RU2538358C1 - СПОСОБ СВЧ ПЛАЗМЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК КУБИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ (3С-SiC) - Google Patents
СПОСОБ СВЧ ПЛАЗМЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК КУБИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ (3С-SiC) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2538358C1 RU2538358C1 RU2013127679/28A RU2013127679A RU2538358C1 RU 2538358 C1 RU2538358 C1 RU 2538358C1 RU 2013127679/28 A RU2013127679/28 A RU 2013127679/28A RU 2013127679 A RU2013127679 A RU 2013127679A RU 2538358 C1 RU2538358 C1 RU 2538358C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sic
- silicon
- microwave plasma
- carried out
- layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится в технологии производства пленок карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек или функциональных слоев при изготовлении приборов полупроводниковой электроники, работающих в экстремальных условиях - повышенных уровнях радиации и температур. Техническим результатом изобретения является превращение технологического процесса в одну технологическую операцию с изменением технологической среды ее проведения, а также возможность получения толстых слоев 3C-SiC. В способе плазменного формирования пленок кубического карбида кремния на кремнии очистку поверхности кремниевой пластины, формирование слоя нанопористого кремния и осаждение слоя 3C-SiC проводят в одной технологической операции в несколько стадий - очистку поверхности и формирование слоя нанопористого кремния проводят с помощью СВЧ плазменной очистки и травления поверхности кремниевой пластины с использованием газов CF4 и O2, а осаждение слоя 3C-SiC проводят с помощью СВЧ плазменного синтеза с использованием газов SiF4 (SiH4), CF4 и Н2, все технологические операции проводят в СВЧ плазме пониженного давления 1·10-4÷10 Торр, температуре предметного столика 600÷250°C и его электрическом смещении от минус 10 В до минус 300 В.
Description
Изобретение относится в технологии производства пленок карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек или функциональных слоев при изготовлении приборов полупроводниковой электроники, работающих в экстремальных условиях - повышенных уровнях радиации и температур.
В основе изобретения лежит метод СВЧ плазмохимического синтеза и осаждения слоев 3C-SiC из газовой фазы. Сущность данного метода заключается в том, что возбужденные в СВЧ плазме газообразные компоненты вступают в химические реакции как в газовой фазе, так и на поверхности подогреваемой кремниевой подложке с образованием 3C-SiC пленки. Технологическая операция СВЧ плазмохимического формирования 3C-SiC состоит из нескольких стадий:
- СВЧ плазмохимическая очистка поверхности пластины и травление кремниевой подложки с ориентацией (100) или (111);
- формирование слоя нанопористого кремния на поверхности кремниевой пластины с базовой ориентацией (100) или (111), размещенной на смещенном (постоянное или высокочастотное) относительно плазмы подогреваемом столике;
- осаждение слоя 3C-SiC на подогреваемом смещенном столике.
В качестве Si- и С-содержащих газовых сред использовались SiF4 и CF4 соответственно. Кроме того, на некоторых вышеуказанных стадиях использовались Н2 и Ar.
Известен способ получения пленки карбида кремния, включающий нагрев кремниевой подложки до 1173÷1573 K в атмосфере углеводорода, например C2H2 (J. Vac Scien and Techn. 1970, 7, 490). Материал подложки, взаимодействуя с углеводородом, образует карбидную пленку. Недостатком способа является то, что сформированная тонкая карбидная пленка сама препятствует диффузии Si из пластины к поверхности пленки и ее рост прекращается.
Известен способ получения SiC методом химического восстановления (US 3386866, кл. 117/102, 04.06.1968) из смеси CCl+SiCl4+H2 при температуре 1700÷1800 K при нормальном давлении на подложке α-SiC (обычно 6H-SiC). Недостатки метода - очень высокие температуры и рост происходит на подложке α-SiC, а не на подложке Si (при температуре 1410°C Si плавится).
Известен способ выращивания 3C-SiC на Si (RU 2286616, H01L 21/205, 27.10.2006), заключающийся в том, что приводят в контакт (сжимают) между собой пластины кремния и углерода (графита), нагревают их в вакууме (остаточное давление 10 Па) до температуры 1200÷1400°C. Недостатками метода являются:
- блочная структура пленки SiC, причем различные блоки состоят из различных политипов SiC;
- большое количество дефектов, вызванное упругими напряжениями на границе между Si и SiC.
Известен способ выращивания 3C-SiC (RU 2352019, H01L 21/205, 10.04.2009), отличающийся от предыдущего способа тем, что дополнительно осуществляется обработка водородом или раствором водорода в инертном газе при давлении 10-100 Па. При такой обработке формируется один политип 3C-SiC и уменьшается поверхностная концентрация дефектов из-за снижения внутренних напряжений. Однако такой способ имеет следующие недостатки:
- ограничение толщины сформированных пленок 3C-SiC;
- способ нетехнологичен, так как требуется дополнительные пластины графита и их надежное механическое соединение.
Известен способ формирования нановолокон 3C-SiC в вакууме до 10-2 Торр при нагревании порошка Si фракцией 0,01÷500 мкм в среде CO до температуры 1200÷1450°C. Аналогично выращивают нановолокна 3C-SiC и на полированных кремниевых пластинах (RU 2393112, C01B 31/36, 27.06.2010). Недостатки метода:
- растут волокна, а не пленки;
- способ нетехнологичен.
Известен способ формирования аморфных слоев SiC в СВЧ плазме (US 2006/0017095, H01L 29/788, 26.01.2006) с использованием водорода и углеродсодержащих газов. Температуры процессов лежат в диапазоне 915÷1250°C. Предварительно пластину травят в разбавленной HF, промывают деионизованной водой, а затем помещают в СВЧ реактор для плазменной обработки. Недостатками метода можно считать:
- нетехнологичность, так как требуется предварительная обработка в разбавленной HF;
- получаются аморфные пленки;
- двухстадийный процесс (обработка в CH4/Н2 при температуре 400÷500°C и быстрый переход к температуре 915÷1250°C);
- возможно формирование аморфных пленок SiC ограниченной толщины, так как источником Si является подложка.
Известен способ осаждения аморфных пленок SiC в СВЧ плазме низкого давления на установке, использующей явление электронного циклотронного резонанса (Получение наноразмерных пленочных структур на основе аморфного кремния и его соединений и исследование их свойств. Нефедов Д.В., автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук, Саратов, 2008). Недостатки метода:
- пленки получаются аморфные, что ограничивает их применение;
- для осаждения слоев SiC используется опасный воспламеняющийся и взрывающийся моносилан (SiH4).
Известен способ эпитаксиального выращивания монокристаллических слоев 3C-SiC на кремниевых подложках при отсутствии буферного слоя (SU 1710604, C30B 25/02, 07.02.1992) при температуре 1050÷1250°C из газовой смеси, состоящей их моносилана (SiH4) и трихлорэтилена (C2HCl3) при соотношении Si/C=1 и предварительном нагреве Si подложки в атмосфере водорода. Недостатками метода являются:
- использование легковоспламеняемого моносилана (SiH4);
- ничего не сообщается о возможности выращивания значительных по толщине пленок SiC.
Известен ближайший аналог (прототип) заявляемого способа (RU 2395867, H01L 21/205, 27.07.2010). Сущность изобретения состоит в использовании кремниевой подложки с базовой ориентацией (100), на которой формируется слой нанопористого кремния толщиной 50÷180 нм с помощью химического травления подложки, затем формируется слой 3C-SiC путем замещения водорода на углерод в поверхностных связях Si-H слоя пористого кремния. Процесс выращивания 3C-SiC проводится при 1300÷1350°C. В качестве Si- и С-содержащих газов использовались SiH4, C3H8 и Н2 при соотношении (об.%) 0,6÷1,0:0,8÷1,2 соответственно, а остальное в газовой смеси - водород. Недостатками данного способа являются:
- жидкостной химический способ формирования пористого слоя Si;
- термический способ формирования слоя 3C-SiC на пористом слое Si с достаточно высокой температурой (превышающей температуру размягчения и расстекловывания кварцевого стекла).
Из приведенного обзора аналогов видно, что существует достаточное количество различных способов формирования карбида кремния на кремнии при различных параметрах - давлении, температуре, газовых компонентах, подготовке поверхности Si подложки, создании промежуточных слоев, использовании СВЧ плазмы. Используя заявленную совокупность технологических приемов, авторы вышеуказанных аналогов, получают 3C и аморфные слои SiC. Максимальные толщины таких слоев - несколько микрон.
Прототипом заявленного решения является (RU 2395867, H01L 21/205, 27.07.2010), поскольку в нем при формировании сендвич-струкруты 3C-SiC/Si последовательно перечислены слои и технологические операции, их создающие, то есть описан технологический процесс, состоящий из отдельных технологических операций. Кроме вышеуказанных недостатков способа основным недостатком следует выделить дискретность технологических операций при решении задачи формирования 3C-SiC/Si структуры.
Техническим результатом данного изобретения является превращение технологического процесса (состоит из отдельных технологических операций) в одну технологическую операцию с изменением технологической среды ее проведения (плазма различного состава), а также возможность получения толстых слоев 3C-SiC.
Предлагаемое техническое решение заключается в том, что проводится одна технологическая операция - СВЧ плазменное формирование структуры 3C-SiC/Si с использованием CF4 и O2 при пониженном давлении (1·10-4÷10 Торр), температуре 600÷1250°C и электрическом смещении от минус 10 В до минус 300 В, не открывая реакционной камеры и не перенося Si пластины для проведения перечисленных в прототипе технологических операций. Заявленное техническое решение позволяет получить пленки (слои) любой толщины (все определяется технической и технологической задачами). За восемь часов технологической операции удалось получить пленки толщиной 40 мкм (можно использовать в качестве тонкой подложки если убрать Si). Впервые предлагается фторидная газовая система для формирования SiC в плазме СВЧ разряда пониженного давления (SiF4+CF4+H2). Авторам предлагаемого технического решения неизвестно из уровня техники, чтобы 3C-SiC формировался таким образом. Известно использование SiCl4 и CCl4, но они более токсичны, чем предлагаемая газовая смесь. CF4 используется в дыхательной смеси водолазов-подводников (для погружения на большие глубины) вместо N2, чтобы избежать кессонных заболеваний при подъеме. SiF4 является побочным продуктом в производстве Al и сотнями тонн выбрасывается в атмосферу, разрушая озоновый слой, поскольку практически не находит технического применения. CCl4 - токсичен и накапливается в организме человека. Достигнутые результаты:
а) все вышеуказанные стадии технологической операции проводятся в одной технологической камере без ее вскрытия (после каждой стадии) только изменением внешних технологических параметров:
- состава плазмы (плазмообразующих газов);
- режимов плазменной обработки;
- подачи на обрабатываемую пластину потенциала;
б) все вышеуказанные стадии технологической операции проводятся на подогреваемом пьедестале для обрабатываемых пластин в следующем диапазоне температур: 600÷1250°C;
в) использование фторидов кремния и углерода в качестве плазмообразующих компонент:
- позволяет выращивать пленки (слои) любой требуемой толщины;
- снять экологическую нагрузку, так как сотни тонн SiF4 просто выбрасываются в атмосферу при производстве Al. Его необходимо улавливать и очищать до требуемой кондиции, a CF4 при обычных условиях безвреден;
- выделяемый в процессе технологической операции HF или F2 можно улавливать и возвращать в технологический процесс.
Примеры технической реализации предлагаемого решения.
Пример 1
Кремниевая пластина диаметром 76 мм с ориентацией (100) помещалась на подогреваемый столик-подложкодержатель, расположенный в реакционной камере технологической СВЧ плазменной установки (частота 2,45 ГГц). Реакционная камера откачивалась до давления 1·10-5 Торр, включался подогрев столика. По достижении 600°C в реакционную камеру подавались CF4 и O2 (20% об.) до достижения рабочего давления 1·10-3 Торр. Поджигалась СВЧ плазма. Величина подводимой СВЧ мощности составляла 600 Вт. Длительность стадии составляла 15 минут. Таким образом проводилась стадия очистки и травления. Следующим шагом было выключение кислорода, 1-минутная прокачка и подача в камеру водорода (Н2). Водород подавался в избытке. Рабочее давление составляло 1·10-2 Торр. CF4 не выключался и плазма не гасилась. Стадия продолжалась 10 минут.
Следующим шагом было уменьшение подачи водорода до стехиометрического. Длительность - 10 минут. Следующий стадией была карбонизация. Для этого количество подаваемого водорода уменьшалось до . Длительность такой обработки составляла 30 минут. При этом на столик подавалось отрицательное смещение минус 50 В. Следующая стадия - ростовая, в реакционную камеру подавался 5% раствор SiF4 в Ar. Рабочее давление составляло 5·10-2÷10·10-2 Торр. Длительность процесса определялась требуемой толщиной пленки 3C-SiC. Скорость формирования пленки составляла приблизительно . Сформированная пленка SiC травилась в расплаве КОН и исследовалась на оптическом микроскопе. Были видны ямки травления квадратного сечения. Кроме того, проводился рентгено-структурный анализ пленки. Все полученные результаты указывали, что сформированная пленка SiC является монокристаллической и имеет кубическую структуру.
Пример 2
Все стадии технологической операции формирования пленки 3C-SiC на Si сохранялись, как и в примере 1. Отличие было в температуре столика - 800°C и величине подводимой к плазме СВЧ мощности. Она составляла 800 Вт. Скорость формирования пленки 3C-SiC составляла приблизительно . Идентификация пленки проводилась, как в примере 1, и была кубической структуры.
Пример 3
Все стадии технологической операции формирования пленки 3C-SiC на Si сохранялись, как и в примере 1. Отличие было в температуре столика - 1200°C и величине подводимой к плазме СВЧ мощности. Она составляла 1000 Вт. Скорость формирования пленки 3C-SiC составляла приблизительно . Идентификация пленки проводилась, как в примере 1, и была кубической структуры.
Пример 4
Все стадии технологической операции формирования пленки 3C-SiC на Si сохранялись, как и в примере 1. Отличие было в температуре столика - 1250°C и величине подводимой к плазме СВЧ мощности - она составляла 1500 Вт. Скорость формирования пленки 3C-SiC составляла приблизительно . Идентификация пленки проводилась, как в примере 1, и была кубической структуры.
Пример 5
Все стадии технологической операции формирования пленки 3C-SiC на Si сохранялись, как и в примере 1. Отличие было в температуре столика - 1250°C, величине подводимой к плазме СВЧ мощности - она составляла 1300 Вт и ориентации Si пластины - она была (111). Скорость формирования пленки 3C-SiC составляла приблизительно . Идентификация пленки проводилась, как в примере 1, и была кубической структуры.
Пример 6
Все стадии технологической операции формирования пленки 3C-SiC на Si сохранялись, как и в примере 1. Отличие было в температуре столика - 1250°C, величине подводимой к плазме СВЧ мощности - 1200 Вт и SiF4 заменили на SiH4. Рабочее давление составляло 10 Торр. Скорость формирования пленки 3C-SiC была приблизительно . Идентификация пленки проводилась, как в примере 1, и была кубической структуры.
Claims (1)
- Способ СВЧ плазменного формирования пленок кубического карбида кремния на кремнии, предусматривающий очистку поверхности пластины, формирование слоя нанопористого кремния на поверхности кремниевой пластины с базовой ориентацией (100) или (111) и осаждение слоя 3C-SiC, отличающийся тем, что очистку поверхности, формирование слоя нанопористого кремния и осаждение слоя 3C-SiC проводят в одной технологической операции в несколько стадий - очистку поверхности и формирование слоя нанопористого кремния проводят с помощью СВЧ плазменной очистки и травления поверхности кремниевой пластины с использованием газов CF4 и O2, а осаждение слоя 3C-SiC проводят с помощью СВЧ плазменного синтеза с использованием газов SiF4 (SiH4), CF4 и Н2, все технологические операции проводят в СВЧ плазме пониженного давления 1·10-4÷10 Торр, температуре предметного столика 600÷250°C и его электрическом смещении от минус 10 В до минус 300 В.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013127679/28A RU2538358C1 (ru) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | СПОСОБ СВЧ ПЛАЗМЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК КУБИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ (3С-SiC) |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013127679/28A RU2538358C1 (ru) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | СПОСОБ СВЧ ПЛАЗМЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК КУБИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ (3С-SiC) |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013127679A RU2013127679A (ru) | 2014-12-27 |
RU2538358C1 true RU2538358C1 (ru) | 2015-01-10 |
Family
ID=53278352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013127679/28A RU2538358C1 (ru) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | СПОСОБ СВЧ ПЛАЗМЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК КУБИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ (3С-SiC) |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2538358C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108587052A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-09-28 | 贵州领想科技制造有限公司 | 一种碳复合摩擦材料及其制备方法 |
RU2814510C1 (ru) * | 2023-09-20 | 2024-02-29 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ травления карбида кремния |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1710604A1 (ru) * | 1989-03-30 | 1992-02-07 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Способ эпитаксиального выращивани монокристаллических слоев кубического S @ С |
RU2286617C2 (ru) * | 2005-02-10 | 2006-10-27 | Фонд поддержки науки и образования | Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности |
RU2352019C1 (ru) * | 2007-08-03 | 2009-04-10 | Фонд поддержки науки и образования | Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности |
RU2370851C2 (ru) * | 2005-12-15 | 2009-10-20 | Общество с ограниченной ответственностью "СиЦ-сенсор" | СПОСОБ САМООРГАНИЗУЮЩЕЙСЯ ЭНДОТАКСИИ МОНО 3C-SiC НА Si ПОДЛОЖКЕ |
RU2395867C2 (ru) * | 2008-10-06 | 2010-07-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ) | ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СЭНДВИЧ-СТРУКТУРА 3С-SiC/Si, СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА С ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ |
-
2013
- 2013-06-19 RU RU2013127679/28A patent/RU2538358C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1710604A1 (ru) * | 1989-03-30 | 1992-02-07 | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Способ эпитаксиального выращивани монокристаллических слоев кубического S @ С |
RU2286617C2 (ru) * | 2005-02-10 | 2006-10-27 | Фонд поддержки науки и образования | Способ получения изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности |
RU2370851C2 (ru) * | 2005-12-15 | 2009-10-20 | Общество с ограниченной ответственностью "СиЦ-сенсор" | СПОСОБ САМООРГАНИЗУЮЩЕЙСЯ ЭНДОТАКСИИ МОНО 3C-SiC НА Si ПОДЛОЖКЕ |
RU2352019C1 (ru) * | 2007-08-03 | 2009-04-10 | Фонд поддержки науки и образования | Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности |
RU2395867C2 (ru) * | 2008-10-06 | 2010-07-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ) | ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СЭНДВИЧ-СТРУКТУРА 3С-SiC/Si, СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА С ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108587052A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-09-28 | 贵州领想科技制造有限公司 | 一种碳复合摩擦材料及其制备方法 |
RU2814510C1 (ru) * | 2023-09-20 | 2024-02-29 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") | Способ травления карбида кремния |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2013127679A (ru) | 2014-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6631517B2 (ja) | ダイヤモンド基板、及び、ダイヤモンド複合基板 | |
KR100973697B1 (ko) | 다이아몬드의 고온 처리를 통한 aa 적층그라핀-다이아몬드 하이브리드 물질 및 그 제조 방법 | |
JP5164359B2 (ja) | フリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法 | |
EP2907790B1 (en) | Method for producing nanocarbon film and nanocarbon film | |
JP5727017B2 (ja) | グラフェンの成長のための方法 | |
JP2008031503A (ja) | オフ角を有する単結晶基板の製造方法 | |
WO2016067918A1 (ja) | 炭化珪素エピタキシャル膜の成長方法 | |
CN104451868A (zh) | 单晶金刚石的制造方法 | |
JP2007238377A (ja) | 単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法 | |
TWI505990B (zh) | Cleaning gas and cleaning methods | |
JP2010037128A (ja) | グラファイト膜製造方法 | |
CN105154847B (zh) | 一种具有Si‑V发光的纳米金刚石薄膜及其可控制备方法 | |
RU2538358C1 (ru) | СПОСОБ СВЧ ПЛАЗМЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК КУБИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ (3С-SiC) | |
RU2286616C2 (ru) | Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности | |
Zhang et al. | Subnanometer-thick 2D GaN film with a large bandgap synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition | |
KR101419472B1 (ko) | 단결정 성장용 종자정의 제조 방법, 상기 종자정을 이용한 단결정 성장 방법 | |
CN108360065A (zh) | 一种生长单晶金刚石的方法及生长结构 | |
RU2341847C1 (ru) | Способ синтеза пленок карбида кремния на кремниевой подложке | |
JPS6114726A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
JP6927429B2 (ja) | SiCエピタキシャル基板の製造方法 | |
RU2352019C1 (ru) | Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности | |
JP2006216874A (ja) | 六方晶窒化ホウ素単結晶基板およびその製造方法 | |
US10246334B2 (en) | Method of producing heterophase graphite | |
JP4690734B2 (ja) | 単結晶SiC基板の製造方法 | |
WO2008035468A1 (fr) | FILM DE NANODIAMANT MINCE AYANT UNE CONDUCTIVITÉ DU TYPE n ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190620 |