一项所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置包括微粒测量室，
所述基板回收工序，在将所述被处理基板回收到所述基板收纳容器之前，输送到所述微粒测量室，在该微粒测量室进行所述被处理基板上的微粒量的测量，将该测量结果与所述被处理基板相对应而存储到存储装置中。
20.一种基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
是在基板处理装置中，在由于该基板处理装置的工作中产生异常而使工作停止时，在该异常解除后使所述基板处理装置的状态复原的基板处理装置的复原处理方法，而且，所述基板处理装置包括：输送单元，在与收纳被处理基板的放置基板处理容器之间具有进行所述被处理基板的交接的输送室；处理单元，具有将处理所述被处理基板的多个处理室连接在周围的共用输送室以及连接该共用输送室和所述输送单元的输送室的负载锁定室；输送单元侧输送机构，被设置在所述输送单元内，将所述被处理基板向所述负载锁定室送入和取出；和处理单元侧输送机构，被设置在所述处理单元的共用输送室内，将所述被处理基板在所述负载锁定室和所述各处理室之间送入和取出，其中，所述基板处理装置的复原处理方法包括：
基板回收工序，对于滞留在所述基板处理装置的所述处理单元和/或所述输送单元的各室内的所述被处理基板，对应于直到所述工作停止时已实施的处理的阶段，进行基板挽救处理，通过所述处理单元侧输送机构和/或所述输送单元侧输送机构，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；和
装置内状态复原工序，使所述基板处理装置的各室内的状态复原。
21.如权利要求20所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板回收工序，
若在所述输送单元中检测出被处理基板，则实施向所述基板收纳容器回收的输送单元内的基板挽救处理，
若在负载锁定室内检测出被处理基板，则在进行该负载锁定室的排气处理后，实施对该被处理基板进行向所述基板收纳容器回收的负载锁定室内的基板挽救处理，
若在所述共用输送室检测出被处理基板，则判断该被处理基板的处理阶段是否是未完成处理的阶段，如果是未完成处理的阶段，就实施在剩余的处理室的处理后向所述基板收纳容器回收，如果不是未完成处理的阶段，就实施向所述基板收纳容器回收的共用输送室内的基板挽救处理，
若在所述处理室内检测出被处理基板，则判断该被处理基板的处理阶段是否是处理中途的阶段，如果是处理中途的阶段，就实施在该处理室的剩余的处理后，向所述基板收纳容器回收，如果不是处理中途的阶段，就实施向所述基板收纳容器回收的处理室内的基板挽救处理。
22.如权利要求21所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置包括在该基板处理装置的工作中存储被处理基板的处理履历信息的存储装置，
所述处理室内基板挽救处理在判断所述处理室内的被处理基板的处理阶段是处理中途的阶段的情况下，根据存储在所述存储装置中的被处理基板的处理履历信息，设定该被处理基板的剩余处理时间，对该处理基板只实施该剩余时间的剩余处理。
23.如权利要求21所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置包括检测所述被处理基板的处理状态后进行缺陷检查的缺陷检查室，
所述处理室内的基板挽救处理在判断所述处理室内的被处理基板的处理阶段是处理中途的阶段的情况下，将该被处理基板向所述缺陷检查室输送，在该缺陷检查室中根据被检测的被处理基板的处理状态，设定该被处理基板的剩余处理时间，对该被处理基板只进行该剩余时间的剩余处理。
24.如权利要求20～23中任一项所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述装置内状态复原工序实施所述基板处理装置的所述处理单元内和所述输送单元的各室内的清理处理。
25.如权利要求24所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
所述基板处理装置的所述处理单元和所述输送单元的各室包括至少可以导入吹扫气体的气体导入系统、以及可以通过抽真空和向大气开放调整压力的排气系统，
所述清理处理是通过所述气体导入系统将吹扫气体导入到所述处理单元和所述输送单元的各室内，并通过所述排气系统抽真空或向大气开放来重复多次规定的处理。
26.如权利要求20～25中任一项所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于：
还包括再处理工序，检测被回收到所述基板收纳容器中的被处理基板检测是否是未处理阶段，若检测是未处理阶段，则对该被处理基板实施再处理。
27.如权利要求20～26中任一项所述的基板处理装置的复原处理方法，其特征在于，
所述基板处理装置包括微粒测量室，
所述基板回收工序，在将所述被处理基板回收到所述基板收纳容器之前，输送到所述微粒测量室，在该微粒测量室进行所述被处理基板上的微粒量的测量，将该测量结果与所述被处理基板相对应，存储到存储装置中。
28.一种处理被处理基板的基板处理装置，其特征在于，包括：
处理单元，由至少包括处理所述被处理基板的多个处理室的多个室所构成；
输送单元，被连接在所述处理单元上，具有在与收纳所述被处理基板的基板收纳容器之间，进行所述被处理基板的交接的输送室；
输送单元侧输送机构，被设置在所述输送单元内，将所述被处理基板向所述处理单元送入和取出；
处理单元侧输送机构，被设置在所述处理单元内，将所述被处理基板向所述处理室送入和取出；和
控制装置，由于所述基板处理装置的工作中产生异常工作停止时，在该异常解除后复原所述基板处理装置的状态，其中，
所述控制装置包括：基板回收装置，对于滞留在所述基板处理装置的所述处理单元内和/或所述输送单元内的所述被处理基板，对应于直到所述工作停止时实施的处理的阶段进行基板挽救处理，通过所述处理单元侧输送机构和/或所述输送单元侧输送机构，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；和
装置内状态复原装置，将所述基板处理装置的所述处理单元内和所述输送单元内的状态复原。
29.一种处理被处理基板的基板处理装置，其特征在于，包括：
输送单元，在与收纳所述被处理基板的基板收纳容器之间具有进行所述被处理基板的交接的输送室；
处理单元，具有将处理所述被处理基板的多个处理室连接在周围的共用输送室以及连接该共用输送室和所述输送单元的输送室的负载锁定室；
输送单元侧输送机构，被设置在所述输送单元的输送室内，将所述被处理基板向所述负载锁定室送入和取出；
处理单元侧输送机构，被设置在所述处理单元的共用输送室内，将所述被处理基板在所述负载锁定室和所述各处理室的各室之间送入和取出；和
控制装置，在该基板处理装置的工作中产生异常工作停止时，在该异常解除后使所述基板处理装置的状态复原，其中，
所述控制装置包括：基板回收装置，对于滞留在所述基板处理装置的所述处理单元内和/或所述输送单元的各室内的所述被处理基板，对应于直到所述工作停止时实施的处理的阶段进行基板挽救处理，通过所述处理单元侧输送机构和/或所述输送单元侧输送机构，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；
装置内状态复原装置，将所述基板处理装置的各室内的状态复原。
30.一种在由至少包括对从基板收纳容器输送来的被处理基板进行处理的处理室的多各室构成的基板处理装置中，在由于该基板处理装置的工作中产生异常而工作停止时，在该异常解除后进行使所述基板处理装置的状态复原的基板处理装置的复原处理的程序，其特征在于，
在计算机中，实施下述处理：
基板回收处理，对于滞留在所述基板处理装置的各室内的所述被处理基板，对应于直到所述工作停止时实施的处理的阶段，进行基板挽救处理，将所述被处理基板向所述基板收纳容器回收；和
装置内状态复原处理，使所述基板处理装置的各室内的状态复原。
31.如权利要求30所述的程序，其特征在于：
所述基板挽救处理包括，
基板检测处理，检测出滞留在所述基板处理装置内的所述被处理基板；
处理阶段检测处理，对于用所述基板检测处理检测出的被处理基板，检测直到所述工作停止时实施的处理的阶段；和
基板挽救处理，对于用所述基板检测处理检测出的被处理基板，对应于用所述处理阶段检测处理检测出的处理阶段，实施基板挽救处理。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101807059A (zh) * 2009-02-13 2010-08-18 株式会社日立国际电气 基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法
CN103382554A (zh) * 2012-05-04 2013-11-06 无锡华润上华科技有限公司 常压化学气相沉积机台异常监控方法及系统
CN104699019A (zh) * 2013-12-09 2015-06-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 机台恢复检验系统以及机台恢复检验方法
CN104934349A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 株式会社东芝 制造装置管理系统以及制造装置管理方法
CN104952775A (zh) * 2014-03-28 2015-09-30 株式会社荏原制作所 基板处理方法
CN101494164B (zh) * 2008-01-23 2016-04-06 株式会社荏原制作所 基板处理装置的运转方法及基板处理装置
CN106373913A (zh) * 2016-10-31 2017-02-01 北京七星华创电子股份有限公司 一种半导体立式炉设备异常恢复的方法
CN107078081A (zh) * 2014-12-26 2017-08-18 艾克塞利斯科技公司 基于振动或声学特性分析的晶片夹持检测
CN107507788A (zh) * 2017-07-21 2017-12-22 志圣科技（广州）有限公司 晶圆加工机及其加工处理方法
CN109716250A (zh) * 2016-09-20 2019-05-03 株式会社斯库林集团 基板处理管理装置、基板处理管理方法及基板处理管理程序
CN110983301A (zh) * 2019-12-23 2020-04-10 通威太阳能（安徽）有限公司 一种镀膜管p设备高频自动补镀方法
JP2021012969A (ja) * 2019-07-08 2021-02-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
CN113658885A (zh) * 2021-08-12 2021-11-16 长鑫存储技术有限公司 制备腔室的确定方法及装置
CN116159809A (zh) * 2022-12-28 2023-05-26 深圳市纳设智能装备有限公司 晶圆传输方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4388563B2 (ja) 2007-03-27 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
TWI533394B (zh) 2007-06-21 2016-05-11 尼康股份有限公司 Conveying method and conveying device
JP4503088B2 (ja) * 2007-11-05 2010-07-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理装置の表示方法
JPWO2011078270A1 (ja) * 2009-12-24 2013-05-09 株式会社アルバック 真空処理装置の運用方法
JP6169365B2 (ja) 2013-02-07 2017-07-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP6224359B2 (ja) 2013-06-20 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム
KR102063322B1 (ko) 2016-05-27 2020-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6435388B2 (ja) * 2017-10-04 2018-12-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102204024B1 (ko) * 2018-03-15 2021-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7109287B2 (ja) 2018-07-09 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、および制御プログラム
JP7113722B2 (ja) * 2018-11-05 2022-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板収容容器の蓋を開閉する方法、及びプログラム
JP2021166275A (ja) 2020-04-08 2021-10-14 株式会社ディスコ 加工装置及び加工方法
CN113644005A (zh) * 2020-05-11 2021-11-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体处理系统
JP7539045B2 (ja) 2020-12-03 2024-08-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理方法
KR102607442B1 (ko) 2023-06-19 2023-11-29 주식회사 유니온스틸코퍼레이션 개선된 압축 성능의 고철 압축 및 절단 장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4757459A (en) * 1986-05-29 1988-07-12 Cincinnati Milacron Inc. Apparatus and method for programming a computer operated robot arm using macro instructions
US4928221A (en) * 1988-04-11 1990-05-22 Westinghouse Electric Corp. Part program generating system
JP2600237Y2 (ja) * 1993-03-11 1999-10-04 日新電機株式会社 エアーロック室
JPH0729958A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Hitachi Ltd 半導体製造装置
US5570990A (en) * 1993-11-05 1996-11-05 Asyst Technologies, Inc. Human guided mobile loader stocker
JP3328869B2 (ja) * 1995-06-27 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JP3936030B2 (ja) * 1997-06-23 2007-06-27 東京エレクトロン株式会社 被処理体の回収方法
US6216051B1 (en) * 1998-05-04 2001-04-10 Nec Electronics, Inc. Manufacturing backup system
JP3773355B2 (ja) * 1998-05-07 2006-05-10 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造装置
WO2000023230A1 (en) * 1998-10-19 2000-04-27 Speedfam-Ipec Corporation Catastrophic error recovery apparatus and associated methods
JP2001093791A (ja) * 1999-09-20 2001-04-06 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法及びウエハの処理方法
JP2001338964A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Hitachi Ltd 試料処理装置および処理方法
CN1197130C (zh) * 2000-07-04 2005-04-13 东京毅力科创株式会社 处理装置运转监视方法,评价方法及异常检测方法
JP2002261148A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Tokyo Electron Ltd 処理システム及び被処理体の予熱方法
JP2002270481A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Olympus Optical Co Ltd 試料自動回収システム
US6732006B2 (en) * 2002-02-06 2004-05-04 Asm International Nv Method and system to process semiconductor wafers
JP2004319961A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法、及び該方法を実行するプログラム

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101494164B (zh) * 2008-01-23 2016-04-06 株式会社荏原制作所 基板处理装置的运转方法及基板处理装置
CN101807059B (zh) * 2009-02-13 2013-11-27 株式会社日立国际电气 基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法
CN101807059A (zh) * 2009-02-13 2010-08-18 株式会社日立国际电气 基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法
CN103382554A (zh) * 2012-05-04 2013-11-06 无锡华润上华科技有限公司 常压化学气相沉积机台异常监控方法及系统
CN103382554B (zh) * 2012-05-04 2015-08-19 无锡华润上华科技有限公司 常压化学气相沉积机台异常监控方法及系统
CN104699019A (zh) * 2013-12-09 2015-06-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 机台恢复检验系统以及机台恢复检验方法
US9836045B2 (en) 2014-03-20 2017-12-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing apparatus control system and manufacturing apparatus control method
CN104934349A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 株式会社东芝 制造装置管理系统以及制造装置管理方法
CN104934349B (zh) * 2014-03-20 2018-02-02 株式会社东芝 制造装置管理系统以及制造装置管理方法
CN104952775A (zh) * 2014-03-28 2015-09-30 株式会社荏原制作所 基板处理方法
CN104952775B (zh) * 2014-03-28 2020-04-07 株式会社荏原制作所 基板处理方法
CN107078081A (zh) * 2014-12-26 2017-08-18 艾克塞利斯科技公司 基于振动或声学特性分析的晶片夹持检测
CN109716250A (zh) * 2016-09-20 2019-05-03 株式会社斯库林集团 基板处理管理装置、基板处理管理方法及基板处理管理程序
CN109716250B (zh) * 2016-09-20 2022-03-04 株式会社斯库林集团 基板处理管理装置、基板处理管理方法及存储装置
CN106373913B (zh) * 2016-10-31 2019-02-19 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体立式炉设备异常恢复的方法
CN106373913A (zh) * 2016-10-31 2017-02-01 北京七星华创电子股份有限公司 一种半导体立式炉设备异常恢复的方法
CN107507788B (zh) * 2017-07-21 2019-11-08 志圣科技（广州）有限公司 晶圆加工机及其加工处理方法
CN107507788A (zh) * 2017-07-21 2017-12-22 志圣科技（广州）有限公司 晶圆加工机及其加工处理方法
JP2021012969A (ja) * 2019-07-08 2021-02-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP7303678B2 (ja) 2019-07-08 2023-07-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
CN110983301A (zh) * 2019-12-23 2020-04-10 通威太阳能（安徽）有限公司 一种镀膜管p设备高频自动补镀方法
CN113658885A (zh) * 2021-08-12 2021-11-16 长鑫存储技术有限公司 制备腔室的确定方法及装置
CN113658885B (zh) * 2021-08-12 2023-09-08 长鑫存储技术有限公司 制备腔室的确定方法及装置
CN116159809A (zh) * 2022-12-28 2023-05-26 深圳市纳设智能装备有限公司 晶圆传输方法

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