JP2004031380A - プラズマ処理装置のシーズニング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理室内部に石英部品3とAl部品4を有し、エッチング及びクリーニングを行う際にフッ素を含むガスプラズマを用いるプラズマ処理装置のシーズニング方法において、プラズマ処理室内をウエットクリーニングした直後に、
Al膜が堆積しているウエハをフッ素を含むガスプラズマでエッチング処理し、石英部品表面をAlFで被覆することにより、達成される。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理装置のシーズニング方法に係り、特にプラズマ処理室内に石英部品とAl部品を有し、エッチング及びクリーニングを行う際にフッ素を含むガスプラズマを用いるプラズマ処理装置をシーズニングするのに好適なプラズマ処理装置のシーズニング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、プラズマ処理装置では、プラズマ処理室内をウエットクリーニング後に、被エッチングウエハをエッチング処理する時に使用するガスプラズマで、シリコンウエハ、及びシリコン酸化膜ウエハをエッチング処理し、プラズマ処理室内にSi系反応生成物を付着させるシーズニング方法を実施している。
【0003】
例えば、ゲート用ポリシリコン膜加工プロセスにおいては、シリコンウエハをHBrとCl2 とO2 の単独ガス、または混合ガスプラズマによって処理するシーズニング方法がよく用いられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来のシーズニング方法は、プラズマ処理室内に石英部品とAl部品を有し、エッチング及びクリーニングを行う際にフッ素を含むガスプラズマを用いるプラズマ処理装置において、被エッチングウエハの処理枚数の増加に伴いAlFが石英部品表面を被覆する領域が増加し、Si系反応生成物が吸着できる石英部品表面の面積が減少することに起因して発生する被エッチング膜のエッチング完成寸法の変動については考慮されていない。
【0005】
本発明の目的は、プラズマ処理室内に石英部品及びAl部品を有し、エッチング及びクリーニングを行う際にフッ素を含むガスプラズマを用いるプラズマ処理装置において、被エッチングウエハの処理枚数に依存した被エッチング膜のエッチング完成寸法の変動を防止するプラズマ処理装置のシーズニング方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、プラズマ処理室内部に石英部品とAl部品を有し、エッチング及びクリーニングを行う際にフッ素を含むガスプラズマを用いるプラズマ処理装置のシーズニング方法において、プラズマ処理室内をウエットクリーニングした直後に、Al膜が堆積しているウエハをフッ素を含むガスプラズマでエッチング処理し、石英部品表面をAlFで被覆することにより達成される。
【0007】
プラズマ処理室内をウエットクリーニングした直後の石英部品表面は清浄な状態で、この状態でエッチング処理を進めると、エッチング処理中に発生するSi系反応生成物が石英部品表面に付着する。
【0008】
この石英部品表面に付着したSi系反応生成物はプラズマ中に再放出され、再解離して被エッチングウエハへ付着することで、被エッチング膜のエッチング完成寸法を太らせる要因となる。
【0009】
一方、Al部品から放出したAlはフッ素を含むガスプラズマによってAlFとなり石英部品表面に付着する。AlFの表面にはSi系反応生成物は付着し難く、また蒸気圧も低いため除去が困難である。
【0010】
このような性質をもつAlFは、被エッチングウエハの処理枚数の増加と共に石英部品表面を次第に覆い、AlF付着面積の増加に伴ってSi系反応生成物が吸着できる石英部品表面の面積の減少を引き起こし、石英部品表面に蓄えられるSi系反応生成物の量が次第に減少して被エッチング膜のエッチング完成寸法が細くなる。
【0011】
従って、プラズマ処理室内をウエットクリーニング直後に石英部品表面に意図的にAlFを付着させることにより、石英部品表面にSi系反応生成物が付着し難い状態が生成され、被エッチングウエハの処理枚数に依存した被エッチング膜のエッチング完成寸法の変動を防止できる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下本発明の一実施例を図1,図2により説明する。図1は、本発明を実施するための装置構成の一実施例を示す。本装置は、プラズマ処理室2を構成する部品の一部に、石英部品3とAl部品4を有している。
【0013】
また、高周波電源5よりプラズマ処理室2に高周波が導かれ、エッチングガス供給装置6からエッチングガスがプラズマ処理室2に導入され、導入された前記ガスがプラズマ化される。
【0014】
該プラズマ7により電極8に設置されたウエハ9がエッチングされる。エッチング中の圧力は、排気装置10により制御される。
【0015】
ウエハ9に入射するイオンのエネルギは電極8に高周波電源11から供給される高周波電力により制御される。
【0016】
上記の装置構成において、プラズマ処理室2をウエットクリーニングした直後、Al膜が堆積しているウエハを電極8に設置して、SF6 ガスとCl2 ガスの混合ガスプラズマでAl膜が堆積しているウエハをエッチング処理し、石英部品表面をAlFで被覆する。
【0017】
上記シーズニング処理によって、次のような効果が得られる。図2は被エッチング膜のエッチング完成寸法の被エッチングウエハ処理枚数依存性を示す特性図である。図2においてシーズニング処理無しの場合は、被エッチングウエハの処理枚数の増加に伴い被エッチング膜のエッチング完成寸法は細くなる。
【0018】
一方、シーズニング処理有りの場合は、被エッチングウエハの処理枚数に関係無く被エッチング膜のエッチング完成寸法は安定する。
【0019】
次に、本発明の他の実施例を図3で説明する。図3はゲート用ポリシリコン膜加工プロセスにおける被エッチング膜のエッチング完成寸法のシーズニング時間依存性を示す特性図である。図3のゲート用ポリシリコン膜加工プロセスにおいて、従来からよく使用されている、シリコンウエハをHBrとCl2 とO2 の単独ガス、または混合ガスプラズマによって処理するシーズニング方法と比較して、本発明のシーズニング方法の方がシーズニング時間が短い。
【0020】
従って、本発明のシーズニング方法を実施することにより、プラズマ処理室内をウエットクリーニング後から製品ウエハ着工までの時間が短縮される。
【0021】
【発明の効果】
本発明によれば、石英部品表面がAlFによって被覆され、石英部品表面に
Si系反応生成物が付着し難い状態を生成できる。従って、被エッチングウエハの処理枚数に依存した被エッチング膜のエッチング完成寸法の変動を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のプラズマ処理装置を示す説明図である。
【図2】本発明の一実施例の効果を示すウエハ処理枚数依存性の特性図である。
【図3】本発明の一実施例での効果を説明するためのゲート用ポリシリコン膜加工プロセスにおける被エッチング膜のエッチング完成寸法のシーズニング時間依存性を示す特性図である。
【符号の説明】
1…プラズマ処理装置、2…プラズマ処理室、3…石英部品、4…Al部品、5,11…高周波電源、6…エッチングガス供給装置、7…プラズマ、8…電極、9…ウエハ、10…排気装置。
Claims (2)
- プラズマ処理室内部に石英部品とAl部品とを有し、エッチング及びクリーニングを行う際にフッ素を含むガスプラズマを用いるプラズマ処理装置のシーズニング方法において、
Al膜が堆積しているウエハをフッ素を含むガスプラズマでエッチング処理し、石英部品表面をAlFで被覆することを特徴とするプラズマ処理装置のシーズニング方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置のシーズニング方法において、プラズマ処理室内をウエットクリーニングした直後に実施することを特徴とするプラズマ処理装置のシーズニング方法。
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Cited By (7)
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JP2006121030A (ja) * | 2004-03-05 | 2006-05-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム |
JP2008153365A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR101066972B1 (ko) | 2009-02-02 | 2011-09-22 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 |
US8557709B2 (en) | 2010-03-16 | 2013-10-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US8785216B2 (en) | 2004-03-05 | 2014-07-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method |
US9136138B2 (en) | 2010-05-26 | 2015-09-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Equipment for manufacturing semiconductor device and seasoning process method of the same |
JP2018152520A (ja) * | 2017-03-14 | 2018-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びシーズニング方法 |
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006121030A (ja) * | 2004-03-05 | 2006-05-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム |
US8785216B2 (en) | 2004-03-05 | 2014-07-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method |
JP2008153365A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR101066972B1 (ko) | 2009-02-02 | 2011-09-22 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 |
US8557709B2 (en) | 2010-03-16 | 2013-10-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US9496147B2 (en) | 2010-03-16 | 2016-11-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
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