KR101416172B1 - 박막 증착 장비의 챔버 세정 방법 - Google Patents

박막 증착 장비의 챔버 세정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101416172B1
KR101416172B1 KR1020080029601A KR20080029601A KR101416172B1 KR 101416172 B1 KR101416172 B1 KR 101416172B1 KR 1020080029601 A KR1020080029601 A KR 1020080029601A KR 20080029601 A KR20080029601 A KR 20080029601A KR 101416172 B1 KR101416172 B1 KR 101416172B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ruo
chamber
cleaning
gas
thin film
Prior art date
Application number
KR1020080029601A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090104258A (ko
Inventor
조병철
강현숙
이기훈
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020080029601A priority Critical patent/KR101416172B1/ko
Publication of KR20090104258A publication Critical patent/KR20090104258A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101416172B1 publication Critical patent/KR101416172B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Abstract

Ru 또는 RuO2막을 증착하는 박막 증착 장비의 챔버 세정 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 세정 방법은 Ru 또는 RuO2 증착 챔버의 인-시튜 세정 방법으로서, Ru 또는 RuO2와 반응하여 기상의 RuO3 또는 RuO4를 만들 수 있는 세정 가스를 상기 챔버로 공급하여 상기 챔버 내부에 증착된 Ru 또는 RuO2를 제거하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 세정 효율성을 극대화하며 세정 비용을 절감할 수 있고 챔버 내 부품을 값이 저렴한 금속 재질로 할 수 있다.

Description

박막 증착 장비의 챔버 세정 방법{Cleaning method for chamber of thin film deposition apparatus}
본 발명은 박막 증착 장비의 챔버 세정 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 Ru 또는 RuO2막을 증착하는 박막 증착 장비의 챔버를 인-시튜(in-situ) 세정하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조를 위한 단위 공정들 중에서 특히 박막 공정은 반도체 소자 제조의 재현성 및 신뢰성에 있어서 개선이 요구되는 필수적인 공정이다. 박막 증착 공정에 있어 기판 위에 원하는 성분의 박막을 증착하는 과정에서 챔버 내부에 생성된 생성물은 챔버의 내벽에 축적된다. 박막 형성이 반복됨에 따라, 증착물(deposits)이 점차 축적되고 심하면 내벽으로부터 박리되어 챔버 내부에서 파티클(particle)로서 부유한다. 그리하여, 증착물은 이물질로서 기판에 부착되고 불순물 오염을 유발시켜 결함(defect)을 발생시킴에 따라 반도체 소자의 수율을 떨어뜨린다.
예를 들어, 원자층 증착(ALD) 방법 또는 기상화학증착(CVD) 방법으로 Ru 또 는 RuO2막을 챔버 내에서 형성시, 기판 처리 매수에 따라서 챔버 내에 Ru 또는 RuO2막이 쌓이게 되어 파티클 또는 기판내 막의 균일한 성장을 방해하는 요소로 작용할 수 있다. 이는 장비의 유지 관리에 문제점을 발생하게 하여 장비의 가동율을 저하시키는 문제점을 안고 있다.
이를 해결하기 위하여 챔버 내에 증착되어진 Ru 또는 RuO2막을 효율적으로 제거하는 인-시튜 세정 방법이 필요하다. 인-시튜 세정은 챔버 내벽에 부착된 원하지 않는 증착물을 제거하기 위하여, 챔버가 운전하는 동안에 챔버 내부에 부식성 가스를 챔버로 유입시켜 증착물과의 반응을 통해 증착물을 가스화시킴으로써 챔버 내부로부터 제거하는 것이다.
Ru 또는 RuO2막을 증착하는 장비의 경우, 종래에는 ClF3를 세정 가스로 이용하고 있다. 이 경우에, 불소 원자의 활성종(radical) 또는 불소 함유 활성종은 챔버의 내벽에 부착된 물질과 반응하고, 그들의 반응 생성물은 가스상 물질의 형태로 챔버 외부로 방출된다. 이렇게 부식성 가스를 이용한 인-시튜 세정은 장비 가동의 중단이 없으므로 공정 시간의 지연을 최소화할 수 있다. 따라서, 장비에 소요되는 비용을 줄이면서 Ru 또는 RuO2막 형성 공정의 쓰루풋(throughtput)을 향상시킬 수 있다.
그런데 챔버 인-시튜 세정을 위하여 강한 부식성의 ClF3 등을 사용하게 되면, 그 반응성으로 인하여 웨이퍼를 히팅하기 위한 스테이지히터(stageheater) 등 챔버 내 부품을 금속 계열이 아닌 세라믹 계열로 사용하여야 하여 비용이 많이 든다. 또한 챔버 내부 부품의 내구성을 떨어뜨려 설비 수명을 떨어뜨리는 문제점을 안고 있다.
뿐만 아니라 Ru 또는 RuO2막을 ClF3를 사용하여 인-시튜 세정 진행시, Ru와 Cl의 반응 생성물인 RuCl3의 안정상은 고체로 존재하여 인-시튜 세정에 반하는 현상이 나타나며, Ru와 F의 반응 생성물인 RuF5의 안정상은 액체로 존재하여 챔버 내에서 휘발되어 펌프로 빠져나가는 시간이 길어져 전체적인 인-시튜 세정 시간이 매우 길어지는 문제가 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 챔버 내부의 손상을 줄이며 세정 방법의 효율성을 극대화하며 세정 비용을 절감하는 박막 증착 장비의 챔버 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 세정 방법은 Ru 또는 RuO2 증착 챔버의 인-시튜 세정 방법으로서, Ru 또는 RuO2와 반응하여 기상의 RuO3 또는 RuO4를 만들 수 있는 세정 가스를 상기 챔버로 공급하여 상기 챔버 내부에 증착된 Ru 또는 RuO2를 제거하는 것을 특징으로 한다.
상기 세정 가스는 산소 활성종 또는 NO-를 포함하는 것이 바람직하며, 특히 플라즈마 O2, O3, NOx 또는 N2O일 수 있다. 대신에, 상기 세정 가스는 산소 활성종 또는 NO-를 포함하는 제1 세정 가스와 ClF3를 포함하는 제2 세정 가스를 동시에 혹은 순차적으로 번갈아 공급하는 것일 수도 있다.
본 발명에 따르면, Ru 또는 RuO2와 반응하여 기상의 RuO3 또는 RuO4를 만들 수 있는 세정 가스를 사용하여 주기적으로 챔버 내에 증착된 Ru, RuO2막을 제거하여 챔버의 안정적인 운영을 이룰 수 있다. 이러한 세정 가스로는 플라즈마 O2, O3, NOx 또는 N2O를 사용할 수가 있는데, 이러한 세정 가스는 일반적으로 사용되고 있는 챔버의 부품인 Al과 서스(sus) 등 금속 계열 물질에 대하여 ClF3, NF3, Cl2 가스들에 비하여 손상이 매우 적어 챔버 내를 구성하는 부품들의 구성을 단순화시킬 수 있는 장점이 있다. 이와 같이 본 발명에 따르면 챔버 내부의 손상을 줄일 수 있으며, 세정 효율성을 극대화하며 세정 비용을 절감할 수 있으며, 전반적으로 장비의 유지보수를 위한 세정 주기를 늘려서 반도체 소자의 제조단가를 낮출 수 있다.
이하, 첨부 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으 며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
우선, 본 발명에 따른 세정 방법은 도 1과 같은 박막 증착 장비의 세정에 이용될 수 있다.
도 1의 박막 증착 장비(1)는 내부공간을 가지는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)의 내부공간에 승강 가능하게 설치되며 웨이퍼(W)가 배치되는 웨이퍼 블럭(12)과, 상기 웨이퍼 블럭(12)에 배치된 웨이퍼(W)에 박막이 형성되도록 가스를 분사하는 샤워헤드(11)를 구비한다.
박막 증착 장비(1)는 실리콘 웨이퍼, 또는 LCD용 유리 기판 등과 같은 반도체용 웨이퍼(W) 상에 Ru 또는 RuO2막을 증착하기 위한 것으로, 가스 라인을 통해 챔버(10)로 소스 가스, 공정용 불활성 가스 및 세정 가스 등을 공급하는 가스 공급 장치(20)도 포함한다.
본 발명에 따른 세정 방법에 있어서, 세정 가스는 Ru 또는 RuO2와 반응하여 기상의 RuO3 또는 RuO4를 만들 수 있는 것을 사용한다.
Ru의 경우 O와 결합을 하면 RuO2의 고체뿐만 아니라 RuO3, RuO4의 가스도 존재한다. 본 발명에서는 이러한 Ru의 특성을 이용하여, 고체로 증착된 Ru 또는 RuO2 를 RuO3 또는 RuO4의 가스로 변환시켜 배출함으로써 챔버 내부에 증착된 Ru 또는 RuO2를 제거한다.
Ru 또는 RuO2막에 Ru 또는 RuO2는 O 성분만 공급하여도 기상의 RuO3 또는 RuO4를 형성할 수 있지만 에너지 상태가 높은 산소 활성종 또는 NO-를 사용하면 더욱 반응이 잘 일어나게 되며 여기에 덧붙여 가열을 한다면 빠른 반응 속도를 얻을 수 있다. 이에 본 실시예에서는 반응성이 좋은 O, 구체적으로 산소 활성종(이것은 산소 원자의 활성종 및 산소 함유 활성종 모두를 가리킴) 또는 NO-를 함유한 가스와 높은 에너지를 공급한다. 예를 들어, 플라즈마 O2, O3, NOx 또는 N2O를 세정 가스로 사용하고, 특히 반응성이 좋은 플라즈마 O2 또는 O3를 사용하며 RuO3 또는 RuO4의 가스로 변환하기 위한 에너지로 가열된 챔버에 공급하여 챔버 내에 증착된 고체의 Ru 또는 RuO2를 효율적으로 제거하도록 한다.
예를 든 도 1에 도시한 박막 증착 장비(1)는 리모트 플라즈마 발생기(22)를 포함한 것이므로, 리모트 플라즈마 발생기(22)를 가동하는 상태에서 가스 공급 장치(20)로 O2를 공급한다면 플라즈마 O2를 세정 가스로 쉽게 이용할 수 있다. 물론 플라즈마 발생을 위해 리모트 플라즈마 발생기(22) 이외에 다이렉트 플라즈마 발생 방식, 마이크로웨이브 방식 등의 챔버를 이용할 수 있으며, 이러한 플라즈마 발생이 어려운 박막 증착 장비의 경우에는 세정 가스로서 O3 등을 사용하면 된다.
다음으로, 도 1의 박막 증착 장비(1)의 챔버(10)를 세정하는 방법의 구체적인 실시예들에 관하여 설명하기로 한다.
(제1 실시예)
먼저 박막 증착 장비(1)의 챔버(10) 내부를 세정에 적합한 온도로 조절한다. 예컨대 상온에서부터 700℃ 사이의 온도를 택한다. 플라즈마 O2를 사용하는 경우에는 상온이어도 반응이 원활히 이루어지지만 더욱 빠른 에칭 속도를 얻기 위해서나 플라즈마 O2 이외의 세정 가스를 사용하는 경우에는 어느 정도 열 에너지를 줄 수 있는 온도가 필요하다. 그러나 700℃ 이상은 의미가 없다. Ru 또는 RuO2를 증착하는 공정 온도, 대략 200~500℃를 그대로 유지한다면 온도 조절의 필요가 없으므로 편리한 점이 있다.
도 2는 세정 가스로서 플라즈마 O2를 사용한 경우 챔버(10) 온도에 따른 에칭 속도를 도시한다. 온도 상승에 따라 에칭 속도가 증가하는 경향을 볼 수 있다.
다음으로, Ru 또는 RuO2와 반응하여 기상의 RuO3 또는 RuO4를 만들 수 있는 세정 가스, 본 실시예에서는 플라즈마 O2를 공급한다. 챔버(10) 내부의 압력은 0.1~100 torr 범위로 할 수 있다. 챔버(10) 내부의 압력이 높을수록 세정 효율은 증가하지만 100 torr 이상은 의미가 없다. 대략 0.5 ~ 2.5 torr로 유지한다.
도 3은 세정 가스로서 플라즈마 O2를 사용한 경우 챔버(10) 압력에 따른 에칭 속도를 도시한다. 압력 상승에 따라 에칭 속도가 증가하는 경향을 볼 수 있다.
세정 단계의 유지 시간은 챔버(10)의 오염 정도에 따라 달라지며 웨이퍼 1000매를 처리한 후 또는 500매를 처리한 후에 따라 변화될 수 있다. 도 2 및 도 3에 보인 바와 같이 온도, 압력 조건에 따라 에칭 속도가 달라지므로 조건에 따라 세정 단계 유지 시간이 바뀌겠으나, 대략 300nm/min으로 제거가 된다고 가정하면 보이므로 300Å 1000매를 사용했다면 100분 동안 세정한다.
기존에 부식성 가스만으로 세정할 경우 챔버 내 부품을 세라믹 계열로 하여야 하였다. 그러나 본 발명에서와 Ru 또는 RuO2와 반응하여 기상의 RuO3 또는 RuO4를 만들 수 있는 세정 가스를 사용하는 경우에는 값이 저렴한 금속 계열의 부품을 그대로 사용할 수가 있으므로 챔버 구조를 단순화할 수 있고 비용이 적게 드는 이점이 있다.
세정 단계 반응이 끝나면 챔버(10) 내부에 잔류하는 가스를 제거하는 퍼지 단계를 수행한다. 챔버(10) 내부와 가스 라인, 그리고 리모트 플라즈마 발생기(22)를 퍼지한다. 이것은 챔버(10) 내부와 가스 라인 등에 세정 가스 등이 남아 있지 않도록 하기 위해서이다. 이러한 문제가 없는 경우에는 이 퍼지 단계는 생략할 수 있다. 여기서의 퍼지 가스는 불활성 가스, 예컨대 Ar 또는 N2를 이용할 수 있다.
(제2 실시예)
세정 가스로서 Ru 또는 RuO2와 반응하여 기상의 RuO3 또는 RuO4를 만들 수 있는 세정 가스를 사용하되 여기에 기존 ClF3를 더 포함시켜 사용하는 방법도 가능하다.
예를 들어, 산소 활성종 또는 NO-를 포함하는 제1 세정 가스를 먼저 공급하여 Ru 또는 RuO2를 어느 정도 제거한 후에 ClF3를 포함하는 제2 세정 가스를 공급하여 세정 효율을 극대화할 수 있다. 필요한 경우에는 제1 세정 가스 공급과 제2 세정 가스 공급을 번갈아 각 2회 이상씩 진행할 수도 있다. 아니면 제1 세정 가스와 제2 세정 가스를 동시에 공급하여 세정을 진행할 수도 있다.
이렇게 ClF3를 포함하는 세정 가스를 사용하는 경우에는 챔버 내 부품을 모두 금속 계열로 사용할 수는 없게 되지만 기존에 ClF3만을 사용하는 경우에 Ru 와 Cl의 반응 생성물 때문에 에칭 속도가 떨어지던 문제를 해결할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함은 명백하다.
도 1은 본 발명에 따른 세정 방법을 수행할 수 있는 박막 증착 장비의 도면 이다.
도 2는 세정 가스로서 플라즈마 O2를 사용한 경우 챔버 온도에 따른 에칭 속도를 도시한다.
도 3은 세정 가스로서 플라즈마 O2를 사용한 경우 챔버 압력에 따른 에칭 속도를 도시한다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1...박막 증착 장비 10...챔버 11...샤워헤드
12...웨이퍼 블록 W...웨이퍼 20...가스 공급 장치
22...리모트 플라즈마 발생기

Claims (4)

  1. Ru 또는 RuO2 증착 챔버의 인-시튜(in-situ) 세정 방법으로서,
    Ru 또는 RuO2와 반응하여 기상의 RuO3 또는 RuO4를 만들 수 있는 세정 가스를 상기 챔버로 공급하여 상기 챔버 내부에 증착된 Ru 또는 RuO2를 제거하는 것을 특징으로 하고, 상기 세정 가스는 산소 활성종 또는 NO-를 포함하는 제1 세정 가스와, ClF3를 포함하는 제2 세정가스를 포함하며,
    상기 세정가스를 상기 챔버에 공급하는 과정에서 상기 제1세정가스와 상기 제2세정가스를 순차적으로 번갈아 공급하는 세정 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1세정 가스는 플라즈마 O2, O3, NOx 또는 N2O인 것을 특징으로 세정 방법.
  4. 삭제
KR1020080029601A 2008-03-31 2008-03-31 박막 증착 장비의 챔버 세정 방법 KR101416172B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080029601A KR101416172B1 (ko) 2008-03-31 2008-03-31 박막 증착 장비의 챔버 세정 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080029601A KR101416172B1 (ko) 2008-03-31 2008-03-31 박막 증착 장비의 챔버 세정 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090104258A KR20090104258A (ko) 2009-10-06
KR101416172B1 true KR101416172B1 (ko) 2014-07-11

Family

ID=41534079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080029601A KR101416172B1 (ko) 2008-03-31 2008-03-31 박막 증착 장비의 챔버 세정 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101416172B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101513583B1 (ko) * 2014-01-29 2015-04-20 세메스 주식회사 기판처리방법
JP2020190014A (ja) * 2019-05-22 2020-11-26 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置、ならびに処理容器のクリーニング方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000057742A (ko) * 1999-01-12 2000-09-25 도쿄 엘렉트론 리미티드 세정 기체 및 그를 흘려줌으로써 진공 처리 장치를세정하는 방법
KR20010097410A (ko) * 2000-04-22 2001-11-08 가나이 쓰토무 고체 표면, 기판 및 반도체 제조 장치의 처리 방법 및이들을 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR20040035280A (ko) * 2002-10-19 2004-04-29 주성엔지니어링(주) 증착 챔버의 인시튜 세정방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000057742A (ko) * 1999-01-12 2000-09-25 도쿄 엘렉트론 리미티드 세정 기체 및 그를 흘려줌으로써 진공 처리 장치를세정하는 방법
KR20010097410A (ko) * 2000-04-22 2001-11-08 가나이 쓰토무 고체 표면, 기판 및 반도체 제조 장치의 처리 방법 및이들을 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR20040035280A (ko) * 2002-10-19 2004-04-29 주성엔지니어링(주) 증착 챔버의 인시튜 세정방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090104258A (ko) 2009-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109075030B (zh) 用于在等离子体处理腔室中的原位腔室清洁效率提高的等离子体处理工艺
US6844273B2 (en) Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system
JP4459329B2 (ja) 付着膜の除去方法及び除去装置
JP5044579B2 (ja) 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
US20060121194A1 (en) Method for cleaning a deposition chamber
US20050011445A1 (en) Apparatus and method for in-situ cleaning of a throttle valve in a CVD system
US20080268644A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus
US20130220377A1 (en) Method of cleaning a film-forming apparatus
JP2001274105A (ja) セルフクリーニング用の遠隔プラズマソースを備えた半導体処理装置
JP2002334869A (ja) シリコン窒化膜の形成方法、形成装置及びこの形成装置の洗浄前処理方法
US6942892B1 (en) Hot element CVD apparatus and a method for removing a deposited film
CN102732855A (zh) 薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置
KR101416172B1 (ko) 박막 증착 장비의 챔버 세정 방법
EP1154036A1 (en) Gas reactions to eliminate contaminates in a CVD chamber
US20230220546A1 (en) Method of cleaning, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
KR20080026746A (ko) 증착 챔버 세정 방법
US20060062913A1 (en) Process for depositing btbas-based silicon nitride films
JP2014068045A (ja) 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
JP4897159B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2012209585A (ja) 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
JP2010212712A (ja) 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造装置
JP2006059921A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3147868U (ja) 基板処理装置
JP2006108595A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2012099840A (ja) クリーニング方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170621

Year of fee payment: 4