JPH11204508A - 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

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JPH11204508A
JPH11204508A JP10014926A JP1492698A JPH11204508A JP H11204508 A JPH11204508 A JP H11204508A JP 10014926 A JP10014926 A JP 10014926A JP 1492698 A JP1492698 A JP 1492698A JP H11204508 A JPH11204508 A JP H11204508A
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vacuum
substrate
chamber
semiconductor
semiconductor substrate
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JP10014926A
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Masaki Narita
雅貴 成田
Katsuya Okumura
勝弥 奥村
Kei Hattori
圭 服部
Yukimasa Yoshida
幸正 吉田
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Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数個の真空反応容器及び真空排気装置を持
つ半導体製造装置において、ドライポンプの電力使用量
を低減し、ランニングコストを下げる半導体装置の製造
方法及びこの製造方法に用いる半導体製造装置を提供す
る。 【解決手段】 半導体基板を処理する際、真空排気を継
続して行う必要のない真空反応容器を排気するポンプと
くにドライポンプ（３１、３２、３３）を適宜停止させ
る。ポンプ駆動を停止されることにより電力消費量を低
減し、ランニングコストを低減させる。ウェハーカセッ
トをカセットチャンバー１１にセットし、カセットチャ
ンバーに繋がっているドライポンプ３１で予備排気した
後、搬送ロボットにより、半導体ウェーハが搬送される
が、その際、搬送ロボット室１３も減圧に維持される必
要があるため、搬送ロボット室に繋がっているドライポ
ンプ３２で排気が継続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、特に真空反応容器内で半導体基板を処理す
る半導体製造装置の操作方法及び半導体製造装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の高密度に集積化した半導体装置の
製造工程において、半導体基板上に半導体素子を形成し
ていく過程で真空処理装置を用いる処理が主になってき
ている。例えば、ゲート配線形成工程では、ゲート配線
材料となるポリシリコン膜をＣＶＤ(Chemical Vapour D
eposition)法によって成膜し、所望のパターンをフォト
レジストを用い、リソグラフ法で形成する。その後、配
線形成に不必要なポリシリコン膜をＲＩＥ(Reactive Io
n Etching)法などの異方性エッチングで除去して配線を
形成する。配線を形成後不要となったフォトレジスト
は、除去され、ゲート配線が完成する。この工程におい
て、ポリシリコン膜を形成する際、あるいは所望のパタ
ーニングされたポリシリコン膜を加工する際、または配
線形成後にフォトレジストを剥離する際、それぞれＣＶ
Ｄ装置、ドライエッチング装置、ドライアッシング装置
が用いられる。また現在普通に用いられているアルミニ
ウム（Ａｌ）配線の形成工程においても、アルミニウム
成膜の際にスパッタリング装置が用いられ、所望のマス
クパターンを形成した後のアルミニウム膜の加工にはド
ライエッチング装置が用いられ、配線形成後にフォトレ
ジストを剥離する際にドライアッシング装置などの真空
処理装置が用いられる。
【０００３】このように、半導体装置の配線構造の形成
には、少なくとも数十回の真空処理装置による処理が必
要である。特に微細加工においてはプラズマを用いたド
ライエッチングが不可欠の技術である。半導体装置に含
まれる半導体素子を形成するために用いられる成膜装置
やＲＩＥ装置などの半導体製造装置も種々のものが用い
られている。例えば、酸化膜のＲＩＥ装置の場合、基本
的には図５に示す構成より成り立っている。図５の半導
体製造装置は２つの真空反応容器を備えている。真空反
応容器は、基体予備排気室（以下、カセットチャンバー
という）、基体搬送室（以下、搬送ロボット室という）
及び基体処理室（以下、プロセスチャンバーという）か
ら構成されている。カセットチャンバー６１、６２は、
半導体ウェハーをプロセスチャンバーに導入する際、プ
ロセスチャンバーの圧力を減圧状態のまま搬送できるよ
うにあらかじめ減圧状態にされている。搬送ロボット室
６３は、カセットチャンバー６１、６２にある半導体ウ
ェハーをプロセスチャンバーに搬送する。プロセスチャ
ンバー６４、６５は、所望の処理（プロセス）を半導体
ウェハーに対し施す。
【０００４】近年、生産性を向上させるために図５に示
すように複数のプロセスチャンバーを搭載させる場合が
多い。図５は、に現在用いられているドライエッチング
装置の標準的なブロック図である。この半導体製造装置
において、真空反応容器としての機能を維持するために
カセットチャンバー６１、６２には、１つの共通のドラ
イポンプ６８が接続され、搬送ロボット室６３には、ド
ライポンプ７０が接続され、プロセスチャンバー６４、
６５にはターボポンプ６６、６７がそれぞれ接続されて
いる。そして、さらにプロセスチャンバー６４、６５に
は１つの共通のドライポンプ７１がターボポンプ６６、
６７を介して接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】通常、カセットチャン
バー及び搬送ロボット室は、高真空を必要としないため
これらチャンバーの排気にはドライポンプのみが用いら
れる。これに対してプロセスチャンバーには、高真空が
必要とされる理由からターボポンプとドライポンプの両
方が用いられている。図５の半導体製造装置の真空反応
容器では、ドライポンプが３つ、ターボポンプが２つ用
いられている。ところが、ドライポンプを運転するため
には、大きな電力が必要である。近年の半導体の量産工
場においては、上記のような真空プロセスを用いた製造
プロセスが主流であるため、真空プロセス装置の数も多
く、それぞれの真空装置が複数の真空排気装置を持つた
め、真空排気装置の総数は非常に多く、そのランニング
コストは、膨大なものとなる。このように半導体製造プ
ロセス、特に量産設備においては、その製造プロセスの
性質上、ドライポンプのランニングコストが膨大にな
り、製造コストを上げる大きな要因となっている。
【０００６】さらに、近年は国際的に地球温暖化防止問
題が大きくなっている。この問題を解決するには温暖化
の主な原因となる炭酸ガスの発生を極力抑えることが重
要である。炭酸ガスの発生は電力の大量消費が大きな原
因の１つとなっており、可能な限り電力消費の低減を心
掛けることは産業界においては必要である。このことは
半導体技術にも言えることであり、上記のような製造コ
ストの上昇を防止することは環境問題の解決にもつなが
る問題である。本発明は、このような事情によりなされ
たものであり、複数個の真空反応容器及び真空排気装置
を持つ半導体製造装置において、ドライポンプの電力使
用量を低減し、ランニングコストを下げる半導体装置の
製造方法及びこの製造方法に用いる半導体製造装置を提
供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空反応容器
を有する半導体製造装置において、半導体基板を処理す
る際、真空排気を継続して行う必要のない真空反応容器
を排気するポンプとくにドライポンプを停止させること
を特徴としている。適宜ポンプの駆動を停止されること
により分電力消費量を低減し、ランニングコストを低減
させることが可能になる。半導体製造装置、例えば、ド
ライエッチング装置では、通常２つのエッチングチャン
バー、１つの搬送ロボット室、２つのカセットチャンバ
ーから構成されている。装置の種類によって多少構成は
異なり、例えば、金属配線をドライエッチングする装置
等では上記の構成以外に、レジストアッシングチャンバ
ーを設置している場合も多い。また、例えば、ウェハー
カセットをカセットチャンバーにセットし、カセットチ
ャンバーに繋がっているドライポンプなどの真空排気装
置で予備排気した後、搬送ロボットにより、半導体ウェ
ハーが搬送されるが、その際、搬送ロボット室も減圧に
維持される必要があるため、搬送ロボット室に繋がって
いるドライポンプなどの真空排気装置で排気が継続され
ている。
【０００８】例えば、ウェハーカセットをカセットチャ
ンバーにセットし、カセットチャンバーに接続されてい
る真空排気装置で予備排気した後、搬送ロボットによ
り、ウェハーが搬送されるが、その際搬送ロボット室も
減圧に維持される必要があるため搬送ロボット室に接続
されている真空排気装置で排気が継続されている。カセ
ットチャンバーを所定の圧力以下に排気し、カセットチ
ャンバー、搬送ロボット室間のバルブが開き、半導体ウ
ェハーの搬送が開始された後は、常にこのバルブは開い
た状態を維持され、両チャンバーを別々の真空排気装置
で排気する必要はない。また、さらにカセットチャンバ
ーに半導体ウェハーをセットし、プロセスを開始してか
ら、実際に半導体ウェハーが、プロセスチャンバーに入
るまでに、数十秒から数分の時間があり、この間プロセ
スチャンバーを真空排気継続する必要はない。
【０００９】処理すべき半導体ウェハーが無い場合、プ
ロセスチャンバーの状態をすぐにプロセスが開始できる
状態に維持できる程度に減圧維持しておけばよく、継続
して真空排気する必要はない。ターボポンプを用いてい
るような装置の場合、ターボポンプを停止させると再作
動に時間がかかるため、継続稼働させておく必要はがあ
るが、プロセスすべき半導体ウェハーが無い場合、ター
ボポンプ、プロセスチャンバー間のゲートバルブを閉
じ、またターボポンプ、後段のドライポンプ間のバルブ
を閉じ、ターボポンプを封じ切っても、その状態でもタ
ーボポンプは数分から数十分安定に稼働する（ターボの
背圧が上がる前に（１回／１０分程度）引くようにすれ
ば良い）。その間、ドライポンプを停止することができ
る。このように、多くのチャンバーを搭載し、多くの真
空排気装置を備えた真空反応容器からなる半導体製造装
置において、継続排気する必要のない真空排気装置を停
止させることでそのランニングコストを低減させること
ができる。
【００１０】すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
は、真空排気装置を具備する複数の真空反応容器のうち
の所定の真空反応容器内に半導体基板を収納配置する工
程と、前記所定の真空反応容器内において前記半導体基
板を処理する工程と、前記半導体基板を処理する工程中
において、前記複数の真空反応容器のうち、真空排気の
継続を必要としない真空反応容器に接続されている真空
排気装置を停止させることを特徴としている。前記複数
の真空反応容器は、それぞれ半導体基板を処理する基体
処理室、外部から搬送された半導体基板を収容する基体
予備排気室、前記基体処理室及び前記基体予備排気室の
間に配置され、前記基体予備排気室の半導体基板を前記
基体処理室に搬送する基体搬送室とから構成されている
ようにしても良い。前記基体処理室では、ドライエッチ
ング、ＣＶＤ成膜、スパッタリング成膜、真空蒸着成
膜、熱処理、レジスト剥離の少なくとも１つを行うよう
にしても良い。前記真空排気装置は、ドライポンプもし
くはドライポンプ及びターボポンプから構成され、前記
真空排気を継続する必要のない間停止させる真空排気装
置は、ドライポンプであるようにしても良い。前記複数
の真空反応容器のうち、隣接する所定の真空反応容器
は、弁により仕切られ、少なくとも１つの弁を開けた状
態で、一方の真空反応容器に接続されている真空排気装
置より排気し、他方の真空反応容器に接続されている真
空排気装置を停止させることにより、前記弁の両側によ
る真空反応容器を減圧状態に維持するようにしても良
い。
【００１１】また、本発明の半導体製造装置は、半導体
基板を処理する複数の真空反応容器と、前記複数の真空
反応容器のそれぞれに取り付けられた真空排気装置とを
備え、前記複数の真空反応容器は、それぞれ半導体基板
を処理する基体処理室、外部から搬送された半導体基板
を収容する基体予備排気室、前記基体処理室及び前記基
体予備排気室の間に配置され、前記基体予備排気室の半
導体基板を前記基体処理室に搬送する基体搬送室とから
構成され、半導体基板を処理する工程中において、前記
複数の真空反応容器のうち、真空排気の継続を必要とし
ない真空反応容器に接続されている真空排気装置を停止
させる手段を備えていることを特徴としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。図１は、酸化膜をエッチングする酸
化膜加工装置からなる半導体製造装置のブロック図であ
る。この真空反応容器に使用されるポンプには、例え
ば、ドライポンプ、ターボポンプなどがある。ドライポ
ンプは、例えば、クロー形ロータを備えた真空ポンプで
ある。クロー形ロータは、その排気メカニズムにセルフ
バルブ作用を持っており、ポンプとしての圧縮効率が非
常に高いので大気圧から高気圧までのどの圧力範囲でも
連続的に排気をすることができる。また、ロータは、非
接触形で低速回転のために機械的磨耗が少なく長寿命で
ある。到達圧力は、７．５ｋＷの電力で３×１０-3ｔｏ
ｒｒにすることができる。ターボポンプは、真空度をさ
らに上げることができる真空ポンプであり、消費電力が
１５〜２５Ｗの場合、到達圧力を１０-6台（ｍｂｅｒ）
にすることができ、１０-8台（ｍｂｅｒ）に達するよう
にできる。ターボポンプは、通常本発明のような真空反
応容器に設置する場合は常に作動しておくことが、実際
に処理する時に真空状態にするよりも有利である。
【００１３】本発明の真空反応容器で処理されるプロセ
スにはドライエッチング、ＣＶＤ、スパッタリング、真
空蒸着、レジスト剥離（アッシング）、熱処理等があ
る。ドライエッチングは、溶液を用いずにイオンやプラ
ズマなどで成膜をエッチングする方法であり、スパッタ
エッチングやイオンエッチングなどがある。ＣＶＤは、
ガス同士を化学反応させて薄膜析出を行う方法であり、
常圧・減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法がある。酸化膜
や金属配線形成に用いられる。スパッタリングは、プラ
ズマ中の正イオンをを加速してターゲットに衝突させ、
これで飛び出した物質をウェハーに堆積させる方法であ
り、金属配線の形成に用いられる。真空蒸着は、薄膜を
形成する物質を熱により蒸発させ、ウェハー上に堆積さ
せる方法であり、アルミニウム配線形成に用いられる。
アッシングは、気相中でフォトレジストを剥離する方法
である。半導体製造プロセスにおいて、最もプロセス数
の多い酸化膜のドライエッチングでの、本発明を適応し
た例を図面を用いて説明する。
【００１４】図１は、標準的な酸化膜加工装置のチャン
バーと真空排気装置の系統図である。酸化膜加工装置
は、半導体製造プロセスにおいて最もプロセス数の多い
酸化膜のドライエッチングである。図１の半導体製造装
置（酸化膜加工装置）は、２つの真空反応容器を備えて
いる。真空反応容器は、カセットチャンバー（基体予備
排気室）、搬送ロボット室（基体搬送室）及びプロセス
チャンバー（基体処理室）から構成されている。カセッ
トチャンバー１１、１２は、半導体ウェハーをプロセス
チャンバーに導入する際、プロセスチャンバーの圧力を
減圧状態のまま搬送できるようにあらかじめ減圧状態に
されている。搬送ロボット室１３は、カセットチャンバ
ー１１、１２にある半導体ウェハーをプロセスチャンバ
ーに搬送機構を有する。プロセスチャンバー１４、１５
は、所望の処理（プロセス）を半導体ウェハーに対し施
すところである。カセットチャンバー１１、１２には、
それぞれバルブ２１、２２を介してドライポンプ３１が
接続されている。このドライポンプ３１は、カセットチ
ャンバー１１、１２を高速排気するため７０００リット
ル（ｌ）／ｍｉｎの排気能力を持つている。搬送ロボッ
ト室１３には、バルブ２３を介してドライポンプ３２が
接続されている。前記カセットチャンバー１１、１２と
搬送ロボット室１３とは、仕切り弁５１、５２を介して
互いに繋がっている。また、プロセスチャンバー１４、
１５にはそれぞれバルブ２５、２７を介してターボポン
プ４２、４３が接続されている。またこれらターボ分子
ポンプ４２、４３は、ドライポンプ３３に接続されてい
る。プロセスチャンバー１４、１５は、仕切り弁５３、
５４を介して搬送ロボット室１３と繋がっている。
【００１５】この半導体製造装置において、通常ウェハ
ー処理をしていない待機状態の場合、バルブ２５〜２８
は開放されており、ターボポンプ４２、４３及びドライ
ポンプ３３によって継続的に排気されている。搬送ロボ
ット室１３は、バルブ２３が開放されており、ドライポ
ンプ３２により継続的に排気されている。カセット室１
１、１２も同様にドライポンプ３１により、継続的に排
気されている。また、仕切り弁５１、５２、５３、５４
は閉じられており、したがって、それぞれのチャンバー
は分離された状態になっている。プロセスのシーケンス
は、バルブ２１を閉じ、カセットチャンバー１１を大気
圧に戻し、ウェハーカセット（図示せず）をカセットチ
ャンバー１１にセットした後、バルブ２１が開き、カセ
ットチャンバー１１が排気される。カセットチャンバー
１１が所定の圧力まで減圧された後、仕切り弁５１が開
き、搬送ロボット（図示せず）に、ウェハーカセットの
中にセットされた半導体ウェハーが受け取られる。搬送
ロボットが半導体ウェハーを受け取った後、仕切り弁５
１は閉じられ、その後、仕切り弁５３が開き、プロセス
チャンバー１４中に半導体ウェハーが搬送される。その
後、仕切り弁５３が閉じられ、プロセスが開始される。
つまり、すべてのポンプは、プロセスの開始から終了ま
での間、継続的に稼働している。
【００１６】次に、図１及び図２を参照しながら本発明
によるプロセスシーケンスを説明する。図２は、本発明
のプロセスシーケンスを示す図である。図１に示すよう
に、バルブ２１を閉じ、カセットチャンバー１１を大気
圧に戻し（ベント時間６０秒）、ウェハーカセットを大
気に戻した状態でセットする（１）。バルブ２１を開
き、カセットチャンバー１１の排気を開始する（排気時
間１９９秒）（カセットチャンバー真空引き時間＋搬送
ロボット室に半導体ウェハーが在る時間）（２）。所定
の圧力まで排気を行ってから後、仕切り弁（ゲート）５
１を開き、搬送ロボットを用いて半導体ウェハーをカセ
ットチャンバー１１から搬送ロボット室１３へ搬送す
る。仕切り弁５１が開かれた後、カセットチャンバー１
１は、搬送ロボット室１３に繋がっている真空排気装
置、すなわち、ドライポンプ３２によって排気されてい
る。そのため、カセットチャンバー１１に接続されてい
るドライポンプ３１は運転が停止されている。半導体ウ
ェハーをプロセスチャンバー１４に搬送させ（３）、プ
ロセス終了後半導体ウェハーを入れ替える。仕切り弁５
３が開いた後、搬送ロボット室１３を排気してる真空排
気装置のドライポンプ３２を停止させる。この時、搬送
ロボット室１３は、プロセスチャンバー１１の真空排気
装置、即ちターボポンプ４２及びドライポンプ３３によ
って排気され（排気時間３０秒）、減圧を維持すること
ができる（４）。なお、ここでドライポンプ３１、３２
が停止されるが、ドライポンプ３２は２０秒間停止す
る。
【００１７】また、仕切り弁５１も開放したままであ
り、ドライポンプ３１は継続して停止できる。次の半導
体ウェハーが、プロセスチャンバー１４に入り、プロセ
スが開始する（５）と、再び搬送ロボット室１３の真空
排気装置、すなわちドライポンプ３２を稼働させる（排
気時間５５秒）。また、プロセスチャンバー１４に半導
体ウェハーが存在しない時間、１枚の半導体ウェハーが
プロセスチャンバー１４に挿入されるために仕切り弁５
３が開くまでと、最後の半導体ウェハーが搬出された
（６）後、ドライポンプ３３は停止される。以上、図２
に示すシーケンスに基づいて、２ロットを同時にプロセ
スすることにより、ドライポンプの停止可能割合を算出
した場合を以下の如く示す。酸化膜の加工時間の内、最
も短い場合は３４秒（Ｘ＝３４）で、最も長い場合は２
３５秒（Ｘ＝２３５）である。このプロセスでは、酸化
膜の加工時間（処理時間）が最も短い場合（Ｘ＝３４）
のプロセス全体の時間（プロセス時間）は、２ロット
（Ｌｏｔ）で２１９９秒であり、最も長い場合のプロセ
ス時間は、２ロットで６９７２秒である。それぞれの場
合について、図２に示す手順によってプロセスを行う次
のようにドライポンプの停止率が得られる。
【００１８】ドライポンプの停止率に関して。ドライポ
ンプ３１は、カセットチャンバーを排気している時間
（１９９秒）以外は停止できるので、最も短い場合（Ｘ
＝３４）は、（２１９９−１９９）／２１９９＝８９
％、最も長い場合（Ｘ＝２３５）は、（６９７２−１９
９）／６９７２＝９７％の停止が可能となる。ドライポ
ンプ３２は、２ロット２４枚の半導体ウェハーを入れ替
える時に１枚につき２０秒の時間が掛かるので、その時
間は停止可能である。したがって、最も短い場合（Ｘ＝
３４）は、２０×２４（＝４８０秒）／２１９９＝２２
％、最も長い場合（Ｘ＝２３５）は、２０×２４／６９
７２＝６．９％の停止が可能となる。ドライポンプ３３
は、酸化膜の加工処理前の時間（６０秒＋１９９秒）及
び加工処理後の時間（５５秒）が停止可能である。した
がって、最も短い場合（Ｘ＝３４）は、６０＋１９９＋
５５／２１９９＝１４％、最も長い場合（Ｘ＝２３５）
は、３１４／６９７２＝４．５％の停止が可能となる。
【００１９】図１に示す半導体製造装置は、２つの真空
反応容器から構成されている。したがって、プロセスチ
ャンバー１３、１４は、工程が続いたプロセスを実施す
ることが製造工程を簡略化する上で有利である。例え
ば、プロセスチャンバー１４には、成膜を加工するエッ
チング工程を行い、次の工程であるエッチング工程で用
いたフォトレジストを剥離するドライアッシング処理を
プロセスチャンバー１５で行うことができる。このため
半導体ウェハーはプロセスチャンバー１４からプロセス
チャンバー１５へ搬送される。スパッタリング装置をプ
ロセスチャンバー１４とし、ＣＶＤ装置をプロセスチャ
ンバー１５とすることも可能である。
【００２０】次に、図３を参照して本発明の半導体製造
装置がどのように半導体基板処理に適用されているか説
明する。図３は、半導体装置を構成するＭＯＳトランジ
スタが形成された半導体基板の断面図である。半導体基
板には、Ｐ型シリコン半導体（Ｐ−Ｓｉ）を用いる。半
導体基板１の表面領域にはトランジスタのソース／ドレ
イン領域に用いられるＮ型不純物拡散領域３、４が形成
されており、ソース／ドレイン領域間にチャネルが構成
されるようになっている。半導体基板１表面には、熱酸
化処理によりシリコン酸化膜２が形成されている。この
シリコン酸化膜２は、フィールド酸化膜（素子分離領
域）及びゲート酸化膜として用いられ、本発明の半導体
製造装置内で形成される。ゲート酸化膜は、ソース／ド
レイン領域４、３間の上に形成されている。ゲート酸化
膜の上にはポリシリコンゲート１３が形成されている。
ポリシリコンゲート１０は、本発明の半導体製造装置に
よりＣＶＤ法により形成される。シリコン酸化膜２、ポ
リシリコンゲート１０を被覆するように半導体基板１上
にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）５を形成
する。このＳｉＯ2 膜５も本発明の半導体製造装置内で
形成される。
【００２１】このＳｉＯ2 膜５の上に第１層の金属配線
６、７を形成する。この金属配線６、７は、本発明の半
導体製造装置内においてＣＶＤ法により形成されたＷ膜
から構成されている。Ｗ膜からなる配線６は、ＳｉＯ2
膜５及びシリコン酸化膜２に形成されたコンタクト孔を
介してドレイン領域３に電気的に接続される。Ｗ膜から
なる配線７は、ＳｉＯ2 膜５及びシリコン酸化膜２に形
成されたコンタクト孔を介してソース領域４に電気的に
接続される。Ｗ膜６、７及びＳｉＯ2 膜５を被覆するよ
うに半導体基板１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）８を
形成する。シリコン酸化膜８は、本発明の半導体製造装
置内でＣＶＤ法により形成される。このＳｉＯ2 膜８の
上に第２層の金属配線１４が形成される。この金属配線
９は、本発明の半導体製造装置内でスパッタリング法に
より形成される。金属配線９は、Ｔｉ／ＴｉＮ膜、Ａｌ
膜及びＴｉ／ＴｉＮ膜の積層体から構成されている。金
属配線９は、ＳｉＯ2 膜８に形成されたコンタクト孔に
形成された接続配線１６を介して金属配線７と電気的に
接続されている。接続電極１６は、Ｗ膜からなり、本発
明の半導体製造装置内でＣＶＤ法により形成される。
【００２２】次に、図４を参照して本発明の半導体製造
装置の排気システムについて説明する。図は、プロセス
チャンバーの主要な要素を記載した排気システムのブロ
ック図である。プロセスチャンバーは、ターボポンプに
接続され、このターボチャンバーは、ドライポンプに接
続されている。ドライポンプによって排出される空気
は、除去カラムを通してダクトから外へ放出される。こ
のときドライポンプによって排出される空気は、初めは
非常に濃いので除去し難い状態にある。そこで、排出さ
れる空気は、通常Ｎ2 ガスによって除去し易い濃度まで
希釈されて除去カラムに送られている。ドライポンプの
場合、１分間に１０リットルのＮ2 ガスで希釈されてい
る。この半導体製造装置では、Ｎ2 ガスの供給も適宜停
止することにより窒素形成時の電力供給量を減らすこと
ができる。Ｎ2 ガスを停止するには、ドライポンプの停
止時にＮ2 ガスの供給を停止する場合と、Ｎ2 ガスのみ
を供給停止する場合がある。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウェハーのプロセス中、継続稼働する必要のない
ドライポンプを停止でき、そのランニングコストを有効
に低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る真空排気装置を有する酸化膜加工
装置のブロック図。
【図２】本発明のプロセス手順を説明するプロセスフロ
ー図。
【図３】本発明により形成した半導体装置の断面図。
【図４】本発明に係る真空排気装置の排気システムを説
明するブロック図。
【図５】従来の真空排気装置を有する酸化膜加工装置の
ブロック図。
【符号の説明】
１・・・半導体基板、 ２・・・シリコン酸化膜、
３・・・ドレイン領域（不純物拡散領域）、 ４・
・・ソース領域（不純物拡散領域）、５、８・・・Ｓｉ
Ｏ2 膜、 ６、７・・・Ｗ膜（第１層の金属配線）、
９・・・第２層の金属配線、 １０・・・ポリシリコ
ンゲート、１６・・・接続配線（Ｗ膜）、 １１、１
２、６１、６２・・・カセットチャンバー、 １３、
６３・・・搬送ロボット室、 １４、１５、６４、６
５・・・プロセスチャンバー、 ２１、２２、２
３、２５、２６、２７、２８・・・バルブ、 ３１、
３２、３３、７０、７１・・・ドライポンプ、４２、４
３、６６、６７・・・ターボポンプ、 ５１、５
２、５３、５４・・・仕切り弁。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ (72)発明者 吉田 幸正 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８ 株式会 社東芝横浜事業所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空排気装置を具備する複数の真空反応
    容器のうちの所定の真空反応容器内に半導体基板を収納
    配置する工程と、 前記所定の真空反応容器内において前記半導体基板を処
    理する工程と、 前記半導体基板を処理する工程中において、前記複数の
    真空反応容器のうち、真空排気の継続を必要としない真
    空反応容器に接続されている真空排気装置を停止させる
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記複数の真空反応容器は、それぞれ半
    導体基板を処理する基体処理室、外部から搬送された半
    導体基板を収容する基体予備排気室、前記基体処理室及
    び前記基体予備排気室の間に配置され、前記基体予備排
    気室の半導体基板を前記基体処理室に搬送する基体搬送
    室とから構成されていることを特徴とする請求項１に記
    載の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記基体処理室では、ドライエッチン
    グ、ＣＶＤ成膜、スパッタリング成膜、真空蒸着成膜、
    熱処理、レジスト剥離の少なくとも１つを行うことを特
    徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製
    造方法。
  4. 【請求項４】 前記真空排気装置は、ドライポンプもし
    くはドライポンプ及びターボポンプから構成され、前記
    真空排気を継続する必要のない間停止させる真空排気装
    置は、ドライポンプであることを特徴とする請求項１乃
    至請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記複数の真空反応容器のうち、隣接す
    る所定の真空反応容器は、弁により仕切られ、少なくと
    も１つの弁を開けた状態で、一方の真空反応容器に接続
    されている真空排気装置より排気し、他方の真空反応容
    器に接続されている真空排気装置を停止させることによ
    り、前記弁の両側による真空反応容器を減圧状態に維持
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 半導体基板を処理する複数の真空反応容
    器と、 前記複数の真空反応容器のそれぞれに取り付けられた真
    空排気装置とを備え、 前記複数の真空反応容器は、それぞれ半導体基板を処理
    する基体処理室、外部から搬送された半導体基板を収容
    する基体予備排気室、前記基体処理室及び前記基体予備
    排気室の間に配置され、前記基体予備排気室の半導体基
    板を前記基体処理室に搬送する基体搬送室とから構成さ
    れ、半導体基板を処理する工程中において、前記複数の
    真空反応容器のうち、真空排気の継続を必要としない真
    空反応容器に接続されている真空排気装置を停止させる
    手段を備えていることを特徴とする半導体製造装置。
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