JPH03237715A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH03237715A JPH03237715A JP3436690A JP3436690A JPH03237715A JP H03237715 A JPH03237715 A JP H03237715A JP 3436690 A JP3436690 A JP 3436690A JP 3436690 A JP3436690 A JP 3436690A JP H03237715 A JPH03237715 A JP H03237715A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、パターン形成
を行うエツチング方法に関し。
を行うエツチング方法に関し。
カーボンなどの電極物質による汚染を防止することを目
的とし。
的とし。
半導体基板上の被エツチング膜をドライエツチングする
際に、あらかじめ、ドライエツチング装置のカーボン電
極表面に、シリコン、或いはシリコン化合物からなる電
極カバー膜を被覆するように構成する。
際に、あらかじめ、ドライエツチング装置のカーボン電
極表面に、シリコン、或いはシリコン化合物からなる電
極カバー膜を被覆するように構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、パターン形成
を行うエツチング方法に関する。
を行うエツチング方法に関する。
特に電極の材料からの汚染を防止するものである。
従来、半導体基板上等の被エツチング膜をドライエツチ
ングする反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）装置におい
ては、プラズマの異常放電を防止するためにカーボン電
極が使用されていた。
ングする反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）装置におい
ては、プラズマの異常放電を防止するためにカーボン電
極が使用されていた。
ところが、このカーボン電極は、エツチング工程時にウ
ェハーなどの半導体基板に付着し９種々の悪影響を及ぼ
すことが知られてきた。
ェハーなどの半導体基板に付着し９種々の悪影響を及ぼ
すことが知られてきた。
特に、そのため、半導体装置において、コンタクト抵抗
の増大が顕著となる問題があった。
の増大が顕著となる問題があった。
従って、前述のように、カーボン電極を使用するＲＩＢ
装置では、エッチング工程時、半導体基板に対するカー
ボン電極からの汚染を防止することが必要となってくる
。
装置では、エッチング工程時、半導体基板に対するカー
ボン電極からの汚染を防止することが必要となってくる
。
本発明は１以上の点を鑑み、カーボンなどの電極の物質
による汚染を防止することを目的として提供されるもの
である。
による汚染を防止することを目的として提供されるもの
である。
第１図は本発明の原理説明図である。
図において、ｌは反応チャンバ、２は上部カーボン電極
、３は下部カーボン電極、４は電極カバー膜、５は半導
体基板、６は高周波電源、７はガス導入口、８は排気口
である。
、３は下部カーボン電極、４は電極カバー膜、５は半導
体基板、６は高周波電源、７はガス導入口、８は排気口
である。
このため、上記の問題点は、あらかじめカーボン電極に
被エツチング材と異なる材料をコーティングし、しかも
その被エツチング材と異なる材料のエツチングレートが
小さいものを選択しておけば、カーボン電極からの汚染
を防止することができる。
被エツチング材と異なる材料をコーティングし、しかも
その被エツチング材と異なる材料のエツチングレートが
小さいものを選択しておけば、カーボン電極からの汚染
を防止することができる。
そして、さらにコーティング材料をコンタクト抵抗など
に影響を与えないものを選べばよい。
に影響を与えないものを選べばよい。
その際に、コーティングは同一チャンバーにプラズ７
ＣＶＤが可能なシラン（Ｓｉｇｎ）、 ＳｉＨ，十亜酸
化窒素（ＮｚＯ）、 ＳｉＨ４＋アンモニア（ＮＨ，）
等のガスを導入して９弱い出力でプラズマＣＶＤを行う
。
ＣＶＤが可能なシラン（Ｓｉｇｎ）、 ＳｉＨ，十亜酸
化窒素（ＮｚＯ）、 ＳｉＨ４＋アンモニア（ＮＨ，）
等のガスを導入して９弱い出力でプラズマＣＶＤを行う
。
何回か半導体基板上の被エツチング材のエツチング工程
を経たあと、カーボン電極上のカバー膜が消耗したら、
再び、前記カバー膜をプラズマＣＶＤ法によりカーボン
電極上にコーティングすれば良い。
を経たあと、カーボン電極上のカバー膜が消耗したら、
再び、前記カバー膜をプラズマＣＶＤ法によりカーボン
電極上にコーティングすれば良い。
本発明では、シリコン或いはシリコン化合物等のカバー
膜をカーボン電極上全面に被覆したため。
膜をカーボン電極上全面に被覆したため。
電極からのカーボンの発生がなく、半導体基板に対する
電極材料からの汚染防止、コンタクト抵抗の増大等のト
ラブルを防止できる。
電極材料からの汚染防止、コンタクト抵抗の増大等のト
ラブルを防止できる。
第１図は本発明の原理説明図兼一実施例の説明図である
。
。
一実施例として、 ５ｉｆｔ膜のエツチングに適用した
例を説明する。
例を説明する。
エツチング用反応ガスとして、四弗化炭素（ＣＦ、）十
三弗化メタン（ＣＨＦ、）の混合ガスをガス導入口より
上部カーボン電極２の拡散板を通じて。
三弗化メタン（ＣＨＦ、）の混合ガスをガス導入口より
上部カーボン電極２の拡散板を通じて。
反応チャンバｌ内に導入し９反応ガスの圧力０．８〜１
．２ Ｔｏｒｒ、高周波電源６により９周波数１３．５
６ＭＨｚ、 高周波出力８００Ｗ程度で半導体基板５
上のＳｉｎ、膜のエツチングを行う。
．２ Ｔｏｒｒ、高周波電源６により９周波数１３．５
６ＭＨｚ、 高周波出力８００Ｗ程度で半導体基板５
上のＳｉｎ、膜のエツチングを行う。
エツチングの際、上下２枚の平行平板電極に。
異常放電防止のためにカーボン電極２，３を使用する場
合には、半導体基板５上の５ｉｆｔ膜のエツチングの開
始に先立ち、ガス導入ロアよりシラン（ＳｉＨ４）ガス
を反応チャンバ１内に導入し、高周波電源６を用いて１
周波数１３．５６ ＭＨｚ、高周波出力４０Ｗ９反応ガ
ス圧力０．５〜１． ＯＴｏｒｒで、カーボン電極２，
３上にアモルファスＳｔを０．５〜１μｍの厚さに被覆
する。
合には、半導体基板５上の５ｉｆｔ膜のエツチングの開
始に先立ち、ガス導入ロアよりシラン（ＳｉＨ４）ガス
を反応チャンバ１内に導入し、高周波電源６を用いて１
周波数１３．５６ ＭＨｚ、高周波出力４０Ｗ９反応ガ
ス圧力０．５〜１． ＯＴｏｒｒで、カーボン電極２，
３上にアモルファスＳｔを０．５〜１μｍの厚さに被覆
する。
前記ＳｉＯ□膜のエツチングの際、シリコン（Ｓｉ）と
５ｉＯｚ膜のエツチングの選択比はｌＯ〜１８程度であ
る。
５ｉＯｚ膜のエツチングの選択比はｌＯ〜１８程度であ
る。
このため、 ５ｉＯｚ膜のエツチングに際しては、カー
ボン電極上のＳｉはその１／ｌｏ〜ｌ／１８程度しか消
耗しないことになり、カーボン電極がプラズマに曝され
、半導体基板が汚染されるのを防止することができる。
ボン電極上のＳｉはその１／ｌｏ〜ｌ／１８程度しか消
耗しないことになり、カーボン電極がプラズマに曝され
、半導体基板が汚染されるのを防止することができる。
以上説明したように９本発明によれば、電極窓などのエ
ツチング時に窓内に電極材料であるカーボンの付着を防
止でき、コンタクト抵抗の増大を抑えることができ、超
ＬＳＩの特性を向上させることができる。
ツチング時に窓内に電極材料であるカーボンの付着を防
止でき、コンタクト抵抗の増大を抑えることができ、超
ＬＳＩの特性を向上させることができる。
また、電極を空気中に取り出してコーティングする必要
がないので９時間的にも節約でき、非常に有効な方法で
ある。
がないので９時間的にも節約でき、非常に有効な方法で
ある。
第１図は本発明の原理説明図
である。
図こおいて。
ｌは←ゆ反応チャンバ。
２ま上部カーボン電極。
３は下部カーボン電極。
４は電極カバー膜。
６は高周波電源。
８は排気口
である。
５は半導体基板。
７はガス導入口。
７ガス導入口
本発明のＲ，狸説明図
第 Ｉ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上の被エッチング膜をドライエッチングする
際に、 あらかじめ、ドライエッチング装置のカーボン電極表面
に、シリコン、或いはシリコン化合物からなる電極カバ
ー膜を被覆することを特徴とするエッチング方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3436690A JPH03237715A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3436690A JPH03237715A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03237715A true JPH03237715A (ja) | 1991-10-23 |
Family
ID=12412171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3436690A Pending JPH03237715A (ja) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03237715A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06101073A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-12 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
| US5766494A (en) * | 1994-08-29 | 1998-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching method and apparatus |
| US6055719A (en) * | 1996-04-26 | 2000-05-02 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing an electrostatic deflector |
| JP2007053232A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
| JP2007053231A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
| JP2015109479A (ja) * | 2015-03-02 | 2015-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置及びリング部材 |
| US9441292B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-09-13 | Tokyo Electron Limited | Etching method, etching apparatus, and ring member |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP3436690A patent/JPH03237715A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06101073A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-12 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
| US5766494A (en) * | 1994-08-29 | 1998-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching method and apparatus |
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| KR100250801B1 (ko) * | 1996-04-26 | 2000-06-01 | 아끼구사 나오유끼 | 하전 입자 빔 노광 장치와 그 노광 방법 및 그 제조 방법 |
| JP2007053232A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
| JP2007053231A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
| JP4517363B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2010-08-04 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
| JP4517364B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2010-08-04 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマエッチング用シリコン電極板 |
| US9441292B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-09-13 | Tokyo Electron Limited | Etching method, etching apparatus, and ring member |
| JP2015109479A (ja) * | 2015-03-02 | 2015-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置及びリング部材 |
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