CN102224610A - 磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法及基板处理设备 - Google Patents

磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法及基板处理设备 Download PDF

Info

Publication number
CN102224610A
CN102224610A CN2010800032712A CN201080003271A CN102224610A CN 102224610 A CN102224610 A CN 102224610A CN 2010800032712 A CN2010800032712 A CN 2010800032712A CN 201080003271 A CN201080003271 A CN 201080003271A CN 102224610 A CN102224610 A CN 102224610A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma
clean air
etching
process chamber
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010800032712A
Other languages
English (en)
Inventor
长田智明
F·恩努特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Anelva Corp
Original Assignee
Canon Anelva Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Anelva Corp filed Critical Canon Anelva Corp
Publication of CN102224610A publication Critical patent/CN102224610A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/098—Magnetoresistive devices comprising tunnel junctions, e.g. tunnel magnetoresistance sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

本发明提供能够缩短清洁步骤的时间的多层膜的制造方法、磁致电阻效应器件的制造方法以及基板处理设备。在本发明的一个实施方式中，在加工之间，可以用含有氢气和氧气的混合气体的等离子体清洁蚀刻设备的内部。这缩短了清洁时间，从而提高了生产性。

Description

磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法及基板处理设备
技术领域
本发明涉及提供高生产性并且可靠性优良的磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法以及基板处理设备。
背景技术
如专利文献1所示，存在如下的传统已知的清洁处理室内部的方法：将清洁气体导入到用于干法蚀刻或成膜的处理室中；在没有导入待处理对象的状态下产生等离子体。这将在干法蚀刻或成膜时附着于处理室内部的膜材料除去并排出。由此，可防止附着的膜材料在处理时剥落而产生粒子或防止等离子体的诸如等离子体密度的分布等生成状态在每次处理时改变，从而可制造具有高可靠性的电子部件。
[专利文献1]日本特开平8-330243号公报
发明内容
然而，在磁性器件的制造步骤中，当将磁性器件加工成规定形状时，磁性材料附着于蚀刻室。专利文献1使用四氟化碳(carbon tetrafluoride)气体作为清洁气体。当使用如上所述的四氟化碳气体进行清洁处理时，清洁步骤需要很长时间，从而导致生产性低下。
考虑到上述情况，完成了本发明，并且本发明的目的是提供能够缩短清洁步骤的时间的磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法以及基板处理设备。
为了实现这些目的，本发明是一种磁性膜加工室的清洁方法，其特征在于，该清洁方法包括以下清洁步骤：形成含有氧元素和氢元素的清洁气体的等离子体；以及除去通过磁性膜的加工处理而附着到加工室内部的构成所述磁性膜的金属膜。
此外，本发明是一种磁性器件的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下清洁步骤：在至少含有磁性层的磁性多层膜的加工处理之间，在从处理室移除所述磁性多层膜的状态下，在所述处理室中形成含有氧元素和氢元素的清洁气体的等离子体；然后除去由所述加工处理产生的附着于所述处理室的附着材料。
另外，本发明是一种能够进行干法蚀刻处理的基板处理设备，其特征在于，所述基板处理设备包括：处理室；等离子体生成部件，其用于在所述处理室中生成等离子体；气体导入部件，其用于将含有氧元素和氢元素的清洁气体导入到所述处理室中；以及控制部件，其用于在所述干法蚀刻处理之后在清洁所述处理室的内部时控制所述等离子体生成部件和所述气体导入部件，以将所述清洁气体导入到所述处理室中并且生成所述清洁气体的等离子体。
根据本发明，可缩短蚀刻室的清洁时间，以及可实现以高的生产性和可靠性制造诸如磁致电阻器件等电子部件。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施方式的由磁性多层膜制成的TMR器件的制造步骤的示例的示意性截面图。
图2是示出根据本发明的实施方式的包括清洁步骤的磁致电阻效应器件的制造方法的流程图。
图3是根据本发明的实施方式的用于干法蚀刻处理的蚀刻设备的概略截面图。
图4是示出本发明的实施例的试验结果的图。
图5是示出本发明的比较例1的试验结果的图。
图6是示出本发明的比较例2的试验结果的图。
具体实施方式
下面，将以制造TMR(隧道式磁电阻)器件的情况作为示例来说明本发明的诸如磁致电阻器件等磁性器件的制造方法。TMR器件可用于MRAM(磁性随机存储器)、磁头传感器等。此外，在本说明书中，插在金属元素之间的“-”是未规定组成比的表述。
图1是示出根据本发明的实施方式的由磁性多层膜制成的TMR器件的制造步骤的示例的示意性截面图，图2是示出根据本发明的实施方式的包括清洁步骤的磁致电阻器件的制造方法的流程图。
首先，在图1的步骤1中，在基板S的上方，依次层叠Ta膜1、作为下部电极的Al膜2、作为基础层的Ta膜3、由PtMn制成的反铁磁性层4、由Co-Fe制成的铁磁性的固定(pin)层5、由Al-O制成的绝缘层6以及由Co-Fe制成的铁磁性的自由层7。此外，在自由层7的上方，层叠作为遮挡层的Ni-Fe层8和作为金属掩模层的Ta层9。由此，制备了图1的步骤1所示的多层膜16。在本实施方式中，利用溅射设备层叠所有必需的膜。此外，所有必需的膜可以通过诸如CVD(化学气相沉积)方法等其它方法形成，而不通过溅射方法形成。
此外，膜结构也不限于图1所示的膜结构，包括如下的MTJ(磁性隧道结)部分的膜结构是可接受的：该MTJ部分至少包括绝缘层6和形成在绝缘层6的两表面的铁磁性层(固定层5和自由层7)。具体地，例如，固定层5可以是具有诸如被固定的层、间隔件以及基准层(例如CoFe/Ru/CoFe)等多个层的层。此外，绝缘层6并不限于由氧化铝形成的层，而可以是由氧化镁形成的层或者通过向氧化镁添加其它元素而形成的层。即，在本发明中，MTJ部分自身的结构并不是必需的，因此，MTJ部分的具体结构和材料可以是任意的。
接着，在图1的步骤2中，金属掩模层形成在步骤1中制备的多层膜的上方，并且进行将金属掩模层加工成指定图案的第一蚀刻步骤。首先，用于将磁性多层膜加工成指定图案的抗蚀剂掩模层10形成在Ta膜9的上方，形成在Ta膜9上方的抗蚀剂掩模层10通过曝光和显影而形成为指定图案。此后，在图1的步骤3中，利用抗蚀剂掩模层10作为掩模，通过干法蚀刻处理将Ta膜9加工成指定图案(图2中的步骤S101：第一蚀刻步骤)。在第一蚀刻步骤中，对Ta膜9的蚀刻率比对抗蚀剂掩模层10的蚀刻率高的气体被用作蚀刻气体。例如，诸如四氟化碳气体(CF4气体)等含卤素气体被用作第一蚀刻步骤中所使用的蚀刻气体。
这里，如图3所示，将利用作为磁性膜加工室的安装有ICP(电感耦合等离子体)等离子体源的蚀刻设备的概略截面图具体说明第一蚀刻步骤(图1中的步骤3以及图2中的步骤S101)，其中ICP(电感耦合等离子体)等离子体源可用于第一蚀刻步骤。
真空容器33的内部由排气系统21排气，闸式阀(未示出)被打开，在图1的步骤2中形成的具有层叠结构的多层膜16被运送到真空容器33中，该多层膜16由基板保持件20保持并由温度控制机构32维持在指定温度。
接着，操作气体导入系统23，具有指定流速的蚀刻气体(CF4)从钢筒23c经由管23b、阀23a、23d和23f以及流量控制器23e被导入到真空容器33中，该钢筒23c存储包含作为根据第一蚀刻步骤的蚀刻气体的CF4气体的气体。导入的蚀刻气体经由真空容器33的内部扩散到电介质壁容器24中。此时，在真空容器33中产生等离子体。此外，排气系统21也被操作。
用于产生等离子体的机构具有电介质壁容器24、用于在电介质壁容器24中产生感应磁场的一圈天线25、等离子体用高频电源27、用于保持电介质壁容器24中的指定磁场的电磁体28和29，等等。电介质壁容器24以使内部空间连通的方式被气密地连接到真空容器33，等离子体用高频电源27通过传送路径26经由匹配箱(未示出)被连接到天线25。
在上述结构中，当由等离子体用高频电源27产生的高频波经由传送路径26被供给到天线25时，电流流向一圈天线25，由此，在电介质壁容器24的内部形成等离子体。
此外，在真空容器33的侧壁的外侧，多个侧壁用磁体22在周向上并排布置，使得磁体的与真空容器33的侧壁相对的一侧的磁极不同于与该磁体相邻的磁体的与真空容器33的侧壁相对的一侧的磁极。因此，沿着真空容器33的侧壁的内表面在周向上连续形成会切(cusped)磁场，以防止或减少等离子体到真空容器33的侧壁的内表面的扩散。
此时，偏压用高频电源30被同时操作，作为与负直流电流对应的电压的偏压电压被施加到作为蚀刻处理用对象的多层膜16，以控制从等离子体到基板16表面的离子入射能量。如上所述形成的等离子体从电介质壁容器24扩散到真空容器33中，到达多层膜16的表面附近并与多层膜16的表面反应。
此时，蚀刻气体的等离子体中的氟的离子和自由基与Ta膜9中的Ta结合，以形成TaFX(X是正数)，该TaFX被气化并被排气。另一方面，由有机化合物制成的抗蚀剂掩模层10中的碳和氢也与等离子体中的氟的离子和自由基以及碳的离子和自由基反应以形成诸如CF4、HF和C2H4等分子，这些分子被气化并被排气。然而，CF4与蚀刻气体处于平衡关系，由此具有低生成速度，碳在抗蚀剂掩模层10的表面形成聚合物，由此更加易于生成TaFX。结果，Ta膜9优先被除去，并被加工成抗蚀剂掩模层10的图案，抗蚀剂掩模层10的一部分残留于Ta膜9a的表面上方(图1的步骤3)。通过该第一蚀刻步骤，在抗蚀剂掩模层10a形成在已被图案化成指定图案的Ta膜9a上方的状态中，作为Ta膜9a的下层的Ni-Fe膜8由此暴露于未形成Ta膜9a的区域中。
此外，尽管未示出，图3中的蚀刻设备还包括用于控制诸如排气系统21、温度控制机构32、气体导入系统23以及等离子体用高频电源27等各构成元件的控制器，该控制器被构造成可根据预定程序连续地进行指定的蚀刻操作(例如，第一蚀刻步骤、第二蚀刻步骤等)。此外，除了上述蚀刻操作之外，控制器还可以根据预定程序进行清洁处理。
接着，在第二蚀刻步骤中，除去残留在被图案化成指定图案的Ta膜9a表面上的抗蚀剂掩模层10a(图2的步骤S102)。在本实施方式中，在第一蚀刻步骤的干法蚀刻结束之后，通过在以原来的样子布置多层膜16的状态中进行排气，以及通过导入已被切换到第二蚀刻步骤用蚀刻气体的蚀刻气体，连续地进行第二蚀刻步骤。在第二蚀刻步骤中，对抗蚀剂掩模层10a的蚀刻率比对Ta膜9a和暴露的Ni-Fe层8的蚀刻率高的气体被用作蚀刻气体，具体地，例如，使用氧气。
即，钢筒23c被切换成存储作为用于除去抗蚀剂掩模层10a的蚀刻气体的氧气的钢筒，控制器(未示出)控制排气系统21以对真空容器33进行排气，并且控制气体导入系统23以将作为第二蚀刻步骤中的蚀刻气体的氧气导入到真空容器33中。通过导入作为蚀刻气体的含有氧元素的氧气，对多层膜16进行干法蚀刻处理，以除去抗蚀剂掩模层10a，其中，多层膜16的至少一部分没有被抗蚀剂掩模层10a遮蔽。
通过在导入用于第二蚀刻步骤的气体之后生成如上所述的等离子体，残留于Ta膜9a上方的抗蚀剂掩模层10a与等离子体中的氧的离子和自由基反应，从而抗蚀剂掩模层10a被气化为COx等，并被除去(图1的步骤4)。此时，Ni-Fe层8的暴露面通过与等离子体中的离子碰撞也被物理蚀刻，从而形成Ni-Fe层8的暴露面的一部分被除去的状态。此时，控制器控制排气系统21以对真空容器33的内部进行排气。于是，被蚀刻的Ni-Fe层8的材料的一部分变成微粒并被排气，而其它部分附着到真空容器33的内壁从而残留在真空容器33中。
如上所述，在本实施方式中，有机化合物被用作抗蚀剂掩模层10a，氧气被用作除去抗蚀剂掩模层10a用的蚀刻气体。因此，被第二蚀刻步骤(除去抗蚀剂掩模层的步骤)中的蚀刻气体(氧气)除去的材料被气化并被排气，从而不附着到真空容器33的内部。即，在本实施方式中，由于使用有机化合物作为抗蚀剂掩模层10a以及使用氧气作为蚀刻气体，所以可防止将被除去的抗蚀剂掩模层10a成为附着材料的发生源，该附着材料是将通过清洁而除去的对象。
此后，多层膜16被运送出真空容器33并进行后续步骤。这里，当仍未到达规定的清洁定时时(步骤S103：否)，在蚀刻设备中，如图1的步骤2所示其上方已形成有抗蚀剂掩模层10的下一基板被运送进来，并且再次进行上述第一蚀刻步骤和第二蚀刻步骤。另一方面，当到达规定的清洁定时时(步骤S103：是)，控制器在多层膜16未被导入到真空容器33中的状态下进行清洁步骤(步骤S104)。清洁定时可被任意设定，例如，在每数十次干法蚀刻处理之后，进行清洁。
在步骤S104处，在真空容器33内部的清洁步骤中，通过将含有氢气和氧气的清洁气体导入到真空容器33中，以及通过操作等离子体用高频电源27以产生等离子体，来进行清洁。即，钢筒23c被切换到存储含有清洁用氧元素和氢元素的清洁气体的钢筒，并且控制器控制气体导入系统23以将清洁气体导入到真空容器33中以及控制等离子体用高频电源27以在真空容器33中形成清洁气体的等离子体。通过由此产生的清洁气体的等离子体，附着于真空容器33和电介质壁容器24的内部的沉积物被除去。
此时，偏压用高频电源30的操作不是必须的。但是，通过操作偏压用高频电源30，基板保持件20可被高速清洁。此外，尽管在本实施方式中多层膜16未被导入，但是，通过在导入其上未形成有膜的基板S(空基板)的状态中进行清洁，可减小基板保持件20的损坏。当然，可以在没有空基板的情况中进行清洁。
只要清洁气体含有氧元素和氢元素，则清洁气体并不限于氢气和氧气的混合气体，而是可以额外地含有惰性气体等。例如，可以使用O3、H2O(水)等。此外，还可以使用乙醇等的气体，但是，由于碳易于附着到室壁等并且可能产生粒子，因此，优选使用不含碳的气体。此外，流量比也不受特别限制，但是，为了生成氢化物，清洁气体中O和H的比优选在大约3∶7至7∶3的范围中。O的含量太大会产生不能作为蒸气被排气的氧化物。由于清洁气体等离子体的生成，Ni-Fe层8被气化为NiOH、Fe(OH)x等并被排气。其它磁性材料(例如，Co、Fe、Ni及其合金，以及通过添加B元素或C元素等形成的磁性材料)也可以以相同的方式作为氢化物被除去。
等离子体生成之后的排气使得可在下一多层膜16被导入的状态中进行第一蚀刻步骤。此外，在一个清洁步骤中，可重复多次进行清洁气体的等离子体生成和排气。
如上所述，使用作为清洁气体的含有氧元素和氢元素的气体可缩短清洁步骤所需的时间以及提高磁致电阻器件的生产性。
此外，在上述实施方式中，说明了TMR器件的情况，但是，本发明还可适用于利用代替绝缘层6的诸如Cu等非磁性导电层来制造GMR器件。
此外，在本发明中，说明了在制造磁致电阻效应器件时在除去抗蚀剂掩模层之后的清洁，但是，本发明的清洁可适用于其它器件。在本发明中，重要的是，在除去用于将规定层(例如图1中的Ta层9)加工成指定图案的抗蚀剂掩模层之后，在短时间内清洁(除去)在用于除去抗蚀剂掩模层的蚀刻步骤(图2中的第二蚀刻步骤)中产生并附着到作为处理室的真空容器的内部的附着材料(例如，从图1中的Ni-Fe层8所蚀刻的Ni-Fe)。因此，本发明的本质是，利用含有氧元素和氢元素的清洁气体(根据本发明的清洁气体)而不是利用传统方式中的四氟化碳气体来进行清洁。由此，作为制造对象的器件并不限于上述磁致电阻器件，而可以是GMR(巨磁电阻)器件、垂直磁性记录介质等，只要它们具有作为由抗蚀剂掩模层形成指定图案的对象的多层膜。
然而，根据本发明的清洁气体的等离子体需要除去真空容器中的在用于除去抗蚀剂掩模层的蚀刻步骤(例如，第二蚀刻步骤)中产生的附着材料。根据本发明的实施方式，附着材料可以是在第二蚀刻步骤中通过蚀刻上述暴露层而产生的材料，或通过蚀刻抗蚀剂掩模层而产生的材料。可选择地，附着材料可以是上述两者。因此，在本发明中，通过用于除去抗蚀剂掩模层的蚀刻步骤、由抗蚀剂掩膜层和暴露层中的至少一方生成附着材料之后而附着于真空容器的附着材料是被根据本发明的清洁气体的等离子体气化的附着材料。从相反的角度考虑，在用于除去抗蚀剂掩模层的蚀刻步骤中生成的附着材料是通过干法蚀刻处理、由抗蚀剂掩模层和暴露层中的至少一方生成的，由此，在抗蚀剂掩模层和暴露层中，作为借助于蚀刻处理通过附着于真空容器的内部的附着材料的层的原材料是如下材料：附着材料被根据本发明的清洁气体的等离子体气化。
例如，如上述实施方式的情况那样，当有机化合物被用作抗蚀剂掩模层并且氧气被用作第二蚀刻步骤用的蚀刻气体时，在用于除去抗蚀剂掩模层的蚀刻处理中暴露的层(例如，图1的步骤3中的Ni-Fe层8)需要由以下材料制成：该材料被根据本发明的清洁气体的等离子体气化。
(实施例)
接着，将说明用于确认本发明的效果所进行的试验。
在试验中，使用图3所示的蚀刻设备，在进行了第二蚀刻步骤预定次数后，进行清洁步骤。实施例以及比较例1和比较例2中的清洁步骤的条件如下所示。
[实施例]
清洁时间(气体导入后的放电时间)：180秒
氧气的流量/氢气的流量：70sccm/30sccm
等离子体用电力/偏压用电力(等离子体用高频电源27的电力/偏压用高频电源30的电力)：2500W/200W
真空容器33中的压力：0.7Pa。
[比较例1]
氧气的流量：100sccm
其它条件与实施例中的条件相同。
[比较例2]
氧气的流量/CF4气体的流量：70sccm/30sccm
其它条件与实施例中的条件相同。
图4至图6示出试验结果。在图4至图6的图中，横轴表示清洁次数，即，表示在导入清洁气体之后在上述清洁时间内放电和排气步骤的重复次数。左侧纵轴表示真空容器33中的清洁气体的等离子体发射量的测量值，右侧纵轴表示对于每一片的等离子体发射量的变化量(％)。
在实施例中，可知，等离子体发射量的变化量在第16次稳定，从而表示清洁已结束。在比较例1中，在进行清洁期间存在等离子体发射的少量变化，从而可评价清洁效果小。在比较例2中，在等离子体发射的变化量稳定之前，需要多次清洁，由此，清洁效率低。
由此可知，在清洁步骤方面，实施例是有效的。

Claims (5)

1.一种磁性膜加工室的清洁方法，其包括以下清洁步骤：形成含有氧元素和氢元素的清洁气体的等离子体；以及除去通过磁性膜的加工处理而附着到加工室内部的构成所述磁性膜的金属膜。
2.根据权利要求1所述的磁性膜加工室的清洁方法，其特征在于，所述清洁气体含有氢气和氧气。
3.一种磁性器件的制造方法，其包括以下清洁步骤：在至少含有磁性层的磁性多层膜的加工处理之间，在从处理室移除所述磁性多层膜的状态下，在所述处理室中形成含有氧元素和氢元素的清洁气体的等离子体；然后除去由所述加工处理产生的附着于所述处理室的附着材料。
4.根据权利要求3所述的磁性器件的制造方法，其特征在于，所述清洁气体含有氢气和氧气。
5.一种基板处理设备，其能够进行干法蚀刻处理，所述基板处理设备包括：
处理室；
等离子体生成部件，其用于在所述处理室中生成等离子体；
气体导入部件，其用于将含有氧元素和氢元素的清洁气体导入到所述处理室中；以及
控制部件，其用于在所述干法蚀刻处理之后在清洁所述处理室的内部时控制所述等离子体生成部件和所述气体导入部件，以将所述清洁气体导入到所述处理室中并且生成所述清洁气体的等离子体。
CN2010800032712A 2009-01-21 2010-01-21 磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法及基板处理设备 Pending CN102224610A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-011443 2009-01-21
JP2009011443 2009-01-21
PCT/JP2010/050704 WO2010084909A1 (ja) 2009-01-21 2010-01-21 磁性膜加工チャンバのクリーニング方法、磁性素子の製造方法、および基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102224610A true CN102224610A (zh) 2011-10-19

Family

ID=42355961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010800032712A Pending CN102224610A (zh) 2009-01-21 2010-01-21 磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法及基板处理设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20110308544A1 (zh)
JP (1) JPWO2010084909A1 (zh)
CN (1) CN102224610A (zh)
WO (1) WO2010084909A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI457971B (zh) * 2011-12-07 2014-10-21 Hitachi High Tech Corp Plasma processing method

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013051227A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング方法
JP5848626B2 (ja) * 2012-02-03 2016-01-27 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US20140061827A1 (en) * 2012-08-29 2014-03-06 Headway Technologies, Inc. Metal Protection Layer over SiN Encapsulation for Spin-Torque MRAM Device Applications
US9419211B2 (en) * 2012-10-30 2016-08-16 Tokyo Electron Limited Etching method and substrate processing apparatus
US9142392B2 (en) * 2013-04-29 2015-09-22 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Self-cleaning radio frequency plasma source
JP6829802B2 (ja) * 2014-02-28 2021-02-17 サムコ株式会社 プラズマ洗浄装置
US10249479B2 (en) * 2015-01-30 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Magnet configurations for radial uniformity tuning of ICP plasmas

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0855838A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Sony Corp 微細加工装置のクリーニング方法
US6176932B1 (en) * 1998-02-16 2001-01-23 Anelva Corporation Thin film deposition apparatus
US6283130B1 (en) * 1995-05-30 2001-09-04 Anelva Corporation Plasma cleaning method and placement area protector used in the method
US20070163617A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-19 Tokyo Electron Limited Method for cleaning treatment chamber iIn substrate treating apparatus and method for detecting endpoint of cleaning
JP2008226922A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Ulvac Japan Ltd 磁気デバイスの製造方法、及び磁気デバイスの製造装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08330243A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Anelva Corp プラズマクリーニング方法及びこの方法に使用される配置領域保護体
US20040087163A1 (en) * 2002-10-30 2004-05-06 Robert Steimle Method for forming magnetic clad bit line
JP2006060044A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Canon Anelva Corp 磁気抵抗効果素子の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0855838A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Sony Corp 微細加工装置のクリーニング方法
US6283130B1 (en) * 1995-05-30 2001-09-04 Anelva Corporation Plasma cleaning method and placement area protector used in the method
US6176932B1 (en) * 1998-02-16 2001-01-23 Anelva Corporation Thin film deposition apparatus
US20070163617A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-19 Tokyo Electron Limited Method for cleaning treatment chamber iIn substrate treating apparatus and method for detecting endpoint of cleaning
JP2008226922A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Ulvac Japan Ltd 磁気デバイスの製造方法、及び磁気デバイスの製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI457971B (zh) * 2011-12-07 2014-10-21 Hitachi High Tech Corp Plasma processing method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010084909A1 (ja) 2010-07-29
US20110308544A1 (en) 2011-12-22
JPWO2010084909A1 (ja) 2012-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102224610A (zh) 磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法及基板处理设备
CN101517768B (zh) 磁阻效应元件制造方法和用于制造磁阻效应元件的多腔设备
JP4111274B2 (ja) 磁性材料のドライエッチング方法
TWI576912B (zh) 減少蝕刻腔室內污染的方法
US8546263B2 (en) Method of patterning of magnetic tunnel junctions
TWI547992B (zh) 金屬膜之乾式蝕刻方法
TWI696219B (zh) 清理方法及電漿處理方法
JP6078610B2 (ja) 磁気抵抗効果素子の製造方法
CN101901868A (zh) 制造磁性器件的方法和设备
US20140138347A1 (en) Method for manufacturing magnetoresistance effect element
US20100044340A1 (en) Method of fabricating magnetic device
US20100301008A1 (en) Process and apparatus for fabricating magnetic device
JP5639195B2 (ja) 電極膜の加工方法、磁性膜の加工方法、磁性膜を有する積層体、および該積層体の製造方法
JP2011014679A (ja) 磁性素子の製造法及び記憶媒体
JP4905969B2 (ja) 磁気デバイスの製造装置
JP5824192B1 (ja) 磁気抵抗効果素子の製造方法および製造システム
US20100310902A1 (en) Dry etching method, magneto-resistive element, and method and apparatus for manufacturing the same
KR101602869B1 (ko) 자기 저항 효과 소자의 제조 방법 및 제조 시스템
JP2005268349A (ja) 反応性イオンエッチング方法および反応性イオンエッチング装置
Shin et al. Etch Characteristics of CoTb and CoZrNb Thin Films by High Density Plasma Etching

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20111019

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication