JPS59125615A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59125615A JPS59125615A JP22869782A JP22869782A JPS59125615A JP S59125615 A JPS59125615 A JP S59125615A JP 22869782 A JP22869782 A JP 22869782A JP 22869782 A JP22869782 A JP 22869782A JP S59125615 A JPS59125615 A JP S59125615A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- upper electrode
- film
- thin
- wafer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（月発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、詳しくは平行平板型プ
ラズマ化学気相成長（ＣＶＤ ）装置を用いた膜成長に
関する。
ラズマ化学気相成長（ＣＶＤ ）装置を用いた膜成長に
関する。
（２）技術の背景
プラズマｃｖＬ１法は、グロー放電を利用して反応ガス
を分解することにより薄膜形成を行う技術である。
を分解することにより薄膜形成を行う技術である。
第１図は上記プラズマＣＶＯ法で用いられる平行平板型
プラズマＣＶＤ装置の概略断面図で、同図においで１は
反応容器、２ば数Ｔｏｒｒの圧力に保たれた反応室であ
り、３は例えばアルミニウム（Ａ７りまたはステンレス
などで形成される円板形の上部電極、４は上部電極３に
り・１向する下部電極、５は放電用の高周波電源、６は
ウェハ、７は反応ガス導入管（ガスは矢印力量に導入さ
れる）、８は排気管（排気は矢印の方−畏こなされる）
を示−３−０かかる装置において、導入管７から反応室
２内に導入された反応ガスは、上部電極３と下部′電極
２の間で、これら電極に印加される高周波によりプラズ
マ化され、ウェハ６上に所望の薄膜を成長する。そして
反応後のガスは図示しない真空ポンプにより排気管８か
ら排気される。
プラズマＣＶＤ装置の概略断面図で、同図においで１は
反応容器、２ば数Ｔｏｒｒの圧力に保たれた反応室であ
り、３は例えばアルミニウム（Ａ７りまたはステンレス
などで形成される円板形の上部電極、４は上部電極３に
り・１向する下部電極、５は放電用の高周波電源、６は
ウェハ、７は反応ガス導入管（ガスは矢印力量に導入さ
れる）、８は排気管（排気は矢印の方−畏こなされる）
を示−３−０かかる装置において、導入管７から反応室
２内に導入された反応ガスは、上部電極３と下部′電極
２の間で、これら電極に印加される高周波によりプラズ
マ化され、ウェハ６上に所望の薄膜を成長する。そして
反応後のガスは図示しない真空ポンプにより排気管８か
ら排気される。
（３）従来技術と問題点
ところで上記薄腺成長時に、ウェハ６の表面上だけでな
く上部電極３おまひ下部電極４の表面にもＭ膜が成長す
る。そして特に第２図に示す如く上部電極３のウェハ６
に対向する面３Ｓに形成されるｉｎ＊１ｏは、膜成長中
ウェハ６上にコミのように剥離落下するため、半導体装
置の製造歩留り低士の原因となっている。
く上部電極３おまひ下部電極４の表面にもＭ膜が成長す
る。そして特に第２図に示す如く上部電極３のウェハ６
に対向する面３Ｓに形成されるｉｎ＊１ｏは、膜成長中
ウェハ６上にコミのように剥離落下するため、半導体装
置の製造歩留り低士の原因となっている。
ここで第４図を参照すると、同図は本願の発明者によっ
ｃ ４られた成長膜ののべ１模厚に対するウェハ上に落
下した股小片の数の関係を示す線図で、横軸かのべ膜厚
（μｍ）、縦軸が落下粒子数（ｃｍ−’ ）を表す。
ｃ ４られた成長膜ののべ１模厚に対するウェハ上に落
下した股小片の数の関係を示す線図で、横軸かのべ膜厚
（μｍ）、縦軸が落下粒子数（ｃｍ−’ ）を表す。
同図を参照すると、従来ば曲線ｉで示ずように、のべ膜
厚が１０μｍ程度になると落下粒子数が著しく増加した
。この増加は上述した上部電荷からの落下粒子によるも
ので、数枚の膜成長を行った後には続けて処理を行いえ
ない状態であった。
厚が１０μｍ程度になると落下粒子数が著しく増加した
。この増加は上述した上部電荷からの落下粒子によるも
ので、数枚の膜成長を行った後には続けて処理を行いえ
ない状態であった。
しかし、電極上に膜が成長することは避りるごとができ
ない現象である。また成長膜の剥離落］・が起り易いこ
とは、股と電極間の密着性か悪いことに原因がある。
ない現象である。また成長膜の剥離落］・が起り易いこ
とは、股と電極間の密着性か悪いことに原因がある。
従来上部電極３に上記の如く成■霞した薄１模の剥離落
下による歩留り低下を防止するため、落下ｆｉ＞子数が
増加する以前に電極表面をプラスマクリーニングにより
清浄化する方法がとられていた。
下による歩留り低下を防止するため、落下ｆｉ＞子数が
増加する以前に電極表面をプラスマクリーニングにより
清浄化する方法がとられていた。
そして上記プラズマによる膜除去が困難な場合には、反
応【２から上部電極３を取り出し、酸ン容１１νで洗浄
しなければならノ４′かった。
応【２から上部電極３を取り出し、酸ン容１１νで洗浄
しなければならノ４′かった。
かかる電極のクリーニンクは数回の１１２成ｊ益のたび
に頻繁に行ねなけれはならないため、半導体装置の生産
性低下をもたらす問題があった。
に頻繁に行ねなけれはならないため、半導体装置の生産
性低下をもたらす問題があった。
（引発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、平行平板型プラズマＣ
ＶＤ装置において、上部電極表向と成長膜との密着性を
改善して安定したｊ膜成長を行うことができる半導体装
置の＋！Ａ造方法の提（バを１」的とする。
ＶＤ装置において、上部電極表向と成長膜との密着性を
改善して安定したｊ膜成長を行うことができる半導体装
置の＋！Ａ造方法の提（バを１」的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれは、平行平１に型プラズ
マ処理装置を用いたプラズマ化学気相成長において、上
部電極の試料に対向する面と下部電極面に凹凸形状を形
成し、かかる上−Ｆ電極を用いて膜成長を行うことを特
徴とする半導体装置の製造方法を提供することによって
達成される。
マ処理装置を用いたプラズマ化学気相成長において、上
部電極の試料に対向する面と下部電極面に凹凸形状を形
成し、かかる上−Ｆ電極を用いて膜成長を行うことを特
徴とする半導体装置の製造方法を提供することによって
達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。
第３図は本発明実施例を説明するための上部７ｈ極の断
面図で、同図を参照すると、符号 １３５で示ず如く電
極１３の表面を例えばＮｏ、５０〜１００のサンドブラ
ストで荒らし、不規則な凹凸形状を形成する。
面図で、同図を参照すると、符号 １３５で示ず如く電
極１３の表面を例えばＮｏ、５０〜１００のサンドブラ
ストで荒らし、不規則な凹凸形状を形成する。
」二連した上部電極を用いれば、電極１３の表面と成長
した）漠１１との間に生じるストレスが、不規則な凹凸
形状により打ち消され、両者の密着性が向上し、剥離落
下する粒子数を減少することができる。
した）漠１１との間に生じるストレスが、不規則な凹凸
形状により打ち消され、両者の密着性が向上し、剥離落
下する粒子数を減少することができる。
こごで第４図を再び参照すると、同図における曲線１１
は、上記表面を荒らした上部７ｈ極を用いて膜成長を行
った場合の落下粒子数を示す。この曲線Ｎと曲線ｉで示
す従来技術における落下粒子数と比べると、本発明の方
法を用いた場合、落下粒子数を従来に比べはるかに減少
しうろことが看取される。
は、上記表面を荒らした上部７ｈ極を用いて膜成長を行
った場合の落下粒子数を示す。この曲線Ｎと曲線ｉで示
す従来技術における落下粒子数と比べると、本発明の方
法を用いた場合、落下粒子数を従来に比べはるかに減少
しうろことが看取される。
そしてのべ膜厚の小さい（２〜４μｍ）ときの落下粒子
は、主として上部電極以外のところからのものであるた
め、本発明方法においては、下部電極４の表面も同様に
処理する。なお、電極表面の凹凸形成は、上記ザントブ
ラス１−以外の方ｌノ、によっても形成可能であり、本
発明方法の範囲は上記の実施例に限定されるものではな
い。
は、主として上部電極以外のところからのものであるた
め、本発明方法においては、下部電極４の表面も同様に
処理する。なお、電極表面の凹凸形成は、上記ザントブ
ラス１−以外の方ｌノ、によっても形成可能であり、本
発明方法の範囲は上記の実施例に限定されるものではな
い。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く、本発明によれば、平行平板型
プラズマＣＶＤ装置におい°（、上部電極面に付着した
薄１漢の剥１ｉ３１ｉ落丁が防止され、プラスマＣＶＤ
法による安定した薄膜成長が実現でき、半導体装置製造
における歩留りの向上にすＪ果人である。
プラズマＣＶＤ装置におい°（、上部電極面に付着した
薄１漢の剥１ｉ３１ｉ落丁が防止され、プラスマＣＶＤ
法による安定した薄膜成長が実現でき、半導体装置製造
における歩留りの向上にすＪ果人である。
第１図は平行平板型プラズマＣＶＩ）装置の概略断面図
、第２回は従来の上部電極を説明するだめの当該上部電
極の断面図、第３図は本発明実施例を説明するための上
部電極の断面図、第４図は薄膜成長におけるのべ１Ｍ厚
と落下粒子数との関係を示す線図である。 ｌ−反応容器、２−反応室、３．１３−上部電極、４−
・−下部電極、５− ｉｔ’ｊ＋周波電源、６ ウエハ
、第２回は従来の上部電極を説明するだめの当該上部電
極の断面図、第３図は本発明実施例を説明するための上
部電極の断面図、第４図は薄膜成長におけるのべ１Ｍ厚
と落下粒子数との関係を示す線図である。 ｌ−反応容器、２−反応室、３．１３−上部電極、４−
・−下部電極、５− ｉｔ’ｊ＋周波電源、６ ウエハ
Claims (1)
- 平行平板型プラズマ処理装置を用いたプラズマ化学気相
成長において、上部電極の試料に対向する面と下部電極
面に凹凸形状を形成し、かかる上下電極を用いて膜成長
を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22869782A JPS59125615A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22869782A JPS59125615A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125615A true JPS59125615A (ja) | 1984-07-20 |
Family
ID=16880377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22869782A Pending JPS59125615A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125615A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0199213A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-18 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 膜形成装置 |
| JPH01226148A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 膜形成装置 |
| JPH01227427A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 成膜装置 |
| WO1991013184A1 (en) * | 1990-02-22 | 1991-09-05 | Gordon Roy G | Titanium nitride or tin oxide bonding to a coater surface |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5016978U (ja) * | 1973-06-11 | 1975-02-22 | ||
| JPS55127021A (en) * | 1979-03-24 | 1980-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | Deposition apparatus for gaseous phase reaction |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP22869782A patent/JPS59125615A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5016978U (ja) * | 1973-06-11 | 1975-02-22 | ||
| JPS55127021A (en) * | 1979-03-24 | 1980-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | Deposition apparatus for gaseous phase reaction |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0199213A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-18 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 膜形成装置 |
| JPH01226148A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 膜形成装置 |
| JPH01227427A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 成膜装置 |
| WO1991013184A1 (en) * | 1990-02-22 | 1991-09-05 | Gordon Roy G | Titanium nitride or tin oxide bonding to a coater surface |
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