JPH05326453A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 反応器１１内が主にプラズマを生成するプラ
ズマ室２０とウエハＳが配置される反応室２１とにメッ
シュ構造の仕切り板１７で仕切られ、ウエハＳを試料台
２６から浮かせて支持するための治具２４が反応室２１
に配設されているマイクロ波プラズマ処理装置。 【効果】 裏面のエッチング処理に関し、大口径のウエ
ハにおける面内均一性を維持しながら、表面と裏面とを
同時にプラズマ処理することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に関
し、より詳細には主として試料としての半導体基板等の
ウェハの両面を同時に処理するのに適したＣＶＤ（Chem
ical Vapour Deposition) 装置あるいはエッチング装置
等として用いられるマイクロ波プラズマ処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ウエハ上に半導体デバイスを作製するプ
ロセスの中には酸化膜や窒化膜をウエハ上に成膜させる
プロセスがある。このプロセスのいくつかはバレル型の
成膜装置を用いて行われるために、ウエハの両面に成膜
処理が施される。しかし裏面に成膜したままで後加工を
行っていくとウエハに応力による歪みが生じ、この歪み
がウエハ表面のデバイスに悪影響を与える。したがって
後加工に先立ち、不要な裏面の膜を取り除いておく必要
がある。

【０００３】この不要な裏面の膜を取り除く方法として
は、バレル型の装置によりウエハの表面をエッチングす
る際に同時に裏面もエッチングしてしまう方法、裏面の
みを研磨装置によって機械的に削り取る方法等がある。

【０００４】図８は上記バレル型マイクロ波プラズマ処
理装置を概略的に示した断面図であり、図中６５は反応
室を示している。反応室６５の側壁の一部には排気口６
６が形成され、反応室６５の上部にはガス導入管６１が
形成されており、ガス導入管６１の近傍には上部電極６
２が配設されている。反応室６５内における上部電極６
２と対向する箇所には複数枚のウエハＳが縦方向に載置
されており、またこれと対向するように反応室６５外の
下方には下部電極６３が配設され、下部電極６３には高
周波電源６４が接続されている。

【０００５】このように構成されたバレル型マイクロ波
プラズマ処理装置を用いて試料Ｓの表面及び裏面にエッ
チング処理を施す場合、まず試料台６７にウエハＳを縦
に載置し、次いで反応室６５内を所定の真空度に設定し
た後、ガス導入口６１から所望のガスを供給する。次に
高周波電源６４を用いて上部電極６２と下部電極６３と
の間に高周波を印加してプラズマを発生させ、ウエハＳ
にエッチング処理を施す。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記したバレル型マイ
クロ波プラズマ処理装置においては、ウエハが大口径に
なるにつれて、ウエハ面内における均一性及びウエハ間
における均一性を維持することが難しいという課題があ
った。また機械的に削る場合、ウエハに歪みが生じ易い
という課題があった。さらにウエハがプラズマに直接曝
され、プラズマ中の荷電粒子によってダメージを受ける
おそれがあり、半導体デバイスの高集積化に対応したウ
エハが得られ難いという課題があった。

【０００７】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、大口径ウエハにおける面内均一性がよく、ウ
エハの表面と裏面とを同時にプラズマ処理することがで
き、プラズマによって生じるウエハのダメージを軽減す
ることができるマイクロ波プラズマ処理装置及びプラズ
マ処理方法を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マイク
ロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波
管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置
されたマイクロ波導入窓を有する反応器と、該反応器内
を主にプラズマを生成するプラズマ室と試料台が載置さ
れる反応室とに仕切るためのメッシュ構造の仕切り板と
を備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、試料を
試料台から浮かせて支持する治具を前記反応室内に備え
ていることを特徴としている（１）。

【０００９】また上記（１）記載の装置において、仕切
り板と試料との距離をｄ、試料を挟んで仕切り板と反対
側にある試料台と試料との距離をＤとすると、ｄ＜Ｄな
る位置に前記試料を保持する治具を備えていることを特
徴としている（２）。

【００１０】また本発明に係るマイクロ波プラズマ処理
装置は、マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導
波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体
線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有するプラズ
マ室とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、
前記プラズマ室にプラズマ引き出し管を介して反応室が
連結され、前記プラズマ引き出し管にはメッシュ構造の
仕切り板が内装される一方、前記反応室内には試料を浮
かせて支持する治具が配設され、前記プラズマ引き出し
管から前記反応室にラジカルが前記治具に支持された試
料に対して略平行に導入されるように構成されているこ
とを特徴としている（３）。

【００１１】また上記（３）記載の装置において、試料
を加熱するランプが治具に支持された試料の上方及び／
または下方に配設されていることを特徴としている。

【００１２】

【作用】上記（１）の構成によれば、前記反応器内が主
にプラズマを生成するプラズマ室と試料台が配置された
反応室とにメッシュ構造の仕切り板で仕切られ、試料を
前記反応室内で試料台から浮かせて支持するための治具
が前記反応室内に配設されているので、プラズマ中の荷
電粒子が前記仕切り板で捕獲され、前記反応室内におい
て主として生成されているラジカルの流れが均一にな
り、またウエハの下方にもガスの拡散によってラジカル
が回り込み、ウエハ裏面にもラジカルが供給され、裏面
も表面と同様にエッチングされることとなる。

【００１３】また上記（１）記載の装置において、仕切
り板と試料との距離をｄ、試料台と前記試料との距離を
Ｄとすると、ｄ＜Ｄなる位置に前記試料を保持する治具
を備えている場合、ウエハの裏面に回り込んで行くガス
流が十分に確保され、裏面における処理速度が表面のそ
れと略同様になる。

【００１４】また上記（３）の構成によれば、前記プラ
ズマ室にプラズマ引き出し管を介して反応室が連結さ
れ、前記プラズマ引き出し管にはメッシュ構造の仕切り
板が内装される一方、前記反応室内には試料を浮かせて
支持する治具が配設され、前記プラズマ引き出し管から
前記反応室にラジカルが前記治具に支持された試料に対
して略平行に導入されるように構成されているので、前
記プラズマ引き出し管経路中において消減されたプラズ
マ中の荷電粒子がさらに前記仕切り板で捕獲され、前記
反応室内においてメッシュ構造の前記仕切り板内を通過
するラジカルの流れが均一になるとともにプラズマ中の
ラジカル密度がより一層高められることとなり、またウ
エハの表裏面に沿ってガスが拡散するためにウエハ両面
に対してラジカルが略均等に供給され、裏面も表面と同
様にプラズマダメージがより一層緩和されてエッチング
されることとなる。

【００１５】また上記（３）記載の装置において、試料
を加熱するランプが治具に支持された試料の上方及び／
または下方に配設されている場合、上記（３）記載と同
様の作用が得られるとともに、さらにラジカルの反応が
加速され、処理速度がより一層速められることとなる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明に係るマイクロ波プラズマ処理
装置の実施例を図面に基づいて説明する。図１は実施例
１に係るマイクロ波プラズマ処理装置を示した正面断面
図であり、図中１１は中空直方体形状の反応器を示して
いる。反応器１１はステンレス等の金属を用いて形成さ
れ、その周囲壁は二重構造となっており、その内部は冷
却水用の通流室１８となっている。反応器１１の上部は
プラズマ室２０となっており、プラズマ室２０の上部は
マイクロ波の透過性を有し、誘電損失が小さく、かつ耐
熱性を有する石英ガラス、アルミナセラミックス等の材
料を用いて形成されたマイクロ波導入窓１９が載置され
ており、反応器１１の上部は気密状態に封止されてい
る。プラズマ室２０の下方にはメッシュ構造の仕切り板
１７を介して反応室２１が形成されており、反応室２１
内部にはマイクロ波導入窓１９と対向する箇所に、ウエ
ハＳを載置するためのウエハ支持治具２４とそのウエハ
支持治具２４を載せる試料台２６が配設されている。反
応室２１の下部壁には図示しない排気装置に接続される
ガス排気管１４が接続されており、プラズマ室２０の一
側壁には反応器１１内に所要の反応ガスを供給するため
のガス供給管１３が接続されている。

【００１７】一方、反応器１１の上方には誘電体線路１
２が配設されており、誘電体線路１２の上部はアルミニ
ウム板１２ａで形成され、アルミニウム板１２ａの下面
には誘電体層１２ｂが貼着されている。この誘電体層１
２ｂは誘電損失が小さいフッ素樹脂、ポリエチレンある
いはポリスチレン等を用いて形成されている。誘電体線
路１２には導波管１５が接続され、導波管１５にはさら
にマイクロ波発振器１６が連設されており、マイクロ波
発振器１６からのマイクロ波が誘電体線路１２に導入さ
れるようになっている。

【００１８】ウエハ支持治具２４の拡大断面図を図２に
示す。図２に示したごとく、ウエハ支持治具２４は上端
の突起部２４ａを含んで略円柱形状に形成されており、
少なくとも３本のウエハ支持治具２４が試料台２６上に
載置され、ウエハＳはこれらのウエハ支持治具２４上部
における突起部２４ａの先端点上に載置される。また支
持治具としては、図３に示したように仕切り板１７から
吊り下げられたピン形状のウエハ支持治具２５であって
もよく、ウエハ支持治具２５の引っ掛け部２５ａの先端
点上にウエハＳを載せ、上からウエハＳを吊る形態をと
ってもよい。また図示していないが別の実施例では、支
持治具が昇降機構を備え、ウエハＳを上下に移動させ得
るものであってもよい。

【００１９】次に、このように構成されたマイクロ波プ
ラズマ処理装置の作動について説明する。まず、マイク
ロ波発振器１６にて発振されたマイクロ波は、導波管１
５を経て誘電体線路１２に導入され、耐熱性のマイクロ
波導入窓１９を透過してプラズマ室２０内に導入され
る。一方、ガス供給管１３から供給されたガスはプラズ
マ室２０内に導入され、マイクロ波の照射によってプラ
ズマが生成される。生成されたプラズマ中の荷電粒子は
メッシュ構造の仕切り板１７により捕獲され、主に中性
粒子のラジカルが仕切り板１７のメッシュ孔１７ａを透
過して反応室２１内に均一に拡がり、ウエハＳに至ると
エッチング処理等を行なう。このときウエハＳはウエハ
支持治具２４により試料台２６から浮かせて支持されて
いるため、拡散によってウエハＳの下方にもプラズマの
ラジカル成分が回り込んでウエハＳの裏面に供給され、
エッチング等がなされる。

【００２０】本実施例の装置を使用し、窒化シリコンを
エッチングした結果を図４に示す。なお図１に示したよ
うに、仕切り板１７からウエハＳまでの距離をｄとし、
ウエハＳから試料台２６の距離をＤとする。エッチング
条件としては、圧力を１Ｔｏｒｒ、ガス種をＣＦ₄ ＋Ｏ
₂ の混合ガス、ガス流量比をＣＦ₄ ：Ｏ₂ ＝７：３、ガ
ス流量を１０ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍ、マイクロ波パ
ワーを１．５ｋＷ、ｄ＝４０ｍｍ、Ｄ＝５０ｍｍにそれ
ぞれ設定した。この結果、ガス流量の広い範囲にわたっ
て表面と裏面との処理速度が近似するという結果が得ら
れ、両面処理が可能であることを確認することができ
た。なお対象膜としては、上記窒化シリコンの他、酸化
シリコン、ポリシリコン、レジスト等が含まれ、またガ
ス種としては、フッ素系（ＣＦ₄ 、ＳＦ₆ 、ＮＦ₃
等）、Ｏ₂ 、Ｎ₂ 、塩素系ガスを用いて処理を行なうこ
とが可能である。

【００２１】次に、本実施例の装置を使用し、仕切り板
１７とウエハＳとの距離ｄを変化させた際の両面のエッ
チング速度及び面内均一性の測定結果を図５に示す。こ
のときのガス流量は１００ｓｃｃｍとし、また仕切り板
１７とウエハＳとの距離ｄと、ウエハＳと試料台２６と
の距離Ｄとの和、すなわち仕切り板１７と試料台２６と
の距離を９０ｍｍに設定した。裏面のエッチング速度
は、ウエハＳが仕切り板１７から遠ざかるにつれ、つま
り距離ｄが大きくなるにつれて低下することが分かる。
これはウエハＳと試料台２６との距離Ｄが小さくなるに
つれてラジカルがウエハＳの下方に十分に流れないた
め、表面に比べて裏面の処理速度が遅くなることを表わ
している。そして仕切り板１７とウエハＳとの距離ｄが
ウエハＳと試料台２６との距離Ｄより小さい範囲内にお
いては裏面のエッチング速度がほぼ一定となり、安定し
た表裏面のエッチング処理を行なうことができ、また面
内均一性については表面と同様に裏面においても良好な
面内均一性が得られるという結果を確認することができ
た。

【００２２】上記したように、実施例に係るマイクロ波
プラズマ処理装置にあっては、ウエハＳを試料台２６か
ら浮かせるためのウエハ支持治具２４またはウエハ支持
治具２５及び仕切り板１７が配設されており、ウエハＳ
と仕切り板１７との距離に比べて試料台２６とウエハＳ
との距離の方が大きくなるように設定することにより、
表面と同様に裏面にも同時にプラズマ処理を施すことが
可能となる。したがって、裏面に形成された膜による応
力で生じる歪みを緩和することができ、表面同様に裏面
に対しても面内処理の均一性がよく、しかも表面の微細
加工に悪影響を受けていない試料を提供することができ
る。

【００２３】図６は別の実施例に係るマイクロ波プラズ
マ処理装置を示した断面図であり、（ａ）は側面断面
図、（ｂ）は（ａ）におけるＡＡ′線断面図を示してお
り、図中３１はステンレス等の金属を用いて形成された
反応器を示している。反応器３１はそれぞれ略中空直方
体形状に形成されたプラズマ室４０と反応室４１とを含
んで構成されており、これらの周囲壁は二重構造（図示
せず）となっており、その内部は冷却水用の通流室（図
示せず）となっている。プラズマ室４０及び反応室４１
とはこれらの両側において縦断面がコの字形状で中空直
方体形状に形成されたプラズマ引き出し管４２によりそ
れぞれ連結されており、プラズマ引き出し管４２下部に
はメッシュ構造の仕切り板３７がそれぞれ内装されてい
る。仕切り板３７と略同一水平面上に配置された反応室
４１内には、ウエハＳを載置するために上記実施例の場
合と同様に形成されたウエハ支持治具２４が配設され、
その下部にはウエハ支持治具２４を載せるための試料台
２６が配設されている。反応室４１の上部壁４１ａには
複数個の小孔が集合して構成された上部排気口４４ａが
形成され、上部排気口４４ａには上部ガス排気管４３ａ
が接続されており、また反応室４１の下部壁４１ｂには
複数個の小孔が集合して構成された下部排気口４４ｂが
形成され、下部排気口４４ｂには下部ガス排気管４３ｂ
が接続されている。これらの上部ガス排気管４３ａ、下
部ガス排気管４３ｂは反応器３１の右側外方において一
体となってガス排気管４３となり、さらにガス排気管４
３は図示しない排気装置に接続されている。ウエハ支持
治具２４に支持されたウエハＳ上方の上部壁４１ａ下方
及びウエハＳ下方の下部壁４１ｂ上方には石英ガラス４
５ａで覆われた例えば赤外線ヒータ等のランプ４５が配
設されている。またプラズマ室４０の上部はマイクロ波
の透過性を有し、誘電損失が小さく、かつ耐熱性を有す
る石英ガラス、アルミナセラミックス等の材料を用いて
形成されたマイクロ波導入窓１９が載置されて気密状態
に封止されており、プラズマ室２０の一側壁には反応器
３１内に所要の反応ガスを供給するためのガス供給管３
３が接続されている。

【００２４】一方図１に示した実施例の場合と同様に、
反応器１１の上方には誘電体線路１２が配設されてお
り、誘電体線路１２の上部はアルミニウム板１２ａで形
成され、アルミニウム板１２ａの下面には誘電体層１２
ｂが貼着されている。この誘電体層１２ｂは誘電損失が
小さいフッ素樹脂、ポリエチレンあるいはポリスチレン
等を用いて形成されている。誘電体線路１２には導波管
１５（図示せず）が接続され、導波管１５にはさらにマ
イクロ波発振器１６（図示せず）が連設されており、マ
イクロ波発振器１６からのマイクロ波が誘電体線路１２
に導入されるようになっている。

【００２５】このように構成されたマイクロ波プラズマ
処理装置の作動について説明する。まず、マイクロ波発
振器１６にて発振されたマイクロ波は、導波管１５を経
て誘電体線路１２に導入され、耐熱性のマイクロ波導入
窓１９を透過してプラズマ室４０内に導入される。一
方、ガス供給管３３から供給されたガスはプラズマ室４
０内に導入され、マイクロ波の照射によってプラズマが
生成される。生成されたプラズマ中における寿命の短い
荷電粒子はプラズマ引き出し管４２を流れる間において
消滅してゆくとともにさらにメッシュ構造の仕切り板３
７で捕獲される。プラズマ中における中性粒子のラジカ
ルが主に仕切り板３７のメッシュ孔３７ａを透過し、ラ
ンプ４５により所定温度に放射加熱され、ウエハ支持治
具２４により浮かせて支持されているウエハＳに対して
略平行に導入される。そしてウエハＳの両面に沿ってガ
スが拡散し、ウエハＳの両面全域にラジカル成分が略均
等に供給されてエッチング等がなされる。

【００２６】本実施例の装置を使用し、窒化シリコンを
エッチングした結果を図７に示す。エッチング条件とし
ては、圧力を０．８Ｔｏｒｒ、ガス種をＣＦ₄ ＋Ｏ₂ の
混合ガス、ガス流量比をＣＦ₄ ：Ｏ₂ ＝７：３、ガス流
量を５０ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍ、マイクロ波パワー
を１．５ｋＷにそれぞれ設定した。この結果、ガス流量
の広い範囲にわたって表面と裏面との処理速度が略等し
いという結果が得られ、また面内均一性については表面
と同様に裏面においてもよい面内均一性が得られるとい
う結果を確認することができた。

【００２７】なお対象膜としては、上記窒化シリコンの
他、酸化シリコン、ポリシリコン、レジスト等が含ま
れ、またガス種としては、フッ素系（ＣＦ₄ 、ＳＦ₆ 、
ＮＦ₃等）、Ｏ₂ 、Ｎ₂ 、塩素系ガスを用いて処理を行
なうことが可能である。また、本実施例ではランプ４５
がウエハＳの上下両方に配設された装置の場合について
説明したが、ランプ４５が配設されていない場合、ウエ
ハＳの上方あるいは下方のいずれかに配設されている場
合についても本実施例の場合と略同様の効果を得ること
が可能である。また、本実施例ではウエハ支持治具２４
を用いた場合について説明したが、別の実施例ではウエ
ハ支持治具２５を用いて反応室４１の上部壁４１ａから
吊り下げてウエハＳを支持する形態をとってもよい。

【００２８】上記したように、本実施例に係るマイクロ
波プラズマ処理装置にあっては、プラズマ室４０にプラ
ズマ引き出し管４２を介して反応室４１が連結され、プ
ラズマ引き出し管４２にはメッシュ構造の仕切り板３７
が内装される一方、反応室４１内にはウエハＳを浮かせ
て支持するウエハ支持治具２４が配設され、プラズマ引
き出し管４２から反応室４１にラジカルがウエハ支持治
具２４に支持されたウエハＳに対して略平行に導入され
るように構成されており、またウエハＳを加熱するラン
プ４５がウエハ支持治具２４に支持されたウエハＳの上
方及び下方に配設されており、プラズマ中の荷電粒子を
プラズマ引き出し管４２経路中において消滅させるとと
もに、さらに仕切り板３７で捕獲することができる。そ
して主に中性粒子のラジカルのみを仕切り板３７のメッ
シュ孔３７ａを透過させ、反応室４１内におけるラジカ
ルの流れを均一にすることができる。また所定温度に加
熱されたウエハＳの表裏面に沿ってガスを拡散させ、ウ
エハＳの両面に対してラジカルを略均等に供給して反応
させることができ、したがってプラズマダメージをより
一層緩和して裏面も表面と同様にエッチングすることが
できる。

【００２９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るマイク
ロ波プラズマ処理装置（１）にあっては、反応器内が主
にプラズマを生成するプラズマ室と試料台が配置される
反応室とにメッシュ構造の仕切り板で仕切られ、試料を
前記試料台から浮かせて支持するための治具が前記反応
室内に配設されているので、プラズマ中の荷電粒子が前
記仕切り板で捕獲され、前記反応室内におけるラジカル
の流れが均一になり、また試料の下方にもガスの拡散に
よってラジカルが回り込み、試料裏面にもラジカルが供
給され、裏面も表面と同様にエッチング処理を施すこと
ができる。

【００３０】また上記（１）記載の装置において、特に
仕切り板と試料との距離をｄ、試料を挟んで仕切り板と
反対側にある試料台と試料との距離をＤとすると、ｄ＜
Ｄなる位置に前記試料を浮かせた状態で保持することに
より、試料の裏面に回り込んで行くガス流を十分に確保
することができ、裏面における処理速度を表面のそれと
略同様にすることができる。

【００３１】また本発明に係るマイクロ波プラズマ処理
装置（３）にあっては、前記プラズマ室にプラズマ引き
出し管を介して反応室が連結され、前記プラズマ引き出
し管にはメッシュ構造の仕切り板が内装される一方、前
記反応室内には試料を浮かせて支持する支持治具が配設
され、前記プラズマ引き出し管から前記反応室にラジカ
ルが前記支持治具に支持された試料に対して略平行に導
入されるように構成されており、また試料を加熱するラ
ンプが支持治具に支持された試料の上方及び下方に配設
されており、プラズマ中の荷電粒子を前記プラズマ引き
出し管経路中において消滅させるとともに、さらに前記
仕切り板で捕獲することができる。そして主に中性粒子
のラジカルのみを前記仕切り板のメッシュ孔を透過さ
せ、前記反応室内におけるラジカルの流れを均一にする
ことができる。また所定温度に加熱された試料の表裏面
に沿ってガスを拡散させ、試料両面に対してラジカルを
略均等に供給して反応させることができ、したがってプ
ラズマダメージをより一層緩和して裏面も表面と同様に
エッチングすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の実
施例を示した正面断面図である。

【図２】実施例に係る試料支持治具を示した拡大断面図
である。

【図３】（ａ）、（ｂ）は別の実施例に係る試料支持治
具を示した拡大断面図及び概略斜視図である。

【図４】実施例に係る装置を用いてエッチングした場合
の、試料の表面及び裏面におけるエッチング速度と反応
ガスの総流量との関係を示したグラフである。

【図５】実施例に係る装置を用いてエッチングした場合
の、試料の表面及び裏面におけるエッチング速度と仕切
り板と試料との距離ｄとの関係及び面内均一性を示した
グラフである。

【図６】本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の別
の実施例を示した断面図であり、（ａ）は側面断面図、
（ｂ）は（ａ）のＡＡ′線断面図である。

【図７】実施例に係る装置を用いてエッチングした場合
の、試料の表面及び裏面におけるエッチング速度及び面
内均一性と反応ガスの総流量との関係を示したグラフで
ある。

【図８】従来のバレル型マイクロ波プラズマ処理装置を
概略的に示した断面図である。

【符号の説明】

１１、３１ 反応器 １６ マイクロ波発振器 １７、３７ 仕切り板 ２０、４０ プラズマ室 ２１、４１ 反応室 ２４ ウエハ支持治具 ２６ 試料台 ４２ プラズマ引きだし管

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送
   する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該
   誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有する
   反応器と、該反応器内を主にプラズマを生成するプラズ
   マ室と試料台が載置される反応室とに仕切るためのメッ
   シュ構造の仕切り板とを備えたマイクロ波プラズマ処理
   装置において、試料を試料台から浮かせて支持する治具
   を前記反応室内に備えていることを特徴とするマイクロ
   波プラズマ処理装置。
2. 【請求項２】 仕切り板と試料との距離をｄ、試料を挟
   んで仕切り板と反対側にある試料台と試料との距離をＤ
   とすると、ｄ＜Ｄなる位置に前記試料を保持する治具を
   備えた請求項１記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
3. 【請求項３】 マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送
   する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該
   誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有する
   プラズマ室とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置にお
   いて、前記プラズマ室にプラズマ引き出し管を介して反
   応室が連結され、前記プラズマ引き出し管にはメッシュ
   構造の仕切り板が内装される一方、前記反応室内には試
   料を浮かせて支持する治具が配設され、前記プラズマ引
   き出し管から前記反応室にラジカルが前記治具に支持さ
   れた試料に対して略平行に導入されるように構成されて
   いることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
4. 【請求項４】 試料を加熱するランプが治具に支持され
   た試料の上方及び／または下方に配設されている請求項
   ３記載のマイクロ波プラズマ処理装置。