JP2887079B2 - アッシング装置 - Google Patents
アッシング装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はアッシング装置に関
し、特に高速搬送，高速処理を行う際に使用されるアッ
シング装置に関する。
し、特に高速搬送，高速処理を行う際に使用されるアッ
シング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、アッシング装置を用いて減圧プラ
ズマ中でアッシング等の処理を行う場合、１つの処理室
に１枚又は複数枚の半導体ウェハを搬送して処理を行っ
ている。また、複数の処理室をもつアッシング装置にお
いては、ウェハは１枚づつ搬送している。更に、真空搬
送時の圧力は排気ポンプの到達圧力で搬送している。
ズマ中でアッシング等の処理を行う場合、１つの処理室
に１枚又は複数枚の半導体ウェハを搬送して処理を行っ
ている。また、複数の処理室をもつアッシング装置にお
いては、ウェハは１枚づつ搬送している。更に、真空搬
送時の圧力は排気ポンプの到達圧力で搬送している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、高速搬送、高
速処理を行いかつ均一な処理を行うためには、処理室を
複数個持った装置が必要である。但し、複数の処理室を
持っていても試料の交換を一枚づつ行っていては搬送時
間がかかるため、複数の処理室にある試料を同時に交換
する必要がある。また、搬送後処理室内圧力を到達圧力
からプロセス圧力まで制御するのに時間がかかる。
速処理を行いかつ均一な処理を行うためには、処理室を
複数個持った装置が必要である。但し、複数の処理室を
持っていても試料の交換を一枚づつ行っていては搬送時
間がかかるため、複数の処理室にある試料を同時に交換
する必要がある。また、搬送後処理室内圧力を到達圧力
からプロセス圧力まで制御するのに時間がかかる。
【０００４】この発明はこうした事情を考慮してなされ
たもので、従来と比べ、処理後の半導体ウェハと処理前
の半導体ウェハを同時に搬送できるとともに、搬送後の
圧力制御時間を短縮できるアッシング装置を提供するこ
とを目的とする。
たもので、従来と比べ、処理後の半導体ウェハと処理前
の半導体ウェハを同時に搬送できるとともに、搬送後の
圧力制御時間を短縮できるアッシング装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、未処理ウェ
ハを載置する部分にウェハの径よりも小さな径の開口部
を有した上下動可能な搬送テーブルと、この搬送テーブ
ルを回転させる駆動軸と、前記ウェハがセットされ、ウ
ェハのセット時に搬送室と真空室に隔離される複数のロ
ードロック室と、これらのロードロック室内で前記搬送
テーブルの下側に配置され、前記ウェハのセット時に前
記開口部から搬送テーブルの上方に突出して前記ウェハ
を載置するとともに下端部の鍔面が搬送テーブルの下面
に接する鍔付き試料台と、前記ロードロック室の搬送室
と真空室間に連結され、大気と連通するバルブを有した
バイパスラインと、前記ウェハを処理する複数の処理室
とを具備し、カセットから運ばれた未処理ウェハを減圧
中で同時に複数の処理室へ運ぶ機能を有することを特徴
とするアッシング装置である。
ハを載置する部分にウェハの径よりも小さな径の開口部
を有した上下動可能な搬送テーブルと、この搬送テーブ
ルを回転させる駆動軸と、前記ウェハがセットされ、ウ
ェハのセット時に搬送室と真空室に隔離される複数のロ
ードロック室と、これらのロードロック室内で前記搬送
テーブルの下側に配置され、前記ウェハのセット時に前
記開口部から搬送テーブルの上方に突出して前記ウェハ
を載置するとともに下端部の鍔面が搬送テーブルの下面
に接する鍔付き試料台と、前記ロードロック室の搬送室
と真空室間に連結され、大気と連通するバルブを有した
バイパスラインと、前記ウェハを処理する複数の処理室
とを具備し、カセットから運ばれた未処理ウェハを減圧
中で同時に複数の処理室へ運ぶ機能を有することを特徴
とするアッシング装置である。
【０００６】
【作用】この発明において、ロードロック室の真空室に
未処理ウェハが運ばれた後、各真空室は減圧に引かれ、
ロードロック室の搬送室につながっているバイバスライ
ンを開き、ロードロック室の搬送室と真空室を同じ圧力
にした後、試料台が開く（下がる）。試料台が開くと、
未処理ウェハは回転機構を持った搬送テーブルの上に置
かれる。また、処理済みのウェハは、各処理台を動かす
ことにより、搬送テーブルの上に置かれる。置かれたウ
ェハは搬送テーブルを回転させ、処理後のウェハは各試
料台、未処理ウェハは各処理台への受渡位置へ移動す
る。各ウェハは、試料台，処理台を動かすことにより各
真空室及び各処理室へ運ばれる。
未処理ウェハが運ばれた後、各真空室は減圧に引かれ、
ロードロック室の搬送室につながっているバイバスライ
ンを開き、ロードロック室の搬送室と真空室を同じ圧力
にした後、試料台が開く（下がる）。試料台が開くと、
未処理ウェハは回転機構を持った搬送テーブルの上に置
かれる。また、処理済みのウェハは、各処理台を動かす
ことにより、搬送テーブルの上に置かれる。置かれたウ
ェハは搬送テーブルを回転させ、処理後のウェハは各試
料台、未処理ウェハは各処理台への受渡位置へ移動す
る。各ウェハは、試料台，処理台を動かすことにより各
真空室及び各処理室へ運ばれる。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の一実施例に係るアッシング
装置について図１〜図３を参照して説明する。ここで、
図１はアッシング装置の全体図、図２は図１のアッシン
グ装置の一構成要素である搬送テーブルの平面図、図３
は図１のアッシング装置の一構成要素である搬送テーブ
ルの開口部にウェハがセットされた状態の説明図であ
る。図中の符号11は筐体である。この筐体11内には、２
つのロードロック室12と、２つの処理室13が設けられて
いる。また、前記筐体11内には、駆動軸14により回転移
動しかつ上下動する搬送テーブル15が配置されている。
ここで、搬送テーブル15には、半導体ウェハ31の径より
も小さい径の開口部16が形成されている（図２参照）。
前記ウェハ31は、図３のように搬送テーブル15の開口部
16上に載置される。
装置について図１〜図３を参照して説明する。ここで、
図１はアッシング装置の全体図、図２は図１のアッシン
グ装置の一構成要素である搬送テーブルの平面図、図３
は図１のアッシング装置の一構成要素である搬送テーブ
ルの開口部にウェハがセットされた状態の説明図であ
る。図中の符号11は筐体である。この筐体11内には、２
つのロードロック室12と、２つの処理室13が設けられて
いる。また、前記筐体11内には、駆動軸14により回転移
動しかつ上下動する搬送テーブル15が配置されている。
ここで、搬送テーブル15には、半導体ウェハ31の径より
も小さい径の開口部16が形成されている（図２参照）。
前記ウェハ31は、図３のように搬送テーブル15の開口部
16上に載置される。
【０００８】前記ロードロック室12は、ウェハのセット
時に搬送室17と真空室18に隔離される。前記真空室18に
は、上下動可能な鍔付き試料台19が配置されている。こ
こで、試料台19は、前記搬送テーブル15の開口部16より
上方に突出できるように上部が開口部16より小さい径に
なっており、下部は搬送テーブル15の裏面と接するよう
に鍔がついている。前記ロードロック室12の搬送室17と
真空室18とは、大気と連通するバルブ20を有したバイパ
スライン21により連通されている。そして、試料台19が
上部に移動して鍔が搬送テーブル15の裏面と接したとき
に、搬送室17と真空室18とが完全に隔離されるようにな
っている。前記真空室18には、開閉自在なロードロック
用バルブ22が設けられている。
時に搬送室17と真空室18に隔離される。前記真空室18に
は、上下動可能な鍔付き試料台19が配置されている。こ
こで、試料台19は、前記搬送テーブル15の開口部16より
上方に突出できるように上部が開口部16より小さい径に
なっており、下部は搬送テーブル15の裏面と接するよう
に鍔がついている。前記ロードロック室12の搬送室17と
真空室18とは、大気と連通するバルブ20を有したバイパ
スライン21により連通されている。そして、試料台19が
上部に移動して鍔が搬送テーブル15の裏面と接したとき
に、搬送室17と真空室18とが完全に隔離されるようにな
っている。前記真空室18には、開閉自在なロードロック
用バルブ22が設けられている。
【０００９】前記処理室13には、前記ロードロック室12
の開口部16を通過して上下に移動可能な処理台23が配置
されている。前記処理室13には、アッシング用のガスを
送給するガス導入管24が連結されている。前記処理室13
には、圧力計25が連結されている。なお、図中の符号26
はマイクロ波電源である。
の開口部16を通過して上下に移動可能な処理台23が配置
されている。前記処理室13には、アッシング用のガスを
送給するガス導入管24が連結されている。前記処理室13
には、圧力計25が連結されている。なお、図中の符号26
はマイクロ波電源である。
【００１０】こうした構成のアッシング装置は、次のよ
うにして操作する。まず、ロードロック用バルブ22を閉
め、ロードロック室12の真空室18を減圧雰囲気にし、処
理室13においてウェハの処理が終了するのを待つ（処理
後の処理室13、搬送室17の圧力は、処理開始圧力に保持
される）。次に、バルブ20を開け、ロードロック室12の
搬送室17と真空室18の圧力を同じにさせ、圧力変化によ
るパーティクルの巻き上げが起こらなくする。つづい
て、試料台19、搬送テーブル15、処理台23を下げ、ウェ
ハを搬送テーブル15に移し、搬送テーブル15を１８０度
回転させ、一度に試料の移し変えを行う。
うにして操作する。まず、ロードロック用バルブ22を閉
め、ロードロック室12の真空室18を減圧雰囲気にし、処
理室13においてウェハの処理が終了するのを待つ（処理
後の処理室13、搬送室17の圧力は、処理開始圧力に保持
される）。次に、バルブ20を開け、ロードロック室12の
搬送室17と真空室18の圧力を同じにさせ、圧力変化によ
るパーティクルの巻き上げが起こらなくする。つづい
て、試料台19、搬送テーブル15、処理台23を下げ、ウェ
ハを搬送テーブル15に移し、搬送テーブル15を１８０度
回転させ、一度に試料の移し変えを行う。
【００１１】次に、試料台19、搬送テーブル15、処理台
23を上昇させ、試料台19，処理台23に夫々処理後のウェ
ハ、未処理ウェハを移し替え、ロードロック室12の真空
室18ではウェハの移し替え、処理室13ではウェハの処理
を行う。
23を上昇させ、試料台19，処理台23に夫々処理後のウェ
ハ、未処理ウェハを移し替え、ロードロック室12の真空
室18ではウェハの移し替え、処理室13ではウェハの処理
を行う。
【００１２】処理台23が上昇して、処理室13でウェハの
レジストを剥離しているとき、試料台19，搬送テーブル
15が上昇している。そして、ロードロック室12の真空室
18が搬送室17と隔離された状態で真空室18を大気圧に
し、ロードロック用バルブ22を開け（開けたとき、図中
の点線のようになる）。処理後のウェハを搬送用ロボッ
トにより回収し、未処理ウェハを試料台19の上に置く。
レジストを剥離しているとき、試料台19，搬送テーブル
15が上昇している。そして、ロードロック室12の真空室
18が搬送室17と隔離された状態で真空室18を大気圧に
し、ロードロック用バルブ22を開け（開けたとき、図中
の点線のようになる）。処理後のウェハを搬送用ロボッ
トにより回収し、未処理ウェハを試料台19の上に置く。
【００１３】このように、上記実施例に係るアッシング
装置は、筐体11内に設けられ，ウェハのセット時に搬送
室17と真空室18に隔離される複数のロードロック室12
と、筐体11内に設けられた複数の処理室13と、前記筐体
11内に配置され，半導体ウェハの径よりも小さい径の開
口部16を有する回転移動しかつ上下動可能な搬送テーブ
ル15と、前記ロードロック室12に配置された上下動可能
な鍔付き試料台19と、前記ロードロック室12の搬送室17
と真空室18とを連通する，大気と連通するバルブ20を有
したバイパスライン21と、前記真空室18に設けられた開
閉自在なロードロック用バルブ22等を具備した構成にな
っている。従って、上記アッッシング装置は、次のよう
な効果を有する。 （１）筐体11内にロードロック室12の搬送室17や処理室
13を回転して移動する搬送テーブル15を配置することに
より、処理後のウェハと処理前のウェハを同時に搬送す
ることができる。 （２）処理室13内の圧力を圧力計25を用いてウェハ搬送
中も処理開始圧力に設定しておくことにより、搬送後の
圧力制御時間を短縮できる。
装置は、筐体11内に設けられ，ウェハのセット時に搬送
室17と真空室18に隔離される複数のロードロック室12
と、筐体11内に設けられた複数の処理室13と、前記筐体
11内に配置され，半導体ウェハの径よりも小さい径の開
口部16を有する回転移動しかつ上下動可能な搬送テーブ
ル15と、前記ロードロック室12に配置された上下動可能
な鍔付き試料台19と、前記ロードロック室12の搬送室17
と真空室18とを連通する，大気と連通するバルブ20を有
したバイパスライン21と、前記真空室18に設けられた開
閉自在なロードロック用バルブ22等を具備した構成にな
っている。従って、上記アッッシング装置は、次のよう
な効果を有する。 （１）筐体11内にロードロック室12の搬送室17や処理室
13を回転して移動する搬送テーブル15を配置することに
より、処理後のウェハと処理前のウェハを同時に搬送す
ることができる。 （２）処理室13内の圧力を圧力計25を用いてウェハ搬送
中も処理開始圧力に設定しておくことにより、搬送後の
圧力制御時間を短縮できる。
【００１４】（３）ロードロック室12の搬送室17と真空
室18を結ぶ、バルブ20付きバイパスライン21の存在によ
り、真空室18と搬送室17を隔離する試料台19を減圧状態
で下げることができる。
室18を結ぶ、バルブ20付きバイパスライン21の存在によ
り、真空室18と搬送室17を隔離する試料台19を減圧状態
で下げることができる。
【００１５】（４）更に、ウェハ搬送時、処理室，搬送
室，圧力，ガス条件等を実際の処理開始条件に合わせる
ことにより、高速処理を行うことができる。処理室につ
ながる圧力計の排気速度を一定に保持できる。
室，圧力，ガス条件等を実際の処理開始条件に合わせる
ことにより、高速処理を行うことができる。処理室につ
ながる圧力計の排気速度を一定に保持できる。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
従来と比べ、処理後の半導体ウェハと処理前の半導体ウ
ェハを同時に搬送できるとともに、搬送後の圧力制御時
間を短縮できる高速搬送，高速処理可能なアッシング装
置を提供できる。
従来と比べ、処理後の半導体ウェハと処理前の半導体ウ
ェハを同時に搬送できるとともに、搬送後の圧力制御時
間を短縮できる高速搬送，高速処理可能なアッシング装
置を提供できる。
【図１】この発明の一実施例に係るアッシング装置の説
明図。
明図。
【図２】図１のアッシング装置の一構成要素である搬送
テーブルの平面図。
テーブルの平面図。
【図３】図１のアッシング装置の一構成要素である搬送
テーブルの開口部にウェハがセットされた状態の説明
図。
テーブルの開口部にウェハがセットされた状態の説明
図。
11…筐体、 12…ロードロック室、 13
…処理室、14…駆動軸、 15…搬送テーブル、
16…開口部、17…搬送室、 18…真空
室、 19…試料台、20…バルブ、
21…バイパスライン、 22…ロードロック用バルブ、
23…処理台、 24…ガス導入管、 25
…圧力計、26…マイクロ波電源。
…処理室、14…駆動軸、 15…搬送テーブル、
16…開口部、17…搬送室、 18…真空
室、 19…試料台、20…バルブ、
21…バイパスライン、 22…ロードロック用バルブ、
23…処理台、 24…ガス導入管、 25
…圧力計、26…マイクロ波電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北沢 勉 神奈川県座間市相模が丘６−25−22 株 式会社芝浦製作所相模工場内 (56)参考文献 特開 平５−140743（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−168888（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−204147（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−84428（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/3065 H01L 21/205
Claims (2)
- 【請求項１】 未処理ウェハを載置する部分にウェハの
径よりも小さな径の開口部を有した上下動可能な搬送テ
ーブルと、この搬送テーブルを回転させる駆動軸と、前
記ウェハがセットされ、ウェハのセット時に搬送室と真
空室に隔離される複数のロードロック室と、これらのロ
ードロック室内で前記搬送テーブルの下側に配置され、
前記ウェハのセット時に前記開口部から搬送テーブルの
上方に突出して前記ウェハを載置するとともに下端部の
鍔面が搬送テーブルの下面に接する鍔付き試料台と、前
記ロードロック室の搬送室と真空室間に連結され、大気
と連通するバルブを有したバイパスラインと、前記ウェ
ハを処理する複数の処理室とを具備し、カセットから運
ばれた未処理ウェハを減圧中で同時に複数の処理室へ運
ぶ機能を有することを特徴とするアッシング装置。 - 【請求項２】 ウェハ搬送時、前記処理室，搬送室，圧
力，ガス条件を実際の処理開始条件に合わせることを特
徴とする請求項１記載のアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6235130A JP2887079B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | アッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6235130A JP2887079B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | アッシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897126A JPH0897126A (ja) | 1996-04-12 |
| JP2887079B2 true JP2887079B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=16981503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6235130A Expired - Fee Related JP2887079B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | アッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2887079B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6843883B2 (en) | 2001-08-31 | 2005-01-18 | Tdk Corporation | Vacuum processing apparatus and method for producing an object to be processed |
| CN112965343A (zh) * | 2021-02-08 | 2021-06-15 | 上海度宁科技有限公司 | 工件台结构及包含该结构的光刻系统及其曝光方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0184428U (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | ||
| JP3276382B2 (ja) * | 1991-11-21 | 2002-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置および真空処理方法 |
| JP3144664B2 (ja) * | 1992-08-29 | 2001-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JPH0828333B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1996-03-21 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体装置の製造装置 |
-
1994
- 1994-09-29 JP JP6235130A patent/JP2887079B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0897126A (ja) | 1996-04-12 |
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