JPH0917736A - 半導体製造方法および装置 - Google Patents
半導体製造方法および装置Info
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- JPH0917736A JPH0917736A JP16439295A JP16439295A JPH0917736A JP H0917736 A JPH0917736 A JP H0917736A JP 16439295 A JP16439295 A JP 16439295A JP 16439295 A JP16439295 A JP 16439295A JP H0917736 A JPH0917736 A JP H0917736A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理物上の処理部における膜厚や濃度など
の処理特性の均一性を向上させる半導体製造方法および
装置を提供する。 【構成】 半導体ウェハ２へのＣＶＤ処理が行われる反
応室４を形成するカバー部材５と、半導体ウェハ２を保
持するサセプタ６と、半導体ウェハ２と対向して設置さ
れたガス吐出口７を介して反応ガス３を供給するガス供
給部と、ガス吐出口７の外周部７ａに設置された排気口
９を備える排気系１０と、排気口９と連通しかつ排気口
９の４つの角部９ａに設置された４つの排気配管１１お
よび排気系１０の中央付近１０ａに設置された１つの排
気配管１１とからなり、反応ガス３を複数個の排気配管
１１を通して排気する際に、各々の排気配管１１に設け
られた流量調節手段によって、排気配管１１を通る反応
ガス３の流量を各々の排気配管１１ごとに調節する。
の処理特性の均一性を向上させる半導体製造方法および
装置を提供する。 【構成】 半導体ウェハ２へのＣＶＤ処理が行われる反
応室４を形成するカバー部材５と、半導体ウェハ２を保
持するサセプタ６と、半導体ウェハ２と対向して設置さ
れたガス吐出口７を介して反応ガス３を供給するガス供
給部と、ガス吐出口７の外周部７ａに設置された排気口
９を備える排気系１０と、排気口９と連通しかつ排気口
９の４つの角部９ａに設置された４つの排気配管１１お
よび排気系１０の中央付近１０ａに設置された１つの排
気配管１１とからなり、反応ガス３を複数個の排気配管
１１を通して排気する際に、各々の排気配管１１に設け
られた流量調節手段によって、排気配管１１を通る反応
ガス３の流量を各々の排気配管１１ごとに調節する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反応ガスを用いて被処
理物に成膜などの処理を行う半導体製造技術に関し、特
に被処理物に対して反応ガスを均一に供給する半導体製
造方法および装置に関するものである。
理物に成膜などの処理を行う半導体製造技術に関し、特
に被処理物に対して反応ガスを均一に供給する半導体製
造方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】被処理物である半導体ウェハへの処理、例
えば、成膜を行うＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition)
処理には、反応室内の圧力を大気圧として処理を行うも
のがあり、常圧ＣＶＤ処理と呼ばれている。
えば、成膜を行うＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition)
処理には、反応室内の圧力を大気圧として処理を行うも
のがあり、常圧ＣＶＤ処理と呼ばれている。
【０００４】ここで、常圧ＣＶＤ処理などのＣＶＤ処理
では、反応ガスを反応室に導入して処理を行っている
が、この際、反応室における反応ガスの排気通路が１つ
だけのものがある。
では、反応ガスを反応室に導入して処理を行っている
が、この際、反応室における反応ガスの排気通路が１つ
だけのものがある。
【０００５】なお、ＣＶＤ処理技術については、例え
ば、１９８９年６月２０日、株式会社オーム社発行、古
川静二郎および浅野種正（著）「超微細加工入門」１１
０〜１１７頁に記載されている。
ば、１９８９年６月２０日、株式会社オーム社発行、古
川静二郎および浅野種正（著）「超微細加工入門」１１
０〜１１７頁に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術においては、反応室からの排気通路が１つだけである
ため、ガス吐出口から供給された反応ガスの進路にばら
つきが発生し、反応ガスが半導体ウェハ上を均一に流れ
ずに排気される。
術においては、反応室からの排気通路が１つだけである
ため、ガス吐出口から供給された反応ガスの進路にばら
つきが発生し、反応ガスが半導体ウェハ上を均一に流れ
ずに排気される。
【０００７】これによって、半導体ウェハ内および半導
体ウェハ間における膜厚の均一性や薄膜の濃度の均一性
が悪化するという問題が発生する。
体ウェハ間における膜厚の均一性や薄膜の濃度の均一性
が悪化するという問題が発生する。
【０００８】また、メタル膜を形成する際には、シート
抵抗値（電気抵抗値）の均一性の悪化も問題とされる。
抵抗値（電気抵抗値）の均一性の悪化も問題とされる。
【０００９】そこで、本発明の目的は、被処理物上の処
理部における膜厚や濃度などの処理特性の均一性を向上
させる半導体製造方法および装置を提供することにあ
る。
理部における膜厚や濃度などの処理特性の均一性を向上
させる半導体製造方法および装置を提供することにあ
る。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】すなわち、本発明による半導体製造方法
は、被処理物と対向して設置されたガス吐出口から反応
ガスを供給し、前記反応ガスによって前記被処理物に処
理を行い、前記ガス吐出口の外周部に設置された排気口
を介して前記反応ガスを排気系に導き、前記排気口と連
通し、前記排気口の角部および前記排気系の中央付近に
設置された複数個の排気通路を通して前記反応ガスを排
気するものである。
は、被処理物と対向して設置されたガス吐出口から反応
ガスを供給し、前記反応ガスによって前記被処理物に処
理を行い、前記ガス吐出口の外周部に設置された排気口
を介して前記反応ガスを排気系に導き、前記排気口と連
通し、前記排気口の角部および前記排気系の中央付近に
設置された複数個の排気通路を通して前記反応ガスを排
気するものである。
【００１３】さらに、本発明による半導体製造方法は、
前記各々の排気通路に設けられた流量調節手段によっ
て、前記排気通路を通る反応ガスの流量を各々の排気通
路ごとに調節するものである。
前記各々の排気通路に設けられた流量調節手段によっ
て、前記排気通路を通る反応ガスの流量を各々の排気通
路ごとに調節するものである。
【００１４】また、本発明による半導体製造装置は、反
応ガスを用いて被処理物に処理を行うものであり、前記
被処理物への処理が行われる反応室を形成するカバー部
材と、前記被処理物を保持する被処理物保持部と、前記
被処理物と対向して設置されたガス吐出口を介して前記
反応ガスを供給するガス供給部と、前記ガス吐出口の外
周部に設置された排気口を備える排気系と、前記排気口
と連通しかつ前記排気口の角部と前記排気系の中央付近
とに設置された複数個の排気通路とを有するものであ
る。
応ガスを用いて被処理物に処理を行うものであり、前記
被処理物への処理が行われる反応室を形成するカバー部
材と、前記被処理物を保持する被処理物保持部と、前記
被処理物と対向して設置されたガス吐出口を介して前記
反応ガスを供給するガス供給部と、前記ガス吐出口の外
周部に設置された排気口を備える排気系と、前記排気口
と連通しかつ前記排気口の角部と前記排気系の中央付近
とに設置された複数個の排気通路とを有するものであ
る。
【００１５】さらに、本発明による半導体製造装置は、
前記排気通路を通る反応ガスの流量を調節する流量調節
手段が各々の前記排気通路に設けられているものであ
る。
前記排気通路を通る反応ガスの流量を調節する流量調節
手段が各々の前記排気通路に設けられているものであ
る。
【００１６】なお、前記流量調節手段は前記排気通路内
の圧力を検出する圧力センサと前記排気通路を開閉する
弁部材とからなる手段である。
の圧力を検出する圧力センサと前記排気通路を開閉する
弁部材とからなる手段である。
【００１７】
【作用】上記した手段によれば、ガス吐出口の外周部に
設置された排気口を介して反応ガスを排気系に導き、さ
らに、排気口の角部および排気系の中央付近に設置され
た複数個の排気通路を通して反応ガスを排気することに
より、ガス吐出口から被処理物に対して反応ガスを放射
状に均一に供給することができる。
設置された排気口を介して反応ガスを排気系に導き、さ
らに、排気口の角部および排気系の中央付近に設置され
た複数個の排気通路を通して反応ガスを排気することに
より、ガス吐出口から被処理物に対して反応ガスを放射
状に均一に供給することができる。
【００１８】これにより、被処理物上の処理部における
膜厚や濃度などの処理特性の均一性を向上させることが
できる。
膜厚や濃度などの処理特性の均一性を向上させることが
できる。
【００１９】また、被処理物に対して反応ガスを放射状
に均一に供給することができるため、メタル膜を形成す
る際には、シート抵抗値の均一性を向上させることがで
きる。
に均一に供給することができるため、メタル膜を形成す
る際には、シート抵抗値の均一性を向上させることがで
きる。
【００２０】さらに、排気通路を通る反応ガスの流量を
調節する流量調節手段が各々の排気通路に設けられてい
ることにより、反応ガスの流量を各々の排気通路ごとに
調節することができる。
調節する流量調節手段が各々の排気通路に設けられてい
ることにより、反応ガスの流量を各々の排気通路ごとに
調節することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００２２】図１は本発明による半導体製造装置の構造
の一実施例を示す部分斜視図、図２は本発明による半導
体製造装置におけるガス吐出口と排気系の構造の一実施
例を示す平面図、図３、図４および図５は図２に示す半
導体製造装置の構造におけるＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面、
Ｃ−Ｃ断面の一実施例を示す部分断面図である。
の一実施例を示す部分斜視図、図２は本発明による半導
体製造装置におけるガス吐出口と排気系の構造の一実施
例を示す平面図、図３、図４および図５は図２に示す半
導体製造装置の構造におけるＡ−Ａ断面、Ｂ−Ｂ断面、
Ｃ−Ｃ断面の一実施例を示す部分断面図である。
【００２３】なお、本実施例の半導体製造装置は、反応
ガス３を用いて被処理物である半導体ウェハ２に常圧で
ＣＶＤ処理を行うもの、すなわち、常圧ＣＶＤ装置１で
ある。
ガス３を用いて被処理物である半導体ウェハ２に常圧で
ＣＶＤ処理を行うもの、すなわち、常圧ＣＶＤ装置１で
ある。
【００２４】本実施例の半導体製造装置である常圧ＣＶ
Ｄ装置１の構成について説明すると、半導体ウェハ２へ
のＣＶＤ処理が行われる反応室４を形成するカバー部材
５と、半導体ウェハ２を保持する被処理物保持部である
サセプタ６と、半導体ウェハ２と対向して設置されたガ
ス吐出口７を介して反応ガス３を半導体ウェハ２に供給
するガス供給部８と、ガス吐出口７の外周部７ａに設置
された排気口９を備える排気系１０と、排気口９と連通
しかつ排気口９の角部９ａおよび排気系１０の中央付近
１０ａに設置された複数個の排気通路である排気配管１
１とからなるものである。
Ｄ装置１の構成について説明すると、半導体ウェハ２へ
のＣＶＤ処理が行われる反応室４を形成するカバー部材
５と、半導体ウェハ２を保持する被処理物保持部である
サセプタ６と、半導体ウェハ２と対向して設置されたガ
ス吐出口７を介して反応ガス３を半導体ウェハ２に供給
するガス供給部８と、ガス吐出口７の外周部７ａに設置
された排気口９を備える排気系１０と、排気口９と連通
しかつ排気口９の角部９ａおよび排気系１０の中央付近
１０ａに設置された複数個の排気通路である排気配管１
１とからなるものである。
【００２５】ここで、本実施例の常圧ＣＶＤ装置１にお
けるガス吐出口７は、その平面形状が四角形であるた
め、ガス吐出口７の外周部７ａに設置された排気口９は
４つの角部９ａを有している。
けるガス吐出口７は、その平面形状が四角形であるた
め、ガス吐出口７の外周部７ａに設置された排気口９は
４つの角部９ａを有している。
【００２６】したがって、常圧ＣＶＤ装置１の排気系１
０には、排気口９の４つの角部９ａと連通した４つの排
気配管１１と、排気口９の中央部９ｂと連通して排気系
１０の中央付近１０ａに設置された１つの排気配管１１
とで、複数個すなわち合計５つの排気配管１１が設置さ
れている。
０には、排気口９の４つの角部９ａと連通した４つの排
気配管１１と、排気口９の中央部９ｂと連通して排気系
１０の中央付近１０ａに設置された１つの排気配管１１
とで、複数個すなわち合計５つの排気配管１１が設置さ
れている。
【００２７】なお、排気系１０の中央付近１０ａに設置
される排気配管１１の数は、１つに限定されるものでは
なく、例えば、排気系１０の中央付近１０ａを取り囲む
ように、中央付近１０ａに複数個の排気配管１１が設置
されていてもよい。
される排気配管１１の数は、１つに限定されるものでは
なく、例えば、排気系１０の中央付近１０ａを取り囲む
ように、中央付近１０ａに複数個の排気配管１１が設置
されていてもよい。
【００２８】さらに、ガス吐出口７には、反応ガス３の
吐出方向に平行に複数枚の仕切り板１２が設置されてお
り、ガス吐出口７から吐出する反応ガス３が放射状にか
つ均一に広がるようにガス吐出口７内が仕切り板１２に
よって仕切られている。
吐出方向に平行に複数枚の仕切り板１２が設置されてお
り、ガス吐出口７から吐出する反応ガス３が放射状にか
つ均一に広がるようにガス吐出口７内が仕切り板１２に
よって仕切られている。
【００２９】また、常圧ＣＶＤ装置１には、排気配管１
１を通る反応ガス３の流量を調節する流量調節手段が各
々の排気配管１１に設けられている。
１を通る反応ガス３の流量を調節する流量調節手段が各
々の排気配管１１に設けられている。
【００３０】ここで、前記流量調節手段は、排気配管１
１内の圧力を検出する圧力センサ１３と、排気配管１１
内の反応ガス３の通路を開閉する弁部材であるスロット
ルバルブ１４とからなるものである。
１内の圧力を検出する圧力センサ１３と、排気配管１１
内の反応ガス３の通路を開閉する弁部材であるスロット
ルバルブ１４とからなるものである。
【００３１】したがって、排気配管１１内の圧力を圧力
センサ１３によって検出し、その情報をスロットルバル
ブ１４にフィードバックしてスロットルバルブ１４を開
閉させることにより、排気配管１１を通る反応ガス３の
流量を各々の排気配管１１ごとに別々に制御できる。
センサ１３によって検出し、その情報をスロットルバル
ブ１４にフィードバックしてスロットルバルブ１４を開
閉させることにより、排気配管１１を通る反応ガス３の
流量を各々の排気配管１１ごとに別々に制御できる。
【００３２】次に、本実施例の半導体製造方法について
説明する。
説明する。
【００３３】まず、被処理物保持部であるサセプタ６に
半導体ウェハ２を載置する。
半導体ウェハ２を載置する。
【００３４】その後、例えば、有機系のテトラメトキシ
ボロンガスなどの反応ガス３を、図３に示すガス供給部
８を通してガス吐出口７から吐出させ、半導体ウェハ２
の表面に供給する。
ボロンガスなどの反応ガス３を、図３に示すガス供給部
８を通してガス吐出口７から吐出させ、半導体ウェハ２
の表面に供給する。
【００３５】ここで、反応ガス３が半導体ウェハ２の表
面に流れ、半導体ウェハ２に処理、すなわち半導体ウェ
ハ２上に所望の薄膜を形成する。
面に流れ、半導体ウェハ２に処理、すなわち半導体ウェ
ハ２上に所望の薄膜を形成する。
【００３６】その後、反応ガス３を、ガス吐出口７の外
周部７ａにおける排気口９の４つの角部９ａに連通させ
て設置した排気配管１１（図５参照）と、排気系１０の
中央付近１０ａに設置した排気配管１１（図４参照）と
から排気する。
周部７ａにおける排気口９の４つの角部９ａに連通させ
て設置した排気配管１１（図５参照）と、排気系１０の
中央付近１０ａに設置した排気配管１１（図４参照）と
から排気する。
【００３７】この時、各々の排気配管１１に設置された
流量調節手段、すなわち、排気配管１１内の圧力を検出
する圧力センサ１３と、排気配管１１内の反応ガス３の
通路を開閉するスロットルバルブ１４とによって排気配
管１１を通る反応ガス３の流量を各々の排気配管１１ご
とに別々に制御する。
流量調節手段、すなわち、排気配管１１内の圧力を検出
する圧力センサ１３と、排気配管１１内の反応ガス３の
通路を開閉するスロットルバルブ１４とによって排気配
管１１を通る反応ガス３の流量を各々の排気配管１１ご
とに別々に制御する。
【００３８】つまり、前記流量調節手段は、排気配管１
１内の圧力を圧力センサ１３によって検出し、その情報
をスロットルバルブ１４にフィードバックしてスロット
ルバルブ１４を開閉させるものである。
１内の圧力を圧力センサ１３によって検出し、その情報
をスロットルバルブ１４にフィードバックしてスロット
ルバルブ１４を開閉させるものである。
【００３９】次に、本実施例の半導体製造方法および装
置によれば、以下のような作用効果が得られる。
置によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００４０】すなわち、ガス吐出口７の外周部７ａに設
置された排気口９を介して反応ガス３を排気系１０に導
き、さらに、排気口９の４つの角部９ａに連通させて設
置された４つの排気配管１１、および排気系１０の中央
付近１０ａに設置された１つの排気配管１１を通して反
応ガス３を排気することにより、反応ガス３が排気口９
の中央部９ｂと角部９ａとの両者に流れるため、ガス吐
出口７から半導体ウェハ２に対して反応ガス３を放射状
に均一に供給することができる。
置された排気口９を介して反応ガス３を排気系１０に導
き、さらに、排気口９の４つの角部９ａに連通させて設
置された４つの排気配管１１、および排気系１０の中央
付近１０ａに設置された１つの排気配管１１を通して反
応ガス３を排気することにより、反応ガス３が排気口９
の中央部９ｂと角部９ａとの両者に流れるため、ガス吐
出口７から半導体ウェハ２に対して反応ガス３を放射状
に均一に供給することができる。
【００４１】この時、排気口９の中央部９ｂから排気さ
れた反応ガス３は、排気系１０の中央付近１０ａに設置
された１つの排気配管１１を通り、また、排気口９の４
つの角部９ａから排気された反応ガス３は、４つの角部
９ａに連通して設置された４つの排気配管１１を通る。
れた反応ガス３は、排気系１０の中央付近１０ａに設置
された１つの排気配管１１を通り、また、排気口９の４
つの角部９ａから排気された反応ガス３は、４つの角部
９ａに連通して設置された４つの排気配管１１を通る。
【００４２】これにより、半導体ウェハ２上の処理部す
なわち成膜部における膜厚や濃度などの処理特性の均一
性を向上させることができる。
なわち成膜部における膜厚や濃度などの処理特性の均一
性を向上させることができる。
【００４３】さらに、半導体ウェハ２間、すなわち他の
半導体ウェハ２との間における前記成膜部の膜厚や濃度
の均一性の向上を図ることができる。
半導体ウェハ２との間における前記成膜部の膜厚や濃度
の均一性の向上を図ることができる。
【００４４】その結果、半導体ウェハ２の歩留りを向上
させることができる。
させることができる。
【００４５】また、半導体ウェハ２に対して反応ガス３
を放射状に均一に供給することができるため、半導体ウ
ェハ２上にメタル膜を形成する際には、シート抵抗値す
なわち前記メタル膜内の電気抵抗値の均一性を向上させ
ることができる。
を放射状に均一に供給することができるため、半導体ウ
ェハ２上にメタル膜を形成する際には、シート抵抗値す
なわち前記メタル膜内の電気抵抗値の均一性を向上させ
ることができる。
【００４６】さらに、排気配管１１を通る反応ガス３の
流量を調節する流量調節手段が各々の排気配管１１に設
けられていることにより、反応ガス３の流量を各々の排
気配管１１ごとに調節することができる。
流量を調節する流量調節手段が各々の排気配管１１に設
けられていることにより、反応ガス３の流量を各々の排
気配管１１ごとに調節することができる。
【００４７】したがって、各々の排気配管１１ごとに反
応ガス３の流量を調節することができるため、半導体ウ
ェハ２に対する反応ガス３の供給を常に安定させてかつ
均一に行うことができる。
応ガス３の流量を調節することができるため、半導体ウ
ェハ２に対する反応ガス３の供給を常に安定させてかつ
均一に行うことができる。
【００４８】その結果、半導体ウェハ２に連続で成膜処
理を行う際にも、反応ガス３の供給を常に安定させてか
つ均一に行うことができる。
理を行う際にも、反応ガス３の供給を常に安定させてか
つ均一に行うことができる。
【００４９】また、各々の排気配管１１ごとに反応ガス
３の流量を調節することができるため、半導体ウェハ２
上に処理、すなわち均一性に優れた成膜処理を行うに際
し、最適な条件を見出し、かつ設定することが可能にな
る。
３の流量を調節することができるため、半導体ウェハ２
上に処理、すなわち均一性に優れた成膜処理を行うに際
し、最適な条件を見出し、かつ設定することが可能にな
る。
【００５０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５１】例えば、前記実施例においては、半導体製
造装置に設けられた流量調節手段は、排気通路内の圧力
を検出する圧力センサと排気通路を開閉する弁部材とか
らなる手段であったが、前記流量調節手段は、排気通路
内の反応ガスの風速を検出する風速センサと排気通路を
開閉するスロットルバルブなどの弁部材とからなる手段
であってもよい。
造装置に設けられた流量調節手段は、排気通路内の圧力
を検出する圧力センサと排気通路を開閉する弁部材とか
らなる手段であったが、前記流量調節手段は、排気通路
内の反応ガスの風速を検出する風速センサと排気通路を
開閉するスロットルバルブなどの弁部材とからなる手段
であってもよい。
【００５２】この場合、排気通路内の反応ガスの風速を
風速センサによって検出し、その情報を弁部材にフィー
ドバックして弁部材を開閉させることにより、排気通路
を通る反応ガスの流量を各々の排気通路ごとに別々に制
御する。
風速センサによって検出し、その情報を弁部材にフィー
ドバックして弁部材を開閉させることにより、排気通路
を通る反応ガスの流量を各々の排気通路ごとに別々に制
御する。
【００５３】また、図６に示す本発明の他の実施例の半
導体製造装置のように、半導体ウェハ２を保持する被処
理物保持部であるサセプタ６の周辺部６ａにも排気口１
５を設け、ガス吐出口７の外周部７ａ（図１参照）の排
気口９と、サセプタ６の周辺部６ａの排気口１５とから
反応ガス３を排気してもよい。
導体製造装置のように、半導体ウェハ２を保持する被処
理物保持部であるサセプタ６の周辺部６ａにも排気口１
５を設け、ガス吐出口７の外周部７ａ（図１参照）の排
気口９と、サセプタ６の周辺部６ａの排気口１５とから
反応ガス３を排気してもよい。
【００５４】これにより、反応ガス３の排気箇所を増や
すことができるため、さらに、半導体ウェハ２に対して
均一に反応ガス３を供給することができる。
すことができるため、さらに、半導体ウェハ２に対して
均一に反応ガス３を供給することができる。
【００５５】また、前記実施例および図６に示した他の
実施例による半導体製造装置は、常圧ＣＶＤ装置であっ
たが、前記半導体製造装置はＣＶＤ装置に限らず、反応
ガスを用いて半導体ウェハなどの被処理物に処理を行う
装置であれば、エッチング装置やスパッタリング装置な
どであってもよい。
実施例による半導体製造装置は、常圧ＣＶＤ装置であっ
たが、前記半導体製造装置はＣＶＤ装置に限らず、反応
ガスを用いて半導体ウェハなどの被処理物に処理を行う
装置であれば、エッチング装置やスパッタリング装置な
どであってもよい。
【００５６】さらに、ガス吐出口の平面形状は四角形だ
けでなく、三角形や五角形などの多角形、あるいは楕円
などであってもよい。
けでなく、三角形や五角形などの多角形、あるいは楕円
などであってもよい。
【００５７】なお、これらの場合においても、前記ガス
吐出口の外周部の排気口における角部には、各々の角部
に対応した排気通路が設けられ、かつ排気系の中央付近
には前記排気口と連通した少なくとも１つの排気通路が
設けられている。
吐出口の外周部の排気口における角部には、各々の角部
に対応した排気通路が設けられ、かつ排気系の中央付近
には前記排気口と連通した少なくとも１つの排気通路が
設けられている。
【００５８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【００５９】（１）．ガス吐出口の外周部に設置された
排気口を介して反応ガスを排気系に導き、さらに、排気
口の角部および排気系の中央付近に設置された複数個の
排気通路を通して反応ガスを排気することにより、ガス
吐出口から被処理物に対して反応ガスを放射状に均一に
供給することができる。これにより、被処理物上の処理
部における膜厚や濃度などの処理特性の均一性を向上さ
せることができる。さらに、被処理物間における処理部
の膜厚や濃度の均一性の向上を図ることができる。その
結果、被処理物の歩留りを向上させることができる。
排気口を介して反応ガスを排気系に導き、さらに、排気
口の角部および排気系の中央付近に設置された複数個の
排気通路を通して反応ガスを排気することにより、ガス
吐出口から被処理物に対して反応ガスを放射状に均一に
供給することができる。これにより、被処理物上の処理
部における膜厚や濃度などの処理特性の均一性を向上さ
せることができる。さらに、被処理物間における処理部
の膜厚や濃度の均一性の向上を図ることができる。その
結果、被処理物の歩留りを向上させることができる。
【００６０】（２）．被処理物に対して反応ガスを放射
状に均一に供給することができるため、被処理物上にメ
タル膜を形成する際には、シート抵抗値（電気抵抗値）
の均一性を向上させることができる。
状に均一に供給することができるため、被処理物上にメ
タル膜を形成する際には、シート抵抗値（電気抵抗値）
の均一性を向上させることができる。
【００６１】（３）．排気通路を通る反応ガスの流量を
調節する流量調節手段が各々の排気通路に設けられてい
ることにより、反応ガスの流量を各々の排気通路ごとに
調節することができる。したがって、各々の排気通路ご
とに反応ガスの流量を調節することができるため、被処
理物に対する反応ガスの供給を常に安定させてかつ均一
に行うことができる。その結果、被処理物に連続で処理
を行う際にも、反応ガスの供給を常に安定させてかつ均
一に行うことができる。
調節する流量調節手段が各々の排気通路に設けられてい
ることにより、反応ガスの流量を各々の排気通路ごとに
調節することができる。したがって、各々の排気通路ご
とに反応ガスの流量を調節することができるため、被処
理物に対する反応ガスの供給を常に安定させてかつ均一
に行うことができる。その結果、被処理物に連続で処理
を行う際にも、反応ガスの供給を常に安定させてかつ均
一に行うことができる。
【図１】本発明による半導体製造装置の構造の一実施例
を示す部分斜視図である。
を示す部分斜視図である。
【図２】本発明による半導体製造装置におけるガス吐出
口と排気系の構造の一実施例を示す平面図である。
口と排気系の構造の一実施例を示す平面図である。
【図３】図２に示す半導体製造装置の構造におけるＡ−
Ａ断面の一実施例を示す部分断面図である。
Ａ断面の一実施例を示す部分断面図である。
【図４】図２に示す半導体製造装置の構造におけるＢ−
Ｂ断面の一実施例を示す部分断面図である。
Ｂ断面の一実施例を示す部分断面図である。
【図５】図２に示す半導体製造装置の構造におけるＣ−
Ｃ断面の一実施例を示す部分断面図である。
Ｃ断面の一実施例を示す部分断面図である。
【図６】本発明の他の実施例である半導体製造装置の構
造における中央付近の断面の一例を示す部分断面図であ
る。
造における中央付近の断面の一例を示す部分断面図であ
る。
１ 常圧ＣＶＤ装置（半導体製造装置） ２ 半導体ウェハ（被処理物） ３ 反応ガス ４ 反応室 ５ カバー部材 ６ サセプタ（被処理物保持部） ６ａ 周辺部 ７ ガス吐出口 ７ａ 外周部 ８ ガス供給部 ９ 排気口 ９ａ 角部 ９ｂ 中央部 １０ 排気系 １０ａ 中央付近 １１ 排気配管（排気通路） １２ 仕切り板 １３ 圧力センサ １４ スロットルバルブ（弁部材） １５ 排気口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高石 優 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (6)
- 【請求項１】 反応ガスを用いて被処理物に成膜などの
処理を行う半導体製造方法であって、 前記被処理物と対向して設置されたガス吐出口から前記
反応ガスを供給し、 前記反応ガスによって前記被処理物に処理を行い、 前記ガス吐出口の外周部に設置された排気口を介して前
記反応ガスを排気系に導き、 前記排気口と連通し、かつ前記排気口の角部および前記
排気系の中央付近に設置された複数個の排気通路を通し
て前記反応ガスを排気することを特徴とする半導体製造
方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造方法であっ
て、前記各々の排気通路に設けられた流量調節手段によ
って、前記排気通路を通る反応ガスの流量を各々の排気
通路ごとに調節することを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項３】 反応ガスを用いて被処理物に成膜などの
処理を行う半導体製造装置であって、 前記被処理物への処理が行われる反応室を形成するカバ
ー部材と、 前記被処理物を保持する被処理物保持部と、 前記被処理物と対向して設置されたガス吐出口を介して
前記反応ガスを供給するガス供給部と、 前記ガス吐出口の外周部に設置された排気口を備える排
気系と、 前記排気口と連通し、かつ前記排気口の角部と前記排気
系の中央付近とに設置された複数個の排気通路とを有す
ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体製造装置であっ
て、前記排気通路を通る反応ガスの流量を調節する流量
調節手段が各々の前記排気通路に設けられていることを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体製造装置であっ
て、前記流量調節手段は前記排気通路内の圧力を検出す
る圧力センサと前記排気通路を開閉する弁部材とからな
る手段であることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】 請求項４記載の半導体製造装置であっ
て、前記流量調節手段は前記排気通路内の前記反応ガス
の風速を検出する風速センサと前記排気通路を開閉する
弁部材とからなる手段であることを特徴とする半導体製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16439295A JPH0917736A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体製造方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16439295A JPH0917736A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体製造方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917736A true JPH0917736A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15792262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16439295A Pending JPH0917736A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 半導体製造方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917736A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010272551A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN102828167A (zh) * | 2011-06-13 | 2012-12-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种排气方法、装置及基片处理设备 |
| TWI411058B (zh) * | 2009-05-18 | 2013-10-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | 真空系統、真空控制系統、用以控制真空系統之方法 |
| JP2020176786A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎ Ｓｐｅ テック | 乾燥装置 |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP16439295A patent/JPH0917736A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI411058B (zh) * | 2009-05-18 | 2013-10-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | 真空系統、真空控制系統、用以控制真空系統之方法 |
| US8623141B2 (en) | 2009-05-18 | 2014-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Piping system and control for semiconductor processing |
| JP2010272551A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN102828167A (zh) * | 2011-06-13 | 2012-12-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种排气方法、装置及基片处理设备 |
| JP2020176786A (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎ Ｓｐｅ テック | 乾燥装置 |
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