JPH06349761A - 半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置Info
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- JPH06349761A JPH06349761A JP5133277A JP13327793A JPH06349761A JP H06349761 A JPH06349761 A JP H06349761A JP 5133277 A JP5133277 A JP 5133277A JP 13327793 A JP13327793 A JP 13327793A JP H06349761 A JPH06349761 A JP H06349761A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 全ての半導体基板を均一に加工処理する半導
体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置を提供
する。 【構成】 一端にガス導入口１Ａを有し、他端を閉塞し
たノズル管１Ｂに設けられる多数のガス供給孔２を，一
端のガス導入口１Ａ側より他端に行くに従って徐々に孔
径が大きくなるガス供給孔又は孔間隔が狭くなるガス供
給孔とすることを特徴とする。
体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置を提供
する。 【構成】 一端にガス導入口１Ａを有し、他端を閉塞し
たノズル管１Ｂに設けられる多数のガス供給孔２を，一
端のガス導入口１Ａ側より他端に行くに従って徐々に孔
径が大きくなるガス供給孔又は孔間隔が狭くなるガス供
給孔とすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造前処理工程
における，各種反応ガスを用いて半導体基板を加工処理
する半導体製造に係り、特に反応ガスを放出するガス供
給ノズル及び該ガス供給ノズルを備えた半導体製造装置
に関する。
における，各種反応ガスを用いて半導体基板を加工処理
する半導体製造に係り、特に反応ガスを放出するガス供
給ノズル及び該ガス供給ノズルを備えた半導体製造装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のガス供給ノズルを用いた拡
散半導体製造装置の簡略断面図、図４は同じく従来のガ
ス供給ノズルを用いたＣＶＤ半導体製造装置の簡略断面
図である。図３，図４において１はガス供給ノズルで、
一端にガス導入口１Ａを有し、他端を閉塞したノズル管
１Ｂに、孔径が等径で孔間隔が等間隔の多数のガス供給
孔２を有している。３は反応管で、ガス供給ノズル１が
挿設され、多数枚のウェーハ５を載置した基板支持具４
が搬入出される。５Ａ，５Ｂはそれぞれ基板支持具４の
最上流位置及び最下流位置に載置された最上流，最下流
位置のウェーハ、６はガス排気口、７は反応管３の内側
に同心状に設置された内管である。
散半導体製造装置の簡略断面図、図４は同じく従来のガ
ス供給ノズルを用いたＣＶＤ半導体製造装置の簡略断面
図である。図３，図４において１はガス供給ノズルで、
一端にガス導入口１Ａを有し、他端を閉塞したノズル管
１Ｂに、孔径が等径で孔間隔が等間隔の多数のガス供給
孔２を有している。３は反応管で、ガス供給ノズル１が
挿設され、多数枚のウェーハ５を載置した基板支持具４
が搬入出される。５Ａ，５Ｂはそれぞれ基板支持具４の
最上流位置及び最下流位置に載置された最上流，最下流
位置のウェーハ、６はガス排気口、７は反応管３の内側
に同心状に設置された内管である。
【０００３】上記のような構成の拡散・ＣＶＤ半導体製
造装置において、ガス供給ノズル１のガス導入口１Ａよ
り反応ガスを導入し、ノズル管１Ｂの多数のガス供給孔
２より反応ガスを反応管３内に放出し、基板支持具４に
載置された多数枚のウェーハ５を加工処理する。余分な
反応ガスは反応管３内より或いは反応管３と内管７間を
通ってガス排気口６より排気される。この加工処理にお
いては１回のバッチ処理で、反応管３内のウェーハ５は
全て均一に加工処理されることが必要である。ウェーハ
５の加工処理の度合いは、拡散の場合、ＣＶＤフラット
ポリシリコン膜、反応管３内全ゾーン同一温度制御の場
合、共にウェーハ近傍の雰囲気中の反応ガス濃度に左右
され、一般に反応ガス濃度が高い程、拡散・膜堆積処理
の進行は早くなる。
造装置において、ガス供給ノズル１のガス導入口１Ａよ
り反応ガスを導入し、ノズル管１Ｂの多数のガス供給孔
２より反応ガスを反応管３内に放出し、基板支持具４に
載置された多数枚のウェーハ５を加工処理する。余分な
反応ガスは反応管３内より或いは反応管３と内管７間を
通ってガス排気口６より排気される。この加工処理にお
いては１回のバッチ処理で、反応管３内のウェーハ５は
全て均一に加工処理されることが必要である。ウェーハ
５の加工処理の度合いは、拡散の場合、ＣＶＤフラット
ポリシリコン膜、反応管３内全ゾーン同一温度制御の場
合、共にウェーハ近傍の雰囲気中の反応ガス濃度に左右
され、一般に反応ガス濃度が高い程、拡散・膜堆積処理
の進行は早くなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のガス供給ノズル
は、ガス供給孔２の孔径が等径で孔間隔が等間隔である
ため、この供給ノズルを用いた半導体製造装置におい
て、ガス導入口１Ａ側におけるウェーハは、反応ガスの
流量が多くなり、雰囲気も短時間で高濃度となるため、
加工処理の進行が早く、ガス導入口１Ａから離れるに従
ってガス供給孔２から流出される反応ガスの流量が少な
くなるため、ウェーハ加工処理の進行が遅くなり、最上
流位置のウェーハ５Ａと最下流位置のウェーハ５Ｂの間
で、均一なウェーハ加工処理ができないという課題があ
った。
は、ガス供給孔２の孔径が等径で孔間隔が等間隔である
ため、この供給ノズルを用いた半導体製造装置におい
て、ガス導入口１Ａ側におけるウェーハは、反応ガスの
流量が多くなり、雰囲気も短時間で高濃度となるため、
加工処理の進行が早く、ガス導入口１Ａから離れるに従
ってガス供給孔２から流出される反応ガスの流量が少な
くなるため、ウェーハ加工処理の進行が遅くなり、最上
流位置のウェーハ５Ａと最下流位置のウェーハ５Ｂの間
で、均一なウェーハ加工処理ができないという課題があ
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のガス供給ノズル
は、上記の課題を解決するため、一端にガス導入口１Ａ
を有し、他端を閉塞したノズル管１Ｂに設けられる多数
のガス供給孔２を，一端のガス導入口１Ａ側より他端に
行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス供給孔又は孔
間隔が狭くなるガス供給孔とすることを特徴とする。本
発明の半導体製造装置は、同じ課題を解決するため、上
記ガス供給ノズル１を用い、該ガス供給ノズル１の各ガ
ス供給孔２より放出する反応ガスにより半導体基板５を
加工処理することを特徴とする。
は、上記の課題を解決するため、一端にガス導入口１Ａ
を有し、他端を閉塞したノズル管１Ｂに設けられる多数
のガス供給孔２を，一端のガス導入口１Ａ側より他端に
行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス供給孔又は孔
間隔が狭くなるガス供給孔とすることを特徴とする。本
発明の半導体製造装置は、同じ課題を解決するため、上
記ガス供給ノズル１を用い、該ガス供給ノズル１の各ガ
ス供給孔２より放出する反応ガスにより半導体基板５を
加工処理することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明は上記のような構成であるから、ガス導
入口１Ａより導入された反応ガスはノズル管１Ｂの各ガ
ス供給孔２より放出されて多数枚の半導体基板５の加工
処理に供されるが、ガス導入口１Ａ側のガス供給孔２よ
り放出されるガス流量は少なくなり、閉塞他端に行くに
従ってガス供給孔２より放出されるガス流量は多くなる
ため、最上流位置の半導体基板５Ａと最下流位置の半導
体基板５Ｂ間で、単位長さ当り一定流量の反応ガスを放
出することになり、均一なガス濃度の雰囲気となって全
ての半導体基板５を均一に加工処理することができるこ
とになる。
入口１Ａより導入された反応ガスはノズル管１Ｂの各ガ
ス供給孔２より放出されて多数枚の半導体基板５の加工
処理に供されるが、ガス導入口１Ａ側のガス供給孔２よ
り放出されるガス流量は少なくなり、閉塞他端に行くに
従ってガス供給孔２より放出されるガス流量は多くなる
ため、最上流位置の半導体基板５Ａと最下流位置の半導
体基板５Ｂ間で、単位長さ当り一定流量の反応ガスを放
出することになり、均一なガス濃度の雰囲気となって全
ての半導体基板５を均一に加工処理することができるこ
とになる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明のガス供給ノズルの第１実施例
の構成を示す説明図である。この第１実施例は、一端に
ガス導入口１Ａを有し、他端を閉塞したノズル管１Ｂ
に、一端のガス導入口１Ａ側より他端に行くに従って徐
々に孔径が大きくなる多数のガス供給孔２を設けてな
る。図２は第２実施例の構成を示す説明図である。この
第２実施例は、一端にガス導入口１Ａを有し、他端を閉
塞したノズル管１Ｂに、一端のガス導入口１Ａ側より他
端に行くに従って徐々に孔間隔が狭くなる多数のガス供
給孔２を設けてなる。
の構成を示す説明図である。この第１実施例は、一端に
ガス導入口１Ａを有し、他端を閉塞したノズル管１Ｂ
に、一端のガス導入口１Ａ側より他端に行くに従って徐
々に孔径が大きくなる多数のガス供給孔２を設けてな
る。図２は第２実施例の構成を示す説明図である。この
第２実施例は、一端にガス導入口１Ａを有し、他端を閉
塞したノズル管１Ｂに、一端のガス導入口１Ａ側より他
端に行くに従って徐々に孔間隔が狭くなる多数のガス供
給孔２を設けてなる。
【０００８】上記構成の第１実施例，第２実施例による
ガス供給ノズル及びこれらのガス供給ノズルを、図３に
示す拡散半導体製造装置及び図４に示すＣＶＤ半導体製
造装置に適用した場合の作用を説明する。ガス導入口１
Ａより導入された反応ガスはノズル管１Ｂの各ガス供給
孔２より放出されて多数枚の半導体基板５の加工処理に
供されるが、ガス導入口１Ａ側のガス供給孔２より放出
されるガス流量は、第１実施例の場合、ガス供給孔２の
孔径が小さいため、又、第２実施例の場合、孔間隔が長
いため少なくなり、閉塞他端に行くに従ってガス供給孔
２の孔径が大きくなるため、又は孔間隔が狭くなるため
ガス供給孔２より放出されるガス流量は徐々に多くなる
ため、最上流位置のウェーハ５Ａと最下流位置のウェー
ハ５Ｂ間で、単位長さ当り一定流量の反応ガスを放出す
ることになり、均一なガス濃度の雰囲気となって全ての
ウェーハ５を均一に加工処理することができることにな
る。
ガス供給ノズル及びこれらのガス供給ノズルを、図３に
示す拡散半導体製造装置及び図４に示すＣＶＤ半導体製
造装置に適用した場合の作用を説明する。ガス導入口１
Ａより導入された反応ガスはノズル管１Ｂの各ガス供給
孔２より放出されて多数枚の半導体基板５の加工処理に
供されるが、ガス導入口１Ａ側のガス供給孔２より放出
されるガス流量は、第１実施例の場合、ガス供給孔２の
孔径が小さいため、又、第２実施例の場合、孔間隔が長
いため少なくなり、閉塞他端に行くに従ってガス供給孔
２の孔径が大きくなるため、又は孔間隔が狭くなるため
ガス供給孔２より放出されるガス流量は徐々に多くなる
ため、最上流位置のウェーハ５Ａと最下流位置のウェー
ハ５Ｂ間で、単位長さ当り一定流量の反応ガスを放出す
ることになり、均一なガス濃度の雰囲気となって全ての
ウェーハ５を均一に加工処理することができることにな
る。
【０００９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、一端にガ
ス導入口１Ａを有し、他端を閉塞したノズル管１Ｂに設
けられる多数のガス供給孔２を，一端のガス導入口１Ａ
側より他端に行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス
供給孔又は孔間隔が狭くなるガス供給孔とすることによ
り半導体製造装置において全ての半導体基板を均一に加
工処理することができる。
ス導入口１Ａを有し、他端を閉塞したノズル管１Ｂに設
けられる多数のガス供給孔２を，一端のガス導入口１Ａ
側より他端に行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス
供給孔又は孔間隔が狭くなるガス供給孔とすることによ
り半導体製造装置において全ての半導体基板を均一に加
工処理することができる。
【図１】本発明のガス供給ノズルの第１実施例の構成を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】第２実施例の構成を示す説明図である。
【図３】従来のガス供給ノズルを用いた拡散半導体製造
装置の簡略断面図である。
装置の簡略断面図である。
【図４】同じく従来のガス供給ノズルを用いたＣＶＤ半
導体製造装置の簡略断面図である。
導体製造装置の簡略断面図である。
１ ガス供給ノズル １Ａ ガス導入口 １Ｂ ノズル管 ２ ガス供給孔 ５ 半導体基板（ウェーハ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 二階堂 和巳 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内 (72)発明者 久島 義一 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 一端にガス導入口（１Ａ）を有し、他端
を閉塞したノズル管（１Ｂ）に、多数のガス供給孔
（２）を有する半導体製造装置用ガスノズルにおいて、
多数のガス供給孔（２）を，一端のガス導入口（１Ａ）
側より他端へ行くに従って徐々に孔径が大きくなるガス
供給孔とすることを特徴とする半導体製造装置用ガス供
給ノズル。 - 【請求項２】 一端にガス導入口（１Ａ）を有し、他端
を閉塞したノズル管（１Ｂ）に、多数のガス供給孔
（２）を有する半導体製造装置用ガスノズルにおいて、
多数のガス供給孔（２）を，一端のガス導入口（１Ａ）
側より他端へ行くに従って徐々に孔間隔が狭くなるガス
供給孔とすることを特徴とする半導体製造装置用ガス供
給ノズル。 - 【請求項３】 一端のガス導入口（１Ａ）側より他端へ
行くに従って徐々に孔径が大きくなる多数のガス供給孔
（２）又は孔間隔が狭くなる多数のガス供給孔（２）を
有するガス供給ノズル（１）を用い、該ガス供給ノズル
（１）の各ガス供給孔（２）より放出する反応ガスによ
り半導体基板（５）を加工処理することを特徴とする半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5133277A JPH06349761A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5133277A JPH06349761A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349761A true JPH06349761A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15100880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5133277A Pending JPH06349761A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | 半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349761A (ja) |
Cited By (18)
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-
1993
- 1993-06-03 JP JP5133277A patent/JPH06349761A/ja active Pending
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