JPS5966120A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS5966120A JPS5966120A JP17612582A JP17612582A JPS5966120A JP S5966120 A JPS5966120 A JP S5966120A JP 17612582 A JP17612582 A JP 17612582A JP 17612582 A JP17612582 A JP 17612582A JP S5966120 A JPS5966120 A JP S5966120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- wafer
- electrode
- reaction chamber
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に係り、特番こ、ドライエツチ
ング装置あるいはプラズマＣＶＤ装置等のガスプラズマ
を利用した半導体製造装置に関するものである。
ング装置あるいはプラズマＣＶＤ装置等のガスプラズマ
を利用した半導体製造装置に関するものである。
第１図は従来のガスプラズマを用いたプラズマＣＶＤ
（気相成長）装置の断面図である。ガス導入系ｌより送
られるシランガス等はサセプタ電極４の中心より真空反
応室２内に放出され、サセプタ電極４上に配置されたウ
ェーハ５の表面上を通こ って排気系ｌより放出される。サセプタ電極４の上面に
対向して円板状の対向電極３を設置して電圧を印加し放
電しているので真空反応室２内にはプラズマが充満し、
ウェーハ５上の絶縁膜の生成は促進される。
（気相成長）装置の断面図である。ガス導入系ｌより送
られるシランガス等はサセプタ電極４の中心より真空反
応室２内に放出され、サセプタ電極４上に配置されたウ
ェーハ５の表面上を通こ って排気系ｌより放出される。サセプタ電極４の上面に
対向して円板状の対向電極３を設置して電圧を印加し放
電しているので真空反応室２内にはプラズマが充満し、
ウェーハ５上の絶縁膜の生成は促進される。
第２図は従来の他のプラズマＣＶＤ装置の断面図で、第
１図と同じ部分には同一符号を付しである。この場合は
上側の対向電極３の中心にガス導入系１を接続してサセ
プタ電極４の表面にシランガスを吹き出させている。
１図と同じ部分には同一符号を付しである。この場合は
上側の対向電極３の中心にガス導入系１を接続してサセ
プタ電極４の表面にシランガスを吹き出させている。
上記第１図、第２図の装置において、サセプタ電極４上
の複数のウェーハ５にシランガスを一様に供給すること
は極めて困難であり、均一な絶縁膜を得ることはできな
かった。また処理の均一性を高めるには、ドライエツチ
ングあるいはデポジションに必要なガスを多量に供給す
る必要があり、不経済であるという欠点をもっている。
の複数のウェーハ５にシランガスを一様に供給すること
は極めて困難であり、均一な絶縁膜を得ることはできな
かった。また処理の均一性を高めるには、ドライエツチ
ングあるいはデポジションに必要なガスを多量に供給す
る必要があり、不経済であるという欠点をもっている。
−４一本発明は上記従来技術の欠点を解消し、高い均一
性で能率的な処理を行うことができる半導体製造装置を
提供することを目的としたものである。
性で能率的な処理を行うことができる半導体製造装置を
提供することを目的としたものである。
本発明は真空反応室中のサセプタ電極に取り付けた個々
のウェーハの面に対向してガス導入管を開口させ、ウェ
ーハの面に沿って流れた処理ずみのガスは個々のウェー
ハの周辺より流出させるごとく構成したものである。
のウェーハの面に対向してガス導入管を開口させ、ウェ
ーハの面に沿って流れた処理ずみのガスは個々のウェー
ハの周辺より流出させるごとく構成したものである。
第３図は本発明の一実施例である半導体製造装置の断面
図で、第２図と同じ部分には同一符号な付しである。こ
の場合は対向電極３の下面の複数個所にガス通路９を開
口させるとともに、各開口から均等量の処理ガスが流出
するように調節できる針状の絞り９Ｐ１３を設置してい
る。また、対向電極３の下面には上記ガス通路９の開口
を中心として複数個の石英製環状体１１が取り付けられ
、環状体１１・の下辺をサセプタ電極４の円板上面に接
触させたときは、各々ウェーハ５を収容した小反応室１
０が形成される。なお、対向電極３は真空反応室２の上
蓋の中心に固定されており、これらを着脱してウェーハ
５を交換した後は０リング１４で真空反応室２の気密は
保持される。
図で、第２図と同じ部分には同一符号な付しである。こ
の場合は対向電極３の下面の複数個所にガス通路９を開
口させるとともに、各開口から均等量の処理ガスが流出
するように調節できる針状の絞り９Ｐ１３を設置してい
る。また、対向電極３の下面には上記ガス通路９の開口
を中心として複数個の石英製環状体１１が取り付けられ
、環状体１１・の下辺をサセプタ電極４の円板上面に接
触させたときは、各々ウェーハ５を収容した小反応室１
０が形成される。なお、対向電極３は真空反応室２の上
蓋の中心に固定されており、これらを着脱してウェーハ
５を交換した後は０リング１４で真空反応室２の気密は
保持される。
一方サセプタ電極４を収容して排気系６に接続した室に
は、サセプタ電極４の軸をゆるやかに通過させる孔を設
けた仕切板８を取り付けて圧力緩衝室７を介して排気系
６に接続するようにしている。
は、サセプタ電極４の軸をゆるやかに通過させる孔を設
けた仕切板８を取り付けて圧力緩衝室７を介して排気系
６に接続するようにしている。
このように構成された半導体製造装置は、処理ガスがウ
ェーハ５の表面中央に吹き付けられてその周辺に流れ、
ウェーハ５の周囲の排気孔戎から整然と流出する。この
処理ずみのガスは仕切板８の孔とサセプタ電極４の中心
軸との隙間を通り圧力緩衝室７に入り排気されるので、
排気孔認からの流れは安定し、ウェーハ５の表面の処理
作業Ｉｔ信頼性の高いものとなる。
ェーハ５の表面中央に吹き付けられてその周辺に流れ、
ウェーハ５の周囲の排気孔戎から整然と流出する。この
処理ずみのガスは仕切板８の孔とサセプタ電極４の中心
軸との隙間を通り圧力緩衝室７に入り排気されるので、
排気孔認からの流れは安定し、ウェーハ５の表面の処理
作業Ｉｔ信頼性の高いものとなる。
本実施例の半導体製造装置は、各ウェーハ毎に処理ガス
を吹き付けるとともに、その処理ずみガスをウェーハ５
の周辺から排出させるよう小反応室を形成することによ
って、複数ウェーハの表面に高精度の処理を能率良く施
こすことができるとともに、より少量の処理ガスで処理
できるという効果が得られる。
を吹き付けるとともに、その処理ずみガスをウェーハ５
の周辺から排出させるよう小反応室を形成することによ
って、複数ウェーハの表面に高精度の処理を能率良く施
こすことができるとともに、より少量の処理ガスで処理
できるという効果が得られる。
上記実施例は対向電極３から処理ガスを供給し、ウェー
ハ５ばサセプタ電極に設置しているが、第３図の装置を
倒立させてウェーハ５はサセプタ電極４に吊すようにし
、ウェーハ５の裏面に処理ガスを吹き付けるようにして
も同様な効果が得られる。
ハ５ばサセプタ電極に設置しているが、第３図の装置を
倒立させてウェーハ５はサセプタ電極４に吊すようにし
、ウェーハ５の裏面に処理ガスを吹き付けるようにして
も同様な効果が得られる。
本発明の半導体製造装置は、ウェーハを配置したサセプ
タ電極と対向する電極より各ウェーハ毎に同量の処理ガ
スを供給し、この処理ガスを石英製の小反応室内で反応
させることによって処理ガスを節約することができる。
タ電極と対向する電極より各ウェーハ毎に同量の処理ガ
スを供給し、この処理ガスを石英製の小反応室内で反応
させることによって処理ガスを節約することができる。
また、その処理状態が均一であり、パッチ処理方式で１
度に複数枚のウェーハを処理できるので高能率である等
の効果が得られる。
度に複数枚のウェーハを処理できるので高能率である等
の効果が得られる。
第１図は従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図、第２図は
従来の他のプラズマＣＶＤ装置の断面図、第３図は本発
明の一実施例である半導体製造装置の断面図である。 ｌ・・・・・・ガス導入系、２・・・・・・真空反応室
、３・・曲対向電極、４・・・・・・サセプタ電極、５
・・曲ウェーハ、６・・・・・・排気系、７・・・・・
・圧力緩衝室、８・・曲仕切板、９・・・・・・ガス道
路、１０・・・・・・小反応室、１１・・１ｍ状体、ル
・・・・・・排気孔、１３・・曲絞り升、１４・・曲ｏ
リング第１図 １ 業２ｎ 才３図
従来の他のプラズマＣＶＤ装置の断面図、第３図は本発
明の一実施例である半導体製造装置の断面図である。 ｌ・・・・・・ガス導入系、２・・・・・・真空反応室
、３・・曲対向電極、４・・・・・・サセプタ電極、５
・・曲ウェーハ、６・・・・・・排気系、７・・・・・
・圧力緩衝室、８・・曲仕切板、９・・・・・・ガス道
路、１０・・・・・・小反応室、１１・・１ｍ状体、ル
・・・・・・排気孔、１３・・曲絞り升、１４・・曲ｏ
リング第１図 １ 業２ｎ 才３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空反応室中におけるガスプラズマを利用してウェ
ーハにエツチングあるいはデポジシぢンを施こす半導体
製造装置において、上記真空反応室中のサセプタ電極に
配置された個々の上記ウェーハの面に対向してガス導入
管を開口させ、上記ウェーハの面に沿って流れた処理ず
みのガスは個々の上記ウェーハの・周辺より流出させる
ごとく構成したことを特徴とする半導体製造装置０ ２、上記対向電極が、上記サセプタ電極上の個々の上記
ウェーハを包囲して小反応室を形成させる石英製の環状
体を取り付け、この環状体内に上記ガス導入管の分岐端
を開口させている円盤体である特許請求の範囲第１項記
載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17612582A JPS5966120A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17612582A JPS5966120A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5966120A true JPS5966120A (ja) | 1984-04-14 |
Family
ID=16008106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17612582A Pending JPS5966120A (ja) | 1982-10-08 | 1982-10-08 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5966120A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4979466A (en) * | 1986-12-01 | 1990-12-25 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for selective deposition of metal thin film |
| JPH0845899A (ja) * | 1993-11-03 | 1996-02-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ・エッチング・ツール |
| JPH08255784A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Nec Corp | 真空処理装置および真空処理方法 |
| JP2008532287A (ja) * | 2005-02-22 | 2008-08-14 | ザクティックス・インコーポレイテッド | 副チャンバアセンブリを備えるエッチング用チャンバ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5694746A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Plasma etching device |
| JPS56130474A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Dry etching apparatus |
| JPS5964779A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 多チヤンバ−ドライエツチング装置 |
-
1982
- 1982-10-08 JP JP17612582A patent/JPS5966120A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5694746A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Plasma etching device |
| JPS56130474A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-13 | Hitachi Ltd | Dry etching apparatus |
| JPS5964779A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 多チヤンバ−ドライエツチング装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4979466A (en) * | 1986-12-01 | 1990-12-25 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for selective deposition of metal thin film |
| JPH0845899A (ja) * | 1993-11-03 | 1996-02-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プラズマ・エッチング・ツール |
| JPH08255784A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Nec Corp | 真空処理装置および真空処理方法 |
| JP2008532287A (ja) * | 2005-02-22 | 2008-08-14 | ザクティックス・インコーポレイテッド | 副チャンバアセンブリを備えるエッチング用チャンバ |
| US9576824B2 (en) | 2005-02-22 | 2017-02-21 | Spts Technologies Limited | Etching chamber with subchamber |
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