JPH07142193A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPH07142193A JPH07142193A JP5286888A JP28688893A JPH07142193A JP H07142193 A JPH07142193 A JP H07142193A JP 5286888 A JP5286888 A JP 5286888A JP 28688893 A JP28688893 A JP 28688893A JP H07142193 A JPH07142193 A JP H07142193A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 マイクロ波発振器１６と、マイクロ波を伝送
する導波管１５と、導波管１５に接続された誘電体線路
１２と、誘電体線路１２に対向するように配置され、誘
電体線路１２に対向する一端がマイクロ波を透過する耐
熱性板２２で封止された金属製の反応容器１１とを備
え、反応容器１１の内部が内部空間を仕切るとともに連
通させる複数の孔１７ａを有する仕切壁１７により、直
方体形状のプラズマ生成室１８と試料台２３が配置され
る円筒形状の処理室１９とに分割されているマイクロ波
プラズマ処理装置。 【効果】 プラズマ生成室１８にプラズマを均一に発生
させることができ、しかも試料Ｓとしての円形のＳｉウ
エハ等の均一処理を行うことができる。
する導波管１５と、導波管１５に接続された誘電体線路
１２と、誘電体線路１２に対向するように配置され、誘
電体線路１２に対向する一端がマイクロ波を透過する耐
熱性板２２で封止された金属製の反応容器１１とを備
え、反応容器１１の内部が内部空間を仕切るとともに連
通させる複数の孔１７ａを有する仕切壁１７により、直
方体形状のプラズマ生成室１８と試料台２３が配置され
る円筒形状の処理室１９とに分割されているマイクロ波
プラズマ処理装置。 【効果】 プラズマ生成室１８にプラズマを均一に発生
させることができ、しかも試料Ｓとしての円形のＳｉウ
エハ等の均一処理を行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
装置に関し、より詳細にはプラズマを利用して半導体素
子基板等にエッチング、アッシング（灰化）等の処理を
施すのに適したマイクロ波プラズマ処理装置に関する。
装置に関し、より詳細にはプラズマを利用して半導体素
子基板等にエッチング、アッシング（灰化）等の処理を
施すのに適したマイクロ波プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路等の製造工程におけるエ
ッチング工程は、パターン形成されたレジストをマスク
として行われており、このエッチング工程終了後にマス
クとして用いたレジストをウエハ表面から除去する必要
がある。近年、レジスト除去はウエットプロセスからド
ライプロセスに移行してきており、プラズマを利用して
レジストを灰化除去する方法が広く用いられている。
ッチング工程は、パターン形成されたレジストをマスク
として行われており、このエッチング工程終了後にマス
クとして用いたレジストをウエハ表面から除去する必要
がある。近年、レジスト除去はウエットプロセスからド
ライプロセスに移行してきており、プラズマを利用して
レジストを灰化除去する方法が広く用いられている。
【０００３】このようなアッシング処理装置として、特
開昭６２−５６００号、特開昭６２−９９４８１号公報
において提案された誘電体線路を利用するマイクロ波プ
ラズマ処理装置が知られている。この装置は、反応容器
の上部がマイクロ波の透過が可能な耐熱性板で封止さ
れ、その上方にマイクロ波が導入される誘電体線路が形
成された構成となっている。
開昭６２−５６００号、特開昭６２−９９４８１号公報
において提案された誘電体線路を利用するマイクロ波プ
ラズマ処理装置が知られている。この装置は、反応容器
の上部がマイクロ波の透過が可能な耐熱性板で封止さ
れ、その上方にマイクロ波が導入される誘電体線路が形
成された構成となっている。
【０００４】図４はこの種マイクロ波プラズマ処理装置
の一例を模式的に示した断面図であり、図中３１は中空
直方体形状の反応容器を示している。この反応容器３１
は上部壁を除く全体がＡｌ等の金属を用いて形成され、
その側壁は二重構造となっており、その内部は冷却水が
流れる冷却水通路４１となっている。その冷却水通路４
１の内側にはプラズマ生成室３８及び処理室３９が形成
されている。プラズマ生成室３８と処理室３９とは仕切
壁３７で仕切られており、仕切壁３７の所定箇所には複
数の孔３７ａが全体として矩形形状に形成されている。
また、プラズマ生成室３８の上部はマイクロ波の透過が
可能で、かつ誘電損失の小さな石英ガラス、Ａｌ2 Ｏ3
等を用いて形成された耐熱性板２２により気密状態に封
止されている。また、処理室３９内部の仕切壁３７と対
向する箇所には、試料Ｓを載置するための試料台４３が
配設され、処理室３９の下部壁には図示しない排気装置
に接続される排気口３４が形成されており、プラズマ生
成室３８を構成する一側壁にはプラズマ生成室３８内に
所要の反応ガスを供給するためのガス供給管３３が接続
されている。
の一例を模式的に示した断面図であり、図中３１は中空
直方体形状の反応容器を示している。この反応容器３１
は上部壁を除く全体がＡｌ等の金属を用いて形成され、
その側壁は二重構造となっており、その内部は冷却水が
流れる冷却水通路４１となっている。その冷却水通路４
１の内側にはプラズマ生成室３８及び処理室３９が形成
されている。プラズマ生成室３８と処理室３９とは仕切
壁３７で仕切られており、仕切壁３７の所定箇所には複
数の孔３７ａが全体として矩形形状に形成されている。
また、プラズマ生成室３８の上部はマイクロ波の透過が
可能で、かつ誘電損失の小さな石英ガラス、Ａｌ2 Ｏ3
等を用いて形成された耐熱性板２２により気密状態に封
止されている。また、処理室３９内部の仕切壁３７と対
向する箇所には、試料Ｓを載置するための試料台４３が
配設され、処理室３９の下部壁には図示しない排気装置
に接続される排気口３４が形成されており、プラズマ生
成室３８を構成する一側壁にはプラズマ生成室３８内に
所要の反応ガスを供給するためのガス供給管３３が接続
されている。
【０００５】一方、反応容器３１の上方には誘電損失の
小さいフッ素樹脂、ポリエチレンあるいはポリスチレン
等を用いて形成された誘電体線路１２が配設されてお
り、誘電体線路１２の外側にはＡｌ板を用いて形成され
た蓋体２０が貼付されている。誘電体線路１２には導波
管１５が接続されており、導波管１５にはさらにマイク
ロ波発振器１６が連結されており、マイクロ波発振器１
６からのマイクロ波が誘電体線路１２に導入され、反応
容器３１内にプラズマ発生に必要な電界が形成されるよ
うになっている。
小さいフッ素樹脂、ポリエチレンあるいはポリスチレン
等を用いて形成された誘電体線路１２が配設されてお
り、誘電体線路１２の外側にはＡｌ板を用いて形成され
た蓋体２０が貼付されている。誘電体線路１２には導波
管１５が接続されており、導波管１５にはさらにマイク
ロ波発振器１６が連結されており、マイクロ波発振器１
６からのマイクロ波が誘電体線路１２に導入され、反応
容器３１内にプラズマ発生に必要な電界が形成されるよ
うになっている。
【０００６】このように構成されたマイクロ波プラズマ
処理装置を用い、試料Ｓ表面のレジストを除去する場
合、まず試料台４３上に試料Ｓを載置し、次に冷却水通
路４１内に冷却水を循環させた後、排気口３４から排気
して処理室３９を所要の真空度に設定し、この後ガス供
給管３３から反応ガスを供給する。次いで、マイクロ波
発振器１６においてマイクロ波を発振させ、導波管１５
を介して誘電体線路１２にマイクロ波を導入し、誘電体
線路１２の下方に電界を形成する。形成された電界は耐
熱性板２２を通過してプラズマ生成室３８内に至り、プ
ラズマを発生させ、発生したプラズマ中の荷電粒子は仕
切壁３７により捕獲され、主にラジカル等中性粒子（以
下、ラジカルと記す）のみが孔３７ａを通って処理室３
９内の試料Ｓ周辺に導かれ、試料Ｓ表面のレジストが灰
化除去される。
処理装置を用い、試料Ｓ表面のレジストを除去する場
合、まず試料台４３上に試料Ｓを載置し、次に冷却水通
路４１内に冷却水を循環させた後、排気口３４から排気
して処理室３９を所要の真空度に設定し、この後ガス供
給管３３から反応ガスを供給する。次いで、マイクロ波
発振器１６においてマイクロ波を発振させ、導波管１５
を介して誘電体線路１２にマイクロ波を導入し、誘電体
線路１２の下方に電界を形成する。形成された電界は耐
熱性板２２を通過してプラズマ生成室３８内に至り、プ
ラズマを発生させ、発生したプラズマ中の荷電粒子は仕
切壁３７により捕獲され、主にラジカル等中性粒子（以
下、ラジカルと記す）のみが孔３７ａを通って処理室３
９内の試料Ｓ周辺に導かれ、試料Ｓ表面のレジストが灰
化除去される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のマイク
ロ波プラズマ処理装置においては、プラズマ生成室３８
内に均一なプラズマを発生させるために、マイクロ波の
伝搬特性等を考慮してプラズマ生成室３８が直方体形状
になっており、プラズマ生成室３８と処理室３９とは一
体的に形成され、処理室３９も直方体形状となってい
る。このため、複数個の孔３７ａから導入されたラジカ
ルは処理室３９の角部にも拡散する。しかし、試料Ｓと
しては半導体基板である円形のＳｉウエハを用いること
が多く、このため試料台３４も通常平面視円形状のもの
が使用されており、ラジカルの流れが試料台３４の形状
に対応せず、試料Ｓ表面へのラジカルの均一供給ができ
ず、均一処理を行うことが難しいという課題があった。
ロ波プラズマ処理装置においては、プラズマ生成室３８
内に均一なプラズマを発生させるために、マイクロ波の
伝搬特性等を考慮してプラズマ生成室３８が直方体形状
になっており、プラズマ生成室３８と処理室３９とは一
体的に形成され、処理室３９も直方体形状となってい
る。このため、複数個の孔３７ａから導入されたラジカ
ルは処理室３９の角部にも拡散する。しかし、試料Ｓと
しては半導体基板である円形のＳｉウエハを用いること
が多く、このため試料台３４も通常平面視円形状のもの
が使用されており、ラジカルの流れが試料台３４の形状
に対応せず、試料Ｓ表面へのラジカルの均一供給ができ
ず、均一処理を行うことが難しいという課題があった。
【０００８】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであって、プラズマ生成室におけるプラズマの均一発
生が可能であり、しかも試料としての円形のＳｉウエハ
等の均一処理を可能とするマイクロ波プラズマ処理装置
を提供することを目的としている。
のであって、プラズマ生成室におけるプラズマの均一発
生が可能であり、しかも試料としての円形のＳｉウエハ
等の均一処理を可能とするマイクロ波プラズマ処理装置
を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マイク
ロ波発生手段と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導
波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向す
るように配置され、該誘電体線路に対向する一端がマイ
クロ波を透過する耐熱性板で封止された金属製の反応容
器とを備え、該反応容器の内部が内部空間を仕切るとと
もに連通させる複数の孔を有する仕切壁により、直方体
形状のプラズマ生成室と試料台が配置される円筒形状の
処理室とに分割されていることを特徴としている。
に本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マイク
ロ波発生手段と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導
波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向す
るように配置され、該誘電体線路に対向する一端がマイ
クロ波を透過する耐熱性板で封止された金属製の反応容
器とを備え、該反応容器の内部が内部空間を仕切るとと
もに連通させる複数の孔を有する仕切壁により、直方体
形状のプラズマ生成室と試料台が配置される円筒形状の
処理室とに分割されていることを特徴としている。
【００１０】
【作用】上記マイクロ波プラズマ処理装置では、マイク
ロ波が前記誘電体線路を伝搬する際、該誘電体線路に垂
直な方向にも、電界が形成される。そして、この電界に
よって前記耐熱性板の下に前記誘電体線路と平行的にプ
ラズマが発生するので、マイクロ波が前記誘電体線路に
垂直方向に供給され、前記耐熱性板の下にプラズマを発
生させているとみなすことができる。また主要部の形状
が略矩形である前記誘電体線路は、その上面が金属板か
らなる蓋体により覆われているので、前記誘電体線路上
のマイクロ波電力はマイクロ波の伝搬方向に垂直な面に
関し、及び伝搬方向に関してどの地点においてもほぼ同
じと考えられる。
ロ波が前記誘電体線路を伝搬する際、該誘電体線路に垂
直な方向にも、電界が形成される。そして、この電界に
よって前記耐熱性板の下に前記誘電体線路と平行的にプ
ラズマが発生するので、マイクロ波が前記誘電体線路に
垂直方向に供給され、前記耐熱性板の下にプラズマを発
生させているとみなすことができる。また主要部の形状
が略矩形である前記誘電体線路は、その上面が金属板か
らなる蓋体により覆われているので、前記誘電体線路上
のマイクロ波電力はマイクロ波の伝搬方向に垂直な面に
関し、及び伝搬方向に関してどの地点においてもほぼ同
じと考えられる。
【００１１】従って、前記プラズマ生成室が直方体形状
となっていることにより、該プラズマ生成室に均一にマ
イクロ波電力が供給され、前記プラズマ生成室でのプラ
ズマの均一発生が可能となる。さらに、前記処理室の形
状が円筒形状であることから、前記孔を通ったラジカル
が前記処理室内で円筒形状に拡散する。したがって、ラ
ジカルの流れが前記試料及び試料台の円形形状に対応す
ることとなり、前記試料表面にラジカルが均一に供給さ
れ、均一な処理が行われる。
となっていることにより、該プラズマ生成室に均一にマ
イクロ波電力が供給され、前記プラズマ生成室でのプラ
ズマの均一発生が可能となる。さらに、前記処理室の形
状が円筒形状であることから、前記孔を通ったラジカル
が前記処理室内で円筒形状に拡散する。したがって、ラ
ジカルの流れが前記試料及び試料台の円形形状に対応す
ることとなり、前記試料表面にラジカルが均一に供給さ
れ、均一な処理が行われる。
【００１２】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るマイクロ波プ
ラズマ処理装置の実施例及び比較例を図面に基づいて説
明する。なお、実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装
置の構成は図４に示した従来のマイクロ波プラズマ処理
装置の構成と略同様であるため、ここでは同じ部分の説
明は省略し、従来のものと相違する箇所についてのみそ
の構成を説明する。また、従来例と同一の構成部品には
同一の符合を付すこととする。図１は実施例に係るマイ
クロ波プラズマ処理装置を示した模式的縦断面図であ
り、図２は仕切り壁を除いた場合のプラズマ生成室、処
理室及び試料台の形状をを示した平面図である。図中１
１は反応容器を示しており、反応容器１１は上部壁を除
く全体がＡｌ等の金属を用いて形成され、その側壁は二
重構造となっており、その内部は冷却水が流れる冷却水
通路２１となっている。冷却水通路２１の内側には直方
体形状のプラズマ生成室１８及び円筒形状の処理室１９
が形成され、プラズマ生成室１８と処理室１９とはマイ
クロ波遮蔽材料、例えばアルミニウム等の金属板で形成
された仕切壁１７で仕切られており、仕切壁１７の所定
箇所には複数の孔１７ａが全体として円形形状に形成さ
れている。また、プラズマ生成室１８の上部はマイクロ
波の透過が可能で、かつ誘電損失の小さな材料、例えば
石英ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 等を用いて形成された耐熱性板
２２により気密状態に封止されている。処理室１９内部
の仕切壁１７と対向する箇所には、試料Ｓを載置するた
めの試料台２３が配設されており、処理室１９の下部壁
には図示しない排気装置に接続される排気口１４が形成
されており、プラズマ生成室１８を構成する一側壁には
プラズマ生成室１８内に所要の反応ガスを供給するため
のガス供給管１３が接続されている。
ラズマ処理装置の実施例及び比較例を図面に基づいて説
明する。なお、実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装
置の構成は図４に示した従来のマイクロ波プラズマ処理
装置の構成と略同様であるため、ここでは同じ部分の説
明は省略し、従来のものと相違する箇所についてのみそ
の構成を説明する。また、従来例と同一の構成部品には
同一の符合を付すこととする。図１は実施例に係るマイ
クロ波プラズマ処理装置を示した模式的縦断面図であ
り、図２は仕切り壁を除いた場合のプラズマ生成室、処
理室及び試料台の形状をを示した平面図である。図中１
１は反応容器を示しており、反応容器１１は上部壁を除
く全体がＡｌ等の金属を用いて形成され、その側壁は二
重構造となっており、その内部は冷却水が流れる冷却水
通路２１となっている。冷却水通路２１の内側には直方
体形状のプラズマ生成室１８及び円筒形状の処理室１９
が形成され、プラズマ生成室１８と処理室１９とはマイ
クロ波遮蔽材料、例えばアルミニウム等の金属板で形成
された仕切壁１７で仕切られており、仕切壁１７の所定
箇所には複数の孔１７ａが全体として円形形状に形成さ
れている。また、プラズマ生成室１８の上部はマイクロ
波の透過が可能で、かつ誘電損失の小さな材料、例えば
石英ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 等を用いて形成された耐熱性板
２２により気密状態に封止されている。処理室１９内部
の仕切壁１７と対向する箇所には、試料Ｓを載置するた
めの試料台２３が配設されており、処理室１９の下部壁
には図示しない排気装置に接続される排気口１４が形成
されており、プラズマ生成室１８を構成する一側壁には
プラズマ生成室１８内に所要の反応ガスを供給するため
のガス供給管１３が接続されている。
【００１３】このように構成されたマイクロ波プラズマ
処理装置を用いて試料Ｓ表面のレジストを除去する場
合、図４に示した従来の装置の場合と同様に行うことに
より、プラズマ生成室内に発生した均一なプラズマ中の
荷電粒子は仕切壁１７により捕獲され、主にラジカル等
中性粒子のみが孔１７ａを通り、このラジカルが処理室
１９内の試料Ｓ周辺に円筒形状に導かれ、試料Ｓ表面の
レジストを効率良く均一に除去する。
処理装置を用いて試料Ｓ表面のレジストを除去する場
合、図４に示した従来の装置の場合と同様に行うことに
より、プラズマ生成室内に発生した均一なプラズマ中の
荷電粒子は仕切壁１７により捕獲され、主にラジカル等
中性粒子のみが孔１７ａを通り、このラジカルが処理室
１９内の試料Ｓ周辺に円筒形状に導かれ、試料Ｓ表面の
レジストを効率良く均一に除去する。
【００１４】以下に、実施例及び比較例に係るマイクロ
波プラズマ処理装置において、発生させたプラズマの発
生効率を評価するために、試料Ｓ表面のレジストアッシ
ング速度を測定し、アッシング速度の面内均一性を調べ
た結果について説明する。
波プラズマ処理装置において、発生させたプラズマの発
生効率を評価するために、試料Ｓ表面のレジストアッシ
ング速度を測定し、アッシング速度の面内均一性を調べ
た結果について説明する。
【００１５】アッシング処理は、試料Ｓとして、Ｓｉウ
エハ上にレジストを塗布したものを用い、レジスト除去
用ガスとして、少量のＮ2 ガスを添加したＯ2 ガスを用
い、処理室１９内の圧力を２Ｔｏｒｒに設定して行っ
た。また実施例に係る装置として、プラズマ生成室１８
の上面の寸法を縦３００ｍｍ×横３００ｍｍに、処理室
１９の内径を３００ｍｍにそれぞれ設定した装置を用
い、比較例に係る装置として、縦３００ｍｍ×横３００
ｍｍ×高さ１００ｍｍの直方体形状の反応容器１０を備
えた従来の装置（図４）を用いた。いずれの装置におい
ても誘電体線路２０として、厚さ２０ｍｍ、長さ５００
ｍｍ、幅３００ｍｍのフッ素樹脂を用いた。結果を図３
に示す。
エハ上にレジストを塗布したものを用い、レジスト除去
用ガスとして、少量のＮ2 ガスを添加したＯ2 ガスを用
い、処理室１９内の圧力を２Ｔｏｒｒに設定して行っ
た。また実施例に係る装置として、プラズマ生成室１８
の上面の寸法を縦３００ｍｍ×横３００ｍｍに、処理室
１９の内径を３００ｍｍにそれぞれ設定した装置を用
い、比較例に係る装置として、縦３００ｍｍ×横３００
ｍｍ×高さ１００ｍｍの直方体形状の反応容器１０を備
えた従来の装置（図４）を用いた。いずれの装置におい
ても誘電体線路２０として、厚さ２０ｍｍ、長さ５００
ｍｍ、幅３００ｍｍのフッ素樹脂を用いた。結果を図３
に示す。
【００１６】図３から明らかなように実施例に係る装置
では、レジストアッシング速度がＳｉウエハの全面で１
４２０〜１５００ｎｍ／ｍｉｎ程度となっており、面内
均一性が良好であったのに対し、比較例に係る装置で
は、レジストアッシング速度がＳｉウエハの中心部で約
１５３０ｎｍ／ｍｉｎ、周辺部で約１２２０ｎｍ／ｍｉ
ｎとなっており、中心部と周辺部との差が約３１０ｎｍ
／ｍｉｎあり、面内均一性が悪かった。このように、プ
ラズマ生成室１８の形状を直方体形状にし、かつ処理室
１９の形状を円筒形状にすることにより、ラジカルの均
一発生及び均一処理を行うことができた。
では、レジストアッシング速度がＳｉウエハの全面で１
４２０〜１５００ｎｍ／ｍｉｎ程度となっており、面内
均一性が良好であったのに対し、比較例に係る装置で
は、レジストアッシング速度がＳｉウエハの中心部で約
１５３０ｎｍ／ｍｉｎ、周辺部で約１２２０ｎｍ／ｍｉ
ｎとなっており、中心部と周辺部との差が約３１０ｎｍ
／ｍｉｎあり、面内均一性が悪かった。このように、プ
ラズマ生成室１８の形状を直方体形状にし、かつ処理室
１９の形状を円筒形状にすることにより、ラジカルの均
一発生及び均一処理を行うことができた。
【００１７】以上説明したように実施例に係るマイクロ
波プラズマ処理装置にあっては、プラズマ生成室１８の
形状が直方体形状であるので、プラズマ生成室１８に均
一な波電力が供給され、プラズマ生成室１８でのプラズ
マの均一発生が可能になる。また、反応容器１０の内部
が複数の孔１７ａを有する仕切壁１７により仕切られて
いるので、プラズマ生成室１８内で発生したプラズマ中
の荷電粒子が仕切壁１７によって捕獲され、主にラジカ
ルのみが孔１７ａを通る。さらに、処理室１９の形状が
円筒形状であるので、孔１７ａを通ったラジカルが処理
室１９内で円筒形状に拡散する。したがって、ラジカル
の流れが試料Ｓ及び試料台２３の円形形状に対応するた
め、試料Ｓ表面にラジカルを均一に供給して均一な処理
を行うことができる。また、レジストアッシングの平均
速度が大きくなっていることから、不要なラジカル発生
部分がなくなり、効率良く処理できていると言える。
波プラズマ処理装置にあっては、プラズマ生成室１８の
形状が直方体形状であるので、プラズマ生成室１８に均
一な波電力が供給され、プラズマ生成室１８でのプラズ
マの均一発生が可能になる。また、反応容器１０の内部
が複数の孔１７ａを有する仕切壁１７により仕切られて
いるので、プラズマ生成室１８内で発生したプラズマ中
の荷電粒子が仕切壁１７によって捕獲され、主にラジカ
ルのみが孔１７ａを通る。さらに、処理室１９の形状が
円筒形状であるので、孔１７ａを通ったラジカルが処理
室１９内で円筒形状に拡散する。したがって、ラジカル
の流れが試料Ｓ及び試料台２３の円形形状に対応するた
め、試料Ｓ表面にラジカルを均一に供給して均一な処理
を行うことができる。また、レジストアッシングの平均
速度が大きくなっていることから、不要なラジカル発生
部分がなくなり、効率良く処理できていると言える。
【００１８】なお本実施例では、仕切壁１７にアルミニ
ウムを用いた場合を例とって説明したが、別の実施例で
は、仕切壁１７にステンレス、タングステン等を用いて
も良い。
ウムを用いた場合を例とって説明したが、別の実施例で
は、仕切壁１７にステンレス、タングステン等を用いて
も良い。
【００１９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るマイク
ロ波プラズマ処理装置においては、マイクロ波発生手段
と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続さ
れた誘電体線路と、該誘電体線路に対向するように配置
され、該誘電体線路に対向する一端がマイクロ波を透過
する耐熱性板で封止された金属製の反応容器とを備え、
該反応容器の内部が内部空間を仕切るとともに連通させ
る複数の孔を有する仕切壁により、直方体形状のプラズ
マ生成室と試料台が配置される円筒形状の処理室とに分
割されているので、前記プラズマ生成室の形状が直方体
形状であることにより、前記プラズマ生成室でのプラズ
マの均一発生ができる。さらに、前記処理室の形状が円
筒形状であることにより、前記孔を通ったラジカルの流
れを前記試料及び試料台の円形形状に対応させ、前記試
料表面にラジカルを均一に供給し、均一な処理を行うこ
とができる。
ロ波プラズマ処理装置においては、マイクロ波発生手段
と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続さ
れた誘電体線路と、該誘電体線路に対向するように配置
され、該誘電体線路に対向する一端がマイクロ波を透過
する耐熱性板で封止された金属製の反応容器とを備え、
該反応容器の内部が内部空間を仕切るとともに連通させ
る複数の孔を有する仕切壁により、直方体形状のプラズ
マ生成室と試料台が配置される円筒形状の処理室とに分
割されているので、前記プラズマ生成室の形状が直方体
形状であることにより、前記プラズマ生成室でのプラズ
マの均一発生ができる。さらに、前記処理室の形状が円
筒形状であることにより、前記孔を通ったラジカルの流
れを前記試料及び試料台の円形形状に対応させ、前記試
料表面にラジカルを均一に供給し、均一な処理を行うこ
とができる。
【図１】本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の実
施例を模式的に示した縦断面図である。
施例を模式的に示した縦断面図である。
【図２】実施例に係る仕切り壁を除いた場合のプラズマ
生成室、処理室及び試料台の形状を示した平面図であ
る。
生成室、処理室及び試料台の形状を示した平面図であ
る。
【図３】実施例及び比較例に係るマイクロ波プラズマ処
理装置におけるアッシング速度の面内均一性を調べた結
果を示したグラフである。
理装置におけるアッシング速度の面内均一性を調べた結
果を示したグラフである。
【図４】従来のマイクロ波プラズマ処理装置を模式的に
示した縦断面図である。
示した縦断面図である。
１１ 反応容器 １２ 誘電体線路 １５ 導波管 １６ マイクロ波発振器 １７ 仕切壁 １７ａ 孔 １８ プラズマ生成室 １９ 処理室 ２３ 試料台
Claims (1)
- 【請求項１】 マイクロ波発生手段と、マイクロ波を伝
送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、
該誘電体線路に対向するように配置され、該誘電体線路
に対向する一端がマイクロ波を透過する耐熱性板で封止
された金属製の反応容器とを備え、該反応容器の内部が
内部空間を仕切るとともに連通させる複数の孔を有する
仕切壁により、直方体形状のプラズマ生成室と試料台が
配置される円筒形状の処理室とに分割されていることを
特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5286888A JP2967681B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5286888A JP2967681B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142193A true JPH07142193A (ja) | 1995-06-02 |
| JP2967681B2 JP2967681B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=17710305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5286888A Expired - Fee Related JP2967681B2 (ja) | 1993-11-16 | 1993-11-16 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2967681B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425658B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2004-04-03 | 캐논 가부시끼가이샤 | 마이크로파 공급기, 이를 구비한 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법 |
| US6870123B2 (en) | 1998-10-29 | 2005-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave applicator, plasma processing apparatus having same, and plasma processing method |
| CN103262663A (zh) * | 2011-04-28 | 2013-08-21 | 东海橡塑工业株式会社 | 微波等离子体生成装置和采用该装置的磁控溅射成膜装置 |
-
1993
- 1993-11-16 JP JP5286888A patent/JP2967681B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425658B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2004-04-03 | 캐논 가부시끼가이샤 | 마이크로파 공급기, 이를 구비한 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법 |
| US6870123B2 (en) | 1998-10-29 | 2005-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave applicator, plasma processing apparatus having same, and plasma processing method |
| CN103262663A (zh) * | 2011-04-28 | 2013-08-21 | 东海橡塑工业株式会社 | 微波等离子体生成装置和采用该装置的磁控溅射成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2967681B2 (ja) | 1999-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |