JPH07201742A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH07201742A JPH07201742A JP5335723A JP33572393A JPH07201742A JP H07201742 A JPH07201742 A JP H07201742A JP 5335723 A JP5335723 A JP 5335723A JP 33572393 A JP33572393 A JP 33572393A JP H07201742 A JPH07201742 A JP H07201742A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜堆積の連続処理回数を増加しても、パーテ
ィクルの発生量が少ないプラズマＣＶＤ装置を提供す
る。 【構成】 反応ガス導入管１８と真空排気口１５を有す
る反応室１４と、反応室１４内で基板２３を載置する基
板台２２と、基板台２２を加熱するヒーターブロック２
４と、基板台２２に対して対向位置に配置した高周波電
極１６からなるプラズマＣＶＤ装置において、電極１
６、基板台２２、反応室１４等の反応室１４の構成部品
の一部あるいは全部品材料の表面処理として、ブラスト
処理による粗化、あるいは多数の気孔を有するポーラス
なメッキを施すことにより、連続して膜堆積してもパー
ティクルの発生が少なく、結果として反応室１４内のク
リーニング（エッチングによる堆積膜の除去）の頻度を
少なくすることができ、生産性を向上することができ
る。
ィクルの発生量が少ないプラズマＣＶＤ装置を提供す
る。 【構成】 反応ガス導入管１８と真空排気口１５を有す
る反応室１４と、反応室１４内で基板２３を載置する基
板台２２と、基板台２２を加熱するヒーターブロック２
４と、基板台２２に対して対向位置に配置した高周波電
極１６からなるプラズマＣＶＤ装置において、電極１
６、基板台２２、反応室１４等の反応室１４の構成部品
の一部あるいは全部品材料の表面処理として、ブラスト
処理による粗化、あるいは多数の気孔を有するポーラス
なメッキを施すことにより、連続して膜堆積してもパー
ティクルの発生が少なく、結果として反応室１４内のク
リーニング（エッチングによる堆積膜の除去）の頻度を
少なくすることができ、生産性を向上することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体工業等における
薄膜形成工程に利用されるプラズマＣＶＤ装置に関する
ものである。
薄膜形成工程に利用されるプラズマＣＶＤ装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置は、ＳｉＮ（窒化珪
素）、ＳｉＯ2（酸化珪素）及びＳｉＯＮ（オキシ窒化
珪素）のような物質を堆積することができ、半導体にお
いては層間絶縁膜や保護膜等の形成に利用されている。
素）、ＳｉＯ2（酸化珪素）及びＳｉＯＮ（オキシ窒化
珪素）のような物質を堆積することができ、半導体にお
いては層間絶縁膜や保護膜等の形成に利用されている。
【０００３】以下、図２を参照しながら上述したプラズ
マＣＶＤ装置の一例についてＳｉＮ膜を堆積する場合に
ついて説明する。
マＣＶＤ装置の一例についてＳｉＮ膜を堆積する場合に
ついて説明する。
【０００４】図２において、反応室１は真空排気口２を
有しかつ接地されている。３は電極で、高周波発振器か
らの電力がマッチングチューナ、高周波電力が供給部４
を通って供給される。電極３は反応ガス導入管５から供
給された反応ガスを反応室１内ら分散させて供給するた
めのガス流出孔６を有する。７は反応室１と電極３を絶
縁するための絶縁リングである。８は反応ガス導入管５
と電極３とを絶縁するための絶縁管である。９は基板１
０を載置するための基板台であり、接地されている。電
極３と基板台９の間の距離は１５ｍｍ程度に設定されて
いる。１１は基板台９及び基板１０を加熱するためのヒ
ーターブロックであり、ヒーター及び熱電対（図示せ
ず）が埋め込まれている。１２はヒーターブロック１１
と反応室１との間の熱移動移動を少なくするための絶縁
リングである。電極３、絶縁リング７、ヒーターブロッ
ク１１、絶縁リング１２にはＯリング７（図示せず）が
用いられ、反応室１内の真空を保っている。１３はＯリ
ングが２００度以上に加熱れさないように冷却水を流す
ための水冷溝である。
有しかつ接地されている。３は電極で、高周波発振器か
らの電力がマッチングチューナ、高周波電力が供給部４
を通って供給される。電極３は反応ガス導入管５から供
給された反応ガスを反応室１内ら分散させて供給するた
めのガス流出孔６を有する。７は反応室１と電極３を絶
縁するための絶縁リングである。８は反応ガス導入管５
と電極３とを絶縁するための絶縁管である。９は基板１
０を載置するための基板台であり、接地されている。電
極３と基板台９の間の距離は１５ｍｍ程度に設定されて
いる。１１は基板台９及び基板１０を加熱するためのヒ
ーターブロックであり、ヒーター及び熱電対（図示せ
ず）が埋め込まれている。１２はヒーターブロック１１
と反応室１との間の熱移動移動を少なくするための絶縁
リングである。電極３、絶縁リング７、ヒーターブロッ
ク１１、絶縁リング１２にはＯリング７（図示せず）が
用いられ、反応室１内の真空を保っている。１３はＯリ
ングが２００度以上に加熱れさないように冷却水を流す
ための水冷溝である。
【０００５】以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装
置について以下説明する。基板台９上の基板１０をヒー
ターブロック１１で約３５０度に加熱し、反応室１には
ガス流出孔６からＳｉＨ4（モノシラン）ガスを１５０s
ccm、Ｎ2ガスを３０００sccm、ＮＨ3（アンモニア）ガ
スを１００sscm流した状態で、反応室１を約２Torr真空
保持する。電極３には１３．５６MHZの高周波電力が４
００Ｗ印加され、電極３と基板台９間でプラズマ放電を
起こす。反応室１中の反応ガスとしてのＳｉＨ 4ガス、
Ｎ2ガス、ＮＨ3ガスはプラズマのエネルギーにより分解
され、基板１０上にＳｉＮ（シリコンナイトライド）膜
を堆積する。
置について以下説明する。基板台９上の基板１０をヒー
ターブロック１１で約３５０度に加熱し、反応室１には
ガス流出孔６からＳｉＨ4（モノシラン）ガスを１５０s
ccm、Ｎ2ガスを３０００sccm、ＮＨ3（アンモニア）ガ
スを１００sscm流した状態で、反応室１を約２Torr真空
保持する。電極３には１３．５６MHZの高周波電力が４
００Ｗ印加され、電極３と基板台９間でプラズマ放電を
起こす。反応室１中の反応ガスとしてのＳｉＨ 4ガス、
Ｎ2ガス、ＮＨ3ガスはプラズマのエネルギーにより分解
され、基板１０上にＳｉＮ（シリコンナイトライド）膜
を堆積する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構造では、基板１０に膜を形成すると同時に、反応
室１内の構成部品、たとえば電極３や基板台９や反応室
１の側壁等にも膜が堆積する。そのため基板１０を複数
枚連続で処理した場合、電極３、基板台９、反応室１側
壁に堆積した膜は厚くなり、膜がはがれたりする問題が
生ずる。このはがれが基板１０に堆積した膜上へのパー
ティクルの原因となり、歩留り低下につながる。これを
避けるため一般的に、基板１０を１枚成膜ごとに反応室
１内をエッチングガスでクリーニングする方法がとられ
ていて、生産性が低いという問題点を有していた。
うな構造では、基板１０に膜を形成すると同時に、反応
室１内の構成部品、たとえば電極３や基板台９や反応室
１の側壁等にも膜が堆積する。そのため基板１０を複数
枚連続で処理した場合、電極３、基板台９、反応室１側
壁に堆積した膜は厚くなり、膜がはがれたりする問題が
生ずる。このはがれが基板１０に堆積した膜上へのパー
ティクルの原因となり、歩留り低下につながる。これを
避けるため一般的に、基板１０を１枚成膜ごとに反応室
１内をエッチングガスでクリーニングする方法がとられ
ていて、生産性が低いという問題点を有していた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点に鑑み、反応室
１内構成部品に堆積した膜をはがれにくくし、かつエッ
チングガスでは従来と同じように膜除去できるような構
成とし、連続処理しても基板表面のパーティクルの少な
い膜を基板１０上に形成できるプラズマＣＶＤ装置を提
供することを目的とする。
１内構成部品に堆積した膜をはがれにくくし、かつエッ
チングガスでは従来と同じように膜除去できるような構
成とし、連続処理しても基板表面のパーティクルの少な
い膜を基板１０上に形成できるプラズマＣＶＤ装置を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置は、反応ガス導入管と真空排気口を有する反応室
と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を加熱
するヒーターブロックと、基板台に対して対向位置に配
置した高周波電極からなるプラズマＣＶＤ装置におい
て、反応室内の構成部品の一部あるいは全部品材料の表
面処理としてブラスト処理による粗化、あるいはポーラ
ス（多数の気孔を有する）なメッキを施し、複数枚の基
板を連続処理した後、反応室内に堆積した膜を除去する
ためエッチングガスを流すことを特徴とする。
装置は、反応ガス導入管と真空排気口を有する反応室
と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を加熱
するヒーターブロックと、基板台に対して対向位置に配
置した高周波電極からなるプラズマＣＶＤ装置におい
て、反応室内の構成部品の一部あるいは全部品材料の表
面処理としてブラスト処理による粗化、あるいはポーラ
ス（多数の気孔を有する）なメッキを施し、複数枚の基
板を連続処理した後、反応室内に堆積した膜を除去する
ためエッチングガスを流すことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明の上記した構成によると、基板に膜を堆
積すると同時に反応室内構成部品、例えば電極、基板
台、反応室内壁にも膜が堆積する。しかし反応室内構成
部品の一部あるいは全部品材料の表面処理としてブラス
ト処理あるいはポーラスな膜をメッキすることにより、
堆積した膜の密着強度は上がり、基板上へのパーティク
ルの影響は少なくなる。また、堆積した膜をエッチング
ガスにより除去する場合、膜の密着強度とは関係なく化
学的に除去できるため、生産性に影響しない。結果とし
て基板処理ごとに反応室内の膜を除去する必要がなく、
膜を除去する回数を減らすことができ、生産性の向上及
び堆積膜の信頼性を向上することができる。
積すると同時に反応室内構成部品、例えば電極、基板
台、反応室内壁にも膜が堆積する。しかし反応室内構成
部品の一部あるいは全部品材料の表面処理としてブラス
ト処理あるいはポーラスな膜をメッキすることにより、
堆積した膜の密着強度は上がり、基板上へのパーティク
ルの影響は少なくなる。また、堆積した膜をエッチング
ガスにより除去する場合、膜の密着強度とは関係なく化
学的に除去できるため、生産性に影響しない。結果とし
て基板処理ごとに反応室内の膜を除去する必要がなく、
膜を除去する回数を減らすことができ、生産性の向上及
び堆積膜の信頼性を向上することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装
置について図１を参照しながら説明する。
置について図１を参照しながら説明する。
【００１１】図１において、反応室１４は真空排気口１
５を有しかつ接地されている。１６は電極で、高周波発
振器からの電力がマッチングチューナ、高周波電力供給
部１７を通って供給される。電極１６は反応ガス導入管
１８から供給された反応ガスを反応室１４内に分散させ
て供給するためのガス流出孔１９を有する。電極１６の
材料としてＡ５０５２（アルミニウム）を用い、表面処
理として約１００μｍ径の粒子でブラスト処理した。２
０は反応室１４と電極１６を絶縁するための絶縁リング
である。２１は反応ガス導入管１８と電極１６とを絶縁
するための絶縁管である。２２は基板２３を載置するた
めの基板台であり、接地されている。電極１６と基板台
２２の間の距離は１５ｍｍ程度に設定されている。２４
は基板台２２及び基板２３を加熱するためのヒーターブ
ロックであり、ヒーター及び熱電対（図示せず）が埋め
込まれている。２５はヒーターブロック２４と反応室１
４との間の熱移動を少なくするための絶縁リングであ
る。電極１６、絶縁リング２０、ヒーターブロック２
４、絶縁リング２５にはＯリングシール（図示せず）が
用いられ、反応室１４内の真空を保っている。２６はＯ
リングが２００度以上に加熱されないように冷却水を流
すための水冷溝である。
５を有しかつ接地されている。１６は電極で、高周波発
振器からの電力がマッチングチューナ、高周波電力供給
部１７を通って供給される。電極１６は反応ガス導入管
１８から供給された反応ガスを反応室１４内に分散させ
て供給するためのガス流出孔１９を有する。電極１６の
材料としてＡ５０５２（アルミニウム）を用い、表面処
理として約１００μｍ径の粒子でブラスト処理した。２
０は反応室１４と電極１６を絶縁するための絶縁リング
である。２１は反応ガス導入管１８と電極１６とを絶縁
するための絶縁管である。２２は基板２３を載置するた
めの基板台であり、接地されている。電極１６と基板台
２２の間の距離は１５ｍｍ程度に設定されている。２４
は基板台２２及び基板２３を加熱するためのヒーターブ
ロックであり、ヒーター及び熱電対（図示せず）が埋め
込まれている。２５はヒーターブロック２４と反応室１
４との間の熱移動を少なくするための絶縁リングであ
る。電極１６、絶縁リング２０、ヒーターブロック２
４、絶縁リング２５にはＯリングシール（図示せず）が
用いられ、反応室１４内の真空を保っている。２６はＯ
リングが２００度以上に加熱されないように冷却水を流
すための水冷溝である。
【００１２】以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装
置について、以下ＳｉＮ膜を形成する場合について説明
する。基板台２２上の基板２３をヒーターブロック２４
で約３５０度に加熱し、反応室１４にはガス流出孔１９
からＳｉＨ4ガスを１５０sccm、Ｎ2ガスを３０００scc
m、ＮＨ3ガスを１００sccm流した状態で、反応室１４を
約２Toorに真空保持する。電極１４には１３．５６MHz
の高周波電力が４００Ｗ印加され、電極１６と基板台２
２間でプラズマ放電を起こす。反応室１４中の反応ガス
としてのＳｉＨ4、Ｎ2ガス、ＮＨ3ガスはプラズマのエ
ネルギーにより分解され、基板２３上にＳｉＮ膜を堆積
する。１枚の基板２３に対して、堆積膜厚を１．５μｍ
とし、５枚連続成膜した場合、５枚目に成膜した基板２
３表面上のパーティクル（０．３μｍ以上）の数は、プ
ラスト処理した電極１６を用いた場合、５０〜８０個と
なった。それに対して従来法の表面処理をしていない電
極３（材質はＡ５０５２）を用いた場合パーティクルの
数は、２００〜３００個であり、パーティクルの数が約
１／４になった。
置について、以下ＳｉＮ膜を形成する場合について説明
する。基板台２２上の基板２３をヒーターブロック２４
で約３５０度に加熱し、反応室１４にはガス流出孔１９
からＳｉＨ4ガスを１５０sccm、Ｎ2ガスを３０００scc
m、ＮＨ3ガスを１００sccm流した状態で、反応室１４を
約２Toorに真空保持する。電極１４には１３．５６MHz
の高周波電力が４００Ｗ印加され、電極１６と基板台２
２間でプラズマ放電を起こす。反応室１４中の反応ガス
としてのＳｉＨ4、Ｎ2ガス、ＮＨ3ガスはプラズマのエ
ネルギーにより分解され、基板２３上にＳｉＮ膜を堆積
する。１枚の基板２３に対して、堆積膜厚を１．５μｍ
とし、５枚連続成膜した場合、５枚目に成膜した基板２
３表面上のパーティクル（０．３μｍ以上）の数は、プ
ラスト処理した電極１６を用いた場合、５０〜８０個と
なった。それに対して従来法の表面処理をしていない電
極３（材質はＡ５０５２）を用いた場合パーティクルの
数は、２００〜３００個であり、パーティクルの数が約
１／４になった。
【００１３】以上のように本実施例によれば、電極１６
の表面処理としてブラスト処理を施したことにより、５
枚連続成膜しても５枚目の基板２３上のパーティクルの
数は５０〜８０個となり、半導体デバイスの品種により
パーティクルの許容数値は異なるが、成膜ごとに毎回反
応室１４をクリーニングすることなく数枚連続成膜後ク
リーニングをすれば良く、生産性を向上することができ
る。
の表面処理としてブラスト処理を施したことにより、５
枚連続成膜しても５枚目の基板２３上のパーティクルの
数は５０〜８０個となり、半導体デバイスの品種により
パーティクルの許容数値は異なるが、成膜ごとに毎回反
応室１４をクリーニングすることなく数枚連続成膜後ク
リーニングをすれば良く、生産性を向上することができ
る。
【００１４】次に本発明の第２の実施例のプラズマＣＶ
Ｄ装置について図面を参照しながら説明する。第２の実
施例におけるプラズマＣＶＤ装置は図１と同じ構成であ
り、異なる点は電極１６の材料としてＡ５０５２を用
い、表面処理としてメッキ法により多数の気孔を有する
ポーラスなＡｌ2Ｏ3（アルミナ）膜を形成したことにあ
る。
Ｄ装置について図面を参照しながら説明する。第２の実
施例におけるプラズマＣＶＤ装置は図１と同じ構成であ
り、異なる点は電極１６の材料としてＡ５０５２を用
い、表面処理としてメッキ法により多数の気孔を有する
ポーラスなＡｌ2Ｏ3（アルミナ）膜を形成したことにあ
る。
【００１５】以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装
置について実施例１と同じ条件でＳｉＮ膜を形成した場
合について説明する。１枚の基板２３に成膜する膜厚を
１．５μｍとし、５枚連続成膜した場合、５枚目に成膜
した基板２３表面上のパーティクル（０．３μｍ以上）
の数は、３０〜５０個となり、従来法の表面処理をして
いない電極３を用いた場合のパーティクルの数２００〜
３００個に比べて、約１／６となった。
置について実施例１と同じ条件でＳｉＮ膜を形成した場
合について説明する。１枚の基板２３に成膜する膜厚を
１．５μｍとし、５枚連続成膜した場合、５枚目に成膜
した基板２３表面上のパーティクル（０．３μｍ以上）
の数は、３０〜５０個となり、従来法の表面処理をして
いない電極３を用いた場合のパーティクルの数２００〜
３００個に比べて、約１／６となった。
【００１６】以上のように本実施例によれば、電極１６
の表面処理として、メッキ法により多数の気孔を有する
ポーラスなＡｌ2Ｏ3（アルミナ）膜を形成したことによ
り、５枚連続成膜しても５枚目の基板２３上のパーティ
クルの数は、３０〜５０個となり、成膜ごとに毎回反応
室１４をクリーニングすることなく数枚連続成膜後クリ
ーニングすれば良く、生産性を向上することができる。
の表面処理として、メッキ法により多数の気孔を有する
ポーラスなＡｌ2Ｏ3（アルミナ）膜を形成したことによ
り、５枚連続成膜しても５枚目の基板２３上のパーティ
クルの数は、３０〜５０個となり、成膜ごとに毎回反応
室１４をクリーニングすることなく数枚連続成膜後クリ
ーニングすれば良く、生産性を向上することができる。
【００１７】次に本発明の第３の実施例のプラズマＣＶ
Ｄ装置について図面を参照しながら説明する。第３の実
施例におけるプラズマＣＶＤ装置は図１と同じ構成であ
り、異なる点は、電極１６と基板台２２の材料としてＡ
５０５２を用い表面処理としてメッキ法により多数の気
孔を有するポーラスなＡｌ2Ｏ3膜を形成したことにあ
る。
Ｄ装置について図面を参照しながら説明する。第３の実
施例におけるプラズマＣＶＤ装置は図１と同じ構成であ
り、異なる点は、電極１６と基板台２２の材料としてＡ
５０５２を用い表面処理としてメッキ法により多数の気
孔を有するポーラスなＡｌ2Ｏ3膜を形成したことにあ
る。
【００１８】以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装
置について実施例１と同じ条件でＳｉＮ膜で形成した場
合について説明する。１枚の基板２３に成膜する膜厚を
１．５μｍとし、５枚連続成膜した場合、５枚目に成膜
した基板２３表面上のパーティクル（０．３μｍ以上）
の数は、３０〜４０個となり、従来法の表面処理をして
いない場合のパーティクルの数２００〜３００個に比べ
約１／７となった。
置について実施例１と同じ条件でＳｉＮ膜で形成した場
合について説明する。１枚の基板２３に成膜する膜厚を
１．５μｍとし、５枚連続成膜した場合、５枚目に成膜
した基板２３表面上のパーティクル（０．３μｍ以上）
の数は、３０〜４０個となり、従来法の表面処理をして
いない場合のパーティクルの数２００〜３００個に比べ
約１／７となった。
【００１９】以上のように本実施例によれば、電極１６
と基板台２２の表面処理として、メッキ法により多数の
気孔を有するポーラスなＡｌ2Ｏ3膜を形成したことによ
り、５枚連続成膜しても５枚目の基板２３上のパーティ
クルの数は３０〜４０個となり、成膜ことに毎回反応室
１４をクリーニングすることなく、数枚連続成膜後クリ
ーニングすれば良く、生産性を向上することができる。
と基板台２２の表面処理として、メッキ法により多数の
気孔を有するポーラスなＡｌ2Ｏ3膜を形成したことによ
り、５枚連続成膜しても５枚目の基板２３上のパーティ
クルの数は３０〜４０個となり、成膜ことに毎回反応室
１４をクリーニングすることなく、数枚連続成膜後クリ
ーニングすれば良く、生産性を向上することができる。
【００２０】次に本発明の第４の実施例のプラズマＣＶ
Ｄ装置について図面を参照しながら説明する。第４の実
施例におけるプラズマＣＶＤ装置は図１と同じ構成であ
り、異なる点は電極１６、基板台２２、反応室１４の材
料としてＡ５０５２を用い表面処理としてメッキ法によ
り多数の気孔を有するポーラスなＡｌ2Ｏ3膜を形成した
ことにある。
Ｄ装置について図面を参照しながら説明する。第４の実
施例におけるプラズマＣＶＤ装置は図１と同じ構成であ
り、異なる点は電極１６、基板台２２、反応室１４の材
料としてＡ５０５２を用い表面処理としてメッキ法によ
り多数の気孔を有するポーラスなＡｌ2Ｏ3膜を形成した
ことにある。
【００２１】以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装
置について実施例１と同じ条件でＳｉＮ膜を形成した場
合について説明する。１枚の基板２３に成膜する膜厚を
１．５μｍとし、５枚連続成膜した場合、５枚目に成膜
した基板２３表面上のパーティクル（０．３μｍ以上）
の数は、２０〜３５個となり、従来法の表面処理をして
いない場合のパーティクルの数２００〜３００個に比
べ、約１／１０となった。
置について実施例１と同じ条件でＳｉＮ膜を形成した場
合について説明する。１枚の基板２３に成膜する膜厚を
１．５μｍとし、５枚連続成膜した場合、５枚目に成膜
した基板２３表面上のパーティクル（０．３μｍ以上）
の数は、２０〜３５個となり、従来法の表面処理をして
いない場合のパーティクルの数２００〜３００個に比
べ、約１／１０となった。
【００２２】以上のように本実施例によれば、電極１
６、基板台２２、反応室１４の材料としてＡ５０５２を
用い表面処理としてメッキ法により多数の気孔を有する
ポーラスなＡｌ2Ｏ3膜を形成したことにより、５枚連続
成膜しても５枚目の基板２３上のパーティクルの数は２
０〜３５個となり、成膜毎に毎回反応室１４をクリーニ
ングすることなく、数枚連続成膜後クリーニングすれば
良く、生産性を向上することができる。
６、基板台２２、反応室１４の材料としてＡ５０５２を
用い表面処理としてメッキ法により多数の気孔を有する
ポーラスなＡｌ2Ｏ3膜を形成したことにより、５枚連続
成膜しても５枚目の基板２３上のパーティクルの数は２
０〜３５個となり、成膜毎に毎回反応室１４をクリーニ
ングすることなく、数枚連続成膜後クリーニングすれば
良く、生産性を向上することができる。
【００２３】なお、第１の実施例において、電極１６の
表面処理として約１００μｍ径の粒子でブラスト処理し
たが、粒子の径については特に限定されない。
表面処理として約１００μｍ径の粒子でブラスト処理し
たが、粒子の径については特に限定されない。
【００２４】また、第１、第２、第３、第４の実施例に
おいて、電極１６、基板台２２、反応室１４の材料とし
てＡ５０５２（アルミニウム）としたが、メッキ可能な
導電性物質であれば耐熱、耐腐触性を考慮すればどのよ
うな材料でも良い。
おいて、電極１６、基板台２２、反応室１４の材料とし
てＡ５０５２（アルミニウム）としたが、メッキ可能な
導電性物質であれば耐熱、耐腐触性を考慮すればどのよ
うな材料でも良い。
【００２５】また、第２、第３、第４の実施例におい
て、電極１６、基板台２２、反応室１４の表面処理とし
てのメッキ材料としてＡｌ2Ｏ3（アルミナ）としたが、
気孔を有するポーラスな状態であれば、エッチングガス
に対する耐腐触性を考慮した材料であれば、どのような
材料でも同様の効果がある。
て、電極１６、基板台２２、反応室１４の表面処理とし
てのメッキ材料としてＡｌ2Ｏ3（アルミナ）としたが、
気孔を有するポーラスな状態であれば、エッチングガス
に対する耐腐触性を考慮した材料であれば、どのような
材料でも同様の効果がある。
【００２６】また、第３、第４の実施例において、電極
１６、基板台２２、反応室１４の表面処理として、メッ
キ法により多数の気孔を有するＡｌ2Ｏ3膜としたが、メ
ッキの代わりに第１の実施例と同じようにブラスト処理
することにより同様の効果が得られる。
１６、基板台２２、反応室１４の表面処理として、メッ
キ法により多数の気孔を有するＡｌ2Ｏ3膜としたが、メ
ッキの代わりに第１の実施例と同じようにブラスト処理
することにより同様の効果が得られる。
【００２７】また、第４の実施例において、電極１６、
基板台２２、反応室１４を表面処理した場合を示した
が、反応室１４内部品すべて表面処理すればさらに効果
があることは言うまでもない。
基板台２２、反応室１４を表面処理した場合を示した
が、反応室１４内部品すべて表面処理すればさらに効果
があることは言うまでもない。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、以上のように、反応室
内の構成部品の１部あるいは全材料の表面処理として、
プラズマ処理による粗化、あるいは多孔を有するポーラ
スな材料をメッキにすることにより、反応室内に堆積し
た膜の密着強度は上がり、膜はがれによる基板上へのダ
ストの影響は少なくなる。また、堆積した膜をエッチン
グガスにより除去する場合、膜の密着強度とは関係なく
化学的に除去できるため、生産性に影響を及ぼさない。
結果として、基板を１枚成膜するごとに反応室内を堆積
した膜を除去する必要がなく、膜を除去する頻度を減ら
すことができ、生産性の向上及び堆積膜の信頼性を向上
することができる。
内の構成部品の１部あるいは全材料の表面処理として、
プラズマ処理による粗化、あるいは多孔を有するポーラ
スな材料をメッキにすることにより、反応室内に堆積し
た膜の密着強度は上がり、膜はがれによる基板上へのダ
ストの影響は少なくなる。また、堆積した膜をエッチン
グガスにより除去する場合、膜の密着強度とは関係なく
化学的に除去できるため、生産性に影響を及ぼさない。
結果として、基板を１枚成膜するごとに反応室内を堆積
した膜を除去する必要がなく、膜を除去する頻度を減ら
すことができ、生産性の向上及び堆積膜の信頼性を向上
することができる。
【図１】本発明の第１、第２、第３、第４の実施例にお
けるプラズマＣＶＤ装置の断面図
けるプラズマＣＶＤ装置の断面図
【図２】従来例のプラズマＣＶＤ装置の断面図である。
１４ 反応室 １５ 真空排気口 １６ 電極 １７ 高周波電力供給部 １８ 反応ガス導入管 ２２ 基板台 ２３ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 反応ガス導入口と真空排気口を有する反
応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を
加熱するヒーターブロックと、基板台に対して対向位置
に配置され、高周波電力が供給される高周波電極からな
るプラズマＣＶＤ装置において、高周波電極の材料の表
面処理としてブラスト処理による粗化あるいはメッキ等
により多数の気孔を有するポーラスな膜を形成した材料
で構成され、複数枚連続して基板を処理する工程とエッ
チングガスを流して反応室内に堆積した膜を除去する工
程を交互に繰り返すプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 基板台材料の表面処理として、ブラスト
処理による粗化あるいはメッキ等によりポーラスな膜が
形成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズ
マＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 反応室内構成部品及び反応室壁面材料の
表面処理として、ブラスト処理による粗化あるいはメッ
キ等によりポーラスな膜が形成されていることを特徴と
する請求項２記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5335723A JPH07201742A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5335723A JPH07201742A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201742A true JPH07201742A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18291754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5335723A Pending JPH07201742A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07201742A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1057870C (zh) * | 1995-12-20 | 2000-10-25 | 台湾茂矽电子股份有限公司 | 注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法 |
| JP2002115068A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Applied Materials Inc | シャワーヘッド、基板処理装置および基板製造方法 |
| CN101826450A (zh) * | 2009-03-04 | 2010-09-08 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置以及半导体装置的制造方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5335723A patent/JPH07201742A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1057870C (zh) * | 1995-12-20 | 2000-10-25 | 台湾茂矽电子股份有限公司 | 注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法 |
| JP2002115068A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Applied Materials Inc | シャワーヘッド、基板処理装置および基板製造方法 |
| CN101826450A (zh) * | 2009-03-04 | 2010-09-08 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置以及半导体装置的制造方法 |
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