JPS5946031A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS5946031A JPS5946031A JP15781282A JP15781282A JPS5946031A JP S5946031 A JPS5946031 A JP S5946031A JP 15781282 A JP15781282 A JP 15781282A JP 15781282 A JP15781282 A JP 15781282A JP S5946031 A JPS5946031 A JP S5946031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- sample
- plasma
- substrate
- shielding plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ＋ 発明の技術分野
本発明はプラズマ処理装置に係り、特に圧力差ヲ利用し
たビーム状プラズマガヌエッチングによる微細加工、又
は部分研磨を行うプラズマ処理装置に関する。
たビーム状プラズマガヌエッチングによる微細加工、又
は部分研磨を行うプラズマ処理装置に関する。
（ＩＴＩ） 技術の背景
半２１′Ａ体装置１・Ｙの徽＋ｔｌｌｌ化、製造技術の
自動化が通む中で、例えばプロセヌモニターとしての測
長バク冗 一ンの除去或は昆長ビット切換え時のヒユーズＲＯＭの
切断など被加工物を選択的に微細加工する必要が多数少
じている。
自動化が通む中で、例えばプロセヌモニターとしての測
長バク冗 一ンの除去或は昆長ビット切換え時のヒユーズＲＯＭの
切断など被加工物を選択的に微細加工する必要が多数少
じている。
（Ｃ）従来技術と問題点
そこで上記の問題に対し７、例えばｌ／ソス１を）１１
〕分的に剥離する場合はマス／７ムーとを・用いて±Ｉ
Ｊ像時に除去するか又エツチングを必要上−３る場合に
はレジヌトパターンを形成してエツチングするなと手間
がかかり煩雑な手法を用いていた。又上記手ＩＪ４［ｒ
省＜ 方法トｌ〜てイオンビームエツチンク（ｉＢＥ）
を用いる方法もあるが、Ｔ Ｔ’（ｒＧ ）よ−／Ｂ’
＆（ｌ使え木ビームが一本で複数ケ所をエツチングし
たい場合に時間がかかり又下地との選択比が悪く下地の
損傷などの問題点が発生する。
〕分的に剥離する場合はマス／７ムーとを・用いて±Ｉ
Ｊ像時に除去するか又エツチングを必要上−３る場合に
はレジヌトパターンを形成してエツチングするなと手間
がかかり煩雑な手法を用いていた。又上記手ＩＪ４［ｒ
省＜ 方法トｌ〜てイオンビームエツチンク（ｉＢＥ）
を用いる方法もあるが、Ｔ Ｔ’（ｒＧ ）よ−／Ｂ’
＆（ｌ使え木ビームが一本で複数ケ所をエツチングし
たい場合に時間がかかり又下地との選択比が悪く下地の
損傷などの問題点が発生する。
（＋１） 発明の目的
本発明（社）」−記問題点を解消するだめ、能率」、ぐ
所望の被微細加工領域の加工が可能でかつ試１下地との
選択比が大きく、下地の損傷のンズいプラズマ処理装置
を提供することを目的とするものである。
所望の被微細加工領域の加工が可能でかつ試１下地との
選択比が大きく、下地の損傷のンズいプラズマ処理装置
を提供することを目的とするものである。
（ｅ） 発明の楯￥成
本発明の特徴は、プラズマ発生室と該プラズマ発生室と
所定の貫通孔で導通された試別処理室と該処理室を前記
プラズマ発生室より高真空度に保つ排気手段とを白し、
前記貫通孔を通してＩＩＡ出するフ゛クズマガヌにより
−Ｃ試判をエラ４−ングするプラズマ処理装置のＩｉＪ
記川通用に対し゛Ｃ前記試料を所定の位置に配置するだ
めの位置合せ手段を具備してプ菰°ることである。
所定の貫通孔で導通された試別処理室と該処理室を前記
プラズマ発生室より高真空度に保つ排気手段とを白し、
前記貫通孔を通してＩＩＡ出するフ゛クズマガヌにより
−Ｃ試判をエラ４−ングするプラズマ処理装置のＩｉＪ
記川通用に対し゛Ｃ前記試料を所定の位置に配置するだ
めの位置合せ手段を具備してプ菰°ることである。
（ｆ゛）発明の実施例
以下１Δ面によって本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による一火施例のプラズマ処］！Ｉ！装
置の要部断面図である。
置の要部断面図である。
図において処理室１１−、：Ｉ：排気１ｊ ２を介して
油拡散ポンプ及び回転ボンフ゛（いずれも図示せず）に
より真空排気され、該処理室ｌの上部にはプラズマ発生
室８が設りられ−Ｃいる。核ブラヌマ発生室３と１３ｉ
Ｊ記処理室１０間に介在する着脱可能な遮蔽板４は一応
画室を分離するだめの隔壁となつ“Ｃ訃り、該遮蔽板４
には所定の貫通孔（ノスル）５が・１／Ｊ！Ｊ３に応じ
て１個及至複数個所定位１１りに配設さノ１てなる。処
理室１内には試料６を載せる載置台７が１１達けられて
おり該載置台７は室外に取りつけら）したモーター８に
よって連結棒９を介して回転できろようになっている。
油拡散ポンプ及び回転ボンフ゛（いずれも図示せず）に
より真空排気され、該処理室ｌの上部にはプラズマ発生
室８が設りられ−Ｃいる。核ブラヌマ発生室３と１３ｉ
Ｊ記処理室１０間に介在する着脱可能な遮蔽板４は一応
画室を分離するだめの隔壁となつ“Ｃ訃り、該遮蔽板４
には所定の貫通孔（ノスル）５が・１／Ｊ！Ｊ３に応じ
て１個及至複数個所定位１１りに配設さノ１てなる。処
理室１内には試料６を載せる載置台７が１１達けられて
おり該載置台７は室外に取りつけら）したモーター８に
よって連結棒９を介して回転できろようになっている。
又処理室１を囲む容器ｌ：’＜ ｌ ４１には試料監視
用ののぞき窓ｌ［が設けられ、４．ｔ ：Ｐ４６端上の
容器壁１０にセンサー１２が側設されている。前記プラ
ズマ発生室３を囲む容器壁１：ＩＣ）上部にはフレキシ
ブルなガス導入管］、 ４１が設ｉｌｊ ｒ、。
用ののぞき窓ｌ［が設けられ、４．ｔ ：Ｐ４６端上の
容器壁１０にセンサー１２が側設されている。前記プラ
ズマ発生室３を囲む容器壁１：ＩＣ）上部にはフレキシ
ブルなガス導入管］、 ４１が設ｉｌｊ ｒ、。
れ核ガヌ導入管１４は可変１１−クバルプ及び流しｉ旧
を介して四弗化炭素（ＣＪＩ’、）と酸素（０２）の〆
「式台ガス等からなる原料ガスボンベ（いずれも目１示
せず）に接続され、プラズマ発生室３上部には、２．４
５ＧＨｚ のマイクロ波発振器が側設されてな、イ３゜
又処理室の容器壁１０とベースプＬ−ト１５及（クニプ
ラズマ発生室の容器壁［３とは）ぐ々ガスケット１６・
１７を介して着脱可能に構成されている。
を介して四弗化炭素（ＣＪＩ’、）と酸素（０２）の〆
「式台ガス等からなる原料ガスボンベ（いずれも目１示
せず）に接続され、プラズマ発生室３上部には、２．４
５ＧＨｚ のマイクロ波発振器が側設されてな、イ３゜
又処理室の容器壁１０とベースプＬ−ト１５及（クニプ
ラズマ発生室の容器壁［３とは）ぐ々ガスケット１６・
１７を介して着脱可能に構成されている。
かかる構造のプラズマ処理装置を用いて試ネ１（４を選
択的に微細加工する場合においてｉ−１試才’ｌ ｆ３
’ｉ載置台７上に被加工面を上にして静電チャック又
はメカニカルチー＼ｌツクによって固定し、モーター８
により連結棒９を介して載置台７を回転さぜ、試料の端
上に設けられた例えばフォトセンサー１２によって試料
の位置決め部を検出し所定位置にセソｌ゛Ｌ、次いで処
ｊ！Ｊ！室の容器壁１０をベーヌゾレ−ｌ゛ｌ ５のカ
スケラｌ−１６上にのせ容器壁１０の上部開口部の所定
位置に〆画板４をセットする。
択的に微細加工する場合においてｉ−１試才’ｌ ｆ３
’ｉ載置台７上に被加工面を上にして静電チャック又
はメカニカルチー＼ｌツクによって固定し、モーター８
により連結棒９を介して載置台７を回転さぜ、試料の端
上に設けられた例えばフォトセンサー１２によって試料
の位置決め部を検出し所定位置にセソｌ゛Ｌ、次いで処
ｊ！Ｊ！室の容器壁１０をベーヌゾレ−ｌ゛ｌ ５のカ
スケラｌ−１６上にのせ容器壁１０の上部開口部の所定
位置に〆画板４をセットする。
該遮蔽板４にＶ」予め試料の被加工領域に対応する７Ｊ
ｒ定貫通孔１５が設けられている。次いでプラズマ発生
室の容器壁１３をガスケツ） ｌ ’７−ににＩｆＩ′
き排気１」２より真空排気し、ガス導入管より所望の、
ＣＩＩ□、十〇、 のｌｔｔ白−ガスを導入して、プ
ラズマ発生室３の真空度を約０５汲至２ Ｔｏｒｒ 、
処理室の真空度を′約０． ｌ ｉ’○］”Ｊ−以下に
なるように調整する。
ｒ定貫通孔１５が設けられている。次いでプラズマ発生
室の容器壁１３をガスケツ） ｌ ’７−ににＩｆＩ′
き排気１」２より真空排気し、ガス導入管より所望の、
ＣＩＩ□、十〇、 のｌｔｔ白−ガスを導入して、プ
ラズマ発生室３の真空度を約０５汲至２ Ｔｏｒｒ 、
処理室の真空度を′約０． ｌ ｉ’○］”Ｊ−以下に
なるように調整する。
次いでマ・ｒクロ波発振器を作動すればマイクロ波Ａが
発生室３円の混合がノに作用してプラズマを３’Ｃｒ
生し、該ブシズマエッチングガヌが貫通孔５を介し、て
Ｌ−−ム状に形成され噴出し、ラジカルを主体どＬ７／
（−前記エツチングガスによって試料の所望の被微細加
工領域が加工される。尚匙蔽板に、ｌ第２図に示すよう
に単孔２１］を有する遮市゛（板２１を用いて、移動し
試料の所望領域を加］−する構造にしでもよく又ヌリッ
ト状の貫通孔２２１を有するａｊ！（！ｆｉｊ＜板２２
上に前記遮蔽板２１を爪ねて該ｊ、↓蔽板２１を移動す
ることによって所望領域を加工してもｒ１４わない。又
試料６を移動させることによって所望領域を加工する機
構を付設し７でも勿論差しつかえ伏 ないつ又ｔの他他の場所で位置合せをイ１なうオフ・ア
クシス（ｏ、ｆｒ・Δ〆ｊ、Ｓ）方式を用いてもよい。
発生室３円の混合がノに作用してプラズマを３’Ｃｒ
生し、該ブシズマエッチングガヌが貫通孔５を介し、て
Ｌ−−ム状に形成され噴出し、ラジカルを主体どＬ７／
（−前記エツチングガスによって試料の所望の被微細加
工領域が加工される。尚匙蔽板に、ｌ第２図に示すよう
に単孔２１］を有する遮市゛（板２１を用いて、移動し
試料の所望領域を加］−する構造にしでもよく又ヌリッ
ト状の貫通孔２２１を有するａｊ！（！ｆｉｊ＜板２２
上に前記遮蔽板２１を爪ねて該ｊ、↓蔽板２１を移動す
ることによって所望領域を加工してもｒ１４わない。又
試料６を移動させることによって所望領域を加工する機
構を付設し７でも勿論差しつかえ伏 ないつ又ｔの他他の場所で位置合せをイ１なうオフ・ア
クシス（ｏ、ｆｒ・Δ〆ｊ、Ｓ）方式を用いてもよい。
Ｃ；）発明の効果
以」二説明したように斧圧を利用１１．所定の１°［通
孔を通じてビーム状に絞った”ラジカルを主体とし、た
アラズマコーツブーングガスを使用することによって所
望の被微細加工領域を一度に加工することかでき、その
ために能率が向」ニし、かつ物理的エツチングを士体と
したイオンエツチングに比べ、本発明は化学的エツチン
グによるため試料下地の損傷がなく選択比も大きく取れ
信頼性向上等のダＪ果を有している。尚前記したように
本発明ｔ、１．その趣旨を逸脱しない範囲で種々良形実
施することかできる。
孔を通じてビーム状に絞った”ラジカルを主体とし、た
アラズマコーツブーングガスを使用することによって所
望の被微細加工領域を一度に加工することかでき、その
ために能率が向」ニし、かつ物理的エツチングを士体と
したイオンエツチングに比べ、本発明は化学的エツチン
グによるため試料下地の損傷がなく選択比も大きく取れ
信頼性向上等のダＪ果を有している。尚前記したように
本発明ｔ、１．その趣旨を逸脱しない範囲で種々良形実
施することかできる。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す図、第２図は本
発明の一実施例に用いる他のム蔽板の斜６は試料を示し
ている。 第１図 ↓ ２ 第２図 シペ、 ５へ 、−１１ １０ へ ６ ２１ ２２
発明の一実施例に用いる他のム蔽板の斜６は試料を示し
ている。 第１図 ↓ ２ 第２図 シペ、 ５へ 、−１１ １０ へ ６ ２１ ２２
Claims (1)
- プラズマ発生室と、該プラズマ発生室と所定のＬ″１１
通孔通された拭判処理室と、該処理室を前記−グラズマ
発生室より高真空度に保つ排気手段とを有し、前記貫通
孔を通して噴出するプラズマガスによって試料をエツチ
ングするプラズマ処理装置において、前記貫通孔に対し
て前記試料を所定の位置に配置するだめの位置合せ手段
を具備して汽ることを特徴とするフ”ラズマ処即装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15781282A JPS5946031A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15781282A JPS5946031A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946031A true JPS5946031A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15657826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15781282A Pending JPS5946031A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946031A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042832A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオンビ−ム装置 |
| JPS6156416A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-03-22 | Fujitsu Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JPS6394628A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS63293824A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5037262A (en) * | 1988-07-15 | 1991-08-06 | Balzers Aktiengesellschaft | Holding device for a disk and application therefor |
| EP0460337A2 (en) * | 1990-06-06 | 1991-12-11 | Branson International Plasma Corporation | Plasma reactor and process with ceramic chamber |
| US5417798A (en) * | 1991-01-24 | 1995-05-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Etching method |
-
1982
- 1982-09-09 JP JP15781282A patent/JPS5946031A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042832A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオンビ−ム装置 |
| JPH0347573B2 (ja) * | 1983-08-18 | 1991-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS6156416A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-03-22 | Fujitsu Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JPS6394628A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS63293824A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5037262A (en) * | 1988-07-15 | 1991-08-06 | Balzers Aktiengesellschaft | Holding device for a disk and application therefor |
| EP0460337A2 (en) * | 1990-06-06 | 1991-12-11 | Branson International Plasma Corporation | Plasma reactor and process with ceramic chamber |
| EP0460337A3 (en) * | 1990-06-06 | 1992-03-25 | Branson International Plasma Corporation | Plasma reactor and process with ceramic chamber |
| US5417798A (en) * | 1991-01-24 | 1995-05-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Etching method |
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