JPH0855838A - 微細加工装置のクリーニング方法 - Google Patents
微細加工装置のクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH0855838A JPH0855838A JP21071494A JP21071494A JPH0855838A JP H0855838 A JPH0855838 A JP H0855838A JP 21071494 A JP21071494 A JP 21071494A JP 21071494 A JP21071494 A JP 21071494A JP H0855838 A JPH0855838 A JP H0855838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- halogen
- process chamber
- cleaning
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハロゲンを含むガスを使用して基体に微細加
工を施す装置のクリーニングに際し、ハロゲンを残留さ
せないようなクリーニング方法を提供する。 【構成】 本発明は、ハロゲンを含むガスを使用して基
体に微細加工を施す装置のクリーニング方法である。本
発明方法を実施するには、ハロゲンを含むガスを使用し
た微細加工作業の終了後、クリーニングガスとして酸素
ガス及びハロゲンガスに加えて水素ガス又は水素を構成
元素の一とする化合物のガスをプロセスチャンバに導入
し、プラズマを生成させつつプロセスチャンバ壁上の堆
積物と反応させ、更に吸引して外部に排出する工程を所
定時間実施する。本発明によれば、従来の方法では除去
できずに残留するハロゲンを水素と化合させることによ
り、確実に除去できる。
工を施す装置のクリーニングに際し、ハロゲンを残留さ
せないようなクリーニング方法を提供する。 【構成】 本発明は、ハロゲンを含むガスを使用して基
体に微細加工を施す装置のクリーニング方法である。本
発明方法を実施するには、ハロゲンを含むガスを使用し
た微細加工作業の終了後、クリーニングガスとして酸素
ガス及びハロゲンガスに加えて水素ガス又は水素を構成
元素の一とする化合物のガスをプロセスチャンバに導入
し、プラズマを生成させつつプロセスチャンバ壁上の堆
積物と反応させ、更に吸引して外部に排出する工程を所
定時間実施する。本発明によれば、従来の方法では除去
できずに残留するハロゲンを水素と化合させることによ
り、確実に除去できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハロゲンを含むガスを
使用して基体に微細加工を施す装置のクリーニング方法
に関し、特に半導体ウェハの面にエッチングを施すドラ
イエッチング装置のクリーニングに好適なクリーニング
方法に関するものである。
使用して基体に微細加工を施す装置のクリーニング方法
に関し、特に半導体ウェハの面にエッチングを施すドラ
イエッチング装置のクリーニングに好適なクリーニング
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】微細加工装置として、ＥＣＲプラズマエ
ッチング装置を例にして従来のクリーニング方法を説明
する。ＥＣＲプラズマエッチング装置は、基体上に形成
された酸化膜、窒化膜、配線層等の膜をCF4 、CHF3、Cl
2 、BCl3、SF6 等のハロゲンを含むエッチングガスによ
りエッチングする装置であって、図１に示すような要部
の構成になっている。ＥＣＲプラズマエッチング装置
は、基本的には、図１に示すように内部にウェハＷを載
置するサセプタ１０を有すると共にプラズマ領域Ｐにプ
ラズマを生成させるプロセスチャンバ１２と、磁界を与
えるソレノイド１４と、ＲＦ電源１６とを備えている。
マイクロ波は、導入口１８より導入され、エッチングガ
スは供給口２０より供給され、余剰ガスは吸引口２２よ
り吸引される。チャンバ冷却用の水は入口２４より流入
して出口２６より流出する。サセプタ１０は上下に昇降
するようになっており、プロセスチャンバ１２は、吸引
口２２により吸引されて所定の圧力に維持されている。
ッチング装置を例にして従来のクリーニング方法を説明
する。ＥＣＲプラズマエッチング装置は、基体上に形成
された酸化膜、窒化膜、配線層等の膜をCF4 、CHF3、Cl
2 、BCl3、SF6 等のハロゲンを含むエッチングガスによ
りエッチングする装置であって、図１に示すような要部
の構成になっている。ＥＣＲプラズマエッチング装置
は、基本的には、図１に示すように内部にウェハＷを載
置するサセプタ１０を有すると共にプラズマ領域Ｐにプ
ラズマを生成させるプロセスチャンバ１２と、磁界を与
えるソレノイド１４と、ＲＦ電源１６とを備えている。
マイクロ波は、導入口１８より導入され、エッチングガ
スは供給口２０より供給され、余剰ガスは吸引口２２よ
り吸引される。チャンバ冷却用の水は入口２４より流入
して出口２６より流出する。サセプタ１０は上下に昇降
するようになっており、プロセスチャンバ１２は、吸引
口２２により吸引されて所定の圧力に維持されている。
【０００３】上述の装置を使用し、CF4 によってシリコ
ン酸化膜（SiO2) 上に形成されたポリシリコン膜(Si)を
エッチングする際にプロセスチャンバ１２内で生じる現
象を説明する。図２に示すように、ポリシリコン膜を形
成するシリコンＳi は、エッチングガス中のフッ素Ｆと
化合して、揮発性ガス SiFX 、例えばSiF4となってポリ
シリコン膜から離脱する。また、レジスト膜を構成して
いる水素（図中、Ｈ"で表示）及び炭素（図中、Ｃ" で
表示）は、エッチングガスと化合して、又は単体炭素と
してレジスト膜から離脱する。同様に、上述の装置を使
用し、Cl2 によって基体上に形成されたアルミニウム
（Al−Si) 配線層をエッチングする際にプロセスチャン
バ１２内で生じる現象を説明する。図３に示すように、
アルミニウム配線層を形成するアルミニウムAlは、エッ
チングガス中の塩素Clと化合して、揮発性ガスAlClX 、
例えば（AlCl3)となってアルミニウム配線層から離脱す
る。また、ジレスト膜を構成している水素（図中、Ｈ"
で表示）及び炭素（図中、Ｃ" で表示）は、エッチング
ガスと化合して、または単体炭素としてレジスト膜から
離脱する。
ン酸化膜（SiO2) 上に形成されたポリシリコン膜(Si)を
エッチングする際にプロセスチャンバ１２内で生じる現
象を説明する。図２に示すように、ポリシリコン膜を形
成するシリコンＳi は、エッチングガス中のフッ素Ｆと
化合して、揮発性ガス SiFX 、例えばSiF4となってポリ
シリコン膜から離脱する。また、レジスト膜を構成して
いる水素（図中、Ｈ"で表示）及び炭素（図中、Ｃ" で
表示）は、エッチングガスと化合して、又は単体炭素と
してレジスト膜から離脱する。同様に、上述の装置を使
用し、Cl2 によって基体上に形成されたアルミニウム
（Al−Si) 配線層をエッチングする際にプロセスチャン
バ１２内で生じる現象を説明する。図３に示すように、
アルミニウム配線層を形成するアルミニウムAlは、エッ
チングガス中の塩素Clと化合して、揮発性ガスAlClX 、
例えば（AlCl3)となってアルミニウム配線層から離脱す
る。また、ジレスト膜を構成している水素（図中、Ｈ"
で表示）及び炭素（図中、Ｃ" で表示）は、エッチング
ガスと化合して、または単体炭素としてレジスト膜から
離脱する。
【０００４】図２及び図３において、離脱した物質の大
部分は、吸入口２２より吸引されて系外に排出される
が、一部はプロセスチャンバ１２の壁に付着する。ま
た、エッチングガス中のイオン及びラジカルが、プラズ
マ領域内で再結合してプロセスチャンバ１２の壁に付着
することもある。
部分は、吸入口２２より吸引されて系外に排出される
が、一部はプロセスチャンバ１２の壁に付着する。ま
た、エッチングガス中のイオン及びラジカルが、プラズ
マ領域内で再結合してプロセスチャンバ１２の壁に付着
することもある。
【０００５】プロセスチャンバ１２の壁に付着した物質
は、レジスト膜から放出された水素及び炭素等と化合し
てハロゲン元素を含むポリマーとして成長し、終には剥
離してプロセスチャンバ１２内のウェハ上にパーティク
ルとなって落下し、エッチング特性に影響を与え、或い
は後続の工程の支障となる。そこで、従来は、エッチン
グ終了後、酸素ガス（O2) 及びハロゲン（例えば、Cl
2 ）の混合ガスをプロセスチャンバに流し、プラズマを
生成しつつプロセスチャンバ１２の壁上の堆積物と混合
ガスとを反応させて、クリーニングを施している。
は、レジスト膜から放出された水素及び炭素等と化合し
てハロゲン元素を含むポリマーとして成長し、終には剥
離してプロセスチャンバ１２内のウェハ上にパーティク
ルとなって落下し、エッチング特性に影響を与え、或い
は後続の工程の支障となる。そこで、従来は、エッチン
グ終了後、酸素ガス（O2) 及びハロゲン（例えば、Cl
2 ）の混合ガスをプロセスチャンバに流し、プラズマを
生成しつつプロセスチャンバ１２の壁上の堆積物と混合
ガスとを反応させて、クリーニングを施している。
【０００６】その結果、上述の図２のエッチング作業の
際に生成した堆積物の場合、その堆積物を構成するSi、
Ｃ及びＨは、以下の反応によって除去され、クリーニン
グガスと共に系外に排出される。しかし、ＦはClと置換
して除去されるが、代わってClが残留し、結果的にハロ
ゲンは、除去されずに残留することになる。 Si＋Cl2 → SiCl2↑ Ｃ＋O2 → CO2 ↑ 2H2 ＋O2→ 2H2O ↑ また、上述の図３のエッチング作業の際に生成した堆積
物の場合、その堆積物を構成するAl、Ｃ及びＨは、以下
の反応によって除去され、クリーニングガスと共に外部
に排出される。しかし、Clは除去されることなく残留す
る。 2Al ＋3Cl2→ 2AlCl3 ↑ Ｃ＋O2 → CO2 ↑ 2H2 ＋O2→ 2H2O ↑
際に生成した堆積物の場合、その堆積物を構成するSi、
Ｃ及びＨは、以下の反応によって除去され、クリーニン
グガスと共に系外に排出される。しかし、ＦはClと置換
して除去されるが、代わってClが残留し、結果的にハロ
ゲンは、除去されずに残留することになる。 Si＋Cl2 → SiCl2↑ Ｃ＋O2 → CO2 ↑ 2H2 ＋O2→ 2H2O ↑ また、上述の図３のエッチング作業の際に生成した堆積
物の場合、その堆積物を構成するAl、Ｃ及びＨは、以下
の反応によって除去され、クリーニングガスと共に外部
に排出される。しかし、Clは除去されることなく残留す
る。 2Al ＋3Cl2→ 2AlCl3 ↑ Ｃ＋O2 → CO2 ↑ 2H2 ＋O2→ 2H2O ↑
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来のクリーニング方法では、ハロゲンを除去すること
が極めて困難で大部分が残留することになる。そのた
め、次のような問題があった。まず、第１は、プロセス
チャンバを開放した時に残留ハロゲンがエッチング装置
外に流出すると言う安全上の問題である。第２は、ハロ
ゲン化合物がプロセスチャンバの壁に付着、残留するた
めに、壁が腐食され、装置の寿命が短くなると言う問題
である。第３は、付着したハロゲン化合物が成長して剥
離し、プロセスチャンバ内のウェハ上に落下するため
に、エッチング特性が変動し、均一なエッチングを行う
ことが妨げられると言う問題である。第４は、ハロゲン
元素でハロゲン元素を置換する反応、例えばフッ素を塩
素で置換する反応が起こるために、クリーニングに要す
る時間が長くなる（通常、３〜５時間）ので、装置の生
産性がそれだけ低下すると言う問題である。
従来のクリーニング方法では、ハロゲンを除去すること
が極めて困難で大部分が残留することになる。そのた
め、次のような問題があった。まず、第１は、プロセス
チャンバを開放した時に残留ハロゲンがエッチング装置
外に流出すると言う安全上の問題である。第２は、ハロ
ゲン化合物がプロセスチャンバの壁に付着、残留するた
めに、壁が腐食され、装置の寿命が短くなると言う問題
である。第３は、付着したハロゲン化合物が成長して剥
離し、プロセスチャンバ内のウェハ上に落下するため
に、エッチング特性が変動し、均一なエッチングを行う
ことが妨げられると言う問題である。第４は、ハロゲン
元素でハロゲン元素を置換する反応、例えばフッ素を塩
素で置換する反応が起こるために、クリーニングに要す
る時間が長くなる（通常、３〜５時間）ので、装置の生
産性がそれだけ低下すると言う問題である。
【０００８】そこで、本発明は、ハロゲンを含むガスを
使用して基体に微細加工を施す装置のクリーニングに際
し、ハロゲンを残留させないようなクリーニング方法を
提供することである。
使用して基体に微細加工を施す装置のクリーニングに際
し、ハロゲンを残留させないようなクリーニング方法を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るクリーニング方法は、ハロゲンを含む
ガスを使用して基体に微細加工を施す装置のクリーニン
グ方法であって、ハロゲンを含むガスを使用した微細加
工作業の終了後、クリーニングガスとして酸素ガス及び
ハロゲンガスに加えて水素ガス又は水素を構成元素の一
とする化合物のガスをプロセスチャンバに導入し、プラ
ズマを生成させつつプロセスチャンバ壁上の堆積物と反
応させ、更に吸引して外部に排出する工程を所定時間実
施するようにしたことを特徴としている。
に、本発明に係るクリーニング方法は、ハロゲンを含む
ガスを使用して基体に微細加工を施す装置のクリーニン
グ方法であって、ハロゲンを含むガスを使用した微細加
工作業の終了後、クリーニングガスとして酸素ガス及び
ハロゲンガスに加えて水素ガス又は水素を構成元素の一
とする化合物のガスをプロセスチャンバに導入し、プラ
ズマを生成させつつプロセスチャンバ壁上の堆積物と反
応させ、更に吸引して外部に排出する工程を所定時間実
施するようにしたことを特徴としている。
【００１０】本発明で使用する水素を構成元素の一とす
る化合物は、水素を構成元素の一としガス状になり得る
ものである限り特に制約は無いが、水素含量が２０〜３
０％になるガス、例えばCH4 、CH3OH 等が好ましい。ハ
ロゲンガスは、ハロゲン元素を構成元素の一とする化合
物、例えばCF4 、CHF3、BCl3、SF6 のガスでも、またハ
ロゲン単体でも良い。水素ガス又は水素を構成元素の一
とする化合物のガス（以下、水素含有ガスと総称する）
は、酸素ガス及びハロゲンガスと混合した状態でプロセ
スチャンバに導入しても、また別系統で別々に導入して
も良く、更にはクリーニングの初期、中期には先ず酸素
ガス及びハロゲンガスを流し、終わりになって水素含有
ガスを流すようにしても良い。また、本発明では、酸素
ガス、ハロゲンガス及び水素を含むガスに加えて、更に
必要に応じ不活性ガスを混合しても良い。尚、ガスの導
入及び排出は、微細加工作業と同じ経路を経て行われ
る。本発明において、クリーニングガスを流すべき時間
は、プロセスチャンバ壁上の堆積物の種類及び堆積量に
より異なり、実験及び実績により定められる因子であ
る。
る化合物は、水素を構成元素の一としガス状になり得る
ものである限り特に制約は無いが、水素含量が２０〜３
０％になるガス、例えばCH4 、CH3OH 等が好ましい。ハ
ロゲンガスは、ハロゲン元素を構成元素の一とする化合
物、例えばCF4 、CHF3、BCl3、SF6 のガスでも、またハ
ロゲン単体でも良い。水素ガス又は水素を構成元素の一
とする化合物のガス（以下、水素含有ガスと総称する）
は、酸素ガス及びハロゲンガスと混合した状態でプロセ
スチャンバに導入しても、また別系統で別々に導入して
も良く、更にはクリーニングの初期、中期には先ず酸素
ガス及びハロゲンガスを流し、終わりになって水素含有
ガスを流すようにしても良い。また、本発明では、酸素
ガス、ハロゲンガス及び水素を含むガスに加えて、更に
必要に応じ不活性ガスを混合しても良い。尚、ガスの導
入及び排出は、微細加工作業と同じ経路を経て行われ
る。本発明において、クリーニングガスを流すべき時間
は、プロセスチャンバ壁上の堆積物の種類及び堆積量に
より異なり、実験及び実績により定められる因子であ
る。
【００１１】本発明は、ハロゲンを含むガスを使用して
基体に微細加工を施す装置に制約なく適用でき、特に半
導体装置の製造装置、例えば各種のドライエッチング装
置、ターゲットとしてハロゲン化合物を含む材料を使用
するスパッタリング装置、WF6 を用いて基体上にタング
ステン・ブランケット膜を形成する際のＣＶＤ装置等の
クリーニング方法として好適である。
基体に微細加工を施す装置に制約なく適用でき、特に半
導体装置の製造装置、例えば各種のドライエッチング装
置、ターゲットとしてハロゲン化合物を含む材料を使用
するスパッタリング装置、WF6 を用いて基体上にタング
ステン・ブランケット膜を形成する際のＣＶＤ装置等の
クリーニング方法として好適である。
【００１２】
【作用】本発明では、プラズマを生成させつつクリーニ
ングガスとして酸素ガス及びハロゲンガス（例えば、Cl
2 ガス）に加えて水素含有ガスを所定時間プロセスチャ
ンバに流すようにしたことにより、例えばポリシリコン
膜をエッチング中にプロセスチャンバ壁に形成された堆
積物は、その構成元素が次の式に示すようにクリーニン
グガスと反応することによって、分解され、クリーニン
グガスと共に系外に排出される。 Si＋Cl2 → SiCl2↑ Ｃ＋O2 → CO2 ↑ 2H2 ＋O2→ 2H2O ↑ Cl2 ＋H2→ 2HCl ↑ 以上のように、堆積物中のハロゲンは、水素ガス又は水
素を構成元素の一とする化合物のガス中の水素によりHC
l 、HF、HBr 等の化合物となって除去されるので、従来
の方法では除去困難であったハロゲンが確実に除去され
る。
ングガスとして酸素ガス及びハロゲンガス（例えば、Cl
2 ガス）に加えて水素含有ガスを所定時間プロセスチャ
ンバに流すようにしたことにより、例えばポリシリコン
膜をエッチング中にプロセスチャンバ壁に形成された堆
積物は、その構成元素が次の式に示すようにクリーニン
グガスと反応することによって、分解され、クリーニン
グガスと共に系外に排出される。 Si＋Cl2 → SiCl2↑ Ｃ＋O2 → CO2 ↑ 2H2 ＋O2→ 2H2O ↑ Cl2 ＋H2→ 2HCl ↑ 以上のように、堆積物中のハロゲンは、水素ガス又は水
素を構成元素の一とする化合物のガス中の水素によりHC
l 、HF、HBr 等の化合物となって除去されるので、従来
の方法では除去困難であったハロゲンが確実に除去され
る。
【００１３】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。図１に示すＥＣＲプラズ
マエッチング装置により、図２に示すように多数の半導
体ウェハ上のポリシリコン膜を２００時間にわたって連
続的にエッチングした後、本発明に係るクリーニング方
法を実施した。１００mmTorrの圧力、常温及び２０Ｗの
高周波電源の出力の条件下で、クリーニングガスとし
て、SF6 ガス、O2ガス及びH2ガスをそれぞれ２００scc
m、１０sccm及び５０sccmの流量でプロセスチャンバに
導入し、プラズマを発生させて、プロセスチャンバ壁上
の堆積物と反応させ、更に吸引するというクリーニング
を１．５時間実施した。
本発明をより詳細に説明する。図１に示すＥＣＲプラズ
マエッチング装置により、図２に示すように多数の半導
体ウェハ上のポリシリコン膜を２００時間にわたって連
続的にエッチングした後、本発明に係るクリーニング方
法を実施した。１００mmTorrの圧力、常温及び２０Ｗの
高周波電源の出力の条件下で、クリーニングガスとし
て、SF6 ガス、O2ガス及びH2ガスをそれぞれ２００scc
m、１０sccm及び５０sccmの流量でプロセスチャンバに
導入し、プラズマを発生させて、プロセスチャンバ壁上
の堆積物と反応させ、更に吸引するというクリーニング
を１．５時間実施した。
【００１４】クリーニングした後、プロセスチャンバ内
に発生したプラズマの発光を分光分析し、更にプロセス
チャンバ内のガスを質量分析器で質量分析した結果、フ
ッ素の発生量が従来のクリーニング方法に比べて極めて
少ないことが確認できた。これは、プロセスチャンバの
壁に付着したフッ素元素の化合物が分解されてフッ素が
最早や存在しないことを意味している。また、クリーニ
ングに要した時間は、１．５時間であって、３〜５時間
を要する従来の方法に比べて短かった。
に発生したプラズマの発光を分光分析し、更にプロセス
チャンバ内のガスを質量分析器で質量分析した結果、フ
ッ素の発生量が従来のクリーニング方法に比べて極めて
少ないことが確認できた。これは、プロセスチャンバの
壁に付着したフッ素元素の化合物が分解されてフッ素が
最早や存在しないことを意味している。また、クリーニ
ングに要した時間は、１．５時間であって、３〜５時間
を要する従来の方法に比べて短かった。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、クリーニングガスとし
て酸素ガス及びハロゲンガスに加えて水素ガス又は水素
を構成元素の一とする化合物のガスをプロセスチャンバ
に導入し、プラズマを生成させつつプロセスチャンバ壁
上の堆積物と反応させることにより、ハロゲンを残留さ
せることなく、プロセスチャンバの壁面上の堆積物を分
解、クリーニングすることができる。本発明方法を使用
することにより、プロセスチャンバを開放した際にハロ
ゲンガスが装置外に流出する事故が無くなって作業の安
全性が向上する。また、プロセスチャンバの壁上のハロ
ゲンを含む堆積物を完全に除去できるので、プロセスチ
ャンバの腐食が抑制され、装置寿命が伸びる。更には、
堆積物がパーティクルとなってウェハ上に落下し、その
ためにエッチング特性が変化するようなこともなくなっ
てエッチングの均一性又は再現性が向上する。更には、
水素とハロゲンとの反応は極めて進行が早く、短時間で
ハロゲンを除去できるので、クリーニングに要する時間
が従来のクリーニング方法に比べて格段に短い。
て酸素ガス及びハロゲンガスに加えて水素ガス又は水素
を構成元素の一とする化合物のガスをプロセスチャンバ
に導入し、プラズマを生成させつつプロセスチャンバ壁
上の堆積物と反応させることにより、ハロゲンを残留さ
せることなく、プロセスチャンバの壁面上の堆積物を分
解、クリーニングすることができる。本発明方法を使用
することにより、プロセスチャンバを開放した際にハロ
ゲンガスが装置外に流出する事故が無くなって作業の安
全性が向上する。また、プロセスチャンバの壁上のハロ
ゲンを含む堆積物を完全に除去できるので、プロセスチ
ャンバの腐食が抑制され、装置寿命が伸びる。更には、
堆積物がパーティクルとなってウェハ上に落下し、その
ためにエッチング特性が変化するようなこともなくなっ
てエッチングの均一性又は再現性が向上する。更には、
水素とハロゲンとの反応は極めて進行が早く、短時間で
ハロゲンを除去できるので、クリーニングに要する時間
が従来のクリーニング方法に比べて格段に短い。
【図１】一般的なＥＣＲプラズマエッチング装置の構成
を示す模式的断面図である。
を示す模式的断面図である。
【図２】ポリシリコン膜のエッチングの際に生じる現象
を説明する模式的断面図である。
を説明する模式的断面図である。
【図３】アルミニウム配線層のエッチングの際に生じる
現象を説明する模式的断面図である。
現象を説明する模式的断面図である。
１０ サセプタ １２ プロセスチャンバ １４ ソレノイド １６ ＲＦ電源 １８ 導入口 ２０ 供給口 ２２ 吸引口 ２４ 冷却水の入口 ２６ 冷却水の出口
Claims (2)
- 【請求項１】 ハロゲンを含むガスを使用して基体に微
細加工を施す装置のクリーニング方法であって、 ハロゲンを含むガスを使用した微細加工作業の終了後、
クリーニングガスとして酸素ガス及びハロゲンガスに加
えて水素ガス又は水素を構成元素の一とする化合物のガ
スをプロセスチャンバに導入し、プラズマを生成させつ
つプロセスチャンバ壁上の堆積物と反応させ、更に吸引
して外部に排出する工程を所定時間実施するようにした
ことを特徴とする微細加工装置のクリーニング方法。 - 【請求項２】 前記水素を構成元素の一とする化合物
は、CH4 又はCH3OH であることを特徴とする請求項１に
記載の微細加工装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21071494A JPH0855838A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 微細加工装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21071494A JPH0855838A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 微細加工装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855838A true JPH0855838A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16593892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21071494A Pending JPH0855838A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 微細加工装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0855838A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100735523B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
| US7344909B2 (en) * | 2002-10-25 | 2008-03-18 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method for producing semi-conducting devices and devices obtained with this method |
| WO2010084909A1 (ja) * | 2009-01-21 | 2010-07-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁性膜加工チャンバのクリーニング方法、磁性素子の製造方法、および基板処理装置 |
| KR20210029072A (ko) * | 2019-09-05 | 2021-03-15 | 닛신 이온기기 가부시기가이샤 | 이온빔 조사 장치의 클리닝 방법 |
-
1994
- 1994-08-12 JP JP21071494A patent/JPH0855838A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7344909B2 (en) * | 2002-10-25 | 2008-03-18 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method for producing semi-conducting devices and devices obtained with this method |
| US7504279B2 (en) | 2002-10-25 | 2009-03-17 | Oerlikon Trading Ag, Trubbach | Method for producing semi-conducting devices and devices obtained with this method |
| KR100735523B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
| WO2010084909A1 (ja) * | 2009-01-21 | 2010-07-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁性膜加工チャンバのクリーニング方法、磁性素子の製造方法、および基板処理装置 |
| CN102224610A (zh) * | 2009-01-21 | 2011-10-19 | 佳能安内华股份有限公司 | 磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法及基板处理设备 |
| KR20210029072A (ko) * | 2019-09-05 | 2021-03-15 | 닛신 이온기기 가부시기가이샤 | 이온빔 조사 장치의 클리닝 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102158307B1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 인-시튜 챔버 세정 효율 향상을 위한 플라즈마 처리 프로세스 | |
| US5207836A (en) | Cleaning process for removal of deposits from the susceptor of a chemical vapor deposition apparatus | |
| US5863339A (en) | Chamber etching of plasma processing apparatus | |
| JPH0383335A (ja) | エッチング方法 | |
| US20070298617A1 (en) | Processing method | |
| JPH08264510A (ja) | シリコン窒化膜のエッチング方法およびエッチング装置 | |
| JPH0758079A (ja) | キセノンを用いたプラズマエッチング | |
| JPH07153746A (ja) | ドライエッチング室のクリーニング方法 | |
| KR100272122B1 (ko) | 건식 에칭에 의하여 반도체 기판상에 금속 배선을 형성하는 방법 및 에칭중 형성된 반응 생성물 제거 방법 | |
| EP0418592B1 (en) | Cleaning process for removal of deposits from the susceptor of a chemical vapor deposition apparatus | |
| US20050009356A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and method of cleaning plasma etching apparatus used therefor | |
| JPH06338479A (ja) | エッチング方法 | |
| EP1154036A1 (en) | Gas reactions to eliminate contaminates in a CVD chamber | |
| JPH0855838A (ja) | 微細加工装置のクリーニング方法 | |
| JP2650178B2 (ja) | ドライエッチング方法及び装置 | |
| JPH07201738A (ja) | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 | |
| US6329294B1 (en) | Method for removing photoresist mask used for etching of metal layer and other etching by-products | |
| JPH0637074A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| JP4060450B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH05144779A (ja) | シリコン酸化膜のドライエツチング方法 | |
| JP3507614B2 (ja) | 薄膜成膜装置 | |
| JPH1012734A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3820212B2 (ja) | Ｃｖｄチャンバクリーニング後にｃｖｄチャンバをコンディショニングする方法 | |
| JPH05129246A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| EP1154037A1 (en) | Methods for improving chemical vapor deposition processing |