JP2891991B1 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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Abstract
【要約】
【課題】 基板上に形成される膜の膜質の悪化を防ぐこ
とができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 成膜するべき基板を収容するチャンバ２
内に、チャンバ２内でプラズマを発生させるプラズマ発
生電極３と、基板に接する基板側電極４を備え、この基
板側電極４が、基板を支持する基板支持部材１２と、こ
の基板支持部材１２に接して設けられ、基板支持部材１
２を介して基板を加熱する加熱部材１３を備え、加熱部
材１３が、少なくとも基板支持部材１２に接する部分の
表面がＡＣ７Ａ材からなるものとされている。
とができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 成膜するべき基板を収容するチャンバ２
内に、チャンバ２内でプラズマを発生させるプラズマ発
生電極３と、基板に接する基板側電極４を備え、この基
板側電極４が、基板を支持する基板支持部材１２と、こ
の基板支持部材１２に接して設けられ、基板支持部材１
２を介して基板を加熱する加熱部材１３を備え、加熱部
材１３が、少なくとも基板支持部材１２に接する部分の
表面がＡＣ７Ａ材からなるものとされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェハな
どの基板上に、酸化シリコンなどからなる膜を形成する
プラズマＣＶＤ装置に関し、特に、基板上に形成される
膜の膜質の悪化を防ぐことができるプラズマＣＶＤ装置
に関する。
どの基板上に、酸化シリコンなどからなる膜を形成する
プラズマＣＶＤ装置に関し、特に、基板上に形成される
膜の膜質の悪化を防ぐことができるプラズマＣＶＤ装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、この種のプラズマＣＶＤ装置の
一例を示すもので、ここに示すプラズマＣＶＤ装置１
は、成膜するべき基板Ｓを収容するチャンバ２内に、チ
ャンバ２内でプラズマを発生させるプラズマ発生電極３
と、基板Ｓに接する基板側電極４を備えて概略構成され
ている。チャンバ２は気密構造とされ、このチャンバ２
には、反応性ガスをチャンバ２内に導入するガス導入管
６と、チャンバ２内のガスを系外に排出する排出管７が
接続されている。プラズマ発生電極３は、電源１１から
の電力供給によってチャンバ２内にプラズマを発生させ
ることができるようになっている。基板側電極４は、基
板Ｓを支持するトッププレート１２と、トッププレート
１２に隙間なく接するヒートブロック１３を備えたもの
とされる。ヒートブロック１３は、アルミニウムなどか
らなるヒートブロック本体１５内にヒータ１６が内蔵さ
れ、その温度を任意に設定することができるようになっ
ている。トッププレート１２およびヒートブロック１３
は、インコネルボルト１４によって着脱自在に相互固定
されている。
一例を示すもので、ここに示すプラズマＣＶＤ装置１
は、成膜するべき基板Ｓを収容するチャンバ２内に、チ
ャンバ２内でプラズマを発生させるプラズマ発生電極３
と、基板Ｓに接する基板側電極４を備えて概略構成され
ている。チャンバ２は気密構造とされ、このチャンバ２
には、反応性ガスをチャンバ２内に導入するガス導入管
６と、チャンバ２内のガスを系外に排出する排出管７が
接続されている。プラズマ発生電極３は、電源１１から
の電力供給によってチャンバ２内にプラズマを発生させ
ることができるようになっている。基板側電極４は、基
板Ｓを支持するトッププレート１２と、トッププレート
１２に隙間なく接するヒートブロック１３を備えたもの
とされる。ヒートブロック１３は、アルミニウムなどか
らなるヒートブロック本体１５内にヒータ１６が内蔵さ
れ、その温度を任意に設定することができるようになっ
ている。トッププレート１２およびヒートブロック１３
は、インコネルボルト１４によって着脱自在に相互固定
されている。
【０００３】上記装置を用いて基板Ｓ上に成膜するに
は、汎用の半導体ウェハなどの基板Ｓを搬入口９を通し
てチャンバ２内に搬入し、シランと酸素の混合ガスなど
の反応性ガスをガス導入管６を通してチャンバ２内に導
入しつつチャンバ２内のガスを排出管７を通して排出
し、基板Ｓの表面をこの反応性ガスに曝す。この際、ヒ
ータ１６によってヒートブロック１３を所定の温度、例
えば２５０〜３５０℃に加熱する。ヒートブロック１３
の熱はこれに接するトッププレート１２を介して基板Ｓ
に伝えられ、基板Ｓは所定の温度、例えば２５０〜３５
０℃に加熱される。同時に、電源１１を用いてプラズマ
発生電極３に電力供給し、上記反応性ガスを原料とする
プラズマ化学気相成長により酸化シリコンなどからなる
薄膜を基板Ｓ表面に形成する。次いで、成膜が終了した
基板Ｓを搬出口１０を通してチャンバ２から搬出する。
なお、直接プラズマに晒されるため劣化しやすいトップ
プレート１２は、適宜ヒートブロック１３から取り外
し、交換される。
は、汎用の半導体ウェハなどの基板Ｓを搬入口９を通し
てチャンバ２内に搬入し、シランと酸素の混合ガスなど
の反応性ガスをガス導入管６を通してチャンバ２内に導
入しつつチャンバ２内のガスを排出管７を通して排出
し、基板Ｓの表面をこの反応性ガスに曝す。この際、ヒ
ータ１６によってヒートブロック１３を所定の温度、例
えば２５０〜３５０℃に加熱する。ヒートブロック１３
の熱はこれに接するトッププレート１２を介して基板Ｓ
に伝えられ、基板Ｓは所定の温度、例えば２５０〜３５
０℃に加熱される。同時に、電源１１を用いてプラズマ
発生電極３に電力供給し、上記反応性ガスを原料とする
プラズマ化学気相成長により酸化シリコンなどからなる
薄膜を基板Ｓ表面に形成する。次いで、成膜が終了した
基板Ｓを搬出口１０を通してチャンバ２から搬出する。
なお、直接プラズマに晒されるため劣化しやすいトップ
プレート１２は、適宜ヒートブロック１３から取り外
し、交換される。
【０００４】上記のように成膜を行う際には、基板Ｓ上
だけでなくチャンバ２の内壁面や、電極３、４等に反応
生成物が付着することがある。上記装置を長時間にわた
って使用することにより付着物が、チャンバ２の内壁面
や電極３、４等にある程度の厚さ以上堆積すると、これ
が剥離しやすくなり、剥離物が成膜時に基板Ｓに付着す
ることにより歩留まり低下が起こるおそれがある。この
ため、定期的にチャンバ２内をクリーニングすることが
行われている。このクリーニングの方法としては、例え
ば、クリーニング用のエッチングガス、例えばＣ2Ｆ6ガ
スをガス導入管６を通してチャンバ２内に導入しつつ、
プラズマ発生電極３に電力供給し上記エッチングガスを
原料としてフッ素ラジカルなどのラジカルを発生させ、
これを用いてチャンバ２内の付着物を除去する方法が採
用されている。
だけでなくチャンバ２の内壁面や、電極３、４等に反応
生成物が付着することがある。上記装置を長時間にわた
って使用することにより付着物が、チャンバ２の内壁面
や電極３、４等にある程度の厚さ以上堆積すると、これ
が剥離しやすくなり、剥離物が成膜時に基板Ｓに付着す
ることにより歩留まり低下が起こるおそれがある。この
ため、定期的にチャンバ２内をクリーニングすることが
行われている。このクリーニングの方法としては、例え
ば、クリーニング用のエッチングガス、例えばＣ2Ｆ6ガ
スをガス導入管６を通してチャンバ２内に導入しつつ、
プラズマ発生電極３に電力供給し上記エッチングガスを
原料としてフッ素ラジカルなどのラジカルを発生させ、
これを用いてチャンバ２内の付着物を除去する方法が採
用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のプラズマＣＶＤ装置にあっては、次のような問題が
あった。上記プラズマＣＶＤ装置にあっては、クリーニ
ングを行う際に、エッチングガスがトッププレート１２
とヒートブロック１３の隙間に侵入し、トッププレート
１２に接するヒートブロック１３の表面を腐食させ、孔
蝕と呼ばれる表面荒れを生じさせることがあった。ヒー
トブロック１３の表面に孔蝕が生じた場合には、トップ
プレート１２に対するヒートブロック１３の密着性が低
下し、成膜時にヒートブロック１３からトッププレート
１２に伝えられる熱量が不足し、その結果、基板Ｓの温
度が不十分となりエッチング速度が過大となり、基板Ｓ
上に形成される膜の膜質が悪化することがあった。本発
明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板上に形成
される膜の膜質の悪化を防ぐことができるプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的とする。
来のプラズマＣＶＤ装置にあっては、次のような問題が
あった。上記プラズマＣＶＤ装置にあっては、クリーニ
ングを行う際に、エッチングガスがトッププレート１２
とヒートブロック１３の隙間に侵入し、トッププレート
１２に接するヒートブロック１３の表面を腐食させ、孔
蝕と呼ばれる表面荒れを生じさせることがあった。ヒー
トブロック１３の表面に孔蝕が生じた場合には、トップ
プレート１２に対するヒートブロック１３の密着性が低
下し、成膜時にヒートブロック１３からトッププレート
１２に伝えられる熱量が不足し、その結果、基板Ｓの温
度が不十分となりエッチング速度が過大となり、基板Ｓ
上に形成される膜の膜質が悪化することがあった。本発
明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板上に形成
される膜の膜質の悪化を防ぐことができるプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、加熱部材
を、少なくとも基板支持部材に接する部分の表面がＡＣ
７Ａ材からなるものとしたプラズマＣＶＤ装置によって
解決することができる。加熱部材は、ＡＣ７Ａ材からな
る加熱部材本体と、この加熱部材本体を加熱するヒータ
を備えたものとすることができる。加熱部材本体は、全
表面にわたってＡＣ７Ａ材からなる被覆層が形成された
ものとしてもよいし、基板支持部材に接する部分の表面
のみにＡＣ７Ａ材からなる被覆層が形成されたものとし
てもよい。
を、少なくとも基板支持部材に接する部分の表面がＡＣ
７Ａ材からなるものとしたプラズマＣＶＤ装置によって
解決することができる。加熱部材は、ＡＣ７Ａ材からな
る加熱部材本体と、この加熱部材本体を加熱するヒータ
を備えたものとすることができる。加熱部材本体は、全
表面にわたってＡＣ７Ａ材からなる被覆層が形成された
ものとしてもよいし、基板支持部材に接する部分の表面
のみにＡＣ７Ａ材からなる被覆層が形成されたものとし
てもよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマＣＶＤ装
置の一実施形態について説明する。本実施形態のプラズ
マＣＶＤ装置が上述の従来のプラズマＣＶＤ装置と異な
るところは、この従来のプラズマＣＶＤ装置において、
ヒートブロック１３のヒートブロック本体１５をＡＣ７
Ａ材からなるものとした点である。以下、本発明のプラ
ズマＣＶＤ装置の一実施形態を、図１および図２を利用
して説明する。
置の一実施形態について説明する。本実施形態のプラズ
マＣＶＤ装置が上述の従来のプラズマＣＶＤ装置と異な
るところは、この従来のプラズマＣＶＤ装置において、
ヒートブロック１３のヒートブロック本体１５をＡＣ７
Ａ材からなるものとした点である。以下、本発明のプラ
ズマＣＶＤ装置の一実施形態を、図１および図２を利用
して説明する。
【０００８】本実施形態のプラズマＣＶＤ装置１は、成
膜するべき基板Ｓを収容するチャンバ２内に、チャンバ
２内でプラズマを発生させるプラズマ発生電極３と、基
板Ｓに接する基板側電極４を備えて概略構成されてい
る。
膜するべき基板Ｓを収容するチャンバ２内に、チャンバ
２内でプラズマを発生させるプラズマ発生電極３と、基
板Ｓに接する基板側電極４を備えて概略構成されてい
る。
【０００９】チャンバ２は気密構造とされ、このチャン
バ２には、図示せぬ供給源から供給された反応性ガスを
チャンバ２内に導入するガス導入管６と、チャンバ２内
のガスを系外に排出する排出管７が接続されている。排
出管７には図示せぬ排出量調節バルブが設けられてお
り、ガス排出量を調節することによって、チャンバ２の
内圧を任意の値に設定することができるようになってい
る。チャンバ２には、基板Ｓをチャンバ２内に搬入する
搬入口９と、基板Ｓをチャンバ２から搬出するための搬
出口１０が設けられている。
バ２には、図示せぬ供給源から供給された反応性ガスを
チャンバ２内に導入するガス導入管６と、チャンバ２内
のガスを系外に排出する排出管７が接続されている。排
出管７には図示せぬ排出量調節バルブが設けられてお
り、ガス排出量を調節することによって、チャンバ２の
内圧を任意の値に設定することができるようになってい
る。チャンバ２には、基板Ｓをチャンバ２内に搬入する
搬入口９と、基板Ｓをチャンバ２から搬出するための搬
出口１０が設けられている。
【００１０】プラズマ発生電極３は、アルミニウム合金
などの金属材料からなるものとされ、電源１１からの電
力供給によってチャンバ２内にプラズマを発生させるこ
とができるようになっている。電源１１としては、高周
波電源または直流電源を用いることができる。
などの金属材料からなるものとされ、電源１１からの電
力供給によってチャンバ２内にプラズマを発生させるこ
とができるようになっている。電源１１としては、高周
波電源または直流電源を用いることができる。
【００１１】基板側電極４は、上面側で基板Ｓを支持す
る基板支持部材であるトッププレート１２と、トッププ
レート１２の下面側に全面にわたり隙間なく接して設け
られたヒートブロック１３を備えたものとされる。
る基板支持部材であるトッププレート１２と、トッププ
レート１２の下面側に全面にわたり隙間なく接して設け
られたヒートブロック１３を備えたものとされる。
【００１２】トッププレート１２は、アルミニウム合金
などの金属材料からなるものとされ、厚さが例えば１〜
１０ｍｍの板状に形成するのが好適である。トッププレ
ート１２には、トッププレート１２とヒートブロック１
３を互いに固定するためのインコネルボルト１４を挿通
するボルト挿通孔１２ａが設けられている。
などの金属材料からなるものとされ、厚さが例えば１〜
１０ｍｍの板状に形成するのが好適である。トッププレ
ート１２には、トッププレート１２とヒートブロック１
３を互いに固定するためのインコネルボルト１４を挿通
するボルト挿通孔１２ａが設けられている。
【００１３】ヒートブロック１３は、トッププレート１
２を介して基板Ｓを加熱する加熱部材となるもので、加
熱部材本体となるヒートブロック本体１５内にヒータ１
６が内蔵されたものとされ、このヒータ１６によってヒ
ートブロック１３の温度を任意に設定することができる
ようになっている。ヒートブロック１３とトッププレー
ト１２は、インコネルボルト１４によって互いに着脱自
在に固定されている。
２を介して基板Ｓを加熱する加熱部材となるもので、加
熱部材本体となるヒートブロック本体１５内にヒータ１
６が内蔵されたものとされ、このヒータ１６によってヒ
ートブロック１３の温度を任意に設定することができる
ようになっている。ヒートブロック１３とトッププレー
ト１２は、インコネルボルト１４によって互いに着脱自
在に固定されている。
【００１４】本実施形態のプラズマＣＶＤ装置が、先述
の従来のプラズマＣＶＤ装置と異なるのは、ヒートブロ
ック１３が、アルミニウムなどに比べ耐久性に優れた材
料であるＡＣ７Ａ材（ＪＩＳ Ｈ ５２０２に準拠）から
なるものとされている点である。
の従来のプラズマＣＶＤ装置と異なるのは、ヒートブロ
ック１３が、アルミニウムなどに比べ耐久性に優れた材
料であるＡＣ７Ａ材（ＪＩＳ Ｈ ５２０２に準拠）から
なるものとされている点である。
【００１５】次に、上記装置を用いて基板Ｓ上に成膜す
る方法について説明する。まず、汎用の半導体ウェハな
どの基板Ｓを、搬入口９を通してチャンバ２内に搬入
し、図示せぬ供給源から供給されたシランと酸素の混合
ガスなどの反応性ガスをガス導入管６を通してチャンバ
２内に導入しつつチャンバ２内のガスを排出管７を通し
て排出し、基板Ｓの表面をこの反応性ガスに曝す。この
際、ヒータ１６によってヒートブロック１３を所定の温
度、例えば２５０〜３５０℃に加熱する。これによっ
て、ヒートブロック１３の熱はこれに接するトッププレ
ート１２を介して基板Ｓに伝えられ、基板Ｓは所定の温
度、例えば２５０〜３５０℃に加熱される。同時に、電
源１１を用いて、プラズマ発生電極３に電力供給し、上
記反応性ガスを原料とするプラズマ化学気相成長により
酸化シリコンなどからなる薄膜を基板Ｓ表面に形成す
る。次いで、成膜が終了した基板Ｓを搬出口１０を通し
てチャンバ２から搬出する。
る方法について説明する。まず、汎用の半導体ウェハな
どの基板Ｓを、搬入口９を通してチャンバ２内に搬入
し、図示せぬ供給源から供給されたシランと酸素の混合
ガスなどの反応性ガスをガス導入管６を通してチャンバ
２内に導入しつつチャンバ２内のガスを排出管７を通し
て排出し、基板Ｓの表面をこの反応性ガスに曝す。この
際、ヒータ１６によってヒートブロック１３を所定の温
度、例えば２５０〜３５０℃に加熱する。これによっ
て、ヒートブロック１３の熱はこれに接するトッププレ
ート１２を介して基板Ｓに伝えられ、基板Ｓは所定の温
度、例えば２５０〜３５０℃に加熱される。同時に、電
源１１を用いて、プラズマ発生電極３に電力供給し、上
記反応性ガスを原料とするプラズマ化学気相成長により
酸化シリコンなどからなる薄膜を基板Ｓ表面に形成す
る。次いで、成膜が終了した基板Ｓを搬出口１０を通し
てチャンバ２から搬出する。
【００１６】上記装置を長時間にわたって使用すること
により付着物が、チャンバ２の内壁面や電極３、４等に
堆積した際には、クリーニング用のエッチングガス、例
えばＣ2Ｆ6ガスをガス導入管６を通してチャンバ２内に
導入しつつ、プラズマ発生電極３に電力供給しエッチン
グガスを原料とするフッ素ラジカルなどのラジカルを発
生させ、これを用いてチャンバ２内の付着物を除去す
る。
により付着物が、チャンバ２の内壁面や電極３、４等に
堆積した際には、クリーニング用のエッチングガス、例
えばＣ2Ｆ6ガスをガス導入管６を通してチャンバ２内に
導入しつつ、プラズマ発生電極３に電力供給しエッチン
グガスを原料とするフッ素ラジカルなどのラジカルを発
生させ、これを用いてチャンバ２内の付着物を除去す
る。
【００１７】本実施形態のプラズマＣＶＤ装置にあって
は、ヒートブロック本体１５を耐久性に優れたＡＣ７Ａ
材からなるものとしたので、クリーニングの際、エッチ
ングガスがトッププレート１２とヒートブロック１３の
隙間に侵入し、ヒートブロック１３の表面がエッチング
ガスに晒された場合でも、ヒートブロック１３表面が腐
食し孔蝕が形成されるのを防ぐことができる。従って、
トッププレート１２に対するヒートブロック１３の密着
性を高く維持し、成膜時にヒートブロック１３からトッ
ププレート１２を介して基板Ｓに伝えられる熱量を基板
全面にわたり十分なものとし、エッチング速度を低く保
ち基板Ｓ上に形成される膜の膜質の悪化を防ぐことがで
きる。また、加工が容易な材料であるＡＣ７Ａ材をヒー
トブロック本体１５の材料として用いることによって、
ヒートブロック本体１５の製造を容易化することができ
る。
は、ヒートブロック本体１５を耐久性に優れたＡＣ７Ａ
材からなるものとしたので、クリーニングの際、エッチ
ングガスがトッププレート１２とヒートブロック１３の
隙間に侵入し、ヒートブロック１３の表面がエッチング
ガスに晒された場合でも、ヒートブロック１３表面が腐
食し孔蝕が形成されるのを防ぐことができる。従って、
トッププレート１２に対するヒートブロック１３の密着
性を高く維持し、成膜時にヒートブロック１３からトッ
ププレート１２を介して基板Ｓに伝えられる熱量を基板
全面にわたり十分なものとし、エッチング速度を低く保
ち基板Ｓ上に形成される膜の膜質の悪化を防ぐことがで
きる。また、加工が容易な材料であるＡＣ７Ａ材をヒー
トブロック本体１５の材料として用いることによって、
ヒートブロック本体１５の製造を容易化することができ
る。
【００１８】上記実施形態では、ヒートブロック１３
を、ヒートブロック本体１５がＡＣ７Ａ材からなるもの
としたが、本発明はこれに限らず、図３に示すように、
ヒートブロック２３として、ヒートブロック本体２５の
全表面にわたってＡＣ７Ａ材からなる被覆層２５ａが形
成されたものを用いることもできる。被覆層２５ａの厚
さは、１０ｎｍ〜１０ｍｍとすることができる。ヒート
ブロック本体２５の被覆層２５ａ以外の部分は、アルミ
ニウムなどからなるものとすることができる。これによ
って、高価なＡＣ７Ａ材の使用量を少なくし、材料コス
ト削減が可能となる。
を、ヒートブロック本体１５がＡＣ７Ａ材からなるもの
としたが、本発明はこれに限らず、図３に示すように、
ヒートブロック２３として、ヒートブロック本体２５の
全表面にわたってＡＣ７Ａ材からなる被覆層２５ａが形
成されたものを用いることもできる。被覆層２５ａの厚
さは、１０ｎｍ〜１０ｍｍとすることができる。ヒート
ブロック本体２５の被覆層２５ａ以外の部分は、アルミ
ニウムなどからなるものとすることができる。これによ
って、高価なＡＣ７Ａ材の使用量を少なくし、材料コス
ト削減が可能となる。
【００１９】また、図４に示すように、ヒートブロック
３３として、ヒートブロック本体３５が、トッププレー
ト１２に接する部分の表面のみにＡＣ７Ａ材からなる被
覆層３５ａが形成されたものを用いることもできる。こ
れによりさらなるコスト削減が可能となる。
３３として、ヒートブロック本体３５が、トッププレー
ト１２に接する部分の表面のみにＡＣ７Ａ材からなる被
覆層３５ａが形成されたものを用いることもできる。こ
れによりさらなるコスト削減が可能となる。
【００２０】
【実施例】（実施例１）ヒートブロック１３のヒートブ
ロック本体１５をＡＣ７Ａ材からなるものとした図１お
よび図２に示す構造のプラズマＣＶＤ装置を作製し、エ
ッチングガスとしてＣ2Ｆ6ガスをガス導入管６を通して
チャンバ２内に１２００ｓｃｃｍの流量で導入しつつ、
０．５Ｗ／ｃｍ2の高周波電力をプラズマ発生電極３に
供給した。この際、ヒートブロック１３の温度は３００
℃に設定した。また、チャンバ２の内圧は０．３Ｔｏｒ
ｒとした。上記方法により基板側電極４をＣ2Ｆ6ガスに
晒す操作を３０００時間にわたって行った。
ロック本体１５をＡＣ７Ａ材からなるものとした図１お
よび図２に示す構造のプラズマＣＶＤ装置を作製し、エ
ッチングガスとしてＣ2Ｆ6ガスをガス導入管６を通して
チャンバ２内に１２００ｓｃｃｍの流量で導入しつつ、
０．５Ｗ／ｃｍ2の高周波電力をプラズマ発生電極３に
供給した。この際、ヒートブロック１３の温度は３００
℃に設定した。また、チャンバ２の内圧は０．３Ｔｏｒ
ｒとした。上記方法により基板側電極４をＣ2Ｆ6ガスに
晒す操作を３０００時間にわたって行った。
【００２１】次いで、シリコンウェハである基板Ｓをチ
ャンバ２内に搬入し、ＴＥＯＳおよび酸素の混合ガスを
ガス導入管６を通してチャンバ２内に１２００ｓｃｃｍ
の流量で導入しつつ、０．５Ｗ／ｃｍ2の高周波電力を
プラズマ発生電極３に供給し基板Ｓ上に酸化シリコン膜
を形成した。この際、ヒートブロック１３の温度は３０
０℃に設定した。また、チャンバ２の内圧は０．３Ｔｏ
ｒｒとした。
ャンバ２内に搬入し、ＴＥＯＳおよび酸素の混合ガスを
ガス導入管６を通してチャンバ２内に１２００ｓｃｃｍ
の流量で導入しつつ、０．５Ｗ／ｃｍ2の高周波電力を
プラズマ発生電極３に供給し基板Ｓ上に酸化シリコン膜
を形成した。この際、ヒートブロック１３の温度は３０
０℃に設定した。また、チャンバ２の内圧は０．３Ｔｏ
ｒｒとした。
【００２２】（実施例２）図３に示すように、ヒートブ
ロック２３のヒートブロック本体２５を、全表面にわた
ってＡＣ７Ａ材からなる厚さ１μｍの被覆層２５ａが形
成されたものとしたこと以外は実施例１と同様にしてプ
ラズマＣＶＤ装置を作製し、このプラズマＣＶＤ装置を
用いて実施例１と同様のチャンバ内クリーニング、およ
び成膜操作を行った。またヒートブロック本体２５の被
覆層２５ａ以外の部分は、アルミニウムからなるものと
した。
ロック２３のヒートブロック本体２５を、全表面にわた
ってＡＣ７Ａ材からなる厚さ１μｍの被覆層２５ａが形
成されたものとしたこと以外は実施例１と同様にしてプ
ラズマＣＶＤ装置を作製し、このプラズマＣＶＤ装置を
用いて実施例１と同様のチャンバ内クリーニング、およ
び成膜操作を行った。またヒートブロック本体２５の被
覆層２５ａ以外の部分は、アルミニウムからなるものと
した。
【００２３】（実施例３）図４に示すように、ヒートブ
ロック３３のヒートブロック本体３５を、トッププレー
ト１２に接する部分の表面のみにＡＣ７Ａ材からなる厚
さ１μｍの被覆層３５ａが形成されたものとしたこと以
外は実施例１と同様にしてプラズマＣＶＤ装置を作製
し、このプラズマＣＶＤ装置を用いて実施例１と同様の
チャンバ内クリーニング、および成膜操作を行った。ヒ
ートブロック本体３５の被覆層３５ａ以外の部分は、ア
ルミニウムからなるものとした。
ロック３３のヒートブロック本体３５を、トッププレー
ト１２に接する部分の表面のみにＡＣ７Ａ材からなる厚
さ１μｍの被覆層３５ａが形成されたものとしたこと以
外は実施例１と同様にしてプラズマＣＶＤ装置を作製
し、このプラズマＣＶＤ装置を用いて実施例１と同様の
チャンバ内クリーニング、および成膜操作を行った。ヒ
ートブロック本体３５の被覆層３５ａ以外の部分は、ア
ルミニウムからなるものとした。
【００２４】（比較例）ヒートブロックをアルミニウム
からなるものとすること以外は実施例１と同様にしてプ
ラズマＣＶＤ装置を作製し、このプラズマＣＶＤ装置を
用いて実施例１と同様のチャンバ内クリーニング、およ
び成膜操作を行った。
からなるものとすること以外は実施例１と同様にしてプ
ラズマＣＶＤ装置を作製し、このプラズマＣＶＤ装置を
用いて実施例１と同様のチャンバ内クリーニング、およ
び成膜操作を行った。
【００２５】上記実施例１〜３および比較例のプラズマ
ＣＶＤ装置によって酸化シリコン膜を基板Ｓ上に形成す
る際のエッチング速度を測定した。結果を表１に示す。
ＣＶＤ装置によって酸化シリコン膜を基板Ｓ上に形成す
る際のエッチング速度を測定した。結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１より、実施例１〜３の装置を用いた場
合には、比較例の装置を用いた場合に比べエッチング速
度を低く保つことができたことがわかる。
合には、比較例の装置を用いた場合に比べエッチング速
度を低く保つことができたことがわかる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置にあっては、加熱部材を、少なくとも基板支
持部材と接する表面部分がＡＣ７Ａ材からなるものとし
たので、クリーニングの際、加熱部材がエッチングガス
に晒された場合でも、加熱部材表面が腐食し孔蝕が形成
されるのを防ぐことができる。従って、基板支持部材に
対する加熱部材の密着性を高く維持し、成膜時に基板に
伝えられる熱量を基板全面にわたり十分なものとし、基
板上に形成される膜の膜質の悪化を防ぐことができる。
ＣＶＤ装置にあっては、加熱部材を、少なくとも基板支
持部材と接する表面部分がＡＣ７Ａ材からなるものとし
たので、クリーニングの際、加熱部材がエッチングガス
に晒された場合でも、加熱部材表面が腐食し孔蝕が形成
されるのを防ぐことができる。従って、基板支持部材に
対する加熱部材の密着性を高く維持し、成膜時に基板に
伝えられる熱量を基板全面にわたり十分なものとし、基
板上に形成される膜の膜質の悪化を防ぐことができる。
【図１】 本発明のプラズマＣＶＤ装置の一実施形態を
示す概略構成図である。
示す概略構成図である。
【図２】 図１に示すプラズマＣＶＤ装置の要部拡大図
である。
である。
【図３】 本発明のプラズマＣＶＤ装置の他の実施形態
を示す要部拡大図である。
を示す要部拡大図である。
【図４】 本発明のプラズマＣＶＤ装置のさらに他の実
施形態を示す要部拡大図である。
施形態を示す要部拡大図である。
１・・・プラズマＣＶＤ装置、２・・・チャンバ、３・・・プラ
ズマ発生電極 ４・・・基板側電極、１２・・・トッププレート（基板支持部
材） １３、２３、３３・・・ヒートブロック（加熱部材） １５、２５、３５・・・ヒートブロック本体（加熱部材本
体）、１６・・・ヒータ ２５ａ、３５ａ・・・被覆層
ズマ発生電極 ４・・・基板側電極、１２・・・トッププレート（基板支持部
材） １３、２３、３３・・・ヒートブロック（加熱部材） １５、２５、３５・・・ヒートブロック本体（加熱部材本
体）、１６・・・ヒータ ２５ａ、３５ａ・・・被覆層
Claims (4)
- 【請求項１】 成膜するべき基板を収容するチャンバ内
に、チャンバ内でプラズマを発生させるプラズマ発生電
極と、基板に接する基板側電極を備え、この基板側電極
が、基板を支持する基板支持部材と、この基板支持部材
に接して設けられ、基板支持部材を介して基板を加熱す
る加熱部材を備えたものとされたプラズマＣＶＤ装置に
おいて、 加熱部材を、少なくとも基板支持部材に接する部分の表
面がＡＣ７Ａ材からなるものとしたことを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 加熱部材は、加熱部材本体と、この加熱
部材本体を加熱するヒータを備えたものであり、加熱部
材本体がＡＣ７Ａ材からなるものであることを特徴とす
る請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 加熱部材は、加熱部材本体と、この加熱
部材本体を加熱するヒータを備えたものであり、加熱部
材本体が、全表面にわたってＡＣ７Ａ材からなる被覆層
が形成されたものであることを特徴とする請求項１記載
のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 加熱部材は、加熱部材本体と、この加熱
部材本体を加熱するヒータを備えたものであり、加熱部
材本体が、基板支持部材に接する部分の表面のみにＡＣ
７Ａ材からなる被覆層が形成されたものであることを特
徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316998A JP2891991B1 (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10316998A JP2891991B1 (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2891991B1 true JP2891991B1 (ja) | 1999-05-17 |
| JPH11297683A JPH11297683A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14347014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10316998A Expired - Fee Related JP2891991B1 (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2891991B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257144A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板の加熱処理装置 |
-
1998
- 1998-04-14 JP JP10316998A patent/JP2891991B1/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11297683A (ja) | 1999-10-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |