JPS58170028A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPS58170028A JPS58170028A JP5314082A JP5314082A JPS58170028A JP S58170028 A JPS58170028 A JP S58170028A JP 5314082 A JP5314082 A JP 5314082A JP 5314082 A JP5314082 A JP 5314082A JP S58170028 A JPS58170028 A JP S58170028A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（１） 発明の技術分野
本発明線真空錫壇装置、例えは半導体ウェハに対し工、
チンダ処理、スｐ４ ｙタリング処理、または蒸着処理
を施す場合の如く真９状塾で処理するための装置に関す
る。 （２） 技術の背！ 例えは半導体ウェハのグツズマニラチン／には、菖ｌ−
に概略断面図で示される装置が用いられる。 同図において、ｌは予備真空Ｎ（ロード・ロック室−Ｌ
Ｌ−ともいう）、２は！ラズマエ、チンダを行なう処理
量、３はステージ、４は被処理物、５．６はｆ−）パル
プ、７は搬込機構、８は排気口上それぞれ示す。 かかる装置の使用に際しては、？−）バルブ６を閉じ、
ダートバルブ５を開いて被処理物４、例えは半導体ウェ
ハ會予備真空Ｍｌに入れ、ｒ−）パル２５を閉じ予備真
空ｍ１Ｙｔ真空にし、次にダートハルプロを開き被処理
物４ｔ−真壁の処理量２内のステージ３上に移し固定し
、次いでグー） ハルプロｔ−閉じて真空の処ｍ憲２内
でプラズマエ。 チングをｖ４施する。被処理物の飯送は例えは脚とｉｊ
Ｊ動ビームから成る搬込機構７によってなされる。 （３） 従来技術と問題点 図示したものの如き従来の装置においては、搬込機構７
の機械的諸部品が処理量２内に入って来る。それらはエ
ツチングガスの影４１１ｃ受けて損傷され、その傷！！
ｔｌ性が低下せしめられる。他方、搬送機構の動きによ
って発生するゴミ等が工、ナングに恐影Ｗｔ−与える。 かくして、エツチングと搬ｆｓ機栴の通勤は相互に患効
釆を与え合う。 かかる欠点ｔなくずについて、予備真空ｍｌ内に機械的
諸部品
チンダ処理、スｐ４ ｙタリング処理、または蒸着処理
を施す場合の如く真９状塾で処理するための装置に関す
る。 （２） 技術の背！ 例えは半導体ウェハのグツズマニラチン／には、菖ｌ−
に概略断面図で示される装置が用いられる。 同図において、ｌは予備真空Ｎ（ロード・ロック室−Ｌ
Ｌ−ともいう）、２は！ラズマエ、チンダを行なう処理
量、３はステージ、４は被処理物、５．６はｆ−）パル
プ、７は搬込機構、８は排気口上それぞれ示す。 かかる装置の使用に際しては、？−）バルブ６を閉じ、
ダートバルブ５を開いて被処理物４、例えは半導体ウェ
ハ會予備真空Ｍｌに入れ、ｒ−）パル２５を閉じ予備真
空ｍ１Ｙｔ真空にし、次にダートハルプロを開き被処理
物４ｔ−真壁の処理量２内のステージ３上に移し固定し
、次いでグー） ハルプロｔ−閉じて真空の処ｍ憲２内
でプラズマエ。 チングをｖ４施する。被処理物の飯送は例えは脚とｉｊ
Ｊ動ビームから成る搬込機構７によってなされる。 （３） 従来技術と問題点 図示したものの如き従来の装置においては、搬込機構７
の機械的諸部品が処理量２内に入って来る。それらはエ
ツチングガスの影４１１ｃ受けて損傷され、その傷！！
ｔｌ性が低下せしめられる。他方、搬送機構の動きによ
って発生するゴミ等が工、ナングに恐影Ｗｔ−与える。 かくして、エツチングと搬ｆｓ機栴の通勤は相互に患効
釆を与え合う。 かかる欠点ｔなくずについて、予備真空ｍｌ内に機械的
諸部品
【すべて収納することも考えられる。しかし、予
ｇＩｉ＾ｇ！富からウェハ上ステージ３まで移しその上
に固定するに社、ベルト、１】動ビーム等の比較的簡単
な部品で扛不十分で、より複雑な、従ってより高価な搬
送機構を必振とする。 （４） 発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑み、簡単な鵜凧で、可動
機械的部品が処ｓｙｍに出入することのなｉ真空処ｍ１
ｔｔ提供することｔａ的とする。 （５） 発明の構成 そしてこの目的は本発明によれは被飽暑物が挿入される
予備真空富と、前記予備真！［ＫＮ開閉可能１社体會介
して連続する搬送室と、前記搬送室に開閉可能な曙蔽体
を介して連続する処ｍ１ｉｉとｔ備えてなること１＊黴
とする真空処１１ｆ＆置によって達成される。 （６）発明の実施例 □、１． １ 以下本発明実施例を１向によって詳述する。 第２図に本発明の一実施例が模式的にＩｌｒ面図で水爆
れ、同図において、１１は予備真！ｉ！嵐、１２Ｆｉ像
送呈、ｌ ３は処理１１４ 、１５１！ｆ −）バルブ
、１６はステージ、１７は例えば半導体ウェハの如き徴
地理物、１８はベルト、１９はガス供給口、２０Ｆｉ取
出憲、２１はダートバルブ、２２は鐘蔽板會示す。 図示の装置において、搬送ｉｉは処ｍ］１の下に配置さ
れる。も理室と搬送室との間にダートパルプに設けられ
ず、ステージ１６下にステージ１６と供に上下移動する
履蔽板２２を配設する。そしてとの遮蔽板２２が２つの
室即ち搬送Ｍ１２と処理室１３とｔ１１断する機能を来
九丁。 かかる装置の操作手順を第３図の換式図を参照して説明
する。なお第２図で説明した部分と同部分は同記号で指
示してお９、■は真空状態、Ａ扛大気状塾を示す。 ＪＩ！初子備真！２室（以下ＬＬという）１１以外のす
べての富は真空状１ｉｔ（以下Ｖという）にする。 ［同図（１） ］、−献根板２（以下ＣＢという）は搬
送室１２内にあるので、処！［１３と搬送３ｉ１１２と
の間は開いている。ｒ−ト１４ルブ（以下ＧＶという）
１４．１６は閉。 次にＧＶＩ ４’ｌ開き、＊ｍ理物（以下ウェハという
）ｘｙＶｔ大気状ＩＩＣ以下ムという）のＬＬＩＩ円に
入れる。ＧＶＩ５は閉のま筐である〔同図＜ｂ＞ ）
＠ ここでＧＶＩ４に閉にしてＬＬＩＩｋＶにする〔同図（
＠）〕・ 次いでＧＶ ｌ ５ｋＮＫＬ％ ’）４／’１７にステ
ージ１６上に移しそこに１足する１ＪｌｌｉＵ（ｄ））
。 次にはＧＶ１５會閉にし、ステージ１６【上昇させ、Ｃ
Ｂ２２て処理１ｉ［１３とｇＩｉ込富１２とｔ遮断し、
例えはグラズマエッチンｌｔ開始する。他方、ＧＶ１４
’ｉ−き、次の処理すべきウェハ１７を人のＬＬＩＩ内
に入れる。（Ｐｌ（・）〕。 次にＧＶ１４ｔ−閉じ、ＬＬＩｌｌｃＶにする一力で、
ステージ１６ｋ）”降させることによりＣＢ２２に下げ
、搬送ｋＬ１２と地山１１２０との関０ＧＶ２１ｔ−開
き、ウェハ１７′ｇｃ取出１ｉ１１２０に移す〔同図（
ｆ）〕。 次に、ＧＶ １４に開閉にし、ＧＶ１５ｔｉ＆ＬＫして
ウェハ１７にステージ１６上に移す一刀、Ｇ Ｖ ２１
【閉にしウェハ１７’ｉ外部に取出す（ｆｌ’ｌＪＩＷ
（ｇ））。 このとき坂出憲はＡの状態にある。 以下この工程を順次繰返す、同図（・）のステー゛ジ１
６が上昇し、ＣＢ２２により、搬送１１１２と処理Ｗ１
１３とが分離されたときの状態が亀２図の点−で示され
ている。 かかる装置において、搬送機構はエッチングガスにさら
されないから、ベルト１８はプムま次はプラスチック材
のような材料で作ることができる。 他方、処理中処理Ｎ１３と搬送Ｗ１１２とはＣＢ２２に
よりて連断されているから、搬送機構からのゴミが処理
ｇ１３内に入ることが妨げられる。従って、搬送機構に
対し難しい条件や制約が加えられることはない。例えは
ＬＬＩＩの入口からステージ１６ｔでｆｆ−）パル２ｔ
−ＩＩｉすんでベルトコンベヤの設電も可能で、そのこ
とは搬送機構の製作會谷易にする。 本発明の他の実施例においては、ステージ１６の上昇、
下降に代えて、処理室１２が下降しまたは上昇する構成
とする。 本発明の更に他の実施例においては、ＣＢ２２の上下刃
向這動に代えて、ステージｔヒンノによって支承される
アームの構成とし、水平状態と９０°回つた状態との間
の旋回這動會なす構成とする。 処理室が上下動する構成においては、被処理物は水平方
向にＬＬＩＩの入口から堆出菖２ｏの出口まで例えはベ
ルトコンベヤで水平方向に動くだけであるから、搬送機
構が簡易化される利点かある。また遮蔽板が旋回運動を
なす＊ａは、九塩電１３ｉｃ別協に独立に構成し得る利
点（そのことはガス洩れ防止に有効である）がめる。 尚、本実施伺では処理Ｉ！を嶽送冨の上に配置したが、
例えば搬送寛の執に、予備臭！２富と処理室とが厘縁状
とならないように配置してもよい。 （７）発明の効果 罰 以上、詳細に説明したように、本発明にかかるｆｊ＆蝋
においては、搬送＊ｍが工、チングガスに触れないので
蟲鉄機構の信頼性が増し、かつ、その保守管理が容易に
攻る一方で、工、チングに対し搬送機構のゴミが妨害す
ることがないから、半導体処理の信頼性も向上する効果
がある。
ｇＩｉ＾ｇ！富からウェハ上ステージ３まで移しその上
に固定するに社、ベルト、１】動ビーム等の比較的簡単
な部品で扛不十分で、より複雑な、従ってより高価な搬
送機構を必振とする。 （４） 発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑み、簡単な鵜凧で、可動
機械的部品が処ｓｙｍに出入することのなｉ真空処ｍ１
ｔｔ提供することｔａ的とする。 （５） 発明の構成 そしてこの目的は本発明によれは被飽暑物が挿入される
予備真空富と、前記予備真！［ＫＮ開閉可能１社体會介
して連続する搬送室と、前記搬送室に開閉可能な曙蔽体
を介して連続する処ｍ１ｉｉとｔ備えてなること１＊黴
とする真空処１１ｆ＆置によって達成される。 （６）発明の実施例 □、１． １ 以下本発明実施例を１向によって詳述する。 第２図に本発明の一実施例が模式的にＩｌｒ面図で水爆
れ、同図において、１１は予備真！ｉ！嵐、１２Ｆｉ像
送呈、ｌ ３は処理１１４ 、１５１！ｆ −）バルブ
、１６はステージ、１７は例えば半導体ウェハの如き徴
地理物、１８はベルト、１９はガス供給口、２０Ｆｉ取
出憲、２１はダートバルブ、２２は鐘蔽板會示す。 図示の装置において、搬送ｉｉは処ｍ］１の下に配置さ
れる。も理室と搬送室との間にダートパルプに設けられ
ず、ステージ１６下にステージ１６と供に上下移動する
履蔽板２２を配設する。そしてとの遮蔽板２２が２つの
室即ち搬送Ｍ１２と処理室１３とｔ１１断する機能を来
九丁。 かかる装置の操作手順を第３図の換式図を参照して説明
する。なお第２図で説明した部分と同部分は同記号で指
示してお９、■は真空状態、Ａ扛大気状塾を示す。 ＪＩ！初子備真！２室（以下ＬＬという）１１以外のす
べての富は真空状１ｉｔ（以下Ｖという）にする。 ［同図（１） ］、−献根板２（以下ＣＢという）は搬
送室１２内にあるので、処！［１３と搬送３ｉ１１２と
の間は開いている。ｒ−ト１４ルブ（以下ＧＶという）
１４．１６は閉。 次にＧＶＩ ４’ｌ開き、＊ｍ理物（以下ウェハという
）ｘｙＶｔ大気状ＩＩＣ以下ムという）のＬＬＩＩ円に
入れる。ＧＶＩ５は閉のま筐である〔同図＜ｂ＞ ）
＠ ここでＧＶＩ４に閉にしてＬＬＩＩｋＶにする〔同図（
＠）〕・ 次いでＧＶ ｌ ５ｋＮＫＬ％ ’）４／’１７にステ
ージ１６上に移しそこに１足する１ＪｌｌｉＵ（ｄ））
。 次にはＧＶ１５會閉にし、ステージ１６【上昇させ、Ｃ
Ｂ２２て処理１ｉ［１３とｇＩｉ込富１２とｔ遮断し、
例えはグラズマエッチンｌｔ開始する。他方、ＧＶ１４
’ｉ−き、次の処理すべきウェハ１７を人のＬＬＩＩ内
に入れる。（Ｐｌ（・）〕。 次にＧＶ１４ｔ−閉じ、ＬＬＩｌｌｃＶにする一力で、
ステージ１６ｋ）”降させることによりＣＢ２２に下げ
、搬送ｋＬ１２と地山１１２０との関０ＧＶ２１ｔ−開
き、ウェハ１７′ｇｃ取出１ｉ１１２０に移す〔同図（
ｆ）〕。 次に、ＧＶ １４に開閉にし、ＧＶ１５ｔｉ＆ＬＫして
ウェハ１７にステージ１６上に移す一刀、Ｇ Ｖ ２１
【閉にしウェハ１７’ｉ外部に取出す（ｆｌ’ｌＪＩＷ
（ｇ））。 このとき坂出憲はＡの状態にある。 以下この工程を順次繰返す、同図（・）のステー゛ジ１
６が上昇し、ＣＢ２２により、搬送１１１２と処理Ｗ１
１３とが分離されたときの状態が亀２図の点−で示され
ている。 かかる装置において、搬送機構はエッチングガスにさら
されないから、ベルト１８はプムま次はプラスチック材
のような材料で作ることができる。 他方、処理中処理Ｎ１３と搬送Ｗ１１２とはＣＢ２２に
よりて連断されているから、搬送機構からのゴミが処理
ｇ１３内に入ることが妨げられる。従って、搬送機構に
対し難しい条件や制約が加えられることはない。例えは
ＬＬＩＩの入口からステージ１６ｔでｆｆ−）パル２ｔ
−ＩＩｉすんでベルトコンベヤの設電も可能で、そのこ
とは搬送機構の製作會谷易にする。 本発明の他の実施例においては、ステージ１６の上昇、
下降に代えて、処理室１２が下降しまたは上昇する構成
とする。 本発明の更に他の実施例においては、ＣＢ２２の上下刃
向這動に代えて、ステージｔヒンノによって支承される
アームの構成とし、水平状態と９０°回つた状態との間
の旋回這動會なす構成とする。 処理室が上下動する構成においては、被処理物は水平方
向にＬＬＩＩの入口から堆出菖２ｏの出口まで例えはベ
ルトコンベヤで水平方向に動くだけであるから、搬送機
構が簡易化される利点かある。また遮蔽板が旋回運動を
なす＊ａは、九塩電１３ｉｃ別協に独立に構成し得る利
点（そのことはガス洩れ防止に有効である）がめる。 尚、本実施伺では処理Ｉ！を嶽送冨の上に配置したが、
例えば搬送寛の執に、予備臭！２富と処理室とが厘縁状
とならないように配置してもよい。 （７）発明の効果 罰 以上、詳細に説明したように、本発明にかかるｆｊ＆蝋
においては、搬送＊ｍが工、チングガスに触れないので
蟲鉄機構の信頼性が増し、かつ、その保守管理が容易に
攻る一方で、工、チングに対し搬送機構のゴミが妨害す
ることがないから、半導体処理の信頼性も向上する効果
がある。
第１図は従来の半尋体処ｍ装置の概略断面図、＄２凶は
本発明にかかる装置の第１図に類似の断面図、第３図は
第２図の装置の操作順序を示す儀式的断面図である。 １１・・・予備真空１ｉｌ（ＬＬ）、１２・・・搬送型
、１３・・・処理室、１４，１５，２１・・・ｒ−）バ
ルブ（ＧＶ）、１６・・・ステージ、１７・・・被処理
物（半導体ウェハ）、１８・・・ベル）、１９・・・ガ
ス供給口、２０・・・取出室、２２・・・遮蔽板、ム・
・・大気状励、■・・・真空状態。 （ 第１１；４ く 第２ｒ２′ｌ （ ） １１２ 第３− （Ｑ） ｂ） ２ Ｃ） 第３図 （ｄ） ２ （ｅ） ＄３１１ （９）
本発明にかかる装置の第１図に類似の断面図、第３図は
第２図の装置の操作順序を示す儀式的断面図である。 １１・・・予備真空１ｉｌ（ＬＬ）、１２・・・搬送型
、１３・・・処理室、１４，１５，２１・・・ｒ−）バ
ルブ（ＧＶ）、１６・・・ステージ、１７・・・被処理
物（半導体ウェハ）、１８・・・ベル）、１９・・・ガ
ス供給口、２０・・・取出室、２２・・・遮蔽板、ム・
・・大気状励、■・・・真空状態。 （ 第１１；４ く 第２ｒ２′ｌ （ ） １１２ 第３− （Ｑ） ｂ） ２ Ｃ） 第３図 （ｄ） ２ （ｅ） ＄３１１ （９）
Claims (1)
- 被処理物が挿入される予備真空室と、前記予備真空室に
開閉可能なａ蔽体を介して連続する伽送富と、前記搬送
型に開閉可能ｔｉｉ叡体會介して連続する処Ｊｍｉｌｉ
１と七備えてなることｔ％黴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314082A JPS58170028A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5314082A JPS58170028A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58170028A true JPS58170028A (ja) | 1983-10-06 |
Family
ID=12934516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5314082A Pending JPS58170028A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58170028A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100687A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| JPS6230325A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | 半導体処理装置 |
| JPS62181440A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-08-08 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | ウェーハ処理方法 |
| JPS62242326A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイス製造装置 |
| JPS63204726A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
| JPH01312072A (ja) * | 1988-06-13 | 1989-12-15 | Asahi Glass Co Ltd | 真空処理装置 |
| JPH02273119A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Ulvac Corp | 農産物輸送用容器のガス置換装置 |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP5314082A patent/JPS58170028A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100687A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| JPS6230325A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Tokuda Seisakusho Ltd | 半導体処理装置 |
| JPS62181440A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-08-08 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | ウェーハ処理方法 |
| JPH0640517A (ja) * | 1985-10-24 | 1994-02-15 | Texas Instr Inc <Ti> | ウェーハ移送方法及び集積回路ステーション |
| JPS62242326A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイス製造装置 |
| JPS63204726A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
| JPH01312072A (ja) * | 1988-06-13 | 1989-12-15 | Asahi Glass Co Ltd | 真空処理装置 |
| JPH02273119A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Ulvac Corp | 農産物輸送用容器のガス置換装置 |
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