JP2746179B2 - 真空処理装置および真空処理方法 - Google Patents
真空処理装置および真空処理方法Info
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- JP2746179B2 JP2746179B2 JP7057845A JP5784595A JP2746179B2 JP 2746179 B2 JP2746179 B2 JP 2746179B2 JP 7057845 A JP7057845 A JP 7057845A JP 5784595 A JP5784595 A JP 5784595A JP 2746179 B2 JP2746179 B2 JP 2746179B2
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- Japan
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- vacuum processing
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理室内に半導体
ウエハー（以下、ウエハーと称す）を収納し、薄膜形成
及びドライエッチング等の処理を行う真空処理装置およ
び真空処理方法に係わり、特に、ウエハーを１枚ずつ収
納して処理する真空処理装置および真空処理方法に関す
る。
ウエハー（以下、ウエハーと称す）を収納し、薄膜形成
及びドライエッチング等の処理を行う真空処理装置およ
び真空処理方法に係わり、特に、ウエハーを１枚ずつ収
納して処理する真空処理装置および真空処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、様々な分野で真空処理装置が用い
られている。特に半導体装置の製造における真空処理処
置には、ウエハーの表面に薄膜形成を行うためのスパッ
タリング装置やＣＶＤ装置，また逆にウエハー表面の膜
を除去するためのエッチング装置がある。
られている。特に半導体装置の製造における真空処理処
置には、ウエハーの表面に薄膜形成を行うためのスパッ
タリング装置やＣＶＤ装置，また逆にウエハー表面の膜
を除去するためのエッチング装置がある。
【０００３】一般的な真空処理装置の一例を図３の概略
図を参照して説明する。図３に示すように真空処理装置
は、真空処理室１１と搬送室１３，ロードロック室１５
により構成され、各室の間は、仕切り弁１７−１，１７
−２がそれぞれ設けられている。
図を参照して説明する。図３に示すように真空処理装置
は、真空処理室１１と搬送室１３，ロードロック室１５
により構成され、各室の間は、仕切り弁１７−１，１７
−２がそれぞれ設けられている。
【０００４】ロードロック室１５には、ウエハー収納カ
セット１６がセットされ、ロードロック室１５を真空排
気した後、仕切り弁１７−１を開け搬送室１３内のウエ
ハー搬送アーム１４によりウエハー収納カセットより一
枚ウエハー９を取り出す。続いて仕切り弁１７−１を閉
じ、仕切り弁１７−２を開いて真空処理室１１内のウエ
ハーステージ１２上にウエハー９を載せた後、仕切り弁
１７−２を閉じる。この状態で、ウエハー９に対し成膜
やエッチング等の真空状態中の処理を行う。このように
してウエハー９をウエハー収納カセット１６から真空処
理室１１に一枚ずつ搬送し、処理を行っていた。
セット１６がセットされ、ロードロック室１５を真空排
気した後、仕切り弁１７−１を開け搬送室１３内のウエ
ハー搬送アーム１４によりウエハー収納カセットより一
枚ウエハー９を取り出す。続いて仕切り弁１７−１を閉
じ、仕切り弁１７−２を開いて真空処理室１１内のウエ
ハーステージ１２上にウエハー９を載せた後、仕切り弁
１７−２を閉じる。この状態で、ウエハー９に対し成膜
やエッチング等の真空状態中の処理を行う。このように
してウエハー９をウエハー収納カセット１６から真空処
理室１１に一枚ずつ搬送し、処理を行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年のＬＳＩの微細
化，高集積化に伴ない０．１μｍレベルの微細なパーテ
ィクルがＬＳＩの不良の原因となり、そのパーティクル
数が一枚のウエハーから得られるＬＳＩチップの良品
数，すなわち歩留りを大きく左右する。
化，高集積化に伴ない０．１μｍレベルの微細なパーテ
ィクルがＬＳＩの不良の原因となり、そのパーティクル
数が一枚のウエハーから得られるＬＳＩチップの良品
数，すなわち歩留りを大きく左右する。
【０００６】前記した従来の真空処理装置では、仕切り
弁やウエハー搬送アーム等の機械的動作部からの発塵，
ロードロック室の真空排気時及び大気圧に戻すベント時
のロードロック室内に存在するパーティクルの巻き上
げ、さらに、搬送室と真空処理室間の圧力差により生ず
るガスの流れによるパーティクルの巻き上げ等により、
真空処理室内に搬送されたウエハー表面上には０．１μ
ｍ以上のパーティクルが数十〜数百ケ付着し、歩留りを
低下させる大きな１つの要因となっている。
弁やウエハー搬送アーム等の機械的動作部からの発塵，
ロードロック室の真空排気時及び大気圧に戻すベント時
のロードロック室内に存在するパーティクルの巻き上
げ、さらに、搬送室と真空処理室間の圧力差により生ず
るガスの流れによるパーティクルの巻き上げ等により、
真空処理室内に搬送されたウエハー表面上には０．１μ
ｍ以上のパーティクルが数十〜数百ケ付着し、歩留りを
低下させる大きな１つの要因となっている。
【０００７】このように、ウエハー上にパーティクルが
載る要因は多数あるため、事前にパーティクルを除去し
たとしてもその効果は少ない。より効果的に歩留りを向
上させる為には、処理直前にウエハー上のパーティクル
を除去、または、減少させ処理を行う必要がある。
載る要因は多数あるため、事前にパーティクルを除去し
たとしてもその効果は少ない。より効果的に歩留りを向
上させる為には、処理直前にウエハー上のパーティクル
を除去、または、減少させ処理を行う必要がある。
【０００８】本発明の目的は、歩留りに影響の大きい処
理前のパーティクルを減少させる真空処理装置および真
空処理方法を提供することにある。
理前のパーティクルを減少させる真空処理装置および真
空処理方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
ウエハーに所定の処理を行う真空処理室と、前記真空処
理室内部に前記半導体ウエハーを載せるウエハーステー
ジとを具備して構成される真空処理装置において、前記
所定の処理に対する前処理を前記半導体ウエハーに行う
手段として、前記ウエハーステージを底部として内部を
気密シールするふたとなるウエハーステージカバーと、
前記ウエハーステージと前記ウエハーステージカバーに
より気密封止される気密室の内部にガスを導入する機構
と、前記気密室の内部を真空排気する機構とを備えた真
空処理装置にある。ここで、前記ウエハーステージカバ
ーが前記ウエハーステージ上に位置して前記前処理を行
い、前記ウエハーステージカバーが退避箇所に位置した
状態で前記所定の処理を行うように、前記ウエハーステ
ージカバーを前記ウエハーステージ上の位置と前記半導
体ウエハーの前記所定の処理に影響を及ぼさない前記退
避箇所との間を移動させる駆動機構を備えることが好ま
しい。
ウエハーに所定の処理を行う真空処理室と、前記真空処
理室内部に前記半導体ウエハーを載せるウエハーステー
ジとを具備して構成される真空処理装置において、前記
所定の処理に対する前処理を前記半導体ウエハーに行う
手段として、前記ウエハーステージを底部として内部を
気密シールするふたとなるウエハーステージカバーと、
前記ウエハーステージと前記ウエハーステージカバーに
より気密封止される気密室の内部にガスを導入する機構
と、前記気密室の内部を真空排気する機構とを備えた真
空処理装置にある。ここで、前記ウエハーステージカバ
ーが前記ウエハーステージ上に位置して前記前処理を行
い、前記ウエハーステージカバーが退避箇所に位置した
状態で前記所定の処理を行うように、前記ウエハーステ
ージカバーを前記ウエハーステージ上の位置と前記半導
体ウエハーの前記所定の処理に影響を及ぼさない前記退
避箇所との間を移動させる駆動機構を備えることが好ま
しい。
【００１０】本発明の他の特徴は、真空処理装置の真空
処理室内で半導体ウエハーに所定の処理を行う真空処理
方法において、前記半導体ウエハーを前記真空処理室内
のウエハーステージ上に載置し、前記ウエハーステージ
とウエハーステージカバーにより気密室とし、前記気密
室内にガスを導入して該ガスを前記半導体ウエハーに吹
付け、前記ガスを前記気密室から真空排気し、次に、前
記ウエハーステージカバーを前記ウエハーステージ上の
位置から前記半導体ウエハーの処理に影響を及ぼさない
退避箇所に移動させ、しかる後、前記所定の処理を前記
半導体ウエハーに行う真空処理方法にある。
処理室内で半導体ウエハーに所定の処理を行う真空処理
方法において、前記半導体ウエハーを前記真空処理室内
のウエハーステージ上に載置し、前記ウエハーステージ
とウエハーステージカバーにより気密室とし、前記気密
室内にガスを導入して該ガスを前記半導体ウエハーに吹
付け、前記ガスを前記気密室から真空排気し、次に、前
記ウエハーステージカバーを前記ウエハーステージ上の
位置から前記半導体ウエハーの処理に影響を及ぼさない
退避箇所に移動させ、しかる後、前記所定の処理を前記
半導体ウエハーに行う真空処理方法にある。
【００１１】
【作用】上記本発明によれば、処理直前でウエハー上の
パーティクルをガスにより吹き飛ばしこれを真空排気す
るから、半導体装置の生産歩留が高くなる。
パーティクルをガスにより吹き飛ばしこれを真空排気す
るから、半導体装置の生産歩留が高くなる。
【００１２】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の一実施例の真空
処理装置における真空処理室の断面図（Ａ）及び平面図
（Ｂ）である。真空処理室は隣接する搬送室（図示参
照）と仕切り弁（図示省略）により仕切られている。
る。図１（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の一実施例の真空
処理装置における真空処理室の断面図（Ａ）及び平面図
（Ｂ）である。真空処理室は隣接する搬送室（図示参
照）と仕切り弁（図示省略）により仕切られている。
【００１３】真空処理室内にはウエハーを載せる上下駆
動可能なウエハーステージ２とウエハーステージ２を底
部としてふたとなるウエハーステージカバー３とが備え
られており両者はＯ−リング１０により真空シールされ
る。
動可能なウエハーステージ２とウエハーステージ２を底
部としてふたとなるウエハーステージカバー３とが備え
られており両者はＯ−リング１０により真空シールされ
る。
【００１４】ウエハーステージカバー３は、モーター６
により回転軸５を中心として回転することによりウエハ
ーステージ２上と処理の妨げとならない退避箇所１８と
の間を移動する。
により回転軸５を中心として回転することによりウエハ
ーステージ２上と処理の妨げとならない退避箇所１８と
の間を移動する。
【００１５】図２（Ａ）及び（Ｂ）は、ウエハーステー
ジカバー３およびその近傍の詳細な縦断面図（Ａ）及び
（Ａ）のＢ−Ｂ部の横断面図である。ウエハーステージ
カバー３の上部には、ウエハーステージ２とウエハース
テージカバー３により作られる真空的に閉ざされた室、
すなわち気密シールされる気密室の中へガスを導入する
ためのガス導入配管８と真空排気するための真空排気配
管７を有し、両者は交互に配列されている。
ジカバー３およびその近傍の詳細な縦断面図（Ａ）及び
（Ａ）のＢ−Ｂ部の横断面図である。ウエハーステージ
カバー３の上部には、ウエハーステージ２とウエハース
テージカバー３により作られる真空的に閉ざされた室、
すなわち気密シールされる気密室の中へガスを導入する
ためのガス導入配管８と真空排気するための真空排気配
管７を有し、両者は交互に配列されている。
【００１６】次に図１の真空処理室の動作について説明
する。
する。
【００１７】搬送アームによりロードロック室内のウエ
ハー収納カセットから搬送室を通って真空処理室内に搬
送されてきたウエハーは、ウエハーステージ２上に置か
れ、その後、仕切り弁１７−２（図３）を閉じる。
ハー収納カセットから搬送室を通って真空処理室内に搬
送されてきたウエハーは、ウエハーステージ２上に置か
れ、その後、仕切り弁１７−２（図３）を閉じる。
【００１８】続いて、退避箇所１８にあるウエハーステ
ージカバー３をモーター６を回転させることにより、ウ
エハーステージ２上へ移動させる。
ージカバー３をモーター６を回転させることにより、ウ
エハーステージ２上へ移動させる。
【００１９】次にウエハーステージ２を上昇させ、ウエ
ハーステージ２とウエハーステージカバー３とで真空的
に閉ざれた小さな室すなわち、気密シール室を作る。
ハーステージ２とウエハーステージカバー３とで真空的
に閉ざれた小さな室すなわち、気密シール室を作る。
【００２０】その後、ガス導入配管８よりウエハー上に
ガスを吹き付け、ウエハー上に付着しているパーティク
ルを巻き上げる。
ガスを吹き付け、ウエハー上に付着しているパーティク
ルを巻き上げる。
【００２１】そして、ガスの供給を止め、真空排気配管
７から該パーティクルを気密室内のガスとともに吸い取
る。または、ガス導入配管からウエハー上にガスを吹き
付けウエハー上に付着しているパーティクルを巻き上が
らせながら、真空排気配管からこのパーティクルを吸い
取る。
７から該パーティクルを気密室内のガスとともに吸い取
る。または、ガス導入配管からウエハー上にガスを吹き
付けウエハー上に付着しているパーティクルを巻き上が
らせながら、真空排気配管からこのパーティクルを吸い
取る。
【００２２】なお、導入するガスは、アルゴンや窒素等
の不活性ガスが適当である。
の不活性ガスが適当である。
【００２３】その後、ウエハーステージ２とウエハース
テージカバー３とで閉ざされた小さな気密室の内部の圧
力を真空処理室１の圧力と同圧力にした後、ウエハース
テージ２を下降させ、ウエハーステージカバー３を退避
箇所１８に移動させた後に薄膜形成または、エッチング
等の所定の処理を行う。
テージカバー３とで閉ざされた小さな気密室の内部の圧
力を真空処理室１の圧力と同圧力にした後、ウエハース
テージ２を下降させ、ウエハーステージカバー３を退避
箇所１８に移動させた後に薄膜形成または、エッチング
等の所定の処理を行う。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明の真空処理装
置および真空処理方法は、真空処理室内にウエハーを載
せるウエハーステージと、このウエハーステージを底部
として内部を真空シールするふたとなるウエハーステー
ジカバーにより真空的に閉ざされた気密室を作り、その
中でウエハー処理直前においてウエハー表面上のパーテ
ィクルを除去もしくは減少させるようにしたので、ウエ
ハーより得られるＬＳＩチップの良品率を向上させると
いう効果を有する。
置および真空処理方法は、真空処理室内にウエハーを載
せるウエハーステージと、このウエハーステージを底部
として内部を真空シールするふたとなるウエハーステー
ジカバーにより真空的に閉ざされた気密室を作り、その
中でウエハー処理直前においてウエハー表面上のパーテ
ィクルを除去もしくは減少させるようにしたので、ウエ
ハーより得られるＬＳＩチップの良品率を向上させると
いう効果を有する。
【図１】本発明の一実施例における真空処理室を示す図
であり、（Ａ）は縦断面図、（Ｂ）は横断面図である。
であり、（Ａ）は縦断面図、（Ｂ）は横断面図である。
【図２】図１のウエハーステージカバーの詳細を示す図
であり、（Ａ）は縦断面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部
の横断面図である。
であり、（Ａ）は縦断面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部
の横断面図である。
【図３】一般的な真空処理装置の概略を示す図である。
１ 真空処理室 ２ ウエハーステージ ３ ウエハーステージカバー ４ 移動アーム ５ 回転軸 ６ モーター ７ 真空排気配管 ８ ガス導入配管 ９ ウエハー １０ Ｏ−リング １１ 真空処理室 １２ ウエハーステージ １３ 搬送室 １４ 搬送アーム １５ ロードロック室 １６ ウエハー収納カセット １７ 仕切り弁 １８ 退避箇所
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウエハーに所定の処理を行う真空
処理室と、前記真空処理室内部に前記半導体ウエハーを
載せるウエハーステージとを具備して構成される真空処
理装置において、前記所定の処理に対する前処理を前記
半導体ウエハーに行う手段として、前記ウエハーステー
ジを底部として内部を気密シールするふたとなるウエハ
ーステージカバーと、前記ウエハーステージと前記ウエ
ハーステージカバーにより気密封止される気密室の内部
にガスを導入する機構と、前記気密室の内部を真空排気
する機構とを備えたことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 前記ウエハーステージカバーが前記ウエ
ハーステージ上に位置して前記前処理を行い、前記ウエ
ハーステージカバーが退避箇所に位置した状態で前記所
定の処理を行うように、前記ウエハーステージカバーを
前記ウエハーステージ上の位置と前記半導体ウエハーの
前記所定の処理に影響を及ぼさない前記退避箇所との間
を移動させる駆動機構を備えることを特徴とする請求項
１記載の真空処理装置。 - 【請求項３】 真空処理装置の真空処理室内で半導体ウ
エハーに所定の処理を行う真空処理方法において、前記
半導体ウエハーを前記真空処理室内のウエハーステージ
上に載置し、前記ウエハーステージとウエハーステージ
カバーにより気密室とし、前記気密室内にガスを導入し
て該ガスを前記半導体ウエハーに吹付け、前記ガスを前
記気密室から真空排気し、次に、前記ウエハーステージ
カバーを前記ウエハーステージ上の位置から前記半導体
ウエハーの処理に影響を及ぼさない退避箇所に移動さ
せ、しかる後、前記所定の処理を前記半導体ウエハーに
行うことを特徴とする真空処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7057845A JP2746179B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 真空処理装置および真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7057845A JP2746179B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 真空処理装置および真空処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255784A JPH08255784A (ja) | 1996-10-01 |
| JP2746179B2 true JP2746179B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=13067322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7057845A Expired - Lifetime JP2746179B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 真空処理装置および真空処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2746179B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1125321B1 (en) * | 1999-06-19 | 2007-08-15 | ASM Genitech Korea Ltd. | Chemical deposition reactor and method of forming a thin film using the same |
| JP2005325973A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Sigma Meltec Ltd | 処理チャンバ装置のシール構造 |
| JP5531284B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2014-06-25 | エスピーティーエス テクノロジーズ リミテッド | 副チャンバアセンブリを備えるエッチング用チャンバ |
| JP5123820B2 (ja) | 2008-10-27 | 2013-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の真空排気方法及び基板処理装置 |
| JP5480290B2 (ja) * | 2009-12-04 | 2014-04-23 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法 |
| JP6422074B2 (ja) * | 2014-09-01 | 2018-11-14 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| JP6640781B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2020-02-05 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795630A (en) * | 1981-10-09 | 1982-06-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Automatic plasma treating method |
| JPS5966120A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-14 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH0332A (ja) * | 1989-05-26 | 1991-01-07 | Tokyo Electric Co Ltd | 電気掃除機 |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP7057845A patent/JP2746179B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08255784A (ja) | 1996-10-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980113 |