JPS60100687A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPS60100687A JPS60100687A JP20581183A JP20581183A JPS60100687A JP S60100687 A JPS60100687 A JP S60100687A JP 20581183 A JP20581183 A JP 20581183A JP 20581183 A JP20581183 A JP 20581183A JP S60100687 A JPS60100687 A JP S60100687A
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- vacuum chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、真空処理装置に係り、特にドライプロセスに
て基板処理する真空処理装置に関するものである。
て基板処理する真空処理装置に関するものである。
ドライプロセスにて基板を処理する真空処理装置には、
ドライエツチング装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタ
リング装置等がある。
ドライエツチング装置、プラズマＣＶＤ装置、スパッタ
リング装置等がある。
第１図により従来慣用されている真空処理装置例を説明
する。
する。
＠１図で、真空室１０ ａには、基板電極加が上下動可
能に内設されると共に、真空室１０ ａの内部では、そ
の一端に基板受部を有しその他端は真空室１０外に設け
られた回動装置４２の回動軸椙に設けら几ている。基板
電極旬の基板載置面と対向する真空室１０ ａの頂壁に
は、基板電［２０の基板載置面が突出可能な穴１１ ａ
が形成されている。対向電極（資）が内設された真空容
器６０ ａは、六１１ ａ １に介して真空室１０ ａ
と連通し、かつ、対向電極５０が基板電極対側面には、
往復動袋［（図示省略）の往復動軸７０が設けられると
共に、穴ＩＩ ａより寸法が大きいフランジ８０ａが設
けられている。フランジ８０ａと真空室１０ ａのフラ
ンジ８０ａと対向する底壁との間には、往復動軸７０の
外側でベローズ９０ａが気密に跨設されている。真空容
器６０ａには、真空容器６０ａの側壁の一部とガス排気
路１００を形成して石英管１１０が内設されると共に、
ガス排気路１００と連通して排気ノズル１２０ａ が設
けられている。排気ノズル１２０ａには、排気管１３０
ａ の一端が連結され、排気管１３０ａの他端は真空
排気装置１４０に連結されている。
能に内設されると共に、真空室１０ ａの内部では、そ
の一端に基板受部を有しその他端は真空室１０外に設け
られた回動装置４２の回動軸椙に設けら几ている。基板
電極旬の基板載置面と対向する真空室１０ ａの頂壁に
は、基板電［２０の基板載置面が突出可能な穴１１ ａ
が形成されている。対向電極（資）が内設された真空容
器６０ ａは、六１１ ａ １に介して真空室１０ ａ
と連通し、かつ、対向電極５０が基板電極対側面には、
往復動袋［（図示省略）の往復動軸７０が設けられると
共に、穴ＩＩ ａより寸法が大きいフランジ８０ａが設
けられている。フランジ８０ａと真空室１０ ａのフラ
ンジ８０ａと対向する底壁との間には、往復動軸７０の
外側でベローズ９０ａが気密に跨設されている。真空容
器６０ａには、真空容器６０ａの側壁の一部とガス排気
路１００を形成して石英管１１０が内設されると共に、
ガス排気路１００と連通して排気ノズル１２０ａ が設
けられている。排気ノズル１２０ａには、排気管１３０
ａ の一端が連結され、排気管１３０ａの他端は真空
排気装置１４０に連結されている。
真空室１０ ａと真空容器６０ ａとが穴１１ ａ ’
に介して連通した状態で真空排気装置１４０ ”ｋ駆動
し真空室１０ ａと真空容器６０ ａとを所定圧力まで
減圧排気する。所定圧力まで減圧排気された真空室１０
ａには、例えば、外部から基板間が搬入され、アーム
４１の基板受部に受け取られる。一方、往復動装置を駆
動することで基板電極（９）は往復動軸７０を介してア
ーム４１の基板受部の基板間を基板載置面で受け取す可
能な高さにセットされる。その後回動装置４２によりア
ーム４１を回動させることで、基板受部の基板間は、基
板電極加の基板載置面に対応させられ基板間は、アーム
４１０基板受部から基板電極囚の基板載置面に渡されて
載置される。その後、アーム４１は回動装置４２により
元の場所に退避させられ、基板電極（５）は、往復動軸
７０す介して往復動装置により上昇させられる。この上
昇の途中においてフランジ８０ ａの上面周辺が真空室
１０ ａの頂壁に当接し、これにより真空室１０ ａと
真空容器６０ａとの連通は気密に遮断され、この結果、
処理室１５０ａが形成される。その後、処理室１５０
ａには、処理ガスが所定流量で導入されると共に、真空
排気装置１４０の駆動により処理圧力に適正調節される
。この状態で、例えば、基板電極２０１こ、例えば、高
周波電力が印加され、対向型ｆ！（資）と基板電極（９
）との間にはグロー放電が生じ、これにより、処理ガス
はプラズマ化される。基板電極四の基板載置面に載置さ
れた°基板（資）は、このプラズマにより処理される。
に介して連通した状態で真空排気装置１４０ ”ｋ駆動
し真空室１０ ａと真空容器６０ ａとを所定圧力まで
減圧排気する。所定圧力まで減圧排気された真空室１０
ａには、例えば、外部から基板間が搬入され、アーム
４１の基板受部に受け取られる。一方、往復動装置を駆
動することで基板電極（９）は往復動軸７０を介してア
ーム４１の基板受部の基板間を基板載置面で受け取す可
能な高さにセットされる。その後回動装置４２によりア
ーム４１を回動させることで、基板受部の基板間は、基
板電極加の基板載置面に対応させられ基板間は、アーム
４１０基板受部から基板電極囚の基板載置面に渡されて
載置される。その後、アーム４１は回動装置４２により
元の場所に退避させられ、基板電極（５）は、往復動軸
７０す介して往復動装置により上昇させられる。この上
昇の途中においてフランジ８０ ａの上面周辺が真空室
１０ ａの頂壁に当接し、これにより真空室１０ ａと
真空容器６０ａとの連通は気密に遮断され、この結果、
処理室１５０ａが形成される。その後、処理室１５０
ａには、処理ガスが所定流量で導入されると共に、真空
排気装置１４０の駆動により処理圧力に適正調節される
。この状態で、例えば、基板電極２０１こ、例えば、高
周波電力が印加され、対向型ｆ！（資）と基板電極（９
）との間にはグロー放電が生じ、これにより、処理ガス
はプラズマ化される。基板電極四の基板載置面に載置さ
れた°基板（資）は、このプラズマにより処理される。
処理完了後、基板電極加は、往復動軸７０を介して往復
動装置により元の位置まで下降させられ、これにより真
空容器６０ａは穴１１ ａ ｙｌｌ−介して真空室１０
ａと連通状態になる。その後、処理済みの基板間は、
アーム４１を回動装置４２で回動することで基板電極加
の基板載置面からアーム４１の基板受部に受け取られた
後に真空室１０ ａより外部へ搬出される。このような
操作を繰り返すことで、この場合、基板（資）は１枚毎
順次処理される。
動装置により元の位置まで下降させられ、これにより真
空容器６０ａは穴１１ ａ ｙｌｌ−介して真空室１０
ａと連通状態になる。その後、処理済みの基板間は、
アーム４１を回動装置４２で回動することで基板電極加
の基板載置面からアーム４１の基板受部に受け取られた
後に真空室１０ ａより外部へ搬出される。このような
操作を繰り返すことで、この場合、基板（資）は１枚毎
順次処理される。
このような真空処理装置では、次のような欠点があった
〇 （１） 真空容器等の保守点検時に、真空室力）ら真空
容器を取り外すのみでなく排気管を真空容器から取り外
す必要があるため、真空容器等の保守点検作業が面倒で
作業工数が増大する。
〇 （１） 真空容器等の保守点検時に、真空室力）ら真空
容器を取り外すのみでなく排気管を真空容器から取り外
す必要があるため、真空容器等の保守点検作業が面倒で
作業工数が増大する。
（２） 真空室と真空容器とを気密に遮断するフランジ
が基板電極に設けられているため、対向電極と基板電極
との間の距離（以下、電極間隔と略）を随時変化させる
ことができない。
が基板電極に設けられているため、対向電極と基板電極
との間の距離（以下、電極間隔と略）を随時変化させる
ことができない。
本発明の目的は、真空室から真空容器のみを取す外し真
空容器等の保守点検を行えるようにすることで、真空容
器等の保守点検作業を容易化し作業工数を低減できる真
空処理装置を提供することにある。
空容器等の保守点検を行えるようにすることで、真空容
器等の保守点検作業を容易化し作業工数を低減できる真
空処理装置を提供することにある。
本発明は、基板電極が可動に内設され該電極の基板載置
面と対向する壁に該電極が通過可能な穴が形成されると
共に基板を内部で搬送可能な真空室と、該真空室と穴を
介して連通し、かつ、内設された対向電極が基板電極と
対向する位置で真空室に気密に構設された真空容器と、
該容器に対応する真空室の一部を他の部分と気密に仕切
り該仕切られた真空室の一部と真空容器と穴とで対向電
極並びに基板電極を含む処理室を形成する仕切り装置と
を有し、真空排気装置を処理室と連通し真空室に連結し
たことで、真空室から真空容器のみを取り外し真空容器
等の保守点検を行えるようにしたものである。
面と対向する壁に該電極が通過可能な穴が形成されると
共に基板を内部で搬送可能な真空室と、該真空室と穴を
介して連通し、かつ、内設された対向電極が基板電極と
対向する位置で真空室に気密に構設された真空容器と、
該容器に対応する真空室の一部を他の部分と気密に仕切
り該仕切られた真空室の一部と真空容器と穴とで対向電
極並びに基板電極を含む処理室を形成する仕切り装置と
を有し、真空排気装置を処理室と連通し真空室に連結し
たことで、真空室から真空容器のみを取り外し真空容器
等の保守点検を行えるようにしたものである。
本発明の一実施例を第２図により説明する。
第２図で、真空室１０ ｂには、基板電極列が可動、こ
の場合は上下動可能に内設されると共に、真空室１０
ｂの内部で基板間を搬送し基板電極列の基板載置面との
間で基板３０？：受渡し可能に基板搬送装置菊のアーム
４１が内設されている。アーム４１は、その一端（＄２
図では、左端）に基板受部を有し、その他端（第２図で
は、右端）は、真空室１０外Ｉこ設置された回動装置４
２の回動軸招に設けられている。基板電極列の基板載置
面と対向する真空室１０ｂの壁、この場合、頂壁には、
基板電極列が通過可能な穴１１ ｂが形成されている。
の場合は上下動可能に内設されると共に、真空室１０
ｂの内部で基板間を搬送し基板電極列の基板載置面との
間で基板３０？：受渡し可能に基板搬送装置菊のアーム
４１が内設されている。アーム４１は、その一端（＄２
図では、左端）に基板受部を有し、その他端（第２図で
は、右端）は、真空室１０外Ｉこ設置された回動装置４
２の回動軸招に設けられている。基板電極列の基板載置
面と対向する真空室１０ｂの壁、この場合、頂壁には、
基板電極列が通過可能な穴１１ ｂが形成されている。
対向電極間が内設された真空容器６０ ｂは、穴１１ｂ
％−介し真空室１０ｂと連通し、かつ、対向電極（資）
が基板電極列と、この場合は、上下方向に対向する位置
で真空室１０ｂに気密に構設されている。基板横加の基
板載置面と反対側面には、真空室１０外に設置された往
復動装置ｊ７１の往復動軸７０が設けられている。基板
電極列の下方位置でフランジ８０ｂが往復動軸７０に設
けられ、フランジ８０ ｂとフランジ８０ ｂの下面に
対向する真空室１０の壁、この場合、底壁との間には、
往復動軸７０の外側でベローズ９０ｂが気密に跨設され
ている。また、仕切り装置１６０は、真空容器０ｂに対
応する真空室１０ ｂの一部を他の部分と気密に仕切り
、この仕切られた真空室１０ ｂの一部と真空容器６０
ｂと穴Ｉｌ ｂとで対向電極間並びに基板電極２０′ｆ
：含む処理室１５０ｂを形成するように設けられている
。この場合、仕切り装置１６０は、内径寸法が穴１１
ｂの寸法と略等しいフランジ１６１とベローズ１６２と
往復動軸１６３ を有する往復動装置１６４とで構成さ
れている。フランジ１６１は真空容器６０ｂ等と同心状
に、かつ、その上面を真空室１０ｂの頂壁に対向して真
空室１０ｂに内設されている。往復動装置１６４は真窒
室１０ ｂ外でその下方位置に設置され、往復動軸１６
３はフランジ１６１の下面外周辺部と対応する位置で真
空室ｉｏ ｂの底壁側から気密を保持し往復動可能、こ
の場合は、上下動可能に挿通されている。フランジ１６
１の外周辺部には往復動軸１６３の上端が連結され、フ
ランジ１６１とフランジ１６１の下面に対向する真空室
１０ｂの底壁との間には、フランジ８０ｂ、ベローズ９
０ｂ等の外側でベローズ１６２が気密に跨設されている
。また。
％−介し真空室１０ｂと連通し、かつ、対向電極（資）
が基板電極列と、この場合は、上下方向に対向する位置
で真空室１０ｂに気密に構設されている。基板横加の基
板載置面と反対側面には、真空室１０外に設置された往
復動装置ｊ７１の往復動軸７０が設けられている。基板
電極列の下方位置でフランジ８０ｂが往復動軸７０に設
けられ、フランジ８０ ｂとフランジ８０ ｂの下面に
対向する真空室１０の壁、この場合、底壁との間には、
往復動軸７０の外側でベローズ９０ｂが気密に跨設され
ている。また、仕切り装置１６０は、真空容器０ｂに対
応する真空室１０ ｂの一部を他の部分と気密に仕切り
、この仕切られた真空室１０ ｂの一部と真空容器６０
ｂと穴Ｉｌ ｂとで対向電極間並びに基板電極２０′ｆ
：含む処理室１５０ｂを形成するように設けられている
。この場合、仕切り装置１６０は、内径寸法が穴１１
ｂの寸法と略等しいフランジ１６１とベローズ１６２と
往復動軸１６３ を有する往復動装置１６４とで構成さ
れている。フランジ１６１は真空容器６０ｂ等と同心状
に、かつ、その上面を真空室１０ｂの頂壁に対向して真
空室１０ｂに内設されている。往復動装置１６４は真窒
室１０ ｂ外でその下方位置に設置され、往復動軸１６
３はフランジ１６１の下面外周辺部と対応する位置で真
空室ｉｏ ｂの底壁側から気密を保持し往復動可能、こ
の場合は、上下動可能に挿通されている。フランジ１６
１の外周辺部には往復動軸１６３の上端が連結され、フ
ランジ１６１とフランジ１６１の下面に対向する真空室
１０ｂの底壁との間には、フランジ８０ｂ、ベローズ９
０ｂ等の外側でベローズ１６２が気密に跨設されている
。また。
真空室１０ ｂには、処理室１５０ｂと連通して排気ノ
ズル１２０ｂが設けられ、排気ノズル１２０ｂには、排
気管ｔ？Ｄｂの一端が連結されている。排気管１３０ｂ
の他端は、真空排気装置１４０に連結されている〇第２
因の状態から往復動装置１６４ を駆動し往復動軸１４
３を介してフランジ１６１を下降させることで、真空室
ｉｏ ｂと真空容器６ｏｂとは穴１１ ｂを介して連通
させられる。この状態で、真空排気装置１４０を駆動す
ることで真空室１０ ｂと真空容器６０ｂとは所定圧力
まで減圧排気される。所定圧力まで減圧排気された真空
室１０ ｂには、例えば、外部から基板間が搬入され、
この基板Ｉはアーム４１の基板受部に受け取られる。一
方、往復動装置７１を駆動する二とで、基板電極列は往
復動軸７０を介してアーム４１の基板受部の基板間を基
板載置面で受け取り可能な高さにセットされると共に、
フランジ１６１は、往復動装置１６４によりアーム４１
の回動を阻害しない高さにセットされる。その後、回動
装置４２によりアーム４１を回動させることで基板受部
の基板間は、基板電極列の基板載置面に対応させられ、
基板間は、アーム４１の基板受部から基板電極列の基板
載置面に渡されて載置される。その後、アーム４１は回
動装置４２により元の場所に退避させられ、フランジ１
６１は往復動軸１６３を介して往復動装置連通は気密に
遮断されると共に真空容器６０ｂに対応する真空室１０
ｂの一部は仕切られる。この結果、処理室１５０ｂが
形成される。また、基板電極列は電極間隔が適正な間隔
となるように往復動軸７０を介して往復動装置７１によ
り上昇させられる。その後、処理室１５０ｂには、処理
ガスが所定流量で導入されると共に、真空排気装置１４
０の駆動により処理圧力に適正調節される。この状態で
、例えば、基板電極列に、例えば、高周波電力が印加さ
れ、対向電極間と基板電極列との間にはグロー放電が生
じ、これにより処理ガスはプラズマ化される。基板電極
列の基板載置面に載置された基板Ｉは、このプラズマに
より処理される。処理完了後、フランジ１６１ は、ア
ーム４１の回動を阻害しない高さまで下降させられ、こ
れにより、真空容器６０ ｂは穴１１ ｂを介して真空
室１０ ｂと連通させられると共に真空室１０ ｂの仕
切りが解除される。また、基板電極加は、基板載置面の
処理された基板（資）をアーム４１０基板受部で受け取
り可能な高さまで下降させられる。その後、処理済みの
基板刃は、基板電極旬の基板載置面からアーム４１の基
板受部に受け取られ真空室１０ ｂ内を搬送された後に
、真空室１０ ｂから外部へ搬出される。このような操
作を繰り返すことで、この場合、基板刃は１枚毎順次処
理される。
ズル１２０ｂが設けられ、排気ノズル１２０ｂには、排
気管ｔ？Ｄｂの一端が連結されている。排気管１３０ｂ
の他端は、真空排気装置１４０に連結されている〇第２
因の状態から往復動装置１６４ を駆動し往復動軸１４
３を介してフランジ１６１を下降させることで、真空室
ｉｏ ｂと真空容器６ｏｂとは穴１１ ｂを介して連通
させられる。この状態で、真空排気装置１４０を駆動す
ることで真空室１０ ｂと真空容器６０ｂとは所定圧力
まで減圧排気される。所定圧力まで減圧排気された真空
室１０ ｂには、例えば、外部から基板間が搬入され、
この基板Ｉはアーム４１の基板受部に受け取られる。一
方、往復動装置７１を駆動する二とで、基板電極列は往
復動軸７０を介してアーム４１の基板受部の基板間を基
板載置面で受け取り可能な高さにセットされると共に、
フランジ１６１は、往復動装置１６４によりアーム４１
の回動を阻害しない高さにセットされる。その後、回動
装置４２によりアーム４１を回動させることで基板受部
の基板間は、基板電極列の基板載置面に対応させられ、
基板間は、アーム４１の基板受部から基板電極列の基板
載置面に渡されて載置される。その後、アーム４１は回
動装置４２により元の場所に退避させられ、フランジ１
６１は往復動軸１６３を介して往復動装置連通は気密に
遮断されると共に真空容器６０ｂに対応する真空室１０
ｂの一部は仕切られる。この結果、処理室１５０ｂが
形成される。また、基板電極列は電極間隔が適正な間隔
となるように往復動軸７０を介して往復動装置７１によ
り上昇させられる。その後、処理室１５０ｂには、処理
ガスが所定流量で導入されると共に、真空排気装置１４
０の駆動により処理圧力に適正調節される。この状態で
、例えば、基板電極列に、例えば、高周波電力が印加さ
れ、対向電極間と基板電極列との間にはグロー放電が生
じ、これにより処理ガスはプラズマ化される。基板電極
列の基板載置面に載置された基板Ｉは、このプラズマに
より処理される。処理完了後、フランジ１６１ は、ア
ーム４１の回動を阻害しない高さまで下降させられ、こ
れにより、真空容器６０ ｂは穴１１ ｂを介して真空
室１０ ｂと連通させられると共に真空室１０ ｂの仕
切りが解除される。また、基板電極加は、基板載置面の
処理された基板（資）をアーム４１０基板受部で受け取
り可能な高さまで下降させられる。その後、処理済みの
基板刃は、基板電極旬の基板載置面からアーム４１の基
板受部に受け取られ真空室１０ ｂ内を搬送された後に
、真空室１０ ｂから外部へ搬出される。このような操
作を繰り返すことで、この場合、基板刃は１枚毎順次処
理される。
本実施例のような真空処理装置では、次のような効果が
得られる。
得られる。
（１）真空室から真空容器のみを取り外し真空容器（２
）処理室内で基板電極を自由に上下動できるため、電極
間隔を随時変化させることができる。
）処理室内で基板電極を自由に上下動できるため、電極
間隔を随時変化させることができる。
なお、仕切り装置は、この他にゲート弁等の真空間ゲー
トを有するものであっても良い。また、基板搬送装置は
、この他に、アームが直進するものであっても良く、基
板受部は、基板をすくうタイプのものでも基板な把持す
るタイプのものでも良い。更に、基板電極に設けられた
往復動軸を往復動機能と共に回動機能を具備するものと
なし基板の処理時に基板電極を回動させるようにしても
良い。
トを有するものであっても良い。また、基板搬送装置は
、この他に、アームが直進するものであっても良く、基
板受部は、基板をすくうタイプのものでも基板な把持す
るタイプのものでも良い。更に、基板電極に設けられた
往復動軸を往復動機能と共に回動機能を具備するものと
なし基板の処理時に基板電極を回動させるようにしても
良い。
本発明は、以上説明したように、基板電極が可動に内股
され該電極の基板載置面と対向する壁に該電極が通過可
能な穴が形成されると共に基板を内部で搬送可能な真空
室と、該真空室と穴を介して連通し、かろ、内設された
対向電極が基板電極と対向する位置で真空室に気密に構
設された真空容器と、該容器に対応する真空室の一部を
他の部分と気密に仕切り該仕切られた真空室の一部と真
空容器と穴とで対向電極並びに基板電極を含む処理室を
形成する仕切り装置とを有し、真空排気装置を処理室と
連通し真空室に連結したことで、真空室から真空容器の
みを取り外し真空容器等の検
され該電極の基板載置面と対向する壁に該電極が通過可
能な穴が形成されると共に基板を内部で搬送可能な真空
室と、該真空室と穴を介して連通し、かろ、内設された
対向電極が基板電極と対向する位置で真空室に気密に構
設された真空容器と、該容器に対応する真空室の一部を
他の部分と気密に仕切り該仕切られた真空室の一部と真
空容器と穴とで対向電極並びに基板電極を含む処理室を
形成する仕切り装置とを有し、真空排気装置を処理室と
連通し真空室に連結したことで、真空室から真空容器の
みを取り外し真空容器等の検
第１図は、従来の真空処理装置の要部縦断面図、第２図
は、本発明による真空処理装置の一実施例を示す要部縦
断面図である。 ｉｏ ｂ・・・・・・真空室、加・・・・・・基板電極
、加・・・・・・基板、荀・・・・・・基板電送装置、
５０・・・・・対向電極、６０ ｂ・・・・・・真空容
器、１４０・・・・・・真空排気装置、１５０ｂ・・・
・・・処理室、１６０・・・・・・仕切り装置
は、本発明による真空処理装置の一実施例を示す要部縦
断面図である。 ｉｏ ｂ・・・・・・真空室、加・・・・・・基板電極
、加・・・・・・基板、荀・・・・・・基板電送装置、
５０・・・・・対向電極、６０ ｂ・・・・・・真空容
器、１４０・・・・・・真空排気装置、１５０ｂ・・・
・・・処理室、１６０・・・・・・仕切り装置
Claims (1)
- １、基板電極が可動に内設され該電極の基板載置で前記
真空室に気密に構設された真空容器と、該容器に対応す
る前記真空室の一部を該真空室の他の部分と気密に仕切
り該仕切られた真空室の一部と前記真空容器と前記穴と
で前記対向電極並びに前記基板電極を含む処理室を形成
する仕切り装置とを有し、真空排気装置を前記処理室と
連通し前記真空室に連結したことを特徴とする真空処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205811A JPH0765197B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205811A JPH0765197B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100687A true JPS60100687A (ja) | 1985-06-04 |
| JPH0765197B2 JPH0765197B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=16513084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205811A Expired - Lifetime JPH0765197B2 (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765197B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326357A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS6360276A (ja) * | 1986-08-30 | 1988-03-16 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリング装置 |
| JPH0258830A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
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-
1983
- 1983-11-04 JP JP58205811A patent/JPH0765197B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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| CN106684028B (zh) * | 2015-11-10 | 2019-05-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 承载装置、反应腔室及半导体加工设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0765197B2 (ja) | 1995-07-12 |
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